JPH09253474A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH09253474A JPH09253474A JP6861896A JP6861896A JPH09253474A JP H09253474 A JPH09253474 A JP H09253474A JP 6861896 A JP6861896 A JP 6861896A JP 6861896 A JP6861896 A JP 6861896A JP H09253474 A JPH09253474 A JP H09253474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- upper space
- lower space
- space
- chamber
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 塵を舞い上げることなくかつ比較的短時間で
真空室のベントを行うことができる。 【解決手段】 アンロード室９は気流抵抗体１０によっ
て、上部空間１１と下部空間１２とに仕切られる。アン
ロード室９には、ベント孔１３から窒素ガスが比較的高
速度で上部空間１１に導入され、これと同時にスロー排
気が下部空間１２から排気孔１６を介して行われる。こ
れによって、ベント時に上部空間１１が下部空間１２よ
りも高圧になり、従って下部空間１２底面の塵Ｄが上部
空間１１の方に舞い上がることが防止されると共に、上
部空間１１に浮遊する塵は下部空間１２に迅速に降下す
る。
真空室のベントを行うことができる。 【解決手段】 アンロード室９は気流抵抗体１０によっ
て、上部空間１１と下部空間１２とに仕切られる。アン
ロード室９には、ベント孔１３から窒素ガスが比較的高
速度で上部空間１１に導入され、これと同時にスロー排
気が下部空間１２から排気孔１６を介して行われる。こ
れによって、ベント時に上部空間１１が下部空間１２よ
りも高圧になり、従って下部空間１２底面の塵Ｄが上部
空間１１の方に舞い上がることが防止されると共に、上
部空間１１に浮遊する塵は下部空間１２に迅速に降下す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置に係
り、特に真空室のベントを行うベント機構を具備する真
空処理装置に関する。
り、特に真空室のベントを行うベント機構を具備する真
空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空処理装置は、例えば半導体製造工程
やコンパクトディスク（ＣＤ）の製造工程などにおいて
薄膜を形成するために広く使用されている。図２は従来
の真空処理装置を示したもので、この真空処理装置は、
所定の真空度に保持されたロードロック室１と、複数の
真空処理室２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅと、真空搬送
室３とを具備している。このロードロック室１は、被処
理物Ｗを載置する保持台４を内部に有すると共に、被処
理物Ｗを出入れするための入口スイングバルブ５と、真
空搬送室３の側に被処理物Ｗを取り出すための不図示の
出口スイングバルブとを有する。各真空処理室２は被処
理物Ｗを載置する保持台６を内部に有すると共に、真空
搬送室３の側に面した壁面にゲートバルブ７を有する。
真空搬送室３の中央には搬送ロボット８が設置され、こ
の搬送ロボット８は、被処理物Ｗを掴み、この掴んだ被
処理物Ｗをロードロック室１と真空処理室２との間で、
または真空処理室２の相互間で搬送する。
やコンパクトディスク（ＣＤ）の製造工程などにおいて
薄膜を形成するために広く使用されている。図２は従来
の真空処理装置を示したもので、この真空処理装置は、
所定の真空度に保持されたロードロック室１と、複数の
真空処理室２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅと、真空搬送
室３とを具備している。このロードロック室１は、被処
理物Ｗを載置する保持台４を内部に有すると共に、被処
理物Ｗを出入れするための入口スイングバルブ５と、真
空搬送室３の側に被処理物Ｗを取り出すための不図示の
出口スイングバルブとを有する。各真空処理室２は被処
理物Ｗを載置する保持台６を内部に有すると共に、真空
搬送室３の側に面した壁面にゲートバルブ７を有する。
真空搬送室３の中央には搬送ロボット８が設置され、こ
の搬送ロボット８は、被処理物Ｗを掴み、この掴んだ被
処理物Ｗをロードロック室１と真空処理室２との間で、
または真空処理室２の相互間で搬送する。
【０００３】入口スイングバルブ５が開放され、半導体
ウエハやコンパクトディスク基板などの被処理物Ｗが外
部からロードロック室１に搬入されて保持台４の上に載
置された後に、入口スイングバルブ５が閉止される。搬
送ロボット８は、被処理物Ｗを、開放された出口スイン
グバルブを介してロードロック室１から取出した後に、
