JPH02208927A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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- JPH02208927A JPH02208927A JP2890489A JP2890489A JPH02208927A JP H02208927 A JPH02208927 A JP H02208927A JP 2890489 A JP2890489 A JP 2890489A JP 2890489 A JP2890489 A JP 2890489A JP H02208927 A JPH02208927 A JP H02208927A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- gas
- processing chamber
- vapor deposition
- chemical vapor
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- Pending
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 39
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 101100113692 Caenorhabditis elegans clk-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスにおける膜形成に使用す
る化学気相成長装置に関する。
る化学気相成長装置に関する。
従来、この種の化学気相成長装置は第４図および第５図
に示すように構成されている。これを同図に基づいて説
明すると、同図において、符号１で示すものは半導体ウ
ェハ２を収容するウェハ処理室３およびこのウェハ処理
室３の内外に開口する排気口４を有する容器、５はこの
容器ｌに設けられ前記ウェハ処理室３内に反応ガスを噴
出するガス噴出ヘッド、６はこのガス噴出ヘッド５の下
方に設けられ半導体ウェハ２を保持する加熱ステージで
ある。なお、同図中、符号Ａは排気口４から反応ガスが
排出する方向を示し、Ｂはガス噴出へラド５から反応ガ
スが噴出する方向を示す。
に示すように構成されている。これを同図に基づいて説
明すると、同図において、符号１で示すものは半導体ウ
ェハ２を収容するウェハ処理室３およびこのウェハ処理
室３の内外に開口する排気口４を有する容器、５はこの
容器ｌに設けられ前記ウェハ処理室３内に反応ガスを噴
出するガス噴出ヘッド、６はこのガス噴出ヘッド５の下
方に設けられ半導体ウェハ２を保持する加熱ステージで
ある。なお、同図中、符号Ａは排気口４から反応ガスが
排出する方向を示し、Ｂはガス噴出へラド５から反応ガ
スが噴出する方向を示す。
このように構成された化学気相成長装置による半導体ウ
ェハ２に対する膜形成は、次に示す手順を経て行われる
。すなわち、先ず搬送機構（図示せず）によって加熱ス
テージ６上に半導体ウェハ２を保持し、次にこの半導体
ウェハ２の主面に対してガス噴出ヘッド５から反応ガス
を噴出するのである。
ェハ２に対する膜形成は、次に示す手順を経て行われる
。すなわち、先ず搬送機構（図示せず）によって加熱ス
テージ６上に半導体ウェハ２を保持し、次にこの半導体
ウェハ２の主面に対してガス噴出ヘッド５から反応ガス
を噴出するのである。
ところで、従来の化学気相成長装置においては、単数の
排気口４が加熱ステージ６上の半導体ウェハ２の側方に
開口する構造であるため、反応ガスが第６図に矢印Ｃで
示すように一方向に流れて膜形成時に半導体ウェハ２上
のガス濃度が不均一であった。この結果、均一な膜厚を
もつ半導体ウェハ２を得ることができず、品質としての
信鯨性が低下するという問題があった。
排気口４が加熱ステージ６上の半導体ウェハ２の側方に
開口する構造であるため、反応ガスが第６図に矢印Ｃで
示すように一方向に流れて膜形成時に半導体ウェハ２上
のガス濃度が不均一であった。この結果、均一な膜厚を
もつ半導体ウェハ２を得ることができず、品質としての
信鯨性が低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、膜形
成時に均一の膜厚をもつ半導体ウェハを得ることができ
、もって品質としての信顛性を高めることができる化学
気相成長装置を提供するものである。
成時に均一の膜厚をもつ半導体ウェハを得ることができ
、もって品質としての信顛性を高めることができる化学
気相成長装置を提供するものである。
本発明に係る化学気相成長装置は、ウェハ処理室をその
