JPH0471227A - 減圧式気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造に用いられる減圧式気相成長
装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の減圧式気相成長装置は、処理室は主に炉芯管が用
いられ、石英治具によりウェハを格納したのち炉芯管内
を排気すると共に、炉芯管の他端から材料ガスを導入し
加熱してウェハ上に薄膜を形成するように構成されてい
た。

〔発明が解決しようとする課題〕

この従来の減圧式気相成長装置では、処理室を構成する
炉芯管の直径が一定であるため、材料ガスの流速は一定
となっていた。したがって、処理室内温度が一定の時、
ガス濃度が高い導入口側では膜は厚く付き、逆に排気側
では膜は薄く付くという傾向があった。このため−処理
内のウェハの膜付にばらつきが生じ、半導体装置の信頼
性及び歩留りを低下させるという問題点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の減圧式気相成長装置は、一端にガス導入口が設
けられ他端に排気口が設けられた炉芯管からなる処理室
を有する減圧式気相成長装置において、前記炉芯管の直
径がガス導入口側より排気口側の方が大きく形成されて
いるものである。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の断面図である。

第１図において、処理室４を構成する炉芯管３の直径は
一定ではなく、その直径の小さい一端にはガス導入口８
を有するフロントハツチ５Ａが設けられており、直径の
大きい他端には真空排気部７に接続する排気口９を有す
るパックハツチ５Ｂが設けられている。尚第１図におい
て、２はウェハ１を搭載する石英治具、６はヒータであ
る。以下操作方法と共に更に説明する。

ウェハ１は石英治具２上に置かれ石英製の炉芯管３で作
られた処理室４に導入されたのちフロントハツチ５Ａで
密閉される。処理室４は外部に設けられたヒータ６で加
熱され、かつ真空排気部７で真空にされる。その後、ガ
ス導入口８より材料ガスが導入され、ウェハ１上に薄膜
が形成される。この時、ガス導入口８より導入された材
料ガスは、炉芯管３の直径の小さい部分から大きい部分
に導入されるため、ガス導入口８の近傍ではガス流速が
早くなっている。したがって、ガス導入口に近い部分の
ウェハ面へのガスの回り込み量が少なくなり、膜の成長
レートは遅くなる。逆に排出口９に近い部分ではガスの
流速が遅くなり、膜の成長レートは速くなる。

しかし排気口９に近い部分は、ガス導入口から遠いので
、成膜に寄与する材料ガスの成分が希薄となっている。

従って石英治具２上のウェハ】に形成される膜の膜厚は
バランスがとれることになる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、炉芯管の直径をガス導入
口側より排気口側の方を大きくする事により、炉芯管内
に導入されたウェハに均一性のよい厚さの膜を形成でき
るという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図である。 １・・・ウェハ、２・・・石英治具、３・・・炉芯管、
４・・・処理室、５Ａ・・・フロントハツチ、５Ｂ・・
・パックハツチ、６・・・ヒータ、７・・・真空排気部
、８・・・ガス導入口、９・・・排気口。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　一端にガス導入口が設けられ他端に排気口が設けられ
   た炉芯管からなる処理室を有する減圧式気相成長装置に
   おいて、前記炉芯管の直径がガス導入口側より排気口側
   の方が大きく形成されていることを特徴とする減圧式気
   相成長装置。