開放されたスイングバルブ７を介して真空処理室２に搬
入し、保持台６に載置する。この後に、スイングバルブ
７が閉止され、真空処理室２内で被処理物Ｗに対する必
要な真空処理が行われる。
ウエハやコンパクトディスク基板などの被処理物Ｗが外
部からロードロック室１に搬入されて保持台４の上に載
置された後に、入口スイングバルブ５が閉止される。搬
送ロボット８は、被処理物Ｗを、開放された出口スイン
グバルブを介してロードロック室１から取出した後に、
開放されたスイングバルブ７を介して真空処理室２に搬
入し、保持台６に載置する。この後に、スイングバルブ
７が閉止され、真空処理室２内で被処理物Ｗに対する必
要な真空処理が行われる。
【０００４】この真空処理が完了した被処理物Ｗは、搬
送ロボット８によって別の真空処理室２に搬送され、連
続した成膜処理が施され、全処理の完了した製品がロー
ドロック室１に搬送される。この搬送後に、ロードロッ
ク室１はベントされ、即ち窒素や空気等が導入されて大
気圧まで昇圧された後に、入口スイングバルブ５が開放
され、被処理物Ｗが搬出される。
送ロボット８によって別の真空処理室２に搬送され、連
続した成膜処理が施され、全処理の完了した製品がロー
ドロック室１に搬送される。この搬送後に、ロードロッ
ク室１はベントされ、即ち窒素や空気等が導入されて大
気圧まで昇圧された後に、入口スイングバルブ５が開放
され、被処理物Ｗが搬出される。
【０００５】ロードロック室１のベント時に、窒素や空
気等が真空状態のロードロック室に高速度で導入される
と、ロードロック室底面の塵をロードロック室内に舞い
上げて、被処理物に付着させ被処理物を汚染する恐れが
ある。そこで、窒素や空気等は、塵を舞い上げないよう
に、最初に所定の時間、低速でロードロック室内に導入
され、その後に比較的高速で導入される。
気等が真空状態のロードロック室に高速度で導入される
と、ロードロック室底面の塵をロードロック室内に舞い
上げて、被処理物に付着させ被処理物を汚染する恐れが
ある。そこで、窒素や空気等は、塵を舞い上げないよう
に、最初に所定の時間、低速でロードロック室内に導入
され、その後に比較的高速で導入される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来の真空処理装置は、ロードロック室のベント時の気体
導入が最初の所定時間、低速で行われるため、ベントに
比較的長時間を要し、真空処理装置のスループットの低
下を招来するといった問題があった。そこで、本発明の
目的は、塵を舞い上げることなくかつ比較的短時間で真
空室のベントを行うことができる真空処理装置を提供す
ることにある。
来の真空処理装置は、ロードロック室のベント時の気体
導入が最初の所定時間、低速で行われるため、ベントに
比較的長時間を要し、真空処理装置のスループットの低
下を招来するといった問題があった。そこで、本発明の
目的は、塵を舞い上げることなくかつ比較的短時間で真
空室のベントを行うことができる真空処理装置を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に請求項１に記載された発明は、真空室を上部空間と下
部空間とに仕切り、上記上部空間と上記下部空間との間
を流れる気流を減速させる気流抵抗体と、上記上部空間
内に被処理基板を支持する基板支持手段と、上記上部空
間側に設けられ、気体を上記真空室に供給するベント手
段と、上記下部空間側に設けられ、上記真空室内を排気
する排気手段とを具備し、ベント時に上記ベント手段か
ら気体を比較的高速で供給すると同時に上記排気手段か
ら比較的低速で排気を行うことを特徴とするものであ
る。
に請求項１に記載された発明は、真空室を上部空間と下
部空間とに仕切り、上記上部空間と上記下部空間との間
を流れる気流を減速させる気流抵抗体と、上記上部空間
内に被処理基板を支持する基板支持手段と、上記上部空
間側に設けられ、気体を上記真空室に供給するベント手
段と、上記下部空間側に設けられ、上記真空室内を排気
する排気手段とを具備し、ベント時に上記ベント手段か
ら気体を比較的高速で供給すると同時に上記排気手段か
ら比較的低速で排気を行うことを特徴とするものであ
る。
【０００８】真空室のベント時には、ベント手段は窒素
や空気などの気体を比較的高速で真空室の上部空間に供
給する。この供給と同時に、排気手段は比較的低速で真
空室の下部空間から排気を行う。このような上部空間へ
の気体導入と下部空間からの排気とによって、上部空間
は下部空間に対して十分高圧になり、従って、真空室内
では、気流は気流抵抗体を介して上部空間から下部空間
に流れ、その逆には流れない。このため、ベント用の気
体を比較的高速で導入しても、真空室底面に堆積してい
た塵等を舞い上げることはない。従って、被処理基板の
汚染を防止しつつ、真空処理装置のスループットを向上
させることができる。
や空気などの気体を比較的高速で真空室の上部空間に供
給する。この供給と同時に、排気手段は比較的低速で真
空室の下部空間から排気を行う。このような上部空間へ
