JP3244492B2 - 縦型ｃｖｄ装置 - Google Patents
縦型ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP3244492B2 JP3244492B2 JP14611599A JP14611599A JP3244492B2 JP 3244492 B2 JP3244492 B2 JP 3244492B2 JP 14611599 A JP14611599 A JP 14611599A JP 14611599 A JP14611599 A JP 14611599A JP 3244492 B2 JP3244492 B2 JP 3244492B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vertical
- holder
- wafer holder
- flat surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ表面にＣＶＤ
膜等の生成を行う縦型ＣＶＤ装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ウェーハの表面にＣＶＤ膜を生成
する場合には、直接、石英製ウェーハボート５上にウェ
ーハ２を装填して行われる。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、膜厚均
一性を向上させるためには、図４に示したように、ウェ
ーハホルダ１６の上にウェーハ２の裏面を密着して載置
して、膜生成が行うことが望ましい。しかしながら、図
示のように、ウェーハホルダ１６上にウェーハ２の裏面
を密着すると、ウェーハ２をウェーハホルダ１６に装着
あるいは脱着する時に、自動搬送を行うのは困難である
という問題がある。また、ウェーハ２がウェーハホルダ
１６上を自由に移動できるので、ウェーハホルダ１６が
移動する際に、ウェーハが脱落することがあるという問
題がある。 【０００４】本願発明はかかる問題点に鑑みなされたも
ので、ウェーハの自動搬送を行うことができる縦型ＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の縦型ＣＶＤ装置は、未処理ウェーハ（２）
または処理済みウェーハ（２）を収納するカセット
（１）と、ウェーハ処理に際してウェーハ（２）を保持
するものであって、平坦面を持つウェーハホルダ本体
（６ａ）と、前記ウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦面の
上面から突出して設けられ、ウェーハ（２）が載置され
る部分と載置されたウェーハ（２）の周面に当接可能な
部分とを持つ複数個のつめ（７）と、を有するウェーハ
ホルダ（６）と、前記ウェーハホルダ（６）を複数、縦
方向に積層して保持するボート（５）と、前記カセット
（１）からボート（５）に保持された各ウェーハホルダ
（６）へ、またはボート（５）に保持された各ウェーハ
ホルダ（６）からカセット（１）へウェーハ（２）を搬
送可能なウェーハ搬送アーム（４）と、ウェーハ（２）
を処理する反応室（１２）と、複数のウェーハホルダ
（６）を保持するボート（５）を昇降させて反応室（１
２）に出し入れさせる昇降機構（１１）と、を備え、前
記複数のつめ（７）によって、保持されたウェーハ
（２）をウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦面から浮かし
て、ウェーハ（２）とウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦
面との間に前記ウェーハ搬送アーム（４）が挿入可能な
隙間を形成し、前記ウェーハ搬送アーム（４）が前記隙
間を出入りすることによって、ウェーハ（２）を各ウェ
ーハホルダ（６）のつめ（７）に載置し、またはウェー
ハ（２）を各ウェーハホルダ（６）のつめ（７）から取
り出すことを特徴とする。前記複数個のつめ（７）は、
保持するウェーハ（２）外周に沿って設けられるとよ
い。各つめ（７）には段差部（７ａ）が設けられ、該段
差部（７ａ）は、ウェーハ（２）の裏面と接触する略平
坦な平坦面（７ｂ）と、ウェーハ（２）の横方向の移動
を制限する移動制限面（７ｃ）とを有するとよく、また
は、前記段差部(７ａ)は、載置されるウェーハ（２）の
中心側を向いているとよく、また、前記縦型ＣＶＤ装置
は、反応室（１２）内でウェーハ（２）表面に高温酸化
