JP2000031243A

JP2000031243A - 縦型ｃｖｄ装置

Info

Publication number: JP2000031243A
Application number: JP14611599A
Authority: JP
Inventors: Hironobu Miya; 博信宮; Akio Shimizu; 昭生清水
Original assignee: Kokusai Electric Corp
Current assignee: Kokusai Electric Corp
Priority date: 1999-05-26
Filing date: 1999-05-26
Publication date: 2000-01-28
Anticipated expiration: 2017-01-07
Also published as: JP3244492B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ウェーハの自動搬送を行うことができる縦型
ＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】ウェーハ２表面にＣＶＤ膜を生成するに
際してウェーハ２を保持するウェーハホルダ６が、平坦
面を持つウェーハホルダ本体６ａと、保持するウェーハ
２外周に沿って前記ウェーハホルダ本体６ａの平坦面上
に設けられる複数個のつめ７と、を備える。複数のつめ
７によって、保持されたウェーハ２をウェーハホルダ本
体６ａの平坦面から浮かして、ウェーハ２とウェーハホ
ルダ本体６ａの平坦面との間にウェーハ搬送アーム４が
挿入可能な隙間を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ表面にＣＶＤ
膜等の生成を行う縦型ＣＶＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ウェーハの表面にＣＶＤ膜を生成
する場合には、直接、石英製ウェーハボート５上にウェ
ーハ２を装填して行われる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、膜厚均
一性を向上させるためには、図４に示したように、ウェ
ーハホルダ１６の上にウェーハ２の裏面を密着して載置
して、膜生成が行うことが望ましい。しかしながら、図
示のように、ウェーハホルダ１６上にウェーハ２の裏面
を密着すると、ウェーハ２をウェーハホルダ１６に装着
あるいは脱着する時に、自動搬送を行うのは困難である
という問題がある。また、ウェーハ２がウェーハホルダ
１６上を自由に移動できるので、ウェーハホルダ１６が
移動する際に、ウェーハが脱落することがあるという問
題がある。

【０００４】本願発明はかかる問題点に鑑みなされたも
ので、ウェーハの自動搬送を行うことができる縦型ＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の縦型ＣＶＤ装置は、ウェーハ処理に際して
ウェーハ（２）を保持する複数のウェーハホルダ（６）
と、複数のウェーハホルダ（６）を積層して保持するボ
ート（５）と、未処理ウェーハ（２）または処理済みウ
ェーハ（２）を収納するカセット（１）と、前記カセッ
ト（１）から各ウェーハホルダ（６）へ、または各ウェ
ーハホルダ（６）からカセット（１）へウェーハ（２）
を搬送可能なウェーハ搬送アーム（４）と、前記ボート
（５）に積層されて保持されたウェーハホルダ（６）に
夫々保持されたウェーハ（２）を処理する反応室（１
２）と、を有し、前記各ウェーハホルダ（６）は、平坦
面を持つウェーハホルダ本体（６ａ）と、前記ウェーハ
ホルダ本体(６ａ)の平坦面上に設けられウェーハ（２）
が載置される複数個のつめ（７）と、を備え、前記複数
のつめ（７）によって、保持されたウェーハ（２）をウ
ェーハホルダ本体(６ａ)の平坦面から浮かして、ウェー
ハ（２）とウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦面との間に
前記ウェーハ搬送アーム（４）が挿入可能な隙間を形成
し、前記ウェーハ搬送アーム（４）が前記隙間を出入り
することによって、ウェーハ（２）を各ウェーハホルダ
（６）のつめ（７）に載置し、またはウェーハ（２）を
各ウェーハホルダ（６）のつめ（７）から取り出すこと
を特徴とする。前記複数個のつめ（７）は、保持するウ
ェーハ（２）外周に沿って設けられるとよい。各つめ
（７）には段差部（７ａ）が設けられ、該段差部（７
ａ）は、ウェーハ（２）の裏面と接触する略平坦な平坦
面（７ｂ）と、ウェーハ（２）の横方向の移動を制限す
る移動制限面（７ｃ）とを有するとよく、または、前記
段差部(７ａ)は、載置されるウェーハ（２）の中心側を
向いているとよい。尚、括弧内の数字は後述の実施例に
おける対応部材の符号である。

【０００６】

【作用】未処理ウェーハを搬送するウェーハ搬送アーム
が、ウェーハホルダの上方から下降して、つめにウェー
ハを接触させた後、さらに下降して、ウェーハとウェー
ハホルダ本体の平坦面との間の隙間から脱出すること
で、ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触するこ
となく、ウェーハをつめに載置することができる。ま
た、ウェーハホルダ上に保持された処理済みウェーハに
対して、ウェーハ搬送アームがウェーハとウェーハホル
ダ本体の平坦面との間の隙間に挿入して、上昇すること
で、ウェーハ搬送アームがウェーハホルダに接触するこ
となく、ウェーハをウェーハホルダから取り出して搬送
することができる。また、移動制限面によってウェーハ
の移動を制限することで、ウェーハホルダが移動する際
に、保持されるウェーハが傾いたり脱落するのを防止
し、安定にウェーハを保持することができる。

