JPH03184327A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH03184327A JPH03184327A JP32454489A JP32454489A JPH03184327A JP H03184327 A JPH03184327 A JP H03184327A JP 32454489 A JP32454489 A JP 32454489A JP 32454489 A JP32454489 A JP 32454489A JP H03184327 A JPH03184327 A JP H03184327A
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- JP
- Japan
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- stage
- semiconductor wafer
- head
- porous body
- hole
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 6
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスにおける膜形成に使用す
る気相成長装置に関するものである。
る気相成長装置に関するものである。
従来、この種の気相成長装置は第３図に示すように構成
されている。これを同図に基づいて説明すると、同図に
おいて、符号１で示すものはその内部に処理室２および
この処理室２の内外に開口するガス排気口３を有する容
器、４はこの容器１に設けられ前記処理室２内に反応ガ
スを噴出するヘッド、５はこのヘッド４に対向する側に
設けられウェハ載置面６に開口する真空引き孔７を有す
るステージ、８はこのステージ５に内蔵され半導体ウェ
ハ９を加熱するヒータである。なお、図中符号Ａは前記
ヘッド４から噴出する反応ガスの流れ方向を示す。また
、前記ステージ５の真空引き孔７は真空引き装置（図示
せず）に接続されている。
されている。これを同図に基づいて説明すると、同図に
おいて、符号１で示すものはその内部に処理室２および
この処理室２の内外に開口するガス排気口３を有する容
器、４はこの容器１に設けられ前記処理室２内に反応ガ
スを噴出するヘッド、５はこのヘッド４に対向する側に
設けられウェハ載置面６に開口する真空引き孔７を有す
るステージ、８はこのステージ５に内蔵され半導体ウェ
ハ９を加熱するヒータである。なお、図中符号Ａは前記
ヘッド４から噴出する反応ガスの流れ方向を示す。また
、前記ステージ５の真空引き孔７は真空引き装置（図示
せず）に接続されている。
次に、このように構成された気相成長装置を用いる膜形
成方法について説明する。
成方法について説明する。
先ず、搬送装置（図示せず）によって半導体ウェハ９を
搬送しステージ５のウェハ載置面６上に載置する。次に
、ウェハ載置面６上に真空引き装置（図示せず）によっ
て半導体ウェハ９を吸着する。そして、半導体ウェハ９
の主面に対してヘッド４から反応ガスを矢印Ａで示すよ
うに噴出する。
搬送しステージ５のウェハ載置面６上に載置する。次に
、ウェハ載置面６上に真空引き装置（図示せず）によっ
て半導体ウェハ９を吸着する。そして、半導体ウェハ９
の主面に対してヘッド４から反応ガスを矢印Ａで示すよ
うに噴出する。
このとき、ヒータ８によってステージ５を介し半導体ウ
ェハ９が加熱されているため、反応ガスは半導体ウェハ
９上で熱化学反応を起こす。
ェハ９が加熱されているため、反応ガスは半導体ウェハ
９上で熱化学反応を起こす。
このようにして、半導体ウェハ９の主面に反応生成膜を
形成することができる。
形成することができる。
ところで、この種の気相成長装置の使用による膜形成に
おいては、反応生成膜の成長速度が半導体ウェハ９の表
面温度に依存するものであり、このため反応生成膜の膜
厚を均一に形成するには半導体ウェハ９を所定の温度で
均一に加熱する必要がある。
おいては、反応生成膜の成長速度が半導体ウェハ９の表
面温度に依存するものであり、このため反応生成膜の膜
厚を均一に形成するには半導体ウェハ９を所定の温度で
均一に加熱する必要がある。
しかるに、従来の気相成長装置においては、膜形成時に
半導体ウェハ９を真空引き孔７の開口部を閉塞するよう
にステージ５上に載置するものであるため、半導体ウェ
ハ９の裏面であって真空引き孔７を閉塞する部分のみ温
度が他の部分の温度と比較して低下していた。すなわち
、真空引き孔７は通常機械加工によってステージ５に複
数個設けられるものであるため、それだけ半導体ウェハ
９がステージ５に対接する面積が小さくなり、半導体ウ
ェハ９にはヒータ８の加熱温度が十分に伝達されなくな
るからである。この結果、半導体ウェハ９の表面温度が
均一にならず、均一な膜厚をもつ反応生成膜を得ること
ができないという問題があった。
半導体ウェハ９を真空引き孔７の開口部を閉塞するよう
にステージ５上に載置するものであるため、半導体ウェ
ハ９の裏面であって真空引き孔７を閉塞する部分のみ温
度が他の部分の温度と比較して低下していた。すなわち
、真空引き孔７は通常機械加工によってステージ５に複
数個設けられるものであるため、それだけ半導体ウェハ
９がステージ５に対接する面積が小さくなり、半導体ウ
ェハ９にはヒータ８の加熱温度が十分に伝達されなくな
るからである。この結果、半導体ウェハ９の表面温度が
均一にならず、均一な膜厚をもつ反応生成膜を得ること
ができないという問題があった。
そこで、各口径が小さい多数の真空引き孔７をステージ
５に設けるものが考えられるが、この場合ステージ５自
体の製造・加工が困難なものになるという不都合があっ
た。
５に設けるものが考えられるが、この場合ステージ５自
体の製造・加工が困難なものになるという不都合があっ
た。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、半導
