JPS58154235A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS58154235A JPS58154235A JP3769882A JP3769882A JPS58154235A JP S58154235 A JPS58154235 A JP S58154235A JP 3769882 A JP3769882 A JP 3769882A JP 3769882 A JP3769882 A JP 3769882A JP S58154235 A JPS58154235 A JP S58154235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- boat
- reaction
- film
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＳｉ３Ｎ４Ｍや多結晶Ｓｉ （Ｐｏ １ ｙ
Ｓｉ ）Ｈを形成するための減圧ＣＶＤ装置に関する。
Ｓｉ ）Ｈを形成するための減圧ＣＶＤ装置に関する。
半導体装置、例えばＭＯ８ＬＳＩ の製造工程におい
ては選択的にフィールド酸化膜を形成する際のマスクと
なるＳｉ３Ｎ４膜、或はゲート電極となるＰｏ１ｙＳｉ
膜、さらには多層配線間の絶縁膜となるＰＳＧ（ＩＪン
硅酸ガラス）膜等の薄膜を形成するのに減圧ＣＶＤ装置
を用いている。
ては選択的にフィールド酸化膜を形成する際のマスクと
なるＳｉ３Ｎ４膜、或はゲート電極となるＰｏ１ｙＳｉ
膜、さらには多層配線間の絶縁膜となるＰＳＧ（ＩＪン
硅酸ガラス）膜等の薄膜を形成するのに減圧ＣＶＤ装置
を用いている。
第１図は従来の減圧ＣＶＤ装置を示し、１は石英製の反
応管で尾部にはロータリーポンプを主体とする排気装置
Ｉｏｕｔが接続されている。２は反応管１内でＣＶＤを
行うのに必要な温度に保つ電気炉である。３は半導体基
板４を載置したボートであり、ＣｖＤ膜形成時破線の部
分まで移動する。
応管で尾部にはロータリーポンプを主体とする排気装置
Ｉｏｕｔが接続されている。２は反応管１内でＣＶＤを
行うのに必要な温度に保つ電気炉である。３は半導体基
板４を載置したボートであり、ＣｖＤ膜形成時破線の部
分まで移動する。
６は反応管１の先端を閉じる扉である。６は反応管１の
電気炉２で加熱されない部分でボート３挿入領域（単に
挿入領域）と呼び、７は電気炉２で加熱され、ボート３
を入れてＣＶＤを行う反応領域と呼ぶ。８は断熱材であ
る。
電気炉２で加熱されない部分でボート３挿入領域（単に
挿入領域）と呼び、７は電気炉２で加熱され、ボート３
を入れてＣＶＤを行う反応領域と呼ぶ。８は断熱材であ
る。
今、例えば５１３Ｎ４膜を半導体基板上に形成する場合
には、半導体基板４を載置したボート３を反応管１の先
端より入れ挿入領域６を通って電気炉２により例えば７
４０℃に保たれた反応領域７まで挿入する。先端を扉５
で閉じた後、排気装置１ｏｕｔで反応管１内を減圧し、
Ｓ Ｉ Ｈ２Ｃ１２２ガスとＮＨ３ガスを導入して反応
させることにより、半導体基板４表面に５Ｌ３Ｈ４膜を
形成する。膜形成中は反応管１内の圧力を０．６Ｔｏτ
ｒ程度に保つように、排気装置Ｉｏｕｔの排気速度と反
応ガスの流量とを調整することにより厚さの均一なＳｉ
３Ｎ４膜を形成することができる。
には、半導体基板４を載置したボート３を反応管１の先
端より入れ挿入領域６を通って電気炉２により例えば７
４０℃に保たれた反応領域７まで挿入する。先端を扉５
で閉じた後、排気装置１ｏｕｔで反応管１内を減圧し、
Ｓ Ｉ Ｈ２Ｃ１２２ガスとＮＨ３ガスを導入して反応
させることにより、半導体基板４表面に５Ｌ３Ｈ４膜を
形成する。膜形成中は反応管１内の圧力を０．６Ｔｏτ
ｒ程度に保つように、排気装置Ｉｏｕｔの排気速度と反
応ガスの流量とを調整することにより厚さの均一なＳｉ
３Ｎ４膜を形成することができる。
しかるに、従来の減圧ＣＶＤ装置では反応管１中に５ｉ
Ｈ２ＣＱ２ガスやＮＨ３ガス等の反応ガスを導入すると
、反応領域７で反応する以外に挿入領域６においてもこ
の二種のガスが反応してＳｉ３Ｎ４が形成され反応管１
内壁に堆積する。しかし、挿入領域６の反応管１は電気
炉２で覆れていないために温度が低く、反応管１内壁に
堆積したＳｉ３Ｎ４膜は密度が低く、しかも反応管１内
壁への付着強度も低い。従って、このようなＳｉ３Ｎ４
膜はボート３が挿入あるいは引出される際に、ボート３
の底部と反応管１内壁がこすられることにより、はく離
