TWI412084B - A substrate processing apparatus and a substrate processing method - Google Patents

A substrate processing apparatus and a substrate processing method Download PDF

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TWI412084B
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Hiroyuki Matsuura
Ken Nakao
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於當一次對多張被處理基板之表面實施成膜處理時，可實現基板間之良好之成膜均一性及實現存在於基板間之氣體之高效淨化的基板處理裝置及基板處理方法。
於半導體裝置之製造中，存在對被處理基板例如半導體晶圓，藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)等而實施成膜處理之步驟。作為執行該步驟之一個處理裝置，使用有可一次對多張晶圓進行熱處理之分批式處理裝置，例如立式熱處理裝置。
該處理裝置之構成包含：晶舟(保持件)，其搭載並保持有多層晶圓；反應管(處理容器)，其收容該晶舟，並於特定溫度及壓力下之處理氣體(反應氣體)環境中，對晶圓實施CVD等特定之熱處理；氣體導入部，其將處理氣體導入至該反應管內；排氣部，其將反應管內真空排氣至特定之壓力；加熱器(加熱部)，其對反應管進行加熱。於以如此方式構成之處理裝置中，自反應管一端例如下端，將處理氣體導入至反應管內，該處理氣體一面於反應管內上升一面通過基板搭載區域，並自反應管之另一端例如上端排氣。
如此之處理裝置，由於因製程條件(溫度、氣體流量、壓力、時間)，而靠近處理氣體之導入側之一側，處理氣體分子之吸附量增多，故難以獲得一分批處理內之基板間之良好的成膜均一性。
另一方面，作為成膜處理之其中之一之ALD(Atomic Layer Deposition，原子層沈積)製程，係於短時間內將複數種氣體一個個地且有序地流入反應管內以於基板上進行成膜之製程。該ALD製程中，為提高生產率，必需於短時間內高效地進行處理氣體吸附後之淨化。然而，上述處理裝置，難以高效地淨化滯留於基板間之氣體，即，無法充分實現生產率之提高。
再者，於日本專利特開2000－208425號公報中，揭示有如下處理裝置(半導體裝置之製造裝置)：其自設置於搭載於晶舟上之各晶圓之一側面的氣體噴嘴，水平地供給處理氣體，並自設置於與該氣體噴嘴對向之側之吸氣孔進行排氣。於該處理裝置中，於反應管內周設置有環狀隔板，並且於晶舟之晶圓搭載棚部設置有與環狀隔板對應之外環部，以不使自其中一個氣體噴嘴所噴出之處理氣體層，於晶圓反應前因擴散而與來自上下氣體噴嘴之處理層實質性混合。
然而，於該處理裝置中，因於反應管內周設置有環狀隔板，並且於晶舟之晶圓搭載棚部設置有外環部，故構造煩雜，又無法避免含有反應管之裝置之大型化。
又，為使形成於晶圓下表面之被膜更厚，於晶舟之晶圓搭載棚部突設有較高地支撐晶圓之銷，以使流經晶圓上側之處理氣體之一部分繞入晶圓下側。進而，於晶舟之晶圓搭載棚部形成有面向晶圓背面且開口面積較大之複數個開口部。故而，存在上部處理氣體層與下部處理氣體層通過此等開口部實質性混合之顧慮，且難以獲得基板間之良好之成膜均一性。又，亦難以高效地淨化滯留於基板間之氣體。
本發明係考慮上述情形而完成者，其目的在於提供如下者：可於一次對多張被處理基板表面實施成膜處理時，實現基板間之良好之成膜均一性，及實現存在於基板間之氣體之高效淨化的處理裝置及處理方法。又，本發明之目的在於提供可實現構造簡單化及含有處理容器之裝置之小型化的處理裝置及處理方法。
本發明係一種處理裝置，其包含：保持件，其搭載並保持有多層被處理基板；處理容器，其收容上述保持件，並於特定溫度及壓力之處理氣體環境下對被處理基板實施特定熱處理；氣體導入部，其將處理氣體導入至上述處理容器內；排氣部，其將上述處理容器內真空排氣至特定之壓力；加熱部，其對上述處理容器進行加熱；且於上述保持件設置有隔板(與載置板分開)，其於收容於上述處理容器內時，形成對每個被處理基板之處理空間，上述氣體導入部包含設置於各處理空間之一側側面之氣體導入孔，上述排氣部包含設置於各處理空間之另一側側面且與上述氣體導入孔對向之排氣孔。
根據本發明，可於一次對多張被處理基板表面實施成膜處理時，實現基板間之良好之成膜均一性，及實現存在於基板間之氣體之高效淨化，且可實現提高生產率，另一方面可實現構造簡單化及含有處理容器之裝置之小型化。
或者，本發明係一種處理裝置，其包含：保持件，其搭載並保持有多層被處理基板；處理容器，其收容上述保持件，並於特定溫度及壓力之處理氣體環境下，對被處理基板實施特定熱處理；氣體導入部，其將處理氣體導入至上述處理容器內；排氣部，其將上述處理容器內真空排氣至特定壓力；加熱部，其對上述處理容器內之被處理基板進行加熱；且載置上述保持件之被處理基板之各載置板形成為環狀隔板，該環狀隔板於將上述保持件收容於上述處理容器內時，形成對每個被處理基板之處理空間，上述氣體導入部包含設置於各處理空間之一側側面之導入孔，且上述排氣部包含設置於各處理空間之另一側側面且與上述氣體導入孔對向之排氣孔。