【０００７】

【実施例】図１は、本発明の縦型ＣＶＤ装置に用いられ
るウェーハホルダの１実施例を示す斜視図である。この
実施例では、ウェーハホルダ６は、ウェーハホルダ本体
６ａとつめ７からなり、ウェーハホルダ６の平坦面を持
つウェーハホルダ本体６ａの上には、保持するウェーハ
２の外周に沿って複数個（本例では４個）のつめ７が設
けられている。各つめ７には、ウェーハホルダ本体６ａ
よりも上方にあってウェーハ２が載置される段差部７ａ
が形成されている。段差部７ａは、ウェーハ２の裏面と
接触する略平坦な平坦面７ｂと、平坦面７ｂと直交しウ
ェーハ２の周面に当接可能な移動制限面７ｃとを有して
おり、この平坦面７ｂと移動制限面７ｃからなる段差部
７ａは、載置されるウェーハ２の中心側を向いている。
段差部７ａによってウェーハ２をウェーハホルダ本体６
ａ平坦面より例えば４ｍｍ程度浮かすことにより、ウェ
ーハ２をウェーハホルダ６に装着あるいは脱着する時に
はウェーハ２とウェーハホルダ本体６ａとの間にウェー
ハ立替機３のウェーハ搬送アーム４の真空吸着部４ａを
挿入して、ウェーハ２の裏面を吸着して移動を行うこと
ができるようになっている。また、複数の移動制限面７
ｃがウェーハ２の周面の回りに間隔をおいて配置される
ので、これらの移動制限面７ｃによってウェーハホルダ
６上でのウェーハ２の横方向の移動が制限されている。

【０００８】図２は、縦型ＣＶＤ装置を示す斜視図であ
る。複数のウェーハホルダ６が、縦型石英製ウェーハボ
ート５上に約１．１度の角度をもって積層されて保持さ
れており、複数のつめ７がウェーハ２を下方から支持す
ることで、ウェーハ２の脱落を阻止し、また、ウェーハ
ボート５を回転または昇降させた時にウェーハ２が動か
ないようにすることができる。

【０００９】未処理のウェーハ２が納められたカセット
１は、カセットエレベータ８に載置されており、ウェー
ハ立替機３の伸縮及び上下機構を持ったウェーハ搬送ア
ーム４の真空吸着部４ａ（図３参照）によって、カセッ
ト１からウェーハ２が吸着されて取り出される。次い
で、ウェーハ立替機３のウェーハ搬送アーム４が、取り
出されたウェーハ２を９０度回転してボート５上に保持
されたウェーハホルダ６上に搬送する。ウェーハホルダ
６上方にウェーハ２がくるとウェーハ搬送アーム４は下
降してウェーハ２をウェーハホルダ６のつめ７の段差部
７ａ上に密着させる。同時に真空吸着部４ａによる吸着
が解除されてウェーハ２は段差部７ａ上に載せられる。
ウェーハ搬送アーム４は更に下降し、次いで縮まり、ウ
ェーハ２とウェーハホルダ本体６ａとの間の隙間から脱
出し、次のウェーハ２の搬送の準備をする。

【００１０】ウェーハ搬送アーム４の厚みが２ｍｍ程度
であるため、ウェーハ２とウェーハホルダ本体６ａとの
間の隙間は前記のように４ｍｍ位とすれば、ウェーハ２
のウェーハホルダ６への装着または脱着の際にウェーハ
搬送アーム４が十分、該隙間内を上下動することができ
る。昇降機構１０によってボート５が昇降し、所定数の
ウェーハ２がボート５に移載されると、ボート移し替え
機構９によって膜生成処理済みのウェーハを載置したボ
ート５と未処理ウェーハを載置したボート５とを移し替
え、未処理ウェーハを載置したボート５を昇降機構１１
により反応管１２（処理室）内に下方から入れて、ガス
インレット１３より反応ガスを供給して反応管１２内で
ウェーハ表面にＣＶＤ膜を生成する。