の気体導入と下部空間からの排気とによって、上部空間
は下部空間に対して十分高圧になり、従って、真空室内
では、気流は気流抵抗体を介して上部空間から下部空間
に流れ、その逆には流れない。このため、ベント用の気
体を比較的高速で導入しても、真空室底面に堆積してい
た塵等を舞い上げることはない。従って、被処理基板の
汚染を防止しつつ、真空処理装置のスループットを向上
させることができる。
【０００９】請求項２に記載された発明は、上記気流抵
抗体は微細な開口が多数穿設された金属体であることを
特徴とするものである。このような微細な開口が多数穿
設された金属体としては、例えばメッシュ状の金属やパ
ンチングメタルを使用することができる。
抗体は微細な開口が多数穿設された金属体であることを
特徴とするものである。このような微細な開口が多数穿
設された金属体としては、例えばメッシュ状の金属やパ
ンチングメタルを使用することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明による真空処理装置の
実施例を図２と同一部分には同一符号を付して示した図
１を参照して説明する。
実施例を図２と同一部分には同一符号を付して示した図
１を参照して説明する。
【００１１】図１において、真空処理装置のアンロード
室９は、気流抵抗体１０によって上部空間１１と下部空
間１２とに仕切られる。この時、上部空間１１は下部空
間１２に比べて十分大きくなるように選定される。気流
抵抗体１０は、多数の微細な通気孔が穿設され、通過す
る気流の速度を大幅に減速する。なお、気流抵抗体１０
としては、メッシュ状の金属またはパンチングメタルが
好適である。アンロード室９の上面にはベント孔１３が
穿孔され、このベント孔１３にはベント管１４が接続さ
れている。また、アンロード室９の上部空間１１には被
処理基板Ｗを支持する支持台１５が配置されている。
室９は、気流抵抗体１０によって上部空間１１と下部空
間１２とに仕切られる。この時、上部空間１１は下部空
間１２に比べて十分大きくなるように選定される。気流
抵抗体１０は、多数の微細な通気孔が穿設され、通過す
る気流の速度を大幅に減速する。なお、気流抵抗体１０
としては、メッシュ状の金属またはパンチングメタルが
好適である。アンロード室９の上面にはベント孔１３が
穿孔され、このベント孔１３にはベント管１４が接続さ
れている。また、アンロード室９の上部空間１１には被
処理基板Ｗを支持する支持台１５が配置されている。
【００１２】アンロード室９の底面には排気孔１６が穿
孔され、この排気孔１６には排気管１７が接続されてい
る。この排気管１７にはポペットバルブ１８が設置され
ている。また、スロー排気用のバイパス管１９がポペッ
トバルブ１８をバイパスするように排気管１７に接続さ
れている。このバイパス管１９にはエアーバルブ２０と
ニードルバルブ２１とが直列に設置されている。
孔され、この排気孔１６には排気管１７が接続されてい
る。この排気管１７にはポペットバルブ１８が設置され
ている。また、スロー排気用のバイパス管１９がポペッ
トバルブ１８をバイパスするように排気管１７に接続さ
れている。このバイパス管１９にはエアーバルブ２０と
ニードルバルブ２１とが直列に設置されている。
【００１３】次に、この実施例の作用を説明する。真空
処理された被処理基板Ｗがアンロード室９に搬送され
て、支持台１５に載置されると、図示を省略した制御装
置は、窒素ガスをベント管１４とベント孔１３とを介し
てアンロード室９の上部空間１１に導入すると同時に、
エアーバルブ２０及びニードルバルブ２１を開弁して排
気孔１６とバイパス管１９とを介して下部空間１２を排
気する。この時、排気管１７のポペットバルブ１８は閉
弁されているので、上述のバイパス管１９を介する排気
は、極めてゆっくりと、即ち非常に低速度で行われる。
他方、ベント孔１３からの窒素ガスの導入は、比較的高
速度で行われる。
処理された被処理基板Ｗがアンロード室９に搬送され
て、支持台１５に載置されると、図示を省略した制御装
置は、窒素ガスをベント管１４とベント孔１３とを介し
てアンロード室９の上部空間１１に導入すると同時に、
エアーバルブ２０及びニードルバルブ２１を開弁して排
気孔１６とバイパス管１９とを介して下部空間１２を排
気する。この時、排気管１７のポペットバルブ１８は閉
弁されているので、上述のバイパス管１９を介する排気
は、極めてゆっくりと、即ち非常に低速度で行われる。
他方、ベント孔１３からの窒素ガスの導入は、比較的高
速度で行われる。
【００１４】このように、ベント孔１３から多量の窒素
ガスが導入され、排気孔１６からスロー排気が行われる
ので、上部空間１１の圧力は下部空間１２の圧力よりも
高くなり、ベント孔１３からの窒素ガスは上部空間１１
を層流状態で流れ、気流抵抗体１０で減速されて下部空
間１２に流入する。こうして、上部空間１１に浮遊して
いた塵は、窒素ガスの流れによって下方に運ばれ下部空
間１２に流入する。また、上述のように、上部空間１１
の気圧は下部空間１２の気圧よりも高いので、下部空間
１２から上部空間１１への気体の逆流は発生しない。従
