CN101288157A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101288157A
CN101288157A CNA2006800379045A CN200680037904A CN101288157A CN 101288157 A CN101288157 A CN 101288157A CN A2006800379045 A CNA2006800379045 A CN A2006800379045A CN 200680037904 A CN200680037904 A CN 200680037904A CN 101288157 A CN101288157 A CN 101288157A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
processed substrate
space
container handling
handling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800379045A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101288157B (zh
Inventor
松浦广行
中尾贤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN101288157A publication Critical patent/CN101288157A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101288157B publication Critical patent/CN101288157B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Abstract

本发明提供一种处理装置，其包括：多层搭载被处理基板的保持具；收纳上述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；向上述处理容器内导入处理气体的气体导入部；将上述处理容器真空排气至规定的压力的排气部；和对上述处理容器进行加热的加热部，该处理装置的特征在于：在上述保持具上设置有当被收纳于上述处理容器内时针对每个被处理基板形成处理空间的隔壁板，上述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，上述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与上述气体导入孔相对的方式设置的排气孔。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种当一次对多块被处理基板的表面实施成膜处理时，能够实现基板间的良好的成膜均匀性，并能够高效率地清除基板间存在的气体的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，具有通过VCD等在被处理基板、例如半导体晶片上实施成膜处理的工序。作为执行该工序的处理装置之一，使用能够一次对多块晶片进行热处理的批量式处理装置、例如立式热处理装置。
该处理装置包括：多层搭载保持晶片的晶舟(保持具)；收纳该晶舟并在规定的温度和压力的处理气体(反应气体)的气氛中通过CVD等对晶片实施规定的热处理的反应管(处理容器)；向该反应管内导入处理气体的气体导入部；将反应管内真空排气至规定的压力的排气部；和对反应管进行加热的加热器(加热部)。在这样构成的处理装置中，从反应管的一端例如下端向反应管内导入气体，使该处理气体在反应管内上升，通过基板搭载区域，从反应管的另一端例如上端排出。
在这样的处理装置中，根据工艺条件(温度、气体流量、压力、时间)，由于接近处理气体导入侧的晶片对处理气体分子的吸附量较多，所以难以在批量内的基板间获得良好的成膜均匀性。
另一方面，作为成膜处理之一的ALD(Atomic Layer Deposition：原子层成膜)工艺是在短时间内使多种气体分别且按顺序地流进反应管而在基板上进行成膜的工艺。在该LAD工艺中，为了提高生产性，需要在短时间内高效率地进行处理气体吸附后的清除。但是，在如上所述的处理装置中，难以高效率地清除残留在基板之间的气体，即，不能充分实现生产性的提高。