内部に有する容器と、この容器に設けられウェハ処理室
内に反応ガスを噴出するガス噴出ヘッドと、このガス噴
出ヘッドの下方に設けられ半導体ウェハを保持する加熱
ステージとを備え、この加熱ステージ上における半導体
ウェハの放射方向に開口する複数のガス排気口を容器に
設けたものである。
内部に有する容器と、この容器に設けられウェハ処理室
内に反応ガスを噴出するガス噴出ヘッドと、このガス噴
出ヘッドの下方に設けられ半導体ウェハを保持する加熱
ステージとを備え、この加熱ステージ上における半導体
ウェハの放射方向に開口する複数のガス排気口を容器に
設けたものである。
本発明においては、反応ガスを半導体ウェハの放射方向
に流してガス排気口から容器の外部に排出することがで
きる。
に流してガス排気口から容器の外部に排出することがで
きる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図および第２図は本発明に係る化学気相成長装置を
示す横断面図と縦断面図で、同図以下において第４図〜
第６図と同一の部材については同一の符号を付し、詳細
な説明は省略する。同図において、符号１１で示す円筒
状の反応容器には、半導体ウェハ２をその内部に収容す
るウェハ処理室１２と、このウェハ処理室１２の内外に
開口する複数のガス排気口１３とが設けられている。こ
れらガス排気口１３は、前記加熱ステージ６上における
半導体ウェハ２の放射方向に開口部をもつガス排気孔に
よって形成されている。
示す横断面図と縦断面図で、同図以下において第４図〜
第６図と同一の部材については同一の符号を付し、詳細
な説明は省略する。同図において、符号１１で示す円筒
状の反応容器には、半導体ウェハ２をその内部に収容す
るウェハ処理室１２と、このウェハ処理室１２の内外に
開口する複数のガス排気口１３とが設けられている。こ
れらガス排気口１３は、前記加熱ステージ６上における
半導体ウェハ２の放射方向に開口部をもつガス排気孔に
よって形成されている。
このように構成された化学気相成長装置による半導体ウ
ェハ２に対する膜形成は、従来技術と同様にして行われ
る。すなわち、先ず搬送機構（図示せず）によって加熱
ステージ６上に半導体ウェハ２を保持し、次にこの半導
体ウェハ２の主面に対してガス噴出ヘッド５から反応ガ
スを噴出するのである。
ェハ２に対する膜形成は、従来技術と同様にして行われ
る。すなわち、先ず搬送機構（図示せず）によって加熱
ステージ６上に半導体ウェハ２を保持し、次にこの半導
体ウェハ２の主面に対してガス噴出ヘッド５から反応ガ
スを噴出するのである。
この場合、複数のガス排気口１３が半導体ウェハ２の放
射方向に開口しているから、第３図に矢印りで示すよう
に反応容器１１内の反応ガスを半導体ウェハ２の放射方
向に流してガス排気口１３から反応容器１１の外部に排
出することができる。
射方向に開口しているから、第３図に矢印りで示すよう
に反応容器１１内の反応ガスを半導体ウェハ２の放射方
向に流してガス排気口１３から反応容器１１の外部に排
出することができる。
したがって、本実施例においては、膜形成時に半導体ウ
ェハ２上のガス濃度を均一にすることができるから、均
一な膜厚をもつ半導体ウェハ２を得ることができる。
ェハ２上のガス濃度を均一にすることができるから、均
一な膜厚をもつ半導体ウェハ２を得ることができる。
なお、本実施例においては、反応容器１１が円筒状であ
る場合を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば
多角形状であってもよく、その形状は適宜変更すること
ができる。
る場合を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば
多角形状であってもよく、その形状は適宜変更すること
ができる。
また、本発明におけるガス排気口１３の個数、形状およ
び大きさは前述した実施例に限定されるものでないこと
は勿論である。
び大きさは前述した実施例に限定されるものでないこと
は勿論である。
因に、本発明における加熱ステージ６は、半導体ウェハ
２を所定の温度に加熱することができるものとする。
２を所定の温度に加熱することができるものとする。
以上説明したように本発明によれば、ウェハ処理室をそ
の内部に有する容器と、この容器に設けられウェハ処理
室内に反応ガスを噴出するガス噴出ヘッドと、このガス
噴出ヘッドの下方に設けられ半導体ウェハを保持する加
熱ステージとを備え、この加熱ステージ上における半導
体ウェハの放射方向に開口するガス排気口を容器に設け
たので、反応ガスを半導体ウェハの放射方向に流してガ
ス排気口から容器の外部に排出することができる。
の内部に有する容器と、この容器に設けられウェハ処理
