JP3058658B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3058658B2 JP3058658B2 JP2163741A JP16374190A JP3058658B2 JP 3058658 B2 JP3058658 B2 JP 3058658B2 JP 2163741 A JP2163741 A JP 2163741A JP 16374190 A JP16374190 A JP 16374190A JP 3058658 B2 JP3058658 B2 JP 3058658B2
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- heater
- semiconductor manufacturing
- shielding plate
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体製造装置、特に半導体製造装置の１つ
であるCVD（化学蒸着）装置、特に枚葉式CVD装置に関す
るものである。
であるCVD（化学蒸着）装置、特に枚葉式CVD装置に関す
るものである。
［従来の技術］ 半導体製造工程の１つに、シリコンウェーハを低圧反
応ガス雰囲気中で加熱し、ウェーハ表面に反応生成物を
蒸着させる工程（CVD）がある。
応ガス雰囲気中で加熱し、ウェーハ表面に反応生成物を
蒸着させる工程（CVD）がある。
この反応生成物を蒸着させる半導体製造装置として、
ウェーハを一枚ずつ処理する枚葉式のCVD装置がある。
ウェーハを一枚ずつ処理する枚葉式のCVD装置がある。
この種の、従来のCVD装置を第３図に於いて説明す
る。
る。
第３図中、１は反応室であり、該反応室１の下方には
ウェーハ加熱用のヒータ２が設けられ、該ヒータ２は石
英製のヒータカバー３で覆われている。該ヒータカバー
３を介してヒータ２にウェーハ置台４が設けられ、該ウ
ェーハ置台４にウェーハ搬送口５からウェーハ６が搬入
され、又処理後のウェーハ６が搬出され。該ウェーハ搬
送口５には処理室を気密にする為のゲートバルブ７が設
けられている。又、前記処理室１には排気口８が設けら
れている。
ウェーハ加熱用のヒータ２が設けられ、該ヒータ２は石
英製のヒータカバー３で覆われている。該ヒータカバー
３を介してヒータ２にウェーハ置台４が設けられ、該ウ
ェーハ置台４にウェーハ搬送口５からウェーハ６が搬入
され、又処理後のウェーハ６が搬出され。該ウェーハ搬
送口５には処理室を気密にする為のゲートバルブ７が設
けられている。又、前記処理室１には排気口８が設けら
れている。
前記反応室１の天井側には、反応ガスを供給する水冷
式のガス供給ノズル９が設けられている。
式のガス供給ノズル９が設けられている。
反応室１内を真空引し、前記ノズル９より反応ガスを
供給した状態で、前記ヒータ２によってウェーハ６を加
熱し、CVD処理が行われる。
供給した状態で、前記ヒータ２によってウェーハ６を加
熱し、CVD処理が行われる。
CVD処理に於いて反応生成物蒸着によって生成される
膜は、ウェーハ表面の温度によって異なってくる。従っ
て、均一且所望の膜厚とする為にウェーハ６の温度制御
が行われる。
膜は、ウェーハ表面の温度によって異なってくる。従っ
て、均一且所望の膜厚とする為にウェーハ６の温度制御
が行われる。
上記した従来のCVD装置では、ヒータ２を加熱すると
ヒータ２の熱は、ウェーハ置台４を経てウェーハ６に伝
達される。而して、ヒータ２に供給する電力を制御する
ことで、ウェーハの温度制御を行っている。
ヒータ２の熱は、ウェーハ置台４を経てウェーハ６に伝
達される。而して、ヒータ２に供給する電力を制御する
ことで、ウェーハの温度制御を行っている。
［発明が解決しようとする課題］ ところが、ヒータ２が発熱する熱が、全て熱伝達によ
りヒータ置台４を経てウェーハ６に伝達される訳ではな
く、ヒータ２が発熱する熱の一部はヒータカバー３を通
して熱輻射で放熱される。この輻射熱の一部は、反応室
１の内面で反射されてウェーハ６に至る。従って、ウェ
ーハ６の温度は、輻射熱の分だけ、予定した温度より高
くなる。
りヒータ置台４を経てウェーハ６に伝達される訳ではな
く、ヒータ２が発熱する熱の一部はヒータカバー３を通
して熱輻射で放熱される。この輻射熱の一部は、反応室
１の内面で反射されてウェーハ６に至る。従って、ウェ
ーハ６の温度は、輻射熱の分だけ、予定した温度より高
くなる。
このウェーハ６に至る輻射熱の量は、反応室１の内壁
の汚れ、表面の粗さ等によって変化する為、予期するこ
とが難しく、又経時的に変化するので一定値とはならな