根據本發明，亦可於一次對多張被處理基板表面實施成膜處理時，實現基板間之良好之成膜均一性，及實現存在於基板間之氣體之高效淨化，且可實現提高生產率，另一方面可實現構造簡單化及含有處理容器之裝置之小型化。
例如，上述處理容器包含含有內部管及外管部之雙重管構造，且內管部及外管部均將上端閉塞，上述保持件收容於內管部內，形成於內管部與外管部之間之空間部與上述排氣部連通。該情形時，例如，上述氣體導入部包含沿垂直方法延伸之氣體導入管，且於內管部之內面形成有收容氣體導入管之收容槽部。或者，該情形時，上述氣體導入部包含設置於上述空間部之垂直方向之氣體導入路。如此構成有利於實現構造簡單化及含有處理容器之裝置之小型化。
又，較好的是，該情形時，於將上述保持件收容於上述內管部內時，於上述內管部之內周面與上述保持件之外周面之間，形成有容許上述保持件旋轉之微小間隙。該情形時，由於可容許保持件旋轉，故可提高處理之面內均一性。又，可於保持件內形成(確保)獨立之多數個處理空間。
又，本發明係使用如下處理裝置對被處理基板實施特定之熱處理之處理方法，其包含：熱處理步驟，將處理氣體自氣體導入孔導入至各處理空間，且自排氣孔進行排氣，藉此一面形成相對於被處理基板之平行之處理氣體流，一面對被處理基板實施特定熱處理；淨化處理步驟，於上述熱處理步驟後，將惰性氣體自氣體導入孔導入，且自排氣孔進行排氣，藉此對各處理空間實施淨化處理；其中上述處理裝置係具有如下特徵者，其包含：保持件，其搭載並保持有多層被處理基板；處理容器，其收容上述保持件，並於特定溫度及壓力之處理氣體環境下，對被處理基板實施特定熱處理；氣體導入部，其將處理氣體及惰性氣體導入至上述處理容器內；排氣部，其將上述處理容器內真空排氣至特定壓力；加熱部，其對上述處理容器進行加熱；且於上述保持件設置有隔板，該隔板於將上述保持件收容於上述處理容器內時，形成對每個被處理基板之處理空間；上述氣體導入部包含設置於各處理空間之一側側面之氣體導入孔；上述排氣部包含設置於各處理空間之另一側側面且與上述氣體導入孔對向的排氣孔。
根據本發明，可於一次對多張被處理基板之表面實施成膜處理時，實現基板間之良好之成膜均一性，及實現存在於基板間之氣體之高效淨化，且實現提高生產率。
或者，本發明係使用如下處理裝置對被處理基板實施特定之熱處理之處理方法，其包含：熱處理步驟，將處理氣體自氣體導入孔導入至各處理空間，且自排氣孔進行排氣，藉此一面形成相對於被處理基板之平行之處理氣體流，一面對被處理基板實施特定之熱處理；淨化處理步驟，於上述熱處理步驟後，將惰性氣體自氣體導入孔導入，且自排氣孔進行排氣，藉此對各處理空間實施淨化處理，其中上述處理裝置係具有特徵者，其包含：保持件，其搭載並保持有多層被處理基板；處理容器，其收容上述保持件，並於特定溫度及壓力之處理氣體環境下，對被處理基板實施特定熱處理；氣體導入部，其將處理氣體及惰性氣體導入至上述處理容器內；排氣部，其將上述處理容器內真空排氣至特定壓力；加熱部，其對上述處理容器內之被處理基板進行加熱；且載置上述保持件之被處理基板之各載置板形成為環狀隔板，該環狀隔板於將上述保持件收容於上述處理容器內時，形成對每個被處理基板之處理空間，上述氣體導入部包含設置於各處理空間之一側側面之氣體導入孔，上述排氣部包含設置於各處理空間之另一側側面且與上述氣體導入孔對向之排氣孔。
根據本發明，亦可於一次對多張被處理基板之表面實施成膜處理時，實現基板間之良好之成膜均一性，及實現存在於基板間之氣體之高效淨化，且實現提高生產率。
此外，藉由控制上述各處理裝置之電腦而執行且實現上述各處理方法之控制程式、及記憶有該控制程式之電腦可讀取之記憶媒體，亦係本申請案之保護對象。
以下，對用以實施本發明之最佳形態，基於隨附圖式進行詳細說明。
圖1係表示本發明第1實施形態之立式熱處理裝置之概略縱剖面圖。圖2係圖1之立式熱處理裝置之概略橫剖面圖。圖3係圖1之立式熱處理裝置之要部放大剖面圖。
如圖1所示，作為半導體製造裝置(處理裝置)之立式熱處理裝置1具備立式爐(立式熱處理爐)2。該立式爐2之構成具備：例如石英製晶舟(保持件)3，其於上下方向以特定間距搭載並保持有多層被處理基板例如半導體晶圓w；例如石英製反應管(處理容器)4，其收容該晶舟3並於特定溫度及壓力之處理氣體環境下，藉由特定之熱處理例如CVD而對晶圓w實施成膜處理；氣體注入器(氣體導入管)5，其作為將處理氣體導入至該反應管4內之氣體導入部；排氣埠6，其作為將反應管4內真空排氣至特定壓力之排氣部；加熱器(加熱部)7，其對反應管4進行加熱。
於晶舟3上形成有以隔板8將每個晶圓w隔開之處理空間10，以作為用以獨立(自其他晶圓分離之狀態)設置各晶圓w之空間(基板設置空間)。作為氣體導入部之氣體注入器5，於各處理空間10包含自其一側側面導入氣體之氣體導入孔11。另一方面，作為排氣部之排氣埠6與排氣孔12連通，該排氣孔12設置於與各氣體導入孔11對向之位置且用以各處理空間10之排氣。晶舟3，如圖2及圖3所示，包含：複數根例如3根支柱3a；用以支撐此等支柱3a而設置於上端與下端之頂板3b與底板3c。又，於支柱3a上以特定間距於上下方向設置有多層用於以其周緣部水平支撐晶圓w之支撐槽3d。再者，支撐槽3d包含容許晶圓移載時之晶圓升降之特定高度。