室内に反応ガスを噴出するガス噴出ヘッドと、このガス
噴出ヘッドの下方に設けられ半導体ウェハを保持する加
熱ステージとを備え、この加熱ステージ上における半導
体ウェハの放射方向に開口するガス排気口を容器に設け
たので、反応ガスを半導体ウェハの放射方向に流してガ
ス排気口から容器の外部に排出することができる。
したがって、膜形成時に半導伊ウェハ上のガス濃度を均
一にすることができるから、均一な膜厚をもつ半導体ウ
ェハを得ることができ、品質としての信鯨性を確実に高
めることができる。
一にすることができるから、均一な膜厚をもつ半導体ウ
ェハを得ることができ、品質としての信鯨性を確実に高
めることができる。
第１図および第２図は本発明に係る化学気相成長装置を
示す横断面図と縦断面図、第３図は同じく本発明におけ
る化学気相成長装置を使用した場合の反応ガスの流れ方
向を示す断面図、第４図および第５図は従来の化学気相
成長装置を示す横断面図と縦断面図、第６図はその化学
気相成長装置を使用した場合の反応ガスの流れ方向を示
す断面図である。 ２・・・・半導体ウェハ、５・・・・ガス噴出ヘッド、
６・・・・加熱ステージ、１１・・・・反応容器、１２
・・・・ウェハ処理室、１３・・・・ガス排気口。 代 理 人 大岩増雄 第３図 第４図 第２図 第５因 第６図
示す横断面図と縦断面図、第３図は同じく本発明におけ
る化学気相成長装置を使用した場合の反応ガスの流れ方
向を示す断面図、第４図および第５図は従来の化学気相
成長装置を示す横断面図と縦断面図、第６図はその化学
気相成長装置を使用した場合の反応ガスの流れ方向を示
す断面図である。 ２・・・・半導体ウェハ、５・・・・ガス噴出ヘッド、
６・・・・加熱ステージ、１１・・・・反応容器、１２
・・・・ウェハ処理室、１３・・・・ガス排気口。 代 理 人 大岩増雄 第３図 第４図 第２図 第５因 第６図
Claims (1)
- ウェハ処理室をその内部に有する容器と、この容器に設
けられ前記ウェハ処理室内に反応ガスを噴出するガス噴
出ヘッドと、このガス噴出ヘッドの下方に設けられ半導
体ウェハを保持する加熱ステージとを備え、この加熱ス
テージ上における半導体ウェハの放射方向に開口する複
数のガス排気口を前記容器に設けたことを特徴とする化
学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2890489A JPH02208927A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2890489A JPH02208927A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02208927A true JPH02208927A (ja) | 1990-08-20 |
Family
ID=12261399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2890489A Pending JPH02208927A (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02208927A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998034270A1 (en) * | 1997-01-30 | 1998-08-06 | Fusion Systems Corporation | Double window exhaust arrangement for wafer plasma processor |
| KR20040110685A (ko) * | 2003-06-20 | 2004-12-31 | 삼성전자주식회사 | 건식 박막식각장치 |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP2890489A patent/JPH02208927A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998034270A1 (en) * | 1997-01-30 | 1998-08-06 | Fusion Systems Corporation | Double window exhaust arrangement for wafer plasma processor |
| KR20040110685A (ko) * | 2003-06-20 | 2004-12-31 | 삼성전자주식회사 | 건식 박막식각장치 |
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