JP3603189B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、熱処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
減圧CVD装置において、ボートに収容した複数の半導体ウエハに成膜処理を行った際、半導体ウエハ周縁の膜厚が半導体ウエハの中心部に比較して厚く成膜されていまい、面内膜厚均一性の良好な成膜処理が難しいプロセスとして、不純物を含んだ膜を成膜する例えば、高温LP−CVDによる酸化膜の成膜や、ドープドポリシリコン膜の成膜がある。
これらの熱処理時の成膜均一性を改善する一つの手法として、いわゆる籠型ボートが広く用いられている。
この籠型ボートは半導体ウエハを収容したボートの周囲を、石英製の筒体で覆うもので、この筒体には成膜ガスの流通孔やスリットが多数設けられている。
上記籠型ボートを用いて成膜処理をした場合、反応の活発なガス成分は石英製の筒体表面に成膜されてしまうが、反応の比較的おだやかなガス成分は、上記孔から筒体内部に入り込み、半導体ウエハ表面に面内均一な膜を成膜することができるというものである。
【0003】
半導体ウエハの成膜の面内均一性を良好にするためには、半導体ウエハと上記石英製の筒体との間隔を一定にすること、またこの間隔を近づけることが望まれている。そのため、例えば実開平2−131549号公報に記載されている如く、ボートに筒大部分の一部を一体に取付けてしまうことも行われている。
また、半導体ウエハの移載については、搬送アームの半導体ウエハを支持する当接面に孔部を設け、この孔部を真空ポンプで減圧排気して、半導体ウエハを搬送アームに真空吸着して保持して搬送し、移載することが行われている。
一方、近年の半導体素子は、微細加工により、集積度が向上され、DRAMにおいては、現在4Mが量産されており、同時に16M、64Mとさらに高集積化する量産技術の開発が進められており、そのためには、半導体ウエハに塵埃の付着をいかに少なくするかが重要な問題となってきている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
半導体ウェハの搬送において、真空吸着は半導体ウェハを搬送アームに正確に確実に保持する機能を有している。しかし、真空吸着力の強度に起因して半導体ウェハにキズが付いて、塵埃発生の原因となったり、真空吸着した際周囲に浮遊している塵埃を引き寄せてしまい、半導体ウェハの真空吸着面である、裏面側に多大な塵埃が付着してしまう。この塵埃がその後の工程において、再浮遊して半導体ウェハの表面側に再付着したり、他の半導体ウェハの表面に再付着して最終的に完成された半導体素子の歩留りを低下させるという改善点があった。
【0005】
即ち、上記文献に記載されたボートに石英製の筒体部分を一体に取り付けた籠型ボートにおいては、真空吸着を用いた搬送アームで半導体ウエハを籠型ボートに収容する場合、成膜の均一性は良好であるものの、塵埃の付着が多く、半導体素子の歩留りを向上させることができないという改善点を有していた。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、被処理体への塵埃付着の低減及び成膜処理の均一性の向上が図れる熱処理装置を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、上端が閉塞され下端が開口された反応容器と、該反応容器の開口部を開閉可能に閉じる蓋体と、該蓋体上に保温筒を介して載置され、複数の被処理体を上下方向に所定の間隔で保持するボートと、蓋体を昇降させて反応容器内へのボートの搬入及び搬出を行う昇降機構と、反応容器の周囲に設けられ反応容器内を所望の熱処理温度に加熱する加熱手段と、反応容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入管と、反応容器内を排気する排気管とを備え、上記ボートには被処理体の周囲を所定の間隔で覆う第1のボートカバ−部材が一体的に設けられ、該第1のボートカバー部材には搬送アームにより被処理体をボートに搬入搬出するための被処理体よりも広い幅の第1開口部と、該第1開口部よりも狭い幅の第2開口部とが対向して設けられ、ボートの上端周縁部に係止される係止部を有し、上記第1開口部と第2開口部をそれぞれ覆う第2のボートカバー部材と第3のボートカバー部材が上記係止部を介してボートに着脱自在に取付けられていることを特徴とする。