膜（ＨＴＯ膜）を生成するものであるとよい。尚、括弧
内の数字は後述の実施例における対応部材の符号であ
る。 【０００６】 【作用】未処理ウェーハを搬送するウェーハ搬送アーム
が、ウェーハホルダの上方から下降して、つめにウェー
ハを接触させた後、さらに下降して、ウェーハとウェー
ハホルダ本体の平坦面との間の隙間から脱出すること
で、ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触するこ
となく、ウェーハをつめに載置することができる。ま
た、ウェーハホルダ上に保持された処理済みウェーハに
対して、ウェーハ搬送アームがウェーハとウェーハホル
ダ本体の平坦面との間の隙間に挿入して、上昇すること
で、ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触するこ
となく、ウェーハをウェーハホルダから取り出して搬送
することができる。また、移動制限面によってウェーハ
の移動を制限することで、ウェーハホルダが移動する際
に、保持されるウェーハが傾いたり脱落するのを防止
し、安定にウェーハを保持することができる。 【０００７】 【実施例】図１は、本発明の縦型ＣＶＤ装置に用いられ
るウェーハホルダの１実施例を示す斜視図である。この
実施例では、ウェーハホルダ６は、ウェーハホルダ本体
６ａとつめ７からなり、ウェーハホルダ６の平坦面を持
つウェーハホルダ本体６ａの上には、保持するウェーハ
２の外周に沿って複数個（本例では４個）のつめ７が設
けられている。各つめ７には、ウェーハホルダ本体６ａ
よりも上方にあってウェーハ２が載置される段差部７ａ
が形成されている。段差部７ａは、ウェーハ２の裏面と
接触する略平坦な平坦面７ｂと、平坦面７ｂと直交しウ
ェーハ２の周面に当接可能な移動制限面７ｃとを有して
おり、この平坦面７ｂと移動制限面７ｃからなる段差部
７ａは、載置されるウェーハ２の中心側を向いている。
段差部７ａによってウェーハ２をウェーハホルダ本体６
ａ平坦面より例えば４ｍｍ程度浮かすことにより、ウェ
ーハ２をウェーハホルダ６に装着あるいは脱着する時に
はウェーハ２とウェーハホルダ本体６ａとの間にウェー
ハ立替機３のウェーハ搬送アーム４の真空吸着部４ａを
挿入して、ウェーハ２の裏面を吸着して移動を行うこと
ができるようになっている。また、複数の移動制限面７
ｃがウェーハ２の周面の回りに間隔をおいて配置される
ので、これらの移動制限面７ｃによってウェーハホルダ
６上でのウェーハ２の横方向の移動が制限されている。 【０００８】図２は、縦型ＣＶＤ装置を示す斜視図であ
る。複数のウェーハホルダ６が、縦型石英製ウェーハボ
ート５上に約１．１度の角度をもって積層されて保持さ
れており、複数のつめ７がウェーハ２を下方から支持す
ることで、ウェーハ２の脱落を阻止し、また、ウェーハ
ボート５を回転または昇降させた時にウェーハ２が動か
ないようにすることができる。 【０００９】未処理のウェーハ２が納められたカセット
１は、カセットエレベータ８に載置されており、ウェー
ハ立替機３の伸縮及び上下機構を持ったウェーハ搬送ア
ーム４の真空吸着部４ａ（図３参照）によって、カセッ
ト１からウェーハ２が吸着されて取り出される。次い
で、ウェーハ立替機３のウェーハ搬送アーム４が、取り
出されたウェーハ２を９０度回転してボート５上に保持
されたウェーハホルダ６上に搬送する。ウェーハホルダ
６上方にウェーハ２がくるとウェーハ搬送アーム４は下
降してウェーハ２をウェーハホルダ６のつめ７の段差部
７ａ上に密着させる。同時に真空吸着部４ａによる吸着
が解除されてウェーハ２は段差部７ａ上に載せられる。
ウェーハ搬送アーム４は更に下降し、次いで縮まり、ウ
ェーハ２とウェーハホルダ本体６ａとの間の隙間から脱
出し、次のウェーハ２の搬送の準備をする。 【００１０】ウェーハ搬送アーム４の厚みが２ｍｍ程度
であるため、ウェーハ２とウェーハホルダ本体６ａとの
間の隙間は前記のように４ｍｍ位とすれば、ウェーハ２
のウェーハホルダ６への装着または脱着の際にウェーハ
搬送アーム４が十分、該隙間内を上下動することができ
る。昇降機構１０によってボート５が昇降し、所定数の
ウェーハ２がボート５に移載されると、ボート移し替え
機構９によって膜生成処理済みのウェーハを載置したボ
ート５と未処理ウェーハを載置したボート５とを移し替
え、未処理ウェーハを載置したボート５を昇降機構１１
により反応管１２（処理室）内に下方から入れて、ガス
インレット１３より反応ガスを供給して反応管１２内で