し微細な粉末となってボート３に載置された半導体基板
４の表面には付着する。特に、挿入時に半導体基板４表
面にＳｉ３Ｎ４粉末が付着したりすると、形成されたＳ
ｉ３Ｎ４膜に多数のピンホールや突起を生じる。
Ｈ２ＣＱ２ガスやＮＨ３ガス等の反応ガスを導入すると
、反応領域７で反応する以外に挿入領域６においてもこ
の二種のガスが反応してＳｉ３Ｎ４が形成され反応管１
内壁に堆積する。しかし、挿入領域６の反応管１は電気
炉２で覆れていないために温度が低く、反応管１内壁に
堆積したＳｉ３Ｎ４膜は密度が低く、しかも反応管１内
壁への付着強度も低い。従って、このようなＳｉ３Ｎ４
膜はボート３が挿入あるいは引出される際に、ボート３
の底部と反応管１内壁がこすられることにより、はく離
し微細な粉末となってボート３に載置された半導体基板
４の表面には付着する。特に、挿入時に半導体基板４表
面にＳｉ３Ｎ４粉末が付着したりすると、形成されたＳ
ｉ３Ｎ４膜に多数のピンホールや突起を生じる。
本発明は反応管の挿入領域の内壁に堆積したＣＶＤ膜が
ボート移動時に・・り離しない減圧ＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。すなわち、本発明は反応管の反応
領域を常時反応温度に保つ第１の加熱装置と、反応ガス
が導入されている間反応管の挿入領域を加熱する第２の
加熱装置とを備えていることを特徴とする。
ボート移動時に・・り離しない減圧ＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。すなわち、本発明は反応管の反応
領域を常時反応温度に保つ第１の加熱装置と、反応ガス
が導入されている間反応管の挿入領域を加熱する第２の
加熱装置とを備えていることを特徴とする。
以下、本発明の実施例〜を第２図とともに説明する。第
２図（ａ）において、第１図と同一番号は同一物を示す
。９は挿入領域６を加熱するための第２の加熱装置であ
る赤外線ランプである。尚、第２図（ｂ）は第２図体）
のＡ−Ａ゛部の断面図である。
２図（ａ）において、第１図と同一番号は同一物を示す
。９は挿入領域６を加熱するための第２の加熱装置であ
る赤外線ランプである。尚、第２図（ｂ）は第２図体）
のＡ−Ａ゛部の断面図である。
本実施例の減圧ＣＶＤ装置は第２図に示すように、挿入
領域６の反応管１の外側に赤外ランプ９を有している。
領域６の反応管１の外側に赤外ランプ９を有している。
この赤外ランプ９は第２図（ｂ）に示すように反応管１
内壁とボート３底部とがこｙりあわされる部分を加減１
できるように反応管１と平行に設けられている。
内壁とボート３底部とがこｙりあわされる部分を加減１
できるように反応管１と平行に設けられている。
この減圧ＣＶＤ装置を用いて薄膜、例えばＳ ｉ３Ｎ４
膜を形成する場合、まず反応管１端部の扉５を開６・ けて半導体基板４を載置したボート３を反応管１内の反
応領域７まで挿入する。この時には赤外線ランプ９の電
力は切っておく。扉６を閉じて排気装置Ｉｏｕｔにより
反応管１内を減圧し、十分空気を排気した後、５ｉＨ２
ＣＱ２ガスとＮＨ３ガスを導入する。この時、赤外ラン
プ９に電力を入れ、赤外ランプ９近傍の反応管１を７０
０℃程度に加熱すると、挿入領域６でＳ ｉ Ｈ２Ｃｆ
ｉ２ガスとＮＨ３ガスが反応しても、加熱されている部
分すなわち反応管１内壁のボート３とこすり合わされる
部分には高密度のＳｉ３Ｎ４膜が形成される。半導体基
板４表面に所望（例えば１２０ｎｍ）の厚さのＳ １３
Ｎ ４膜が形成された後、反応ガスの導入を止めるが、
このとき赤外ランプ９の電力も切る。
膜を形成する場合、まず反応管１端部の扉５を開６・ けて半導体基板４を載置したボート３を反応管１内の反
応領域７まで挿入する。この時には赤外線ランプ９の電
力は切っておく。扉６を閉じて排気装置Ｉｏｕｔにより
反応管１内を減圧し、十分空気を排気した後、５ｉＨ２
ＣＱ２ガスとＮＨ３ガスを導入する。この時、赤外ラン
プ９に電力を入れ、赤外ランプ９近傍の反応管１を７０
０℃程度に加熱すると、挿入領域６でＳ ｉ Ｈ２Ｃｆ
ｉ２ガスとＮＨ３ガスが反応しても、加熱されている部
分すなわち反応管１内壁のボート３とこすり合わされる
部分には高密度のＳｉ３Ｎ４膜が形成される。半導体基
板４表面に所望（例えば１２０ｎｍ）の厚さのＳ １３
Ｎ ４膜が形成された後、反応ガスの導入を止めるが、
このとき赤外ランプ９の電力も切る。
その後は反応管１中の圧力を１気圧にした後、扉６を開
けて反応領域７にあるボート３を引き出す。しかし、ボ