【0008】
上記第1のボートカバー部材、第2のボートカバー部材及び第3のボートカバー部材には処理ガスを流通させるためのスリットが適宜設けられていることが好ましい(請求項2)。
【0009】
【作用】
請求項1に係る発明によれば、ボートには被処理体の周囲を所定の間隔で覆う第1のボートカバ−部材が一体的に設けられ、該第1のボートカバー部材には搬送アームにより被処理体をボートに搬入搬出するための被処理体よりも広い幅の第1開口部と、該第1開口部よりも狭い幅の第2開口部とが対向して設けられてるため、搬送アームにより被処理体をボートにソフトランディングで移載することができ、被処理体への塵埃の付着を低減することができる。また、内管の上端周縁部に係止される係止部を有し、上記第1開口部と第2開口部をそれぞれ覆う第2のボートカバー部材と第3のボートカバー部材が上記係止部を介して内管内に着脱自在に取付けられているため、被処理体の周囲を容易に覆うことができ、成膜処理の均一性の向上が図れる。
【0010】
【実施例】
以下、本発明装置を縦型熱処理装置に適用した実施例を、図面に基づいて具体的に説明する。
図1に示すように、円筒状で上端部が閉じており、下端部に開口部が設けられて反応容器を形成する耐熱性材料、例えば石英からなる反応管1が設けられ、この反応管1の内部には上端部と下端部がそれぞれ開口された耐熱性材料、例えば石英からなる内管2が同軸的に設けられている。
上記反応管1の下部には弾性シール部材、例えばOリング3を介して耐食性金属、例えばステンレススチールからなるマニホールド4が設けられており、このマニホールド4の側面部には処理ガス導入管5、6が接続されており、さらに上記側面部には排気管7が接続され、図示しない排気ポンプにより、前記反応管1内を所定の真空度に排気することが可能なように構成されている。
【0011】
また、上記反応管1の周囲を覆って加熱手段、例えば少なくとも3ゾーン構成からなる円筒状の抵抗加熱ヒータ8が設けられ、上記反応管1内を所望の熱処理温度、例えば500〜1000℃の範囲に適宜設定可能に構成されている。
上記反応管1内で所定の熱処理がほどこされる複数の被処理体、例えば半導体ウェハ10は、所定の間隔でボート11に積層して収容され、このボート11は保温筒12上に載置され、この保温筒12は、上記反応管1の開口部を蓋する蓋体13上に設けられた回転機構14に載置され、上記ボート11に収容された半導体ウェハ10を予め定められた速度で回転しながら、所定の熱処理をすることが可能に構成されている。
【0012】
そして、上記蓋体13とともに上記ボート11に収容された半導体ウェハ10列を昇降して、上記反応管1内に搬入搬出する昇降機構15が設けられている。図2に示すように、上記昇降機構15に隣接して半導体ウェハ10を載置して搬送するアーム16を備えたウェハ移載装置17が設けられており、このウェハ移載装置17は、図2の矢印に示す如く、上下方向、前進後退方向へ移動及び旋回回転して、図示しない半導体ウェハ収容容器から半導体ウェハを上記アーム16に重力載置して、上記ボート11の所定の半導体ウェハ収容部に移載することができるように構成されている。
【0013】
上記ボーと11は、すべて耐熱耐食性材料の石英からできており、図3に示すように4本の角型支柱20、21、22、23にそれぞれ設けられたウエハ支持突起24によって、半導体ウエハ10を略水平状態で複数、例えば120枚収容するように構成されており、上記支柱20、21の外周にはボートカバー部材25が、半導体ウエハ10と所定の間隔、例えば10mm離間して、支柱20、21と溶着して設けられており、上記ボートカバー部材25には縦方向に幅8mmのスリット26が複数設けられ、このスリット26から反応ガスが出入することができるように構成されている。
また、上記支柱22、23も図3に示す如く、同様にボートカバー部材27が溶着して一体に構成されている。ボートカバー部材25、27が、ボート11に一体的に設けられた第1のボートカバー部材を構成している。
【0014】