另外，日本特开2000-208425号公报中记载有，从设置在一侧的气体喷嘴向搭载在晶舟上的各晶片水平地供给气体，并从设置在与该气体喷嘴相对一侧的排气孔进行排气的处理装置(半导体装置的制造装置)。在该处理装置中，为了不使从一个气体喷嘴喷出的处理气体层在晶片反应之前，由于扩散而与来自于上下的气体喷嘴的处理气体层实质上相混合，而在反应管的内周设置有环状隔离板，并在晶舟的晶片搭载搁板部设置有与环状隔离板对应的外环部。
但是，在该处理装置中，由于在反应管的内周设置有环状隔离板，并且，在晶舟的晶片搭载搁板部上设置有外环部，所以结构复杂，并且不能避免包括反应管的装置的大型化。
另外，在晶舟的晶片搭载搁板部上，为了使晶片下表面上形成的覆盖膜更厚，所以突出设置有较高地支撑晶片的销，以使流过晶片上侧的处理气体的一部分绕回下侧。进一步，在晶舟的晶片搭载搁板部上，面对晶片的底面，设置有开口面积较大的多个开口部。因此，上部的处理气体层与下部的处理气体层可能会通过这些开口部而实质上相混合，难以获得基板间的良好的成膜均匀性。另外，也难以高效率清除滞留在基板间的气体。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种处理装置和处理方法，当一次对多块被处理基板的表面实施成膜处理时，能够实现基板间的良好的成膜均匀性，并能够高效率地清除基板间存在的气体。另外，本发明的目的在于提供能够实现结构的简单化以及包括处理容器的装置的小型化的处理装置以及处理方法。
本发明的处理装置包括：多层搭载被处理基板的保持具；收纳上述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；向上述处理容器内导入处理气体的气体导入部；将上述处理容器真空排气至规定的压力的排气部；和对上述处理容器进行加热的加热部，该处理装置的特征在于：在上述保持具上设置有当被收纳于上述处理容器内时针对每个被处理基板形成处理空间的隔壁板，上述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，上述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与上述气体导入孔相对的方式设置的排气孔。
根据本发明，当一次对多块被处理基板的表面实施成膜处理时，能够实现基板间的良好的成膜均匀性并能够高效率地清除基板间存在的气体，不仅能够提高生产率，另一方面，还能够实现结构的简单化以及包括处理容器的装置的小型化。
或者，本发明为一种处理装置，其包括：多层搭载保持被处理基板的保持具；收纳上述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；向上述处理容器内导入处理气体的气体导入部；将上述处理容器真空排气至规定的压力的排气部；和对上述处理容器内的被处理基板进行加热的加热部，该处理装置的特征在于：上述保持具的载置被处理基板的各载置板形成为，当将上述保持具收纳在上述处理容器内时形成各个被处理基板的处理空间的环状隔壁板，上述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，上述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与上述气体导入孔相对的方式设置的排气孔。
根据本发明，当一次对多块被处理基板的表面实施成膜处理时，也能够实现基板间的良好的成膜均匀性并能够高效率地清除基板间存在的气体，能够提高生产率，另一方面，能够实现结构的简单化以及包括处理容器的装置的小型化。
例如，上述处理容器具有由内管部和外管部构成的双层管结构，内管部与外管部的上端均被封闭，上述保持具收纳在内管部内，在内管部与外管部之间形成的空间部与上述排气部连通。在此情况下，上述气体导入部具有沿垂直方向延伸的气体导入管，在内管部的内表面上形成有收纳气体导入管的收纳槽。或者，在此情况下，上述气体导入部具有沿垂直方向设置在上述空间部的气体导入路。这样的结构有利于实现结构的简单化以及包括处理容器的装置的小型化。
另外，在此情况下，优选当将上述保持具收纳于上述内管部内时，在上述内管部的内周面与上述保持具的外周面之间形成有容许上述保持具旋转的微小空间。在此情况下，由于能够容许保持具旋转，所以能够提高处理的面内均匀性。并且，能够在保持具内形成(确保)独立的多个处理空间。