晶舟3，可搭載多張例如50張左右之例如直徑為300 mm之晶圓w。又，於支柱3a上，以特定間距於上下方向水平設置有多層石英製圓形隔板8，以於頂板3b與底板3c之間之晶舟3內形成對每個晶圓w之處理空間10。較好的是，隔板8之大小與外接於支柱3a之圓相同或大致相同。晶圓w由未圖示之移載機構之叉架支撐下表面並搬入至晶舟3之支撐槽3d內，或自支撐槽3d搬出。
上述晶舟3，介隔旋轉台14與遮熱台15而載置於以可開閉之方式閉塞反應管4下端之爐口4c的蓋體13上部。於蓋體13下部設置有旋轉驅動旋轉台14之旋轉驅動機構16。載置於旋轉台14上之遮熱台15之構成主要含有：載置於旋轉台14上之下板15a；立設於該下板15a之複數根支柱15b；於上下方向以特定間距設置於此等支柱15b上之多層遮熱板15c。
蓋體13係例如不鎖鋼製。於蓋體13之上表面部設置有用於抵接反應管4下端之爐口4c開口端面並進行氣密密封之密封構件，例如O型環26。又，較好的是，於蓋體13上表面之爐口露出面設置有具有耐腐蝕性之例如石英製保護罩(省略圖示)。蓋體13設置為可藉由未圖示之升降機構而進行升降，藉由蓋體13之上升而將晶舟3搬入反應管4內並且閉塞爐口4c，且藉由蓋體13之下降而開放爐口4c並將晶舟3自反應管4內搬出至下方之裝卸區域。
反應管4係由分別將上端閉塞(具有頂棚部)並且成一體化之含有內管部4a及外管部4b之雙重管構造。於內管部4a內收容有晶舟3。外管部4b及內管部4a之下端均開口，且於外管部4b之下端部形成有向外之凸緣部4d。凸緣部4d，介隔未圖示之凸緣按壓件或安裝構件而由基礎板17支撐。藉此，反應管4，以貫通基礎板17之開口部17a之狀態安裝於基礎板17。又，加熱器7亦設置於基礎板17上。該加熱器7之構成含有：圍繞反應管4之圓筒狀絕熱筒體；配設於該絕熱筒體內周之加熱電阻器(省略詳細圖示)。
又，內管部4a之下端部亦形成為向外之凸緣狀，且氣密接合於外管部4b之內周面。藉此，於內管部4a與外管部4b之間形成有空間部18。該空間部18，詳細而言，包含環狀空間部18a與天花板上空間部18b。環狀空間部18a與天花板上空間部18b連通。再者，內管部4a之下端，亦可為整體不處於同一高度。例如，如圖1所示，為對準排氣埠6，亦可將一側(右側)之高度設為低於另一側(左側)之高度，使自一側傾斜至另一側。
本實施形態中，使用立起(沿垂直方向延伸)之氣體導入管即氣體注入器5作為氣體導入部。該氣體注入器5設置為上端部閉塞，另一方面基端部5a折彎成L字狀並水平貫通反應管4之凸緣部4d。於氣體注入器5之基端部5a連接有可選擇性切換並供給處理氣體與淨化氣體(惰性氣體，例如氮氣)之氣體供給管。於該氣體供給管設置有控制各導入氣體之氣體量之控制閥(例如，質量流量控制器)(省略圖式)。
氣體注入器5，亦可對應於氣體種類而設置有複數個(於圖2例中，2個(5A、5B))。較好的是，將複數個氣體注入器5A、5B鄰接配置。於氣體注入器5之側面，以對應於晶舟3之各處理空間10之方式，設置有面向各處理空間10之氣體導入孔11。藉此，自各氣體導入孔11，將處理氣體或淨化氣體，自各處理空間10之一側向另一側噴射並導入。該情形時，自氣體導入孔11所噴射之處理氣體或淨化氣體，噴射至各晶圓w之上側，並沿著各晶w之上表面平行流動。此處，較好的是，氣體導入孔11之口徑為0.5~1 mm，例如設為0.7 mm。
又，於內管部4a之內周面與晶舟3之外周面之間，形成有容許晶舟3旋轉之微小間隙s。可藉由使該間隙s盡可能小，而防止氣體自各處理空間10向鄰接之其他(上下之)處理空間10擴散，確保獨立之處理空間10。該情形時，為防止因配置於晶舟3與內管部4a之間之氣體注入器5而導致晶舟3之外周面與內管部4a之內周面之間之間隙s變大，於內管部4a之內面形成有收容氣體注入器5之凹部即收容槽部19。
藉由相同之理由，於內管部4a之內面形成有收容立起(沿垂直方向延伸)之棒狀溫度測定器20之收容槽部21。溫度測定器20，為於初始設定時測定爐內溫度，以相對於蓋體13成貫通立起之狀態而安裝於蓋體13，但於通常時(處理時)自蓋體13拆除。
再者，較好的是，上述間隙s為1~5 mm。又，可於加熱器7設置有用以測定溫度之溫度感測器(省略圖示)。
排氣孔12設置於與氣體導入孔11對向之內管部4a之側壁。各氣體自氣體導入孔11於平面觀察(自上方觀察)呈扇狀擴散並噴射。由此，較好的是，排氣孔12於內管部4a之側壁以特定寬度形成有複數個或形成為狹縫狀。於排氣孔12所在之側之外管部4b的側壁下側部，以與環狀空間部18a連通之狀態設置有構成排氣部之排氣埠6。於該排氣埠6連接有包含控制機構之減壓排氣系統(省略圖示)，該控制機構含有壓力感測器、真空泵及壓力控制閥，且用以將反應管內減壓排氣至特定處理壓力，例如0.3~10 Torr。
如此構成之立式熱處理裝置1含有控制裝置22，該控制裝置22管理反應管4內之壓力、處理溫度、處理氣體或淨化氣體之導入量、及時間，並進行基於特定處理程式之成膜處理。該控制裝置22使用儲存有用以實施下述處理方法之電腦程式之記憶媒體(省略圖示)。
其次，對處理方法之一例示，例如ALD製程加以說明。首先，將搭載有晶圓w之晶舟3搬入反應管4內，並由蓋體13密封爐口4c。繼而，藉由壓力控制機構將反應管4內抽成真空並控制為特定處理壓力，並且藉由加熱器7將爐內溫度控制為特定處理溫度。又，晶舟3藉由旋轉驅動機構16而進行旋轉。