上記ボート11には、半導体ウエハの幅より広く上記ボーと11の半導体ウエハ収容領域全域に渡って開口部(第1開口部)28が設けられ、この開口部28を通して半導体ウエハ10を、上記ボート11に搬入搬出するように構成されており、上記開口部28の前面側には、上記ウエハ移載装置17が配置されている。
また、上記開口部28と対向する側のボーと11には開口部(第2開口部)29が設けられ、上記ウエハ移載装置17のアーム16に半導体ウエハを載置して、上記ボーと11に搬入した際に、上記ボートカバー部材25,27と上記アーム16の先端部が干渉することがないように構成されている。
【0015】
図4は、上記ボート11に半導体ウェハ10を載置した上記アーム16を挿入した状態を示すもので、上記開口部28側から上記アーム16が進入し、反対側の上記開口部29側に上記アーム16の先端部が突き出ている。
図5は、上記アーム16の断面図を示すもので、上記アーム16は、例えば長方形の板状体であり、半導体ウェハ10を収容する凹部30が設けられており、上記アーム16の先端部にはアーム16の前進方向にこの実施例では、半導体ウェハ10がアーム16上で位置ズレを起こさないように、被支持ウェハ周縁に沿ってガイド作用を有する凸部31が設けられている。
従って上記ウェハ移載装置17は半導体ウェハ10を、真空吸着しなくても、上記アーム16の上記凹部30に収容して、正確に上記ボート11に移載することができる。
【0016】
図6に示すように、上記ボート11には、上端部に半月状部材(係止部)33を有する円筒を縦に分割した形状のボートカバー部材(第2のボートカバー部材)34が、上記半月状部材33を上記ボート11の上端部(上端周縁部)に載置(係止)することにより、上記開口部28を覆うようにして着脱自在に取付けられている。上記ボートカバー部材34は、半導体ウエハ10と所定の間隔例えば10mmの間隔となるようにして、ボート11に装着される。
また、上記ボート11には、上記と同様に、上端部に半月状部材(係止部)35を有する平板状のボートカバー部材(第3のボートカバー部材)36が、上記半月状部材35を上記ボート11の上端部(上端周縁部)に載置(係止)することにより、上記開口部29を覆うようにして着脱自在に取付けられている。上記ボートカバー部材36は、上記ボート11に収容された半導体ウエハ10のオリフラ部37と対向して、所定の間隔例えば10mmの間隔となるようにして、ボート11に装着される。
【0017】
上記ボートカバー部材34には、処理ガスを流通させるためのスリット38が縦方向に設けられており、上記ボートカバー部材36にも必要に応じ適宜スリットを設ければ良い。
図7は、上記ボート11が上記反応管1内に収容された状態を示すもので、半導体10は上記ボート11に設けられた上記ボートカバー部材25、27とボートカバー部材34、36に周囲を覆われて、上記反応管1内の内管2内に収容されている。このとき、半導体ウェハ10は、オリフラ部37を含めて、等しい間隔で周囲をボートカバー部材25、27、34、36で覆われているので、均一な成膜処理を行うことができる。
【0018】
又、必要に応じて上記回転機構14で、上記ボート11を回転させながら成膜処理することができるように構成されている。
以上の如く、熱処理装置は構成されている。
次に、半導体ウェハの搬送と成膜処理の作用について説明する。
ウェハ移載装置17により、図示しないウェハ収容容器、例えばウェハカセットから半導体ウェハ10をアーム16上に載置して搬出する。
次に、ウェハ搬送装置17を上下方向、回転方向へ駆動を行い、図2に示すボート11の所定の搬入位置前面に位置させ、アーム16を前進させボート11の半導体ウェハ収容位置より、例えば2mm上方に搬入して停止させる。
次に、ウェハ搬送装置17を駆動してアーム16を、例えば約4mm下げると、半導体ウェハ10は上記ボート11の4つのウェハ支持突起24に載置され、アーム11から半導体ウェハ10がボート11に移載される。
そして、アーム16を後退させることにより、半導体ウェハ10の1枚の移載が終了する。
【0019】
以後、この動作を繰り返し行い、ボート11に、例えば120枚の半導体ウェハを収容する。
次に、ボートカバー部材34、36の半月部材33、35を、ボート11の上端部に載置することにより、ボート11の開口部28、29にボートカバー部材34、36を装着する。