另外，本发明的处理方法为使用处理装置对被处理基板实施规定的热处理的处理方法，上述处理装置包括：多层搭载被处理基板的保持具；收纳上述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；向上述处理容器内导入处理气体与不活泼气体的气体导入部；将上述处理容器真空排气至规定的压力的排气部；和对上述处理容器进行加热的加热部，该处理装置的特征在于：在上述保持具上设置有当被收纳于上述处理容器内时针对每个被处理基板形成处理空间的隔壁板，上述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，上述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与上述气体导入孔相对的方式设置的排气孔，该处理方法的特征在于，包括：热处理工序，其通过从气体导入孔将处理气体导入每个处理空间并从排气孔进行排气，形成与被处理基板平行的处理气体的气流，并对被处理基板实施规定的热处理；和吹扫处理工序，其在上述热处理工序之后，通过从气体导入孔导入不活泼气体并从排气孔进行排气，对每个处理空间实施吹扫处理。
根据本发明，当一次对多块被处理基板的表面实施成膜处理时，能够实现基板间的良好的成膜均匀性并高效率地清除基板间存在的气体，能够提高生产率。
或者，本发明为使用处理装置对被处理基板实施规定的热处理的处理方法，上述处理装置包括：多层搭载保持被处理基板的保持具；收纳上述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；向上述处理容器内导入处理气体与不活泼气体的气体导入部；将上述处理容器真空排气至规定的压力的排气部；和对上述处理容器内的被处理基板进行加热的加热部，该处理装置的特征在于：上述保持具的载置被处理基板的各载置板形成为，当将上述保持具收纳在上述处理容器内时形成各个被处理基板的处理空间的环状隔壁板，上述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，上述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与上述气体导入孔相对的方式设置的排气孔，该处理方法的特征在于，包括：热处理工序，其通过从气体导入孔将处理气体导入每个处理空间并从排气孔进行排气，形成与被处理基板平行的处理气体的气流，并对被处理基板实施规定的热处理；和吹扫处理工序，其在上述热处理工序之后，通过从气体导入孔导入不活泼气体并从排气孔进行排气，对每个处理空间实施吹扫处理。
根据本发明，当一次对多块被处理基板的表面实施成膜处理时，也能够实现基板间的良好的成膜均匀性并高效率地清除基板间存在的气体，能够提高生产率。
另外，控制上述各处理装置并由计算机执行的用于实现上述各处理方法的控制程序、以及存储该控制程序的计算机可读取的存储介质也为本申请的保护对象。
附图说明
图1为表示本发明的第一实施方式的立式热处理装置的概略纵截面图。
图2为图1的立式热处理装置的概略横截面图。
图3为图1的立式热处理装置的主要部位的放大截面图。
图4为表示本发明的第二实施方式的立式热处理装置的概略纵截面图。
图5为图4的立式热处理装置的概略横截面图。
图6为图4的立式热处理装置的主要部位的放大截面图。
图7为本发明的另一实施方式的(变形例)的主要部位的放大截面图。
图8为本发明的又一实施方式(变形利)的主要部位的放大截面图。
具体实施方式
以下，根据附图，对本发明的最佳实施方式进行详细说明。
图1为表示本发明的第一实施方式的立式热处理装置的概略纵截面图。图2为图1的立式热处理装置的概略横截面图，图3为图1的立式热处理装置的主要部位的放大截面图。
如图1所示，作为半导体制造装置(处理装置)的立式热处理装置1具有立式炉(立式热处理炉)2。该立式炉2构成为，包括：沿上下方向以规定的间距多层搭载保持被处理基板例如半导体晶片w的例如石英制的晶舟(保持具)3；收纳该晶舟3并在规定的温度和压力的处理气体氛围中对晶片w实施规定的热处理例如CVD法的成膜处理的例如石英制的反应管(处理容器)4；作为向该反应管4内导入处理气体的气体导入部的气体注入器(气体导入管)5；作为将反应管4内真空排气至规定的压力的排气部的排气口6；和对反应管4进行加热的加热器(加热部)7。