於如此狀態下，使一方之處理氣體例如六氯二矽烷(Si2 Cl6 )，自一方之氣體注入器5A之氣體導入孔11流入至各處理空間10內。其次，使淨化氣體，自相同之氣體注入器5A之氣體導入孔11流入至各處理空間10內。其次，使他方之氣體例如氨氣(NH3 )，自他方之氣體注入器5B之氣體導入孔11流入至各處理空間10內。其次，使淨化氣體，自相同之氣體注入器5B之氣體導入孔11流入至各處理空間10內。以後，以相同之方式，於六氯二矽烷導入、淨化、氨氣導入、淨化之情形時，每隔特定時間反覆進行特定次數之各處理氣體之氣體流入與淨化。再者，將流入至各處理空間10之處理氣體或淨化氣體，自相反側之排氣孔12進行抽吸排氣。
如此，特定製程結束之後，蓋體13向下方下降，將搭載有已處理之晶圓w之晶舟3搬出。
於上述處理方法中，於晶舟3內將每個晶圓w隔開而形成之各處理空間10，自一側側面導入處理氣體，並且自另一側側面進行排氣，藉此可於形成相對於晶圓w之平行之處理氣體流之狀態，對晶圓w實施成膜處理，又，於該成膜處理步驟之後，於晶舟3內之各處理空間10，自一側側面導入淨化氣體，並且自另一側側面進行排氣，藉此對各處理空間10進行淨化，故可於一次對多張晶圓表面實施成膜處理時使基板間之成膜均一性良好，又，可對存在於基板間之氣體進行高效淨化，並可實現處理之高效化及生產率之提高。
又，上述之立式熱處理裝置(處理裝置)，於晶舟3內形成有以隔板8將每個晶圓w隔開之處理空間10，且夾持各處理空間10而於一側側面配置有導入氣體之氣體導入孔11，於另一側側面配置有用於各處理空間10進行排氣之排氣孔12，藉此，可於一次對多張晶圓之表面實施成膜處理時使基板間之成膜均一性良好，又，可對存在於基板間之氣體進行高效淨化，實現處理之高效化及生產率之提高，且實現構造簡單化及含有反應管4之裝置之小型化。
尤其是，反應管4係由分別將上端閉塞並成一體化之含有內管部4a及外管部4b之雙重管構造，且由於於內管部4a內收容有晶舟3，內管部4a與外管部4b之間之空間部18與作為排氣部之排氣埠6連通，於內管部4a之內面形成有收容作為氣體導入部而立起之氣體注入器5的收容槽部19，故可實現構造簡單化及含有反應管4之裝置之小型化。
進而，由於於內管部4a之內周面與晶舟3之外周面之間形成有容許晶舟3旋轉的微小間隙s，故可容許晶舟3旋轉，並且可確保於晶舟3上獨立之多數個處理空間(基板設置空間)10，並且可實現每個處理空間10之大致全部交叉流動(與上下方向之多層基板搭載方向直交之水平方向的流動)，另一方面，幾乎無上部處理氣體層與下部處理氣體層通過間隙s進行實質性混合之顧慮。藉此，可獲得基板間之良好之成膜均一性，並且可提高生產率，實現構造之簡單化及含有反應管之裝置之小型化。
其次，圖4係表示本發明第2實施形態之立式熱處理裝置之概略縱剖面圖。圖5係圖4之立式熱處理裝置之概略橫剖面圖。圖6係圖4之立式熱處理裝置之要部放大剖面圖。於本發明第2實施形態中，對與圖1至圖3所示之第1實施形態相同部分，賦予相同符號並省略說明。
於本實施形態中，作為載置晶圓w之晶舟3之載置板，而採用形成將每個晶圓w隔開之處理空間100之環狀隔板80。較好的是，環狀隔板80之大小，與上述隔板8相同，與外接於支柱3a之圓相同或大致相同。再者，於環狀隔板80中央設置有較晶圓w尺寸小之開口部80a。又，於支柱3a，與支撐槽3d相同，於上下方向以特定間距設置有多層用於以其周緣部水平支撐晶圓W之槽部3e。槽部3e亦具有容許晶圓移載時之晶圓升降之特定高度。
藉由於環狀隔板80上表面載置有晶圓w而閉塞環狀隔板80中央之開口部80a。藉此，可形成並確保於上下方向獨立之處理空間100。該情形時，無須多說可對晶圓w上表面實施成膜，但亦可對自環狀隔板80之開口部80a露出之晶圓w之下表面實施成膜。藉此可防止晶圓彎曲。
晶圓移載機構含有：推舉構件，其例如將載置於環狀隔板80上之晶圓，自環狀隔板80之開口部80a下方推舉至上方；叉架，其插入所推舉之晶圓w與環狀隔板80之間隙且支撐並搬送晶圓w(省略圖示)。
於反應管4之內管部4a與外管部4b之間之空間部18，形成有複數個(於圖5之例中，2個(50A、50B))鄰接之作為氣體導入部而沿上下方向延伸之氣體注入箱(氣體導入箱)50。於各氣體注入箱50下部，連接有基端側水平貫通反應管4之凸緣部4d之L字狀氣體導入部50a。另一方面，於區劃氣體注入箱50之內管部4a之壁上，對應於各處理空間100而形成有氣體導入孔11。由於氣體注入箱50採用橫剖面積大於氣體注入器5之橫剖面積，故可使自氣體導入孔11所噴射之處理氣體之縱方向(上下方向)濃度差(壓力差)更小。又，由於採用有氣體注入箱50，無須設置收容槽部19，故較之採用有氣體注入器5可實現構造之簡單化。
本實施形態之立式熱處理裝置1，亦可實施上述處理方法，並且亦可達到與上述實施形態相同之作用效果。又，由於本實施形態之立式熱處理裝置1，於環狀隔板80上表面直接載置晶圓w，故較之第1實施形態，可增加搭載晶圓之張數。
圖7及圖8係表示本發明進一步之實施形態(變形例)之要部放大剖面圖。即，可如圖7所示，將藉由以隔板8將每個晶圓w隔開而形成處理空間10之晶舟3，與採用有氣體注入箱50之處理容器加以組合，亦可如圖8所示，將藉由環狀隔板80將每個晶圓w隔開而形成處理空間100之晶舟3，與採用有氣體注入器5之處理容器加以組合。