そして、昇降機構15を上昇させることにより、ボート11を反応管1内の所定の熱処理領域に収容する。
【0020】
以下熱処理、例えば820℃でCVDによりシリコン酸化膜を成膜処理する場合について、以下説明する。
3ゾーンヒータ8の各ゾーンに印加する電力を適宜制御することにより、反応管1内の少なくとも半導体ウェハ10を配列する領域の温度を820℃±1℃以内に常時設定しておく。
【0021】
ガス導入管5、6から亜酸化窒素(N2O)1000SCCM、モノシラン(SiH4)125SCCMを反応管1内に導入し、図示しない排気ポンプにより排気管内を0.8Torrの圧力に設定して、所定時間成膜処理を行う。
この時、半導体ウエハ10の周囲はボートカバー部材25、27、34、36で略等しい間隔で覆われている。
そして、回転機構14を回転することにより、半導体ウエハ10が収容されたボートとボートカバー部材25、27、34、36を一体にして内管2内で回転することにより、処理ガス導入管5、6から放出された処理ガスを、ボートカバー部材25、27、34、36内へ均一に取り込むことができ、成膜処理の不均一性を大幅に改善することができる。
【0022】
そしてオリフラ部37列に対向して、ボートカバー部材36が平板状に配置されていることにより、上記条件でシリコン酸化膜をバッチ処理で、CVD成膜処理した場合の半導体ウェハの膜厚面内均一性は±3%以内と良好であった。比較データとして、ボートカバー部材36が平板状でなく、円筒を縦に分割した形状のもので、オリフラ部37とボートカバー部材36との間隔が10mm〜15mmまで変化するものの場合、上記と同様の条件で成膜した場合の半導体ウェハの膜厚面内均一性は±4〜±5%と劣化していた。
【0023】
半導体ウェハ移載に伴う塵埃の付着は、アーム11上に半導体ウェハを載置する、いわゆるソフトランディング方式を用いたので、ボート11に半導体ウェハを120枚移載して、もとのウェハカセットに収容した時のウェハ1枚当りの塵埃の付着数は、0.2μφ以上のパーティクルは5個以下と少ない値であった。比較データとして、半導体ウェハの搬送を真空吸着方式のウェハ移載装置で行った場合は、上記と同様の条件で0.2μφ以上のパーティクルが、30〜50個と格段に増加した。
【0024】
尚、半導体ウェハを移載するフォークは、1枚のものに限らず、5枚のフォークを持ったもので、一括して5枚の半導体ウェハを移載するようにしてもかまわない。
又、5枚のフォーク機構にピッチ変換機構を設けて、ウェハカセットの収容ピッチとボートの収容ピッチの異なるピッチ間で、半導体ウェハを移載するものであっても良い。
【0025】
図8は、他の実施例を示すもので、上記ボート11の上記開口部28に対応して設けられるボートカバー部材(第2のボートカバー部材)40は、このボートカバー部材40の上端部に半月状部材(係止部)41が設けられ、この半月状部材41を上記内管2の上端部(上端周縁部)の所定位置に載置(係止)することにより、上記内管2内に着脱自在に取付けられている。
又、上記ボート11の上記開口部29に対応して設けられるボートカバー部材(第3のボートカバー部材)42は、このボートカバー部材42の上端部に半月状部材(係止部)43が設けられ、この半月状部材43を上記内管2の上端部(上端周縁部)の所定位置に載置(係止)することにより、上記内管2内に着脱自在に取付けられている。
【0026】
そして、上記ボート11に収容された半導体ウェハ10を上記昇降機構15で上記内管2内に搬入することにより、上記ボート11の上記開口部28、29に対応して、上記ボートカバー部材40、42が配置されるように構成されている。この実施例の場合、ボート11は回転させることができないが、成膜均一性はボート11を回転した場合とほぼ同様の±3%以内と良好であった。
又、ボートカバー部材40及び42を内管2に溶着しておくことにより、メンテナンス時の組付け、取り外し、洗浄等の作業性を改善することができる。
【0027】
尚、前記実施例と同一部分には同一符号を付けて、説明は省略した。
図9は、さらに他の実施例を示すもので、横向きにされた上記ボート11は、載置台50上に載置され、この載置台50の中央部には開口部51が設けられている。