在晶舟3上，作为用于独立地(以与其他晶片分离的状态)设置各晶片的空间(基板设置空间)，形成有利用隔壁板8将每个晶片w隔开的空间10。作为气体导入部的气体注入器5在各处理空间10具有从其一侧侧面导入气体的气体导入孔11。另一方面，作为排气部的排气口6与排气孔12连通，该排气孔12为了分别对每个处理空间10进行排气，而设置在与各气体导入孔11相对的位置上。如图2和图3所示，晶舟3具有多根例如3根支柱3a、和为了支撑这些支柱3a而设置在上端和下端的顶板3b和底板3c，另外，在支柱3a上沿上下方向以规定的间距分多层地设置有用于水平支撑晶片w的周边部的支撑槽3d。另外，支撑槽3d具有如转移晶片时容许晶片升降那样的规定的高度。
晶舟3能够搭载多块例如50块左右的例如直径为300mm的晶片w。另外，为了在顶板3b和底板3c之间的晶舟3内针对每块晶片w形成处理空间10，而在支柱3a上沿上下方向分多层水平地设置有石英制的圆形的隔壁板8。就隔壁板8的大小而言，优选与外接于支柱3a的圆相同或大致相同。通过未图示的转移机构的叉部支撑晶片w的下表面将晶片w搬入晶舟3的支撑槽3d内，或者，从支撑槽3d搬出。
上述晶舟3隔着旋转台14和隔热台15载置在盖体13的上部，该盖体13可开闭地关闭反应管4的下端的炉口4c。在盖体13的下部设置有驱动旋转台14旋转的旋转驱动机构16。载置在旋转台14上的隔热台15主要包括：载置在旋转台14上的下板15a；直立设置在该下板15a上的多根支柱15b；和沿上下方向以规定的间距水平地设置在这些支柱15b上的隔热板15c。
盖体13例如为不锈钢制品，在盖体13的上表面部设置有与反应管4的下端的炉口4c的开口端面抵接而用于进行密封性密封的密封部件、例如O型圈26。另外，优选在盖体13的上表面的炉内露出面上设置具有耐腐蚀性的例如石英制的保护罩(图示省略)。盖体13被设置成通过未图示的升降机构可升降，通过盖体13的上升，而将晶舟3送入反应管4内并关闭炉口4c，通过盖体13的下降，而开放炉口4c，将晶舟3从反应管4内搬出至下方的装载区域。
反应管4是由上端分别被封闭(具有顶部)并且形成为一体的内管部4a以及外管部4b构成的双层管结构。在内管部4a内收纳有晶舟3。外管部4b和内管部4a的下端部均开口，在外管部4b的下端部形成有向外的凸缘部4d。凸缘部4d借助未图示的凸缘座或安装部件支撑在底板17上。由此，反应管4以贯穿底板17的开口部17a的状态安装在底板17上。另外，加热器7设置在底板17上。该加热器7由围绕反应管4的圆筒状的绝热筒体和设置在该绝热筒体的内周的发热电阻体构成(省略详细图示)。
另外，内管部4a的下端部也形成为向外的凸缘状，并密封地与外管部4b的内周面接合。由此，在内管部4a与外管部4b之间形成空间部18。详细而言，该空间部18由环状空间部18a和顶部空间部18b构成。环状空间部18a与顶部空间部18b连通。其中，内管部4a的下端可以不必全部是相同的高度。例如，如图1所示，为了配合排气口6，可以使一侧(右侧)的高度比另一侧(左侧)的高度低，从一侧向另一侧倾斜。
在本实施方式中，作为气体导入部，使用立起(沿垂直方向延伸)的作为气体导入管的气体注入器5。该气体注入器5被设置成，其上端部被封闭，另一方面，其基端部5a弯折成L字形状，并水平贯通反应管4的凸缘部4d。在该气体注入器5的基端部5a上连接有可选择切换供给处理气体和吹扫气体(不活泼气体例如氮气)的气体供给管。在该气体供给管上设置有用于控制各导入气体的气体量的控制阀(例如质量流量控制器)(图示省略)。
气体注入器5也可以按照气体的种类设置多个(在图2中为2根(5A、5B)。多个气体注入器5A、5B优选相邻配置。在气体注入器5的侧面以与晶舟3的各处理空间10对应的方式，面对各处理空间10设置有气体导入孔11。由此，从各气体导入孔11将处理气体或吹扫气体从各处理空间10的一侧喷射导入另一侧。此时，从气体导入孔11喷射的处理气体或吹扫气体喷射到晶片w的上侧，并沿各晶片w的上表面平行流动。在此，气体导入孔11的口径优选为0.5～1mm，例如为0.7mm。
在内管部4a的内周面与晶舟3的外周面之间形成有容许晶舟3旋转的微小间隙s。通过尽量缩小该间隙s，来防止气体从各处理空间10向其他相邻的空间10扩散，从而能够确保独立的处理空间10。在此情况下，为了防止因配置在晶舟3与内管部4a之间的气体注入器5导致晶舟3的外周面与内管部4a的内周面之间的间隙s变大，在内管部4a的内表面形成有作为收纳气体注入器5的凹部的收纳槽部19。
基于同样的理由，在内管4a的内表面上，形成有立起(沿垂直方向延伸)的用于收纳棒状的温度测量器20的收纳槽部21。温度侧量器20为了在初期设定时测量炉内温度，以相对盖体13贯通并立起的状态安装，通常时(处理时)被拆下。
另外，上述间隙s优选为1～5mm。并且，在加热器7上能够设置用于测量温度的温度传感器(图示省略)。