以上，雖基於圖式對本發明之實施形態加以詳細說明，但本發明並非僅限定於上述實施形態，於不脫離本發明宗旨之範圍內，可進行各種設計變更等。
1．．．立式熱處理裝置
2．．．立式爐
3．．．晶舟
3a、15b．．．支柱
3b．．．頂板
3c．．．底板
3d．．．支撐槽
3e．．．槽部
4．．．反應管
4a．．．內管部
4b．．．外管部
4c．．．爐口
4d．．．凸緣部
5、5A、5B．．．氣體注入器
5a．．．基端部
6．．．排氣埠
7．．．加熱器
8．．．隔板
10、100．．．處理空間
11．．．導入孔
12．．．排氣孔
13．．．蓋體
14．．．旋轉台
15．．．遮熱台
15a．．．下板
15c．．．遮熱板
16．．．旋轉驅動機構
17．．．基礎板
17a、80a．．．開口部
18．．．空間部
18a．．．環狀空間部
18b．．．天花板上空間部
19、21．．．收容槽部
20．．．溫度測定器
22．．．控制裝置
26．．．O型環
50、50A、50B．．．氣體注入箱
50a．．．氣體導入部
80．．．環狀隔板
s．．．間隙
w．．．晶圓
圖1係表示本發明第1實施形態之立式熱處理裝置之概略縱剖面圖。
圖2係圖1之立式熱處理裝置之概略橫剖面圖。
圖3係圖1之立式熱處理裝置之要部放大剖面圖。
圖4係表示本發明第2實施形態之立式熱處理裝置之概略縱剖面圖。
圖5係圖4之立式熱處理裝置之概略橫剖面圖。
圖6係圖4之立式熱處理裝置之要部放大剖面圖。
圖7係本發明進一步之實施形態(變形例)之要部放大剖面圖。
圖8係本發明進一步之實施形態(變形例)之要部放大剖面圖。
1．．．立式熱處理裝置
2．．．立式爐
3．．．晶舟
3a、15b．．．支柱
3b．．．頂板
3c．．．底板
4．．．反應管
4a．．．內管部
4b．．．外管部
4c．．．爐口
4d．．．凸緣部
5．．．氣體注入器
5a．．．基端部
6．．．排氣埠
7．．．加熱器
8．．．隔板
10．．．處理空間
11．．．導入孔
12．．．排氣孔
13．．．蓋體
14．．．旋轉台
15．．．遮熱台
15a．．．下板
15c．．．遮熱板
16．．．旋轉驅動機構
17．．．基礎板
17a．．．開口部
18．．．空間部
18a．．．環狀空間部
18b．．．天花板上空間部
19．．．收容槽部
22．．．控制裝置
26．．．O型環
s．．．間隙
w．．．晶圓

Claims (4)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於包含：保持件，其搭載並保持有多層被處理基板；處理容器，其收容上述保持件，並於特定溫度及壓力之處理氣體環境下，對被處理基板實施特定之熱處理；氣體導入部，其將處理氣體導入至上述處理容器內；排氣部，其對上述處理容器內進行真空排氣至特定之壓力；及加熱部，其對上述處理容器進行加熱；且於上述保持件設置有隔板，該隔板於將上述保持件收容於上述處理容器內時形成對每個被處理基板之處理空間；上述氣體導入部包括設置於各處理空間之一側側面之氣體導入孔；上述排氣部包括設置於各處理空間之另一側側面且與上述氣體導入孔對向之排氣孔；上述處理容器包含含有內管部及外管部之雙重管構造，且內管部及外管部均將上端閉塞；上述保持件收容於內管部內，形成於內管部與外管部之間之空間部與上述排氣部連通；上述氣體導入部包含沿垂直方向延伸之氣體導入管，於內管部之內面形成有收容氣體導入管之收容槽部，將上述保持件收容於上述內管部內時，於上述內管部之內周面與上述保持件之外周面之間，形成有微小間隙； 前述微小間隙係設定為一面容許上述保持件之旋轉，一面使自各處理空間向鄰接之上下之處理空間之氣體擴散為最小之間隔。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述加熱部構成為對上述處理容器內之被處理基板進行加熱；上述保持件設有用以載置基板之載置板，各載置板形成為環狀隔板。
  3. 一種基板處理方法，其特徵在於其係使用如請求項1或2之基板處理裝置對被處理基板實施特定之熱處理者，其包含：熱處理步驟，將處理氣體自氣體導入孔導入至各處理空間，且自排氣孔進行排氣，藉此一面形成相對於被處理基板平行之處理氣體流，一面對被處理基板實施特定之熱處理；淨化處理步驟，於上述熱處理步驟後，將惰性氣體自氣體導入孔導入，且自排氣孔進行排氣，藉此對各處理空間實施淨化處理。
  4. 一種記憶媒體，其係記憶有控制程式且電腦可讀取者，該控制程式藉由電腦而執行且實現如請求項3之基板處理方法。
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
JP5474278B2 (ja) * 2007-02-22 2014-04-16 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 超臨界プロセス用バッチ式成膜装置及び半導体装置の製造方法
JP5090097B2 (ja) * 2007-07-26 2012-12-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
KR101043211B1 (ko) * 2008-02-12 2011-06-22 신웅철 배치형 원자층 증착 장치