ウェーハ表面にＣＶＤ膜を生成する。 【００１１】また、膜生成処理が終了すると、上記と逆
の手順でウェーハ２をカセット１に搬送する。以上のよ
うな手順でウェーハ２の自動搬送を行うことができる。
本発明の装置はＣＶＤ膜の生成処理に用いられ、ＳｉＨ
4とＯ2を用いたＬＴＯ膜（生成温度３００〜４００℃）
やＰＳＧ膜（ＬＴＯ膜にリンをドープした膜）、あるい
はＳｉＨ4とＮ2Ｏを用いる高温酸化膜（ＨＴＯ膜、生成
温度７００〜８５０℃）、リンドープポリシリコン膜な
どの生成に適している。ウェーハホルダ本体６ａ上につ
め７が設けられているため、当該ウェーハホルダ６を用
いて後記表１の生成条件下においてＬＴＯ膜（低温酸化
膜）を生成した場合には、後記表２のNo.2に示すように
全体の膜厚均一性は±４〜８％になる。後記表２のNo.1
に示すように、従来のウェーハホルダ１６を用いた場合
の全体の膜厚均一性が±２〜３％と比較して、膜厚均一
性が悪くなるものの、実用的な膜厚均一性となりウェー
ハ２を自動搬送することができるようになるため、製造
コストの低減を図ることができる。 【００１２】 【表１】 【００１３】 【表２】【００１４】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の縦型ＣＶ
Ｄ装置によれば、ウェーハホルダ本体の平坦面上に、複
数個のつめが備えられ、つめによってウェーハをウェー
ハホルダ本体の平坦面から浮かしてウェーハとウェーハ
ホルダ本体との間にウェーハ搬送アームが挿入可能な隙
間を形成することとしているので、ウェーハ搬送アーム
がウェーハホルダに接触することなく、つめにウェーハ
を載置することができ、逆の動作として、ウェーハ搬送
アームが前記隙間に入ってウェーハ搬送アームがウェー
ハホルダに接触することなく、つめに載置されたウェー
ハを取り出して搬送することができるので、ウェーハの
自動搬送が可能になり、ウェーハ処理を効率良く行うこ
とができる。また、つめに、段差部を設けた場合には、
その段差部の移動制限面によってウェーハの横方向の移
動を制限することで、ウェーハホルダが移動する際に、
保持されるウェーハが傾いたり脱落するのを防止し、安
定にウェーハを保持することができる。
膜等の生成を行う縦型ＣＶＤ装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、ウェーハの表面にＣＶＤ膜を生成
する場合には、直接、石英製ウェーハボート５上にウェ
ーハ２を装填して行われる。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、膜厚均
一性を向上させるためには、図４に示したように、ウェ
ーハホルダ１６の上にウェーハ２の裏面を密着して載置
して、膜生成が行うことが望ましい。しかしながら、図
示のように、ウェーハホルダ１６上にウェーハ２の裏面
を密着すると、ウェーハ２をウェーハホルダ１６に装着
あるいは脱着する時に、自動搬送を行うのは困難である
という問題がある。また、ウェーハ２がウェーハホルダ
１６上を自由に移動できるので、ウェーハホルダ１６が
移動する際に、ウェーハが脱落することがあるという問
題がある。 【０００４】本願発明はかかる問題点に鑑みなされたも
ので、ウェーハの自動搬送を行うことができる縦型ＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の縦型ＣＶＤ装置は、未処理ウェーハ（２）
または処理済みウェーハ（２）を収納するカセット
（１）と、ウェーハ処理に際してウェーハ（２）を保持
するものであって、平坦面を持つウェーハホルダ本体
（６ａ）と、前記ウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦面の
上面から突出して設けられ、ウェーハ（２）が載置され
る部分と載置されたウェーハ（２）の周面に当接可能な
部分とを持つ複数個のつめ（７）と、を有するウェーハ
ホルダ（６）と、前記ウェーハホルダ（６）を複数、縦
方向に積層して保持するボート（５）と、前記カセット
（１）からボート（５）に保持された各ウェーハホルダ
（６）へ、またはボート（５）に保持された各ウェーハ
ホルダ（６）からカセット（１）へウェーハ（２）を搬
送可能なウェーハ搬送アーム（４）と、ウェーハ（２）
を処理する反応室（１２）と、複数のウェーハホルダ
（６）を保持するボート（５）を昇降させて反応室（１
２）に出し入れさせる昇降機構（１１）と、を備え、前