ート３の底部と反応管１内壁がこすり合されても反応管
１内壁には付着形成されたＳｉ３Ｎ４膜がハク離される
ことはなく、従って、Ｓｉ Ｎ 粉末が半導体基板３
表面に付着し８１３Ｎ４４ 膜にピンホールや突起を生じることがない。
けて反応領域７にあるボート３を引き出す。しかし、ボ
ート３の底部と反応管１内壁がこすり合されても反応管
１内壁には付着形成されたＳｉ３Ｎ４膜がハク離される
ことはなく、従って、Ｓｉ Ｎ 粉末が半導体基板３
表面に付着し８１３Ｎ４４ 膜にピンホールや突起を生じることがない。
本実施例では挿入領域６の反応管１内壁は、ボート３底
部がこすり合される部分近傍のみに高密度のＳ ｌ ａ
Ｎ４膜が付着形成され、それ以外の部分の内壁に付着
したＳｉ３Ｎ４膜は密度が低いが機械的にハク離される
ことはないので半導体基板４表面へ及ぼす影響はない。
部がこすり合される部分近傍のみに高密度のＳ ｌ ａ
Ｎ４膜が付着形成され、それ以外の部分の内壁に付着
したＳｉ３Ｎ４膜は密度が低いが機械的にハク離される
ことはないので半導体基板４表面へ及ぼす影響はない。
又、反応中に挿入領域６の反応管１は赤外ランプ９近傍
が加熱されるだけなので反応管１端部と扉６との間のバ
ッキング材（０リングなど）が熱で損われることもない
。又赤外ランプ９自体から発生する汚染物はないので反
応管１の端部を開けてボート３を出し入れする際に、ボ
ート３に載置した半導体基板４の表面、あるいは反応管
１内部を汚染することもない。
が加熱されるだけなので反応管１端部と扉６との間のバ
ッキング材（０リングなど）が熱で損われることもない
。又赤外ランプ９自体から発生する汚染物はないので反
応管１の端部を開けてボート３を出し入れする際に、ボ
ート３に載置した半導体基板４の表面、あるいは反応管
１内部を汚染することもない。
尚、上記実施例では反応管１内に反応ガスを導入してい
る間（反応中）に挿入領域６を加熱する第２の加熱装置
として赤外線ランプ９を用いているが、そのかわりに挿
入領域６の反応管１に巻きつける帯状の発熱体、あるい
は上記の実施例の赤外線ランプ９と同様な外形寸法の棒
状抵抗加熱式発熱体でも同様の効果を得られることはい
うまでもない。
る間（反応中）に挿入領域６を加熱する第２の加熱装置
として赤外線ランプ９を用いているが、そのかわりに挿
入領域６の反応管１に巻きつける帯状の発熱体、あるい
は上記の実施例の赤外線ランプ９と同様な外形寸法の棒
状抵抗加熱式発熱体でも同様の効果を得られることはい
うまでもない。
以りの如く、本発明は簡単な構成によりボート移動時に
発生するＣＶＤ膜のノ・り離を防止出来る゛減圧ＣＶＤ
装置を提供出来るので、その工業的価値が高い。
発生するＣＶＤ膜のノ・り離を防止出来る゛減圧ＣＶＤ
装置を提供出来るので、その工業的価値が高い。
第１図は従来の減圧ＣＶＤ装置の反応管周辺の概略図、
第２図（Ｍｌは本発明に係る減圧ＣＶＤ装置の概略図、
第２図（ｂ）は第２図（、）のＡ −Ａ’部の断面図で
ある。 １・・・・・・反応管、２・・・・・・第１の加熱装置
、３・・・・・・ボート、６・・・・・・挿入領域、７
・・・・・・反応領域、９・・・・・・第２の加熱装置
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名、１
１ 第１図 第２図 １５９−
第２図（Ｍｌは本発明に係る減圧ＣＶＤ装置の概略図、
第２図（ｂ）は第２図（、）のＡ −Ａ’部の断面図で
ある。 １・・・・・・反応管、２・・・・・・第１の加熱装置
、３・・・・・・ボート、６・・・・・・挿入領域、７
・・・・・・反応領域、９・・・・・・第２の加熱装置
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名、１
１ 第１図 第２図 １５９−
Claims (2)
- （１）反応管の反応領域を所定の温度に保つための第１
の加熱装置と、前記反応管中に反応ガスを導入している
間前記反応管のボート挿入領域を加熱する第２の加熱装