JP5383332B2 (ja) * 2008-08-06 2014-01-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP5658463B2 (ja) * 2009-02-27 2015-01-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5545061B2 (ja) * 2010-06-18 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び成膜方法
KR101223489B1 (ko) * 2010-06-30 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 기판 가공 장치
JP2012195565A (ja) * 2011-02-28 2012-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP5640894B2 (ja) * 2011-05-26 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置
JP5878813B2 (ja) * 2011-06-21 2016-03-08 東京エレクトロン株式会社 バッチ式処理装置
JP5753450B2 (ja) * 2011-06-30 2015-07-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
WO2013054652A1 (ja) * 2011-10-11 2013-04-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、および記録媒体
CN103160813B (zh) * 2011-12-14 2015-10-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室以及应用该反应腔室的等离子体加工设备
KR101215511B1 (ko) * 2012-06-27 2012-12-26 (주)이노시티 프로세스 챔버 및 기판 처리 장치
US9512519B2 (en) * 2012-12-03 2016-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Atomic layer deposition apparatus and method
CN103871927A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 垂直扩散氧化炉石英工艺管的结构
KR101396601B1 (ko) * 2013-02-26 2014-05-20 주식회사 테라세미콘 배치식 기판처리 장치
JP5977274B2 (ja) 2013-03-21 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 バッチ式縦型基板処理装置および基板保持具
KR101507557B1 (ko) * 2013-04-25 2015-04-07 주식회사 엔씨디 대면적 기판용 수평형 원자층 증착장치
JP6128969B2 (ja) * 2013-06-03 2017-05-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
DE102013105818B4 (de) * 2013-06-06 2017-01-26 Von Ardenne Gmbh Gehäuse zum Aufnehmen einer Mehrzahl von plattenförmigen Substraten
KR102162366B1 (ko) * 2014-01-21 2020-10-06 우범제 퓸 제거 장치
JP2015137415A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 エヌシーディ・カンパニー・リミテッドＮｃｄ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 大面積原子層蒸着装置
JP6257000B2 (ja) * 2014-09-30 2018-01-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および反応管
JP6468901B2 (ja) * 2015-03-19 2019-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR101715193B1 (ko) * 2015-07-20 2017-03-10 주식회사 유진테크 기판 처리장치
TWI611043B (zh) * 2015-08-04 2018-01-11 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
CN106467980B (zh) * 2015-08-21 2019-01-29 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种大型垂直式hvpe反应室的装配辅助装置