って、下部空間底面に堆積している塵Ｄが窒素ガス流に
よって舞い上げられ、上部空間１１に侵入することはな
い。
ガスが導入され、排気孔１６からスロー排気が行われる
ので、上部空間１１の圧力は下部空間１２の圧力よりも
高くなり、ベント孔１３からの窒素ガスは上部空間１１
を層流状態で流れ、気流抵抗体１０で減速されて下部空
間１２に流入する。こうして、上部空間１１に浮遊して
いた塵は、窒素ガスの流れによって下方に運ばれ下部空
間１２に流入する。また、上述のように、上部空間１１
の気圧は下部空間１２の気圧よりも高いので、下部空間
１２から上部空間１１への気体の逆流は発生しない。従
って、下部空間底面に堆積している塵Ｄが窒素ガス流に
よって舞い上げられ、上部空間１１に侵入することはな
い。
【００１５】アンロード室９がほぼ大気圧に等しくなっ
た時に図示を省略されたゲートが開放されて、被処理基
板Ｗがアンロード室９から外部に取出される。更に、排
気孔１６からの排気は少量であり、ベント孔１３からの
窒素ガスの導入は多量であるので、アンロード室９のベ
ントは比較的短時間で行うことができる。また、被処理
基板Ｗが外部からアンロード室９に搬送された場合に
は、アンロード室９は、ポペットバルブ１８の開弁によ
って排気管１７を介して排気される。この排気は、下部
空間１２から行われるため、この下部空間１２が上部空
間１１よりも低圧になり、従って、この排気時にも下部
空間１２底部の塵Ｄが舞い上がることがなく、搬入され
た被処理基板Ｗに塵が付着することを防止することがで
きる。
た時に図示を省略されたゲートが開放されて、被処理基
板Ｗがアンロード室９から外部に取出される。更に、排
気孔１６からの排気は少量であり、ベント孔１３からの
窒素ガスの導入は多量であるので、アンロード室９のベ
ントは比較的短時間で行うことができる。また、被処理
基板Ｗが外部からアンロード室９に搬送された場合に
は、アンロード室９は、ポペットバルブ１８の開弁によ
って排気管１７を介して排気される。この排気は、下部
空間１２から行われるため、この下部空間１２が上部空
間１１よりも低圧になり、従って、この排気時にも下部
空間１２底部の塵Ｄが舞い上がることがなく、搬入され
た被処理基板Ｗに塵が付着することを防止することがで
きる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、ベント時にベント手段から気体を真空室に比較
的高速で供給すると同時に排気手段から比較的低速で排
気を行うため、塵を舞い上げることなくかつ比較的短時
間で真空室のベントを行うことができる。
よれば、ベント時にベント手段から気体を真空室に比較
的高速で供給すると同時に排気手段から比較的低速で排
気を行うため、塵を舞い上げることなくかつ比較的短時
間で真空室のベントを行うことができる。
【図１】本発明による真空処理装置の実施例を概略的に
示した断面図。
示した断面図。
【図２】従来の真空処理装置を示した斜視図。
９ アンロード室 １０ 気体抵抗体 １１ 上部空間 １２ 下部空間 １３ ベント孔 １５ 支持台 １７ 排気管 １９ バイパス管
Claims (2)
- 【請求項１】真空室を上部空間と下部空間とに仕切り、
上記上部空間と上記下部空間との間を流れる気流を減速
させる気流抵抗体と、上記上部空間内に被処理基板を支
持する基板支持手段と、上記上部空間側に設けられ、気
体を上記真空室に供給するベント手段と、上記下部空間
側に設けられ、上記真空室内を排気する排気手段とを具
備し、ベント時に上記ベント手段から気体を比較的高速
で供給すると同時に上記排気手段から比較的低速で排気
を行うことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】上記気流抵抗体は微細な開口が多数穿設さ
れた金属体であることを特徴とする請求項１に記載の真
空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6861896A JPH09253474A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6861896A JPH09253474A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09253474A true JPH09253474A (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13378935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6861896A Pending JPH09253474A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09253474A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389449B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2003-06-27 | 주성엔지니어링(주) | 대칭형 유로블럭을 가지는 진공판 |