い。
の汚れ、表面の粗さ等によって変化する為、予期するこ
とが難しく、又経時的に変化するので一定値とはならな
い。
この為、ウェーハ表面の温度を制御することができな
く、ひいては膜成長速度を制御することができなくな
る。
く、ひいては膜成長速度を制御することができなくな
る。
而して、CVD処理の度に条件が変わり、一定品質のも
のができないという問題があった。
のができないという問題があった。
本発明は斯かる実情に鑑み、ヒータからの輻射熱を遮
断し、ウェーハ温度制御に於ける不確定要因を除去し、
ウェーハの温度制御の精度を向上させ、高品質のCVD処
理を行おうとするものである。
断し、ウェーハ温度制御に於ける不確定要因を除去し、
ウェーハの温度制御の精度を向上させ、高品質のCVD処
理を行おうとするものである。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、反応室内にウェーハ置台が設けられ、該ウ
ェーハ置台下側にヒータが設けられ、該ウェーハ置台を
介してウェーハが加熱される様になっている半導体製造
装置に於いて、該ウェーハ置台の周囲に反応室内をウェ
ーハ収納側とヒータ収納側とに区画する着脱可能な遮蔽
板を設けたことを特徴とするものである。
ェーハ置台下側にヒータが設けられ、該ウェーハ置台を
介してウェーハが加熱される様になっている半導体製造
装置に於いて、該ウェーハ置台の周囲に反応室内をウェ
ーハ収納側とヒータ収納側とに区画する着脱可能な遮蔽
板を設けたことを特徴とするものである。
［作用］ ヒータからの輻射熱は、遮蔽板によって遮断され、ウ
ェーハには入熱しない。従って、ウェーハはヒータから
の熱伝導によってのみ加熱され、ヒータによるウェーハ
の温度制御が容易になる。又、前記遮蔽板は着脱可能で
あるので洗浄作業が容易になる。
ェーハには入熱しない。従って、ウェーハはヒータから
の熱伝導によってのみ加熱され、ヒータによるウェーハ
の温度制御が容易になる。又、前記遮蔽板は着脱可能で
あるので洗浄作業が容易になる。
［実 施 例］ 以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明す
る。
る。
尚、第１図に於いて第３図中で示したものと同一のも
のには同符号を付してある。
のには同符号を付してある。
反応室１は、容器本体10と蓋11から成っており、該蓋
11はガス供給ノズル９と共に取外しができる様になって
いる。
11はガス供給ノズル９と共に取外しができる様になって
いる。
ヒータカバー３は、ウェーハ置台４よりも大きく、該
ヒータカバー３の周縁に係合する輻射熱遮蔽リング12を
該ヒータカバー３に載置する。
ヒータカバー３の周縁に係合する輻射熱遮蔽リング12を
該ヒータカバー３に載置する。
該遮蔽リング12は、前記ウェーハ置台４と干渉しない
様中心部が刳貫かれていると共に裏面側にはヒータカバ
ー３が嵌合する凹部13が形成されている。又、該遮蔽リ
ング12の外形形状は反応室１内部の形状に略等しくし、
反応室１の内部形状が円形であれば円形に、矩形であれ
ば矩形とし、遮蔽リング12の周縁と反応室１の内壁との
間には排気に支障のない様、若干の間隙14を形成する。
様中心部が刳貫かれていると共に裏面側にはヒータカバ
ー３が嵌合する凹部13が形成されている。又、該遮蔽リ
ング12の外形形状は反応室１内部の形状に略等しくし、
反応室１の内部形状が円形であれば円形に、矩形であれ
ば矩形とし、遮蔽リング12の周縁と反応室１の内壁との
間には排気に支障のない様、若干の間隙14を形成する。
又、該遮蔽リング12の材質は耐高温材質で且輻射熱を
遮断する様、不透明又は、半透明であるものとし、例え
ば乳白色の石英板、或はセラミック板等を用いる。
遮断する様、不透明又は、半透明であるものとし、例え
ば乳白色の石英板、或はセラミック板等を用いる。
更に、遮蔽リング12は着脱可能とし、反応生成物によ
り汚れた場合、取出して洗浄が可能である様にする。
り汚れた場合、取出して洗浄が可能である様にする。
該遮蔽リング12を用いることにより、ヒータ２からの
輻射熱は遮断されているので反応室内壁で反射され、ウ
ェーハに入熱することがない。従って、ウェーハ６への
入熱はヒータ２からの熱伝導のみとなる為、ウェーハ６
の温度はヒータ２への電力供給量と対応し、ヒータ２の
電力制御によりウェーハの温度制御を精度よく行える。
輻射熱は遮断されているので反応室内壁で反射され、ウ
ェーハに入熱することがない。従って、ウェーハ６への
入熱はヒータ２からの熱伝導のみとなる為、ウェーハ６
の温度はヒータ２への電力供給量と対応し、ヒータ２の