体ウェハに対して均一な膜厚をもつ反応生成膜を得るこ
とができると共に、ステージの製造・加工を簡単に行う
ことができる気相成長装置を提供するものである。
体ウェハに対して均一な膜厚をもつ反応生成膜を得るこ
とができると共に、ステージの製造・加工を簡単に行う
ことができる気相成長装置を提供するものである。
本発明に係る気相成長装置は、その内部に処理室を有す
る容器と、この容器に設けられ処理室内に反応ガスを噴
出するヘッドと、このヘッドに対向する側に設けられヘ
ッド側に開口する真空引き孔を有する第１のステージと
、このステージに設けられ半導体ウェハを保持する第２
のステージとを備え、このステージを多孔質体からなる
ステージによって形成し、このステージの周囲に開口す
る孔部分を閉塞したものである。
る容器と、この容器に設けられ処理室内に反応ガスを噴
出するヘッドと、このヘッドに対向する側に設けられヘ
ッド側に開口する真空引き孔を有する第１のステージと
、このステージに設けられ半導体ウェハを保持する第２
のステージとを備え、このステージを多孔質体からなる
ステージによって形成し、このステージの周囲に開口す
る孔部分を閉塞したものである。
本発明においては、第２のステージを多孔質体としたこ
とから、このステージに半導体ウェハが対接する面積が
大きくなる。
とから、このステージに半導体ウェハが対接する面積が
大きくなる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る気相成長装置を示す断面図、第２
図は同じく本発明における気相成長装置における第２の
ステージを示す斜視図で、同図において第３図と同一の
部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略す
る。同図において、符号１１で示すものはヘッド側に開
口する真空引き孔１２を有する第１のステージで、前記
ヘッド４の下部に対向する側に設けられており、内部に
は後述する第２のステージ上の半導体ウェハ９を加熱す
るヒータ１３が収納されている。１４は半導体ウェハ９
をその載置面１４ａに保持する第２のステージで、全体
が多孔質体としての焼結金属からなる円柱ブロックによ
って形成されており、前記第１のステージｌｌ上に前記
真空引き孔１２を閉塞するように設けられている。１５
は環状のカバーで、前記第２のステージ１４の周面に装
着されている。
図は同じく本発明における気相成長装置における第２の
ステージを示す斜視図で、同図において第３図と同一の
部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略す
る。同図において、符号１１で示すものはヘッド側に開
口する真空引き孔１２を有する第１のステージで、前記
ヘッド４の下部に対向する側に設けられており、内部に
は後述する第２のステージ上の半導体ウェハ９を加熱す
るヒータ１３が収納されている。１４は半導体ウェハ９
をその載置面１４ａに保持する第２のステージで、全体
が多孔質体としての焼結金属からなる円柱ブロックによ
って形成されており、前記第１のステージｌｌ上に前記
真空引き孔１２を閉塞するように設けられている。１５
は環状のカバーで、前記第２のステージ１４の周面に装
着されている。
このように構成された気相成長装置においては、第２の
ステージ１４を多孔質体としたことから、このステージ
Ｐ４に半導体ウェハ９が対接する面積が従来の場合と比
較して大きくなる。
ステージ１４を多孔質体としたことから、このステージ
Ｐ４に半導体ウェハ９が対接する面積が従来の場合と比
較して大きくなる。
したがって、本実施例においては、半導体ウェハ９にヒ
ータ１３の加熱温度が十分に伝達されるから、半導体ウ
ェハ９の表面温度を均一な温度に設定することができる
。
ータ１３の加熱温度が十分に伝達されるから、半導体ウ
ェハ９の表面温度を均一な温度に設定することができる
。
また、本実施例において、第２のステージ１４を多孔質
体によって形成したことは、両ステージ１１．１４に多
数の真空引き孔を形成する必要がなくなる。
体によって形成したことは、両ステージ１１．１４に多
数の真空引き孔を形成する必要がなくなる。
次に、本発明による反応生成膜を形成する方法について
説明する。
説明する。
次に、このように構成された気相成長装置を用いる膜形
成方法について説明する。
成方法について説明する。
先ず、搬送装置（図示せず）によって半導体ウェハ９を
搬送しステージ１４上に載置する。次いで、真空引き装
置（図示せず）によって半導体ウェハ９を吸着する。し
かる後、半導体ウェハ９の主面に対してヘッド４から反
応ガスを矢印Ｂで示すように噴出する。このとき、ヒー
タ１３によって第１のステージ１１．第２のステージ１
４を介し半導体ウェハ９が加熱されているため、反応ガ
スは半導体ウェハ９上で熱化学反応を起こす。
搬送しステージ１４上に載置する。次いで、真空引き装
置（図示せず）によって半導体ウェハ９を吸着する。し
かる後、半導体ウェハ９の主面に対してヘッド４から反
応ガスを矢印Ｂで示すように噴出する。このとき、ヒー
タ１３によって第１のステージ１１．第２のステージ１
４を介し半導体ウェハ９が加熱されているため、反応ガ
スは半導体ウェハ９上で熱化学反応を起こす。
このようにして、半導体ウェハ９の主面に反応生成膜を
形成することができる。
形成することができる。
なお、本実施例においては、カバー１５を第２のステー
ジ１４の周囲に装着する例を示したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、第２のステージ１４の周囲を
コーテイング膜で被覆しても何等差し支えない。すなわ
ち要するに、第２のステージ１４の周囲に開口する孔部
分を閉塞するものであれば、その手段は如何なるもので
あってもよい。
ジ１４の周囲に装着する例を示したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、第２のステージ１４の周囲を
コーテイング膜で被覆しても何等差し支えない。すなわ