| JP2004146781A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造用ロードロックチャンバーの真空／パージ方法 |
| CN109957786A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-07-02 | 黄剑鸣 | 一种制作hit硅电池的气相沉積装置 |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP6861896A patent/JPH09253474A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100389449B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2003-06-27 | 주성엔지니어링(주) | 대칭형 유로블럭을 가지는 진공판 |
| JP2004146781A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造用ロードロックチャンバーの真空／パージ方法 |
| JP4658243B2 (ja) * | 2002-10-22 | 2011-03-23 | 三星電子株式会社 | 半導体素子製造用ロードロックチャンバーの真空／パージ方法 |
| CN109957786A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-07-02 | 黄剑鸣 | 一种制作hit硅电池的气相沉積装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4288160B2 (ja) | 窒素パージを行うトップ通気口を有する高速サイクルチャンバ | |
| KR100453090B1 (ko) | 처리장치및처리장치내의기체의제어방법 | |
| JPH07211761A (ja) | 処理装置内の被処理体の搬送方法 | |
| JP4584821B2 (ja) | 真空処理装置及び帯状気流形成装置 | |
| KR100248562B1 (ko) | 진공처리장치 | |
| JP2681576B2 (ja) | 加工物を周囲空気を排除した特定の選択ガスの雰囲気中で処理するための装置及び方法 | |
| KR100739969B1 (ko) | 도포 현상 처리 방법 및 도포 현상 처리 시스템 | |
| US8794896B2 (en) | Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit | |
| JP3012328B2 (ja) | 圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から保護する方法および装置 | |
| JPH06232064A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH1074820A (ja) | 被処理基板の搬送方法及び処理システム | |
| JP3402713B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH09253474A (ja) | 真空処理装置 | |
| KR102047894B1 (ko) | 버퍼 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
| JP3098547B2 (ja) | キャリアストッカ | |
| JPH11135416A (ja) | 被処理体載置テーブルおよびそれを備えた処理装置 | |
| JP2003115519A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、ロードロック室、基板収納ケース、ストッカ | |
| JP3856726B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH04271139A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US20240087935A1 (en) | Interface tool | |
| JP4903948B2 (ja) | 高清浄空間形成装置 | |
| JPS63299341A (ja) | 基板処理方法およびその装置 | |
| JP2000091399A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2645357B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP3138875B2 (ja) | クリーンエア装置 |