この開口部51の下方には半導体ウェハは、半導体ウェハを所定の間隔で垂直に保持する保持溝が設けられた保持部52と、この保持部52を昇降する昇降駆動部53とから構成されたウェハ突上げ装置54が配置されている。
上記ボート11の上方には、2つのウェハ把持部55、56と、このウェハ把持部55、56を開閉する開閉駆動部57とから構成されたウェハ把持装置が配置されている。
【0028】
次に、半導体ウェハ10をボートに移載する場合について説明すると、ボート11の第2開口部29からウェハ突上装置の保持部52が上昇して、半導体ウェハ10を保持部52の保持溝に垂直に保持して、ボート11から半導体ウェハ10を受け取る。
そしてさらに、保持部52を上昇させることにより、ウェハ把持装置58の所定のウェハ把持位置で、保持部52の上昇を停止させる。
次に、ウェハ把持装置58の2つのウェハ把持部を半導体ウェハ10を保持するように閉じて、半導体ウェハ10をウェハ把持装置が受け取る。
そして、ウェハ突上装置54の保持部52を下降させることにより、半導体ウェハ10の移載動作が終了する。
【0029】
移載する半導体ウェハの数が多い場合は、さらに上記工程を繰り返せば良い。
尚、前記実施例と同一部分には同一符号を付けて、説明は省略した。
本発明は、上記実施例に限られるものではなく、リン添加ポリシリコン膜、ボロン添加シリケートガラス膜等、半導体ウェハの面内均一性を向上させることが難しいCVDにより成膜処理に用いることができる。
また、成膜処理はCVDに限らず、酸化や拡散処理であっても良いし、またエッチング処理等、ガス流を扱う処理であれば、どのような処理に適用してもかまわない。
【0030】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、被処理体への塵埃付着の低減及び成膜処理の均一性の向上が図れ、もって半導体素子の歩留りの向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る熱処理装置を説明する縦断面図である。
【図2】図1のウェハ移載装置を説明する斜視図である。
【図3】図2を別の角度から見た部分拡大斜視図である。
【図4】図3の半導体ウェハをボートに搬入した状態図である。
【図5】図4の断面図である。
【図6】図1のボートカバー部材説明図である。
【図7】図1の半導体ウェハとボートカバー部材の関係説明図である。
【図8】他の実施例のボートカバー部材説明図である。
【図9】他の実施例のボートを横置した場合の半導体ウェハ移載説明図である。
【符号の説明】
1 反応管
10 半導体ウエハ
11 ボート
16 アーム
17 ウェハ移載装置
25、27、34、36、40、42 ボートカバー部材
26 スリット
Claims (2)
- 上端が閉塞され下端が開口された反応容器と、該反応容器の開口部を開閉可能に閉じる蓋体と、該蓋体上に保温筒を介して載置され、複数の被処理体を上下方向に所定の間隔で保持するボートと、蓋体を昇降させて反応容器内へのボートの搬入及び搬出を行う昇降機構と、反応容器の周囲に設けられ反応容器内を所望の熱処理温度に加熱する加熱手段と、反応容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入管と、反応容器内を排気する排気管とを備え、上記ボートには被処理体の周囲を所定の間隔で覆う第1のボートカバ−部材が一体的に設けられ、該第1のボートカバー部材には搬送アームにより被処理体をボートに搬入搬出するための被処理体よりも広い幅の第1開口部と、該第1開口部よりも狭い幅の第2開口部とが対向して設けられ、ボートの上端周縁部に係止される係止部を有し、上記第1開口部と第2開口部をそれぞれ覆う第2のボートカバー部材と第3のボートカバー部材が上記係止部を介してボートに着脱自在に取付けられていることを特徴とする熱処理装置。
- 上記第1のボートカバー部材、第2のボートカバー部材及び第3のボートカバー部材には処理ガスを流通させるためのスリットが適宜設けられていることを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
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