電力制御によりウェーハの温度制御を精度よく行える。
又、ヒータ２を同心状に複数配設したヒータユニット
から構成し、個々のヒータユニットを独立して制御し得
る様にすれば、ウェーハ載置台の温度分布制御、即ちウ
ェーハの温度分布制御を行うことがができ、ウェーハの
温度制御を更に緻密に行える。
から構成し、個々のヒータユニットを独立して制御し得
る様にすれば、ウェーハ載置台の温度分布制御、即ちウ
ェーハの温度分布制御を行うことがができ、ウェーハの
温度制御を更に緻密に行える。
第２図は他の実施例を示すものであり、反応室１の内
壁に沿ってヒータカバー３と同じ高さの遮蔽リング支持
材15を設け、前記遮蔽リング12を該遮蔽リング支持材15
とヒータカバー３に掛渡して載置する様にしたものであ
る。
壁に沿ってヒータカバー３と同じ高さの遮蔽リング支持
材15を設け、前記遮蔽リング12を該遮蔽リング支持材15
とヒータカバー３に掛渡して載置する様にしたものであ
る。
尚、遮蔽リング支持材15は石英製であり、排気口８と
合致する通気孔16が穿設されており、又前記遮蔽リング
12の所要位置、数箇所には排気孔17が穿設してある。
合致する通気孔16が穿設されており、又前記遮蔽リング
12の所要位置、数箇所には排気孔17が穿設してある。
該第２の実施例では遮蔽リング12は反応室１の内壁に
よって位置決めされるので、該遮蔽リング12にはヒータ
カバー３が嵌合する凹部を形成する必要はない。又、、
該遮蔽リング12は容易に取外し得ることは勿論である。
よって位置決めされるので、該遮蔽リング12にはヒータ
カバー３が嵌合する凹部を形成する必要はない。又、、
該遮蔽リング12は容易に取外し得ることは勿論である。
尚、遮蔽リングについてはカーボングラファイト製と
すること、更にカーボングラファイト製とし表面を炭化
硅素（S1C）又はポリシリコンでコーティングし洗浄を
容易にしたもの。更に又、遮蔽リングを３層構造とし、
表面、裏面を石英材等の洗浄可能な材料、中間層をカー
ボングラファイト製等の不透明材料としたものでもよ
い。又該３層構造の場合各層を接合して一体化してもよ
く、単に重合わせたものでもよい。
すること、更にカーボングラファイト製とし表面を炭化
硅素（S1C）又はポリシリコンでコーティングし洗浄を
容易にしたもの。更に又、遮蔽リングを３層構造とし、
表面、裏面を石英材等の洗浄可能な材料、中間層をカー
ボングラファイト製等の不透明材料としたものでもよ
い。又該３層構造の場合各層を接合して一体化してもよ
く、単に重合わせたものでもよい。
［発明の効果］ 以上述べた如く本発明によれば、ヒータからの輻射熱
がウェーハに入熱するのを遮断するので、CVD膜成長速
度（膜厚分布等）がヒータ温度を変化させることにより
忠実な制御を行うことができる、又遮蔽リングを容易に
取外すことができる様にすることで遮蔽リングの洗浄が
可能となる等、種々の優れた効果を発揮する。
がウェーハに入熱するのを遮断するので、CVD膜成長速
度（膜厚分布等）がヒータ温度を変化させることにより
忠実な制御を行うことができる、又遮蔽リングを容易に
取外すことができる様にすることで遮蔽リングの洗浄が
可能となる等、種々の優れた効果を発揮する。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図は同前
他の実施例を示す説明図、第３図は従来例を示す説明図
である。 １は反応室、２はヒータ、４はウェーハ置台、６はウェ
ーハ、12は遮蔽リング、15は遮蔽リング支持材を示す。
他の実施例を示す説明図、第３図は従来例を示す説明図
である。 １は反応室、２はヒータ、４はウェーハ置台、６はウェ
ーハ、12は遮蔽リング、15は遮蔽リング支持材を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 克己 東京都西多摩郡羽村町神明台２―１―１ 国際電気株式会社羽村工場内 (56)参考文献 特開 昭63−70512（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−39422（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−27691（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−151418（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−287769（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/365 C23C 16/00 - 16/56