KR101760316B1 (ko) 2015-09-11 2017-07-21 주식회사 유진테크 기판처리장치
JP6464990B2 (ja) 2015-10-21 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
KR102043876B1 (ko) 2016-02-09 2019-11-12 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6817757B2 (ja) * 2016-09-16 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板移送方法
JP6700165B2 (ja) * 2016-12-22 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
CN117810127A (zh) * 2017-02-23 2024-04-02 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法、容器及存储介质
JP6846993B2 (ja) 2017-06-19 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 基板保持具及びこれを用いた基板処理装置
JP6820816B2 (ja) * 2017-09-26 2021-01-27 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム
CN111465714B (zh) * 2017-12-22 2022-06-28 株式会社村田制作所 成膜装置
JP6651591B1 (ja) * 2018-09-27 2020-02-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法
CN111948907B (zh) * 2019-05-16 2022-01-28 上海微电子装备（集团）股份有限公司 掩模板温度控制装置和掩模曝光装置
JP6770617B1 (ja) * 2019-08-09 2020-10-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具
CN111725108B (zh) * 2020-06-23 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备
JP7048690B2 (ja) * 2020-09-25 2022-04-05 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具
US20220122856A1 (en) * 2020-10-15 2022-04-21 Changxin Memory Technologies, Inc. Diffusion furnace
CN112466794B (zh) * 2020-11-24 2021-12-03 长江存储科技有限责任公司 薄膜沉积装置及晶舟组件
US11688621B2 (en) * 2020-12-10 2023-06-27 Yield Engineering Systems, Inc. Batch processing oven and operating methods
US20230117184A1 (en) * 2021-10-20 2023-04-20 Yield Engineering Systems, Inc. Batch processing oven for magnetic anneal
CN115537777B (zh) * 2022-08-16 2024-05-14 湖南顶立科技有限公司 一种气相沉积设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02156523A (ja) * 1988-12-08 1990-06-15 Nec Corp 縦型ウェハーボート
TW200501213A (en) * 2003-05-19 2005-01-01 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus
TW200531174A (en) * 2003-09-25 2005-09-16 Aviza Tech Inc Thermal processing system with cross flow injection system with rotatable injectors

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0324718A (ja) * 1989-06-22 1991-02-01 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JP2730198B2 (ja) 1989-07-17 1998-03-25 いすゞ自動車株式会社 ４サイクル断熱エンジン