記複数のつめ（７）によって、保持されたウェーハ
（２）をウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦面から浮かし
て、ウェーハ（２）とウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦
面との間に前記ウェーハ搬送アーム（４）が挿入可能な
隙間を形成し、前記ウェーハ搬送アーム（４）が前記隙
間を出入りすることによって、ウェーハ（２）を各ウェ
ーハホルダ（６）のつめ（７）に載置し、またはウェー
ハ（２）を各ウェーハホルダ（６）のつめ（７）から取
り出すことを特徴とする。前記複数個のつめ（７）は、
保持するウェーハ（２）外周に沿って設けられるとよ
い。各つめ（７）には段差部（７ａ）が設けられ、該段
差部（７ａ）は、ウェーハ（２）の裏面と接触する略平
坦な平坦面（７ｂ）と、ウェーハ（２）の横方向の移動
を制限する移動制限面（７ｃ）とを有するとよく、また
は、前記段差部(７ａ)は、載置されるウェーハ（２）の
中心側を向いているとよく、また、前記縦型ＣＶＤ装置
は、反応室（１２）内でウェーハ（２）表面に高温酸化
膜（ＨＴＯ膜）を生成するものであるとよい。尚、括弧
内の数字は後述の実施例における対応部材の符号であ
る。 【０００６】 【作用】未処理ウェーハを搬送するウェーハ搬送アーム
が、ウェーハホルダの上方から下降して、つめにウェー
ハを接触させた後、さらに下降して、ウェーハとウェー
ハホルダ本体の平坦面との間の隙間から脱出すること
で、ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触するこ
となく、ウェーハをつめに載置することができる。ま
た、ウェーハホルダ上に保持された処理済みウェーハに
対して、ウェーハ搬送アームがウェーハとウェーハホル
ダ本体の平坦面との間の隙間に挿入して、上昇すること
で、ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触するこ
となく、ウェーハをウェーハホルダから取り出して搬送
することができる。また、移動制限面によってウェーハ
の移動を制限することで、ウェーハホルダが移動する際
に、保持されるウェーハが傾いたり脱落するのを防止
し、安定にウェーハを保持することができる。 【０００７】 【実施例】図１は、本発明の縦型ＣＶＤ装置に用いられ
るウェーハホルダの１実施例を示す斜視図である。この
実施例では、ウェーハホルダ６は、ウェーハホルダ本体
６ａとつめ７からなり、ウェーハホルダ６の平坦面を持
つウェーハホルダ本体６ａの上には、保持するウェーハ
２の外周に沿って複数個（本例では４個）のつめ７が設
けられている。各つめ７には、ウェーハホルダ本体６ａ
よりも上方にあってウェーハ２が載置される段差部７ａ
が形成されている。段差部７ａは、ウェーハ２の裏面と
接触する略平坦な平坦面７ｂと、平坦面７ｂと直交しウ
ェーハ２の周面に当接可能な移動制限面７ｃとを有して
おり、この平坦面７ｂと移動制限面７ｃからなる段差部
７ａは、載置されるウェーハ２の中心側を向いている。
段差部７ａによってウェーハ２をウェーハホルダ本体６
ａ平坦面より例えば４ｍｍ程度浮かすことにより、ウェ
ーハ２をウェーハホルダ６に装着あるいは脱着する時に
はウェーハ２とウェーハホルダ本体６ａとの間にウェー
ハ立替機３のウェーハ搬送アーム４の真空吸着部４ａを
挿入して、ウェーハ２の裏面を吸着して移動を行うこと
ができるようになっている。また、複数の移動制限面７
ｃがウェーハ２の周面の回りに間隔をおいて配置される
ので、これらの移動制限面７ｃによってウェーハホルダ
６上でのウェーハ２の横方向の移動が制限されている。 【０００８】図２は、縦型ＣＶＤ装置を示す斜視図であ
る。複数のウェーハホルダ６が、縦型石英製ウェーハボ
ート５上に約１．１度の角度をもって積層されて保持さ
れており、複数のつめ７がウェーハ２を下方から支持す
ることで、ウェーハ２の脱落を阻止し、また、ウェーハ
ボート５を回転または昇降させた時にウェーハ２が動か
ないようにすることができる。 【０００９】未処理のウェーハ２が納められたカセット
１は、カセットエレベータ８に載置されており、ウェー
ハ立替機３の伸縮及び上下機構を持ったウェーハ搬送ア
ーム４の真空吸着部４ａ（図３参照）によって、カセッ
ト１からウェーハ２が吸着されて取り出される。次い
で、ウェーハ立替機３のウェーハ搬送アーム４が、取り
出されたウェーハ２を９０度回転してボート５上に保持