Claims (6)
- 【請求項１】反応室内にウェーハ置台が設けられ、該ウ
ェーハ置台下側にヒータが設けられ、該ウェーハ置台を
介してウェーハが加熱される様になっている半導体製造
装置に於いて、該ウェーハ置台の周囲に反応室内をウェ
ーハ収納側とヒータ収納側とに区画する着脱可能な遮蔽
板を設けたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】前記遮蔽板の上方はガス供給口を含む反応
空間を有し、前記遮蔽板の下方には排気口を含む排気空
間を有する請求項１の半導体製造装置。 - 【請求項３】前記遮蔽板と反応室内壁との間に間隙を形
成した請求項２の半導体製造装置。 - 【請求項４】前記遮蔽板に排気孔を設けた請求項２の半
導体製造装置。 - 【請求項５】前記遮蔽板は反応室内部形状と略等しい形
状である請求項１の半導体製造装置。 - 【請求項６】前記遮蔽板をカーボングラファイトから構
成し、遮蔽板表面をSiCでコーティングした請求項１の
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163741A JP3058658B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163741A JP3058658B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456126A JPH0456126A (ja) | 1992-02-24 |
| JP3058658B2 true JP3058658B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=15779799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2163741A Expired - Lifetime JP3058658B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3058658B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9749118B2 (en) | 2011-05-16 | 2017-08-29 | Alcatel Lucent | Method and apparatus for providing bidirectional communication between segments of a home network |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9644285B2 (en) | 2011-08-22 | 2017-05-09 | Soitec | Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods |
| FR2984923B1 (fr) * | 2011-12-27 | 2014-11-07 | Soitec Silicon On Insulator | Systèmes de dépôt comprenant des chambres de réaction configurées pour réaliser des opérations de métrologie in situ et procédés connexes |
| CN112789366B (zh) * | 2018-10-30 | 2023-03-14 | 株式会社爱发科 | 真空处理装置 |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP2163741A patent/JP3058658B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9749118B2 (en) | 2011-05-16 | 2017-08-29 | Alcatel Lucent | Method and apparatus for providing bidirectional communication between segments of a home network |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0456126A (ja) | 1992-02-24 |
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