JPH06818Y2 (ja) * 1989-09-21 1994-01-05 日本エー・エス・エム株式会社 Ｃｖｄ装置のための基板支持装置
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
JP4083331B2 (ja) 1998-01-16 2008-04-30 株式会社エフティーエル 半導体装置の製造装置
JP2000294511A (ja) 1999-04-09 2000-10-20 Ftl:Kk 半導体装置の製造装置
JP3479020B2 (ja) * 2000-01-28 2003-12-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
TW578214B (en) * 2000-05-29 2004-03-01 Tokyo Electron Ltd Method of forming oxynitride film or the like and system for carrying out the same
JP2002222806A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Ebara Corp 基板処理装置
US7135659B2 (en) * 2001-03-05 2006-11-14 Tokyo Electron Limited Heat treatment method and heat treatment system
JP3421660B2 (ja) * 2001-05-09 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及びその方法
JP2003045864A (ja) 2001-08-02 2003-02-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP3957549B2 (ja) 2002-04-05 2007-08-15 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
US20070243317A1 (en) * 2002-07-15 2007-10-18 Du Bois Dale R Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber
JP2005259841A (ja) 2004-03-10 2005-09-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20050211264A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Tokyo Electron Limited Of Tbs Broadcast Center Method and processing system for plasma-enhanced cleaning of system components
US7604841B2 (en) * 2004-03-31 2009-10-20 Tokyo Electron Limited Method for extending time between chamber cleaning processes
US7509962B2 (en) * 2005-01-21 2009-03-31 Tokyo Electron Limited Method and control system for treating a hafnium-based dielectric processing system
US7798096B2 (en) * 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US7632354B2 (en) * 2006-08-08 2009-12-15 Tokyo Electron Limited Thermal processing system with improved process gas flow and method for injecting a process gas into a thermal processing system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02156523A (ja) * 1988-12-08 1990-06-15 Nec Corp 縦型ウェハーボート
TW200501213A (en) * 2003-05-19 2005-01-01 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus
TW200531174A (en) * 2003-09-25 2005-09-16 Aviza Tech Inc Thermal processing system with cross flow injection system with rotatable injectors

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