されたウェーハホルダ６上に搬送する。ウェーハホルダ
６上方にウェーハ２がくるとウェーハ搬送アーム４は下
降してウェーハ２をウェーハホルダ６のつめ７の段差部
７ａ上に密着させる。同時に真空吸着部４ａによる吸着
が解除されてウェーハ２は段差部７ａ上に載せられる。
ウェーハ搬送アーム４は更に下降し、次いで縮まり、ウ
ェーハ２とウェーハホルダ本体６ａとの間の隙間から脱
出し、次のウェーハ２の搬送の準備をする。 【００１０】ウェーハ搬送アーム４の厚みが２ｍｍ程度
であるため、ウェーハ２とウェーハホルダ本体６ａとの
間の隙間は前記のように４ｍｍ位とすれば、ウェーハ２
のウェーハホルダ６への装着または脱着の際にウェーハ
搬送アーム４が十分、該隙間内を上下動することができ
る。昇降機構１０によってボート５が昇降し、所定数の
ウェーハ２がボート５に移載されると、ボート移し替え
機構９によって膜生成処理済みのウェーハを載置したボ
ート５と未処理ウェーハを載置したボート５とを移し替
え、未処理ウェーハを載置したボート５を昇降機構１１
により反応管１２（処理室）内に下方から入れて、ガス
インレット１３より反応ガスを供給して反応管１２内で
ウェーハ表面にＣＶＤ膜を生成する。 【００１１】また、膜生成処理が終了すると、上記と逆
の手順でウェーハ２をカセット１に搬送する。以上のよ
うな手順でウェーハ２の自動搬送を行うことができる。
本発明の装置はＣＶＤ膜の生成処理に用いられ、ＳｉＨ
4とＯ2を用いたＬＴＯ膜（生成温度３００〜４００℃）
やＰＳＧ膜（ＬＴＯ膜にリンをドープした膜）、あるい
はＳｉＨ4とＮ2Ｏを用いる高温酸化膜（ＨＴＯ膜、生成
温度７００〜８５０℃）、リンドープポリシリコン膜な
どの生成に適している。ウェーハホルダ本体６ａ上につ
め７が設けられているため、当該ウェーハホルダ６を用
いて後記表１の生成条件下においてＬＴＯ膜（低温酸化
膜）を生成した場合には、後記表２のNo.2に示すように
全体の膜厚均一性は±４〜８％になる。後記表２のNo.1
に示すように、従来のウェーハホルダ１６を用いた場合
の全体の膜厚均一性が±２〜３％と比較して、膜厚均一
性が悪くなるものの、実用的な膜厚均一性となりウェー
ハ２を自動搬送することができるようになるため、製造
コストの低減を図ることができる。 【００１２】 【表１】 【００１３】 【表２】【００１４】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の縦型ＣＶ
Ｄ装置によれば、ウェーハホルダ本体の平坦面上に、複
数個のつめが備えられ、つめによってウェーハをウェー
ハホルダ本体の平坦面から浮かしてウェーハとウェーハ
ホルダ本体との間にウェーハ搬送アームが挿入可能な隙
間を形成することとしているので、ウェーハ搬送アーム
がウェーハホルダに接触することなく、つめにウェーハ
を載置することができ、逆の動作として、ウェーハ搬送
アームが前記隙間に入ってウェーハ搬送アームがウェー
ハホルダに接触することなく、つめに載置されたウェー
ハを取り出して搬送することができるので、ウェーハの
自動搬送が可能になり、ウェーハ処理を効率良く行うこ
とができる。また、つめに、段差部を設けた場合には、
その段差部の移動制限面によってウェーハの横方向の移
動を制限することで、ウェーハホルダが移動する際に、
保持されるウェーハが傾いたり脱落するのを防止し、安
定にウェーハを保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明に使用され
るウェーハホルダの１実施例を示す斜視図及びそのＩＶ
−ＩＶ線断面図である。 【図２】本発明の縦型ＣＶＤ装置を示す斜視図である。 【図３】図２に使用するウェーハ搬送アームの斜視図で
ある。 【図４】従来のウェーハホルダを示す側面図である。 【符号の説明】 １ カセット ２ ウェーハ ４ ウェーハ搬送アーム ５ ボート ６ ウェーハホルダ ６ａ ウェーハホルダ本体 ７ つめ ７ａ 段差部 ７ｂ 平坦面 ７ｃ 移動制限面 １２ 反応管
るウェーハホルダの１実施例を示す斜視図及びそのＩＶ
−ＩＶ線断面図である。 【図２】本発明の縦型ＣＶＤ装置を示す斜視図である。 【図３】図２に使用するウェーハ搬送アームの斜視図で
ある。 【図４】従来のウェーハホルダを示す側面図である。 【符号の説明】 １ カセット ２ ウェーハ ４ ウェーハ搬送アーム ５ ボート ６ ウェーハホルダ ６ａ ウェーハホルダ本体 ７ つめ ７ａ 段差部 ７ｂ 平坦面 ７ｃ 移動制限面 １２ 反応管