排气孔12设置在与气体导入孔11相对的内管部4a的侧壁上。各气体从气体导入孔11俯视(从上方观察)成扇状地喷射。因此，排气孔12优选在内管部4a的侧壁上以规定的宽度形成为多个或缝隙状。在排气孔12所处一侧的外管部4b的侧壁的下侧部，以连通环状空间部18a的状态设置有构成排气部的排气口6。在该排气口6上连接有减压排气系统，该减压排气系统具有压力传感器、真空泵以及压力控制阀，并具有用于使反应管内排气减压至规定的处理压力、例如0.3～10Torr的压力控制机构(图示省略)。
这样构成的立式热处理装置1具有控制装置22，该控制装置22对反应管4内的压力、处理温度、处理气体或吹扫气体的导入量以及时间进行管理，进行基于规定方法的成膜处理。在该控制装置22中设置有存储有用于执行后述的处理方法的计算机程序的存储介质(图示省略)。
接着，对处理方法的一个示例、例如ALD工艺进行说明。首先，将搭载有晶片w的晶舟3搬入反应管4内，利用盖体13将炉口4c封闭。然后，通过压力控制机构对反应管4内进行抽真空，控制为规定的处理压力，并且，利用加热器7将炉内的温度控制为规定的温度。另外，通过旋转驱动机构16使晶舟3旋转。
在这种状态下，一种处理气体、例如六氯化二硅(Hexachlorodisilane)(Si2Cl6)从一个气体注入器5A的气体导入孔11流入各处理空间10。接着，从相同的气体注入器5A的气体导入孔11向处理空间10内流入吹扫气体。然后，另一种处理气体、例如氨气(NH3)从另一个气体注入器5B的导入孔11流入各处理空间10，接着从相同的气体注入器5B的导入孔11向各处理空间10流入吹扫气体。以后同样地，以六氯化二硅的导入、吹扫、氨气的导入、吹扫的方式，每隔规定时间反复进行规定次数的各处理气体的流过和吹扫。其中，流进各处理空间10的处理气体和吹扫气体从相反侧的排气孔12被抽气排出。
这样，规定的工序结束之后，就使盖体13向下方下降，将搭载有处理完毕的晶片w的晶舟3搬出。
在上述处理方法中，通过从一侧侧面向在晶舟3内对每一个晶片w进行隔离而形成的各处理空间10内导入处理气体，并从其另一侧侧面进行排气，能够在形成与晶片w平行的处理气体流的状态下对晶片w实施成膜处理，并且，在该成膜处理之后，从其一侧侧面向晶舟3内的各处理空间10内导入吹扫气体，并从其另一侧侧面进行排气，由此，因为对各处理空间10进行了吹扫，所以在一次对多块晶片的表面实施成膜处理时，能够使基板间的成膜均匀性良好，并且，能够高效率清除基板间存在的气体，实现处理的效率化和生产率的提高。
另外，在上述立式热处理装置(处理装置)中，在晶舟3内利用隔壁板8对每个晶片w进行隔离，形成处理空间10，夹持各处理空间10在一侧侧面配置用于导入气体的气体导入孔11，在另一侧侧面配置用于对每个处理空间10进行排气的排气孔12，由此，在一次对多块晶片的表面实施成膜处理时，能够使基板间的成膜均匀性良好，并且，能够高效率清除存在于基板间的气体，实现处理的效率化和生产率的提高，并且，能够实现结构的简单化以及包括反应管4的装置的小型化。
特别，反映管4是由上端分别被封闭且一体化的内管部4a和外管部4b构成的双层管结构，在内管部4a内收纳有晶舟3，内管部4a与外管部4b之间的空间部18与作为排气部的排气口6连通，在内管部4a的内表面形成有用于收纳作为气体导入部的立起的气体注入器5的收纳槽19，因此，能够实现结构的简单化和包括反应管4的装置的小型化。
进一步，在内管部4a的内周面与晶舟3的外周面之间形成有容许晶舟3旋转的微小间隙s，因此，能够容许晶舟3旋转，并且在晶舟3中能够确保独立的多个处理空间(基板设置空间)10，能够实现各处理空间10的几乎完全的交叉流(与上下方向的基板多层搭载方向垂直的水平方向的流动)，另一方面，上部处理气体与下部处理气体几乎不会通过间隙s而实质上混合。由此，能够获得基板间的良好的成膜均匀性，并且能够高效率地迅速清除滞留在基板间的气体，实现生产率的提高，并且，能够实现结构的简单化和包括反应管的装置的小型化。
图4为表示本发明的第二实施方式的立式热处理装置的概略纵截面图，图5为图4的立式热处理装置的概略横截面图。图6为图4的立式热处理装置的主要部位的放大截面图。在本发明的第二实施方式中，对于与图1至图3所示的第一实施方式相同的部分，付与相同符号并省略说明。