置とを備えたことを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。 - （２）第２の加熱装置が赤外ランプであることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項に記載の減圧ＣＶＤ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3769882A JPS58154235A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3769882A JPS58154235A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154235A true JPS58154235A (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=12504756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3769882A Pending JPS58154235A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154235A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320429U (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-10 |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP3769882A patent/JPS58154235A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320429U (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2532401Y2 (ja) | バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH01215023A (ja) | 表面処理方法およびその装置 | |
| JPS5766625A (en) | Manufacture of film | |
| JPS58154235A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH0465146B2 (ja) | ||
| JP2003224079A (ja) | 熱処理方法、熱処理装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPS6053013A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2001345314A (ja) | 熱処理装置及びその方法 | |
| JPS5943988B2 (ja) | 超微粒子膜の製造方法および製造装置 | |
| JPS6173334A (ja) | 処理装置 | |
| JPH0361377A (ja) | マイクロ波プラズマ膜堆積装置 | |
| JPH03227013A (ja) | 減圧気相成長装置 | |
| JPH08316160A (ja) | 熱処理炉 | |
| JPS6068619A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2968085B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH087625Y2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH0927486A (ja) | 横型プロセスチューブ装置 | |
| JPH01191413A (ja) | 多結晶シリコンの成長方法 | |
| JP2001214271A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH03200322A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH1055964A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS62263642A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH08321468A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS60198831A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0245914A (ja) | 半導体基板の予備加熱装置 |