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭58−108735（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−81620（ＪＰ，Ａ)
実開 昭54−64460（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭60−88547（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/68
C23C 16/44
H01L 21/22 511
H01L 21/31
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．未処理ウェーハ（２）または処理済みウェーハ
（２）を収納するカセット（１）と、 ウェーハ処理に際してウェーハ（２）を保持するもので
あって、平坦面を持つウェーハホルダ本体（６ａ）と、
前記ウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦面の上面から突出
して設けられ、ウェーハ（２）が載置される部分と載置
されたウェーハ（２）の周面に当接可能な部分とを持つ
複数個のつめ（７）と、を有するウェーハホルダ（６）
と、 前記ウェーハホルダ（６）を複数、縦方向に積層して保
持するボート（５）と、 前記カセット（１）からボート（５）に保持された各ウ
ェーハホルダ（６）へ、またはボート（５）に保持され
た各ウェーハホルダ（６）からカセット（１）へウェー
ハ（２）を搬送可能なウェーハ搬送アーム（４）と、 ウェーハ（２）を処理する反応室（１２）と、 複数のウェーハホルダ（６）を保持するボート（５）を
昇降させて反応室（１２）に出し入れさせる昇降機構
（１１）と、 を備え、 前記複数のつめ（７）によって、保持されたウェーハ
（２）をウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦面から浮かし
て、ウェーハ（２）とウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦
面との間に前記ウェーハ搬送アーム（４）が挿入可能な
隙間を形成し、前記ウェーハ搬送アーム（４）が前記隙
間を出入りすることによって、ウェーハ（２）を各ウェ
ーハホルダ（６）のつめ（７）に載置し、またはウェー
ハ（２）を各ウェーハホルダ（６）のつめ（７）から取
り出すことを特徴とする縦型ＣＶＤ装置。 ２．前記複数個のつめ（７）は、保持するウェーハ
（２）外周に沿って設けられることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の縦型ＣＶＤ装置。 ３．各つめ（７）には段差部（７ａ）が設けられ、該段
差部（７ａ）は、ウェーハ（２）の裏面と接触する略平
坦な平坦面（７ｂ）と、ウェーハ（２）の横方向の移動
を制限する移動制限面（７ｃ）とを有することを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項記載の縦型ＣＶ
Ｄ装置。 ４．前記段差部(７ａ)は、載置されるウェーハ（２）の
中心側を向いていることを特徴とする特許請求の範囲第
３項記載の縦型ＣＶＤ装置。 ５．前記反応室（１２）内でウェーハ（２）表面に高温
酸化膜（ＨＴＯ膜）を生成することを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１項に記載の縦
型ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14611599A JP3244492B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14611599A JP3244492B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12152199A Division JP3093198B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 縦型ｃｖｄ装置用ウェーハホルダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031243A JP2000031243A (ja) | 2000-01-28 |