ち要するに、第２のステージ１４の周囲に開口する孔部
分を閉塞するものであれば、その手段は如何なるもので
あってもよい。
以上説明したように本発明によれば、その内部に処理室
を有する容器と、この容器に設けられ処理室内に反応ガ
スを噴出するヘッドと、このヘッドに対向する側に設け
られヘッド側に開口する真空引き孔を有する第１のステ
ージと、このステージに設けられ半導体ウェハを保持す
る第２のステージとを備え、このステージを多孔質体か
らなるステージによって形成し、このステージの周囲に
開口する孔部分を閉塞したので、第２のステージに半導
体ウェハが対接する面積が従来の場合と比較して大きく
なる。したがって、半導体ウェハにヒータの加熱温度が
十分に伝達されるから、半導体ウェハの表面温度を均一
な温度に設定することができ、半導体ウェハに対して均
一な膜厚をもつ反応生成膜を得ることができる。また、
第２のステージを多孔質体からなることは、両ステージ
に多数の真空引き孔を形成する必要がなくなるから、ス
テージの製造・加工を簡単に行うことができる。
を有する容器と、この容器に設けられ処理室内に反応ガ
スを噴出するヘッドと、このヘッドに対向する側に設け
られヘッド側に開口する真空引き孔を有する第１のステ
ージと、このステージに設けられ半導体ウェハを保持す
る第２のステージとを備え、このステージを多孔質体か
らなるステージによって形成し、このステージの周囲に
開口する孔部分を閉塞したので、第２のステージに半導
体ウェハが対接する面積が従来の場合と比較して大きく
なる。したがって、半導体ウェハにヒータの加熱温度が
十分に伝達されるから、半導体ウェハの表面温度を均一
な温度に設定することができ、半導体ウェハに対して均
一な膜厚をもつ反応生成膜を得ることができる。また、
第２のステージを多孔質体からなることは、両ステージ
に多数の真空引き孔を形成する必要がなくなるから、ス
テージの製造・加工を簡単に行うことができる。
第１図は本発明に係る気相成長装置を示す断面図、第２
図は同じく本発明における気相成長装置の第２のステー
ジを示す斜視図、第３図は従来の気相成長装置を示す断
面図である。
図は同じく本発明における気相成長装置の第２のステー
ジを示す斜視図、第３図は従来の気相成長装置を示す断
面図である。
Claims (1)
- その内部に処理室を有する容器と、この容器に設けられ
前記処理室内に反応ガスを噴出するヘッドと、このヘッ
ドに対向する側に設けられヘッド側に開口する真空引き
孔を有する第１のステージと、このステージに設けられ
半導体ウェハを保持する第２のステージとを備え、この
ステージを多孔質体からなるステージによって形成し、
このステージの周囲に開口する孔部分を閉塞したことを
特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32454489A JPH03184327A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32454489A JPH03184327A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184327A true JPH03184327A (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=18166993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32454489A Pending JPH03184327A (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03184327A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006088448A1 (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier for growing gan wafers |
| US7235139B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-06-26 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier for growing GaN wafers |
| US8275446B2 (en) | 1994-10-27 | 2012-09-25 | Wake Forest University Health Sciences | Automatic analysis in virtual endoscopy |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP32454489A patent/JPH03184327A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8275446B2 (en) | 1994-10-27 | 2012-09-25 | Wake Forest University Health Sciences | Automatic analysis in virtual endoscopy |
| US7235139B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-06-26 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier for growing GaN wafers |
| WO2006088448A1 (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier for growing gan wafers |
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