【００１１】また、膜生成処理が終了すると、上記と逆
の手順でウェーハ２をカセット１に搬送する。以上のよ
うな手順でウェーハ２の自動搬送を行うことができる。
本発明の装置はＣＶＤ膜の生成処理に用いられ、ＳｉＨ
₄とＯ₂を用いたＬＴＯ膜（生成温度３００〜４００℃）
やＰＳＧ膜（ＬＴＯ膜にリンをドープした膜）、あるい
はＳｉＨ₄とＮ₂Ｏを用いる高温酸化膜（ＨＴＯ膜、生成
温度７００〜８５０℃）、リンドープポリシリコン膜な
どの生成に適している。ウェーハホルダ本体６ａ上につ
め７が設けられているため、当該ウェーハホルダ６を用
いて後記表１の生成条件下においてＬＴＯ膜（低温酸化
膜）を生成した場合には、後記表２のNo.2に示すように
全体の膜厚均一性は±４〜８％になる。後記表２のNo.1
に示すように、従来のウェーハホルダ１６を用いた場合
の全体の膜厚均一性が±２〜３％と比較して、膜厚均一
性が悪くなるものの、実用的な膜厚均一性となりウェー
ハ２を自動搬送することができるようになるため、製造
コストの低減を図ることができる。

【００１２】

【表１】

【００１３】

【表２】

【００１４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の縦型ＣＶ
Ｄ装置によれば、ウェーハホルダ本体の平坦面上に、複
数個のつめが備えられ、つめによってウェーハをウェー
ハホルダ本体の平坦面から浮かしてウェーハとウェーハ
ホルダ本体との間にウェーハ搬送アームが挿入可能な隙
間を形成することとしているので、ウェーハ搬送アーム
がウェーハホルダに接触することなく、つめにウェーハ
を載置することができ、逆の動作として、ウェーハ搬送
アームが前記隙間に入ってウェーハ搬送アームがウェー
ハホルダに接触することなく、つめに載置されたウェー
ハを取り出して搬送することができるので、ウェーハの
自動搬送が可能になり、ウェーハ処理を効率良く行うこ
とができる。また、つめに、段差部を設けた場合には、
その段差部の移動制限面によってウェーハの横方向の移
動を制限することで、ウェーハホルダが移動する際に、
保持されるウェーハが傾いたり脱落するのを防止し、安
定にウェーハを保持することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明に使用され
るウェーハホルダの１実施例を示す斜視図及びそのＩＶ
−ＩＶ線断面図である。

【図２】本発明の縦型ＣＶＤ装置を示す斜視図である。

【図３】図２に使用するウェーハ搬送アームの斜視図で
ある。

【図４】従来のウェーハホルダを示す側面図である。

【符号の説明】

１カセット２ウェーハ４ウェーハ搬送アーム５ボート６ウェーハホルダ６ａウェーハホルダ本体７つめ７ａ段差部７ｂ平坦面７ｃ移動制限面１２反応管

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェーハ処理に際してウェーハ（２）を
保持する複数のウェーハホルダ（６）と、複数のウェーハホルダ（６）を積層して保持するボート
（５）と、未処理ウェーハ（２）または処理済みウェーハ（２）を
収納するカセット（１）と、前記カセット（１）から各ウェーハホルダ（６）へ、ま
たは各ウェーハホルダ（６）からカセット（１）へウェ
ーハ（２）を搬送可能なウェーハ搬送アーム（４）と、前記ボート（５）に積層されて保持された複数のウェー
ハホルダ（６）に夫々保持されたウェーハ（２）を処理
する反応室（１２）と、を有し、前記各ウェーハホルダ（６）は、平坦面を持つウェーハ
ホルダ本体（６ａ）と、前記ウェーハホルダ本体(６ａ)
の平坦面上に設けられウェーハ（２）が載置される複数
個のつめ（７）と、を備え、前記複数のつめ（７）によって、保持されたウェーハ
（２）をウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦面から浮かし
て、ウェーハ（２）とウェーハホルダ本体(６ａ)の平坦
面との間に前記ウェーハ搬送アーム（４）が挿入可能な
隙間を形成し、前記ウェーハ搬送アーム（４）が前記隙間を出入りする
ことによって、ウェーハ（２）を各ウェーハホルダ
（６）のつめ（７）に載置し、またはウェーハ（２）を
各ウェーハホルダ（６）のつめ（７）から取り出すこと
を特徴とする縦型ＣＶＤ装置。
【請求項２】前記複数個のつめ（７）は、保持するウ
ェーハ（２）外周に沿って設けられることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の縦型ＣＶＤ装置。
【請求項３】各つめ（７）には段差部（７ａ）が設け
られ、該段差部（７ａ）は、ウェーハ（２）の裏面と接
触する略平坦な平坦面（７ｂ）と、ウェーハ（２）の横
方向の移動を制限する移動制限面（７ｃ）とを有するこ
とを特徴とする請求請求の範囲第１項または第２項記載
の縦型ＣＶＤ装置。
【請求項４】前記段差部(７ａ)は、載置されるウェー
ハ（２）の中心側を向いていることを特徴とする特許請
求の範囲第３項記載の縦型ＣＶＤ装置。