| JP3244492B2 true JP3244492B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=15400508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14611599A Expired - Lifetime JP3244492B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3244492B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60239683D1 (de) * | 2001-08-08 | 2011-05-19 | Tokyo Electron Ltd | Wärmebehandlungsverfahren und wärmebehandslungseinrichtung |
| JP7347267B2 (ja) * | 2020-03-03 | 2023-09-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
-
1999
- 1999-05-26 JP JP14611599A patent/JP3244492B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000031243A (ja) | 2000-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4619984B2 (ja) | 半導体の製造装置及び半導体基板のローディング及び／又はアンローディング方法。 | |
| JP3386986B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06127621A (ja) | 基板移載装置 | |
| US5915957A (en) | Method of transferring target substrates in semiconductor processing system | |
| TWI462212B (zh) | Processing system and processing methods | |
| KR101452543B1 (ko) | 기판 처리 시스템 | |
| JP3244492B2 (ja) | 縦型ｃｖｄ装置 | |
| JP3093198B2 (ja) | 縦型ｃｖｄ装置用ウェーハホルダ | |
| JPH10301U (ja) | ウェーハホルダ | |
| JPH0783003B2 (ja) | ウエ−ハボ−トの搬送方法 | |
| JP3603189B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4597137B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
| JP4169813B2 (ja) | 半導体製造装置及びボート及び半導体製造方法 | |
| JPH0635467Y2 (ja) | 縦型ｃｖｄ装置用石英製ウェ−ハホルダ | |
| JP2591202Y2 (ja) | 縦型ｃｖｄ装置 | |
| JP3934503B2 (ja) | 基板処理装置及び基板の処理方法 | |
| JP2003209153A (ja) | 基板処理装置、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2639424B2 (ja) | 搬送方法 | |
| JP2706665B2 (ja) | 基板移載装置及び処理装置 | |
| JP2630366B2 (ja) | 板状体の搬入搬出方法および搬入搬出装置 | |
| JP2691158B2 (ja) | 基板移載装置 | |
| JPH07183359A (ja) | 基板搬送装置 | |
| JPH07169819A (ja) | 基板移載方法 | |
| JPH1074814A (ja) | ウェーハ移載方法及び半導体製造装置 | |
| JP2979230B2 (ja) | 縦型熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011002 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071026 Year of fee payment: 6 |