在本实施方式中，作为载置晶片w的晶舟3的载置板，采用形成将每个晶片w隔离的处理空间100的环状隔壁板80。就环状隔壁板80的大小而言，与上述隔壁板8同样，优选与外接于支柱3a的圆相同或大致相同。其中，在环状隔壁板80的中央设置有比晶片w尺寸小的开口部80a。另外，在支柱3a上，与支撑槽3d相同，沿上下方向以规定间距设置有多层用于支撑晶片w的周边部的槽部3e。槽部3e也具有在转移晶片时容许晶片的升降那样的规定的高度。
通过在环状隔壁板80的上表面载置晶片w，将环状隔壁板80的中央开口部80a封闭。由此，能够在上下方向形成并确保独立的处理空间100。这种情况下，不用说能够在晶片w的上表面成膜，而且还对从环状隔壁板80的开口部80a露出的晶片w的下表面进行成膜。由此，能够防止晶片的弯曲。
晶片的转移机构例如具有将载置在环状隔壁板80上的晶片w从环状隔壁板80的开口部80a的下方举起的举起部件，和插入被举起的晶片w与环状隔壁板80的间隙之间、支撑并搬送晶片w的叉部件(图示省略)。
在反应管4的内管部4a与外管部4b之间的空间部18中，邻接形成有多个(图5的示例中为两个(50A、50B))作为气体导入部的在上下方向延伸的气体注入箱(气体导入箱)50。在各气体注入箱50的下部，连接有基端侧水平贯通反应管4的凸缘部4d的L字状的气体导入管部50a。另一方面，在区划气体注入箱50的内管部4a的壁上，对应各处理空间100形成有气体导入孔11。气体注入箱50由于比气体注入器5的横截面积大，所以能够使从气体导入孔11喷出的处理气体的纵方向(上下方向)的浓度差(压力差)更小。另外，虽然采用气体注入箱50，但是由于不必设置收纳槽部19，所以与采用注入器5相比，能够实现结构的简单化。
本实施方式的立式热处理器1也能够实施上述处理方法，并且，能够发挥与上述实施方式相同的效果。并且，根据本实施方式的立式热处理装置1，由于在环状隔壁板80的上表面直接载置晶片w，所以与第一实施方式相比，能够搭载的晶片的数量更多。
图7和图8表示本发明的其他实施方式(变形例)的主要部位的放大截面图。即，如图7所示，可以将通过利用隔壁板8将每个晶片隔离而形成有处理空间10的晶舟3与采用气体注入箱50的处理容器箱组合，如图8所示，也可以将通过利用环状隔壁板80将每个晶片隔离而形成有处理空间100的晶舟3与采用气体注入器5的处理容器箱组合。
以上，根据附图对本发明的实施方式进行了详细叙述，但是，本发明并不限于上述实施方式，在不脱离本发明宗旨的范围内能够进行各种设计变更。

Claims (10)

1.一种处理装置，其包括：
多层搭载被处理基板的保持具；
收纳所述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；
向所述处理容器内导入处理气体的气体导入部；
将所述处理容器内真空排气至规定的压力的排气部；和
对所述处理容器进行加热的加热部，
该处理装置的特征在于：
在所述保持具上设置有当被收纳于所述处理容器内时针对每个被处理基板形成处理空间的隔壁板，
所述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，
所述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与所述气体导入孔相对的方式设置的排气孔。
2.一种处理装置，其包括：
多层搭载保持被处理基板的保持具；
收纳所述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；
向所述处理容器内导入处理气体的气体导入部；
将所述处理容器内真空排气至规定的压力的排气部；和
对所述处理容器内的被处理基板进行加热的加热部，
该处理装置的特征在于：
所述保持具的载置被处理基板的各载置板形成为，当将所述保持具收纳在所述处理容器内时形成每个被处理基板的处理空间的环状隔壁板，
所述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，
所述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与所述气体导入孔相对的方式设置的排气孔。
3.如权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于：
所述处理容器具有由内管部与外管部构成的双层管结构，
内管部与外管部的上端均被封闭，
所述保持具收纳在内管部内，
在内管部与外管部之间形成的空间部与所述排气部连通。
4.如权利要求3所述的处理装置，其特征在于：
所述气体导入部具有沿垂直方向延伸的气体导入管，
在内管部的内表面形成有收纳气体导入管的收纳槽部。
5.如权利要求3所述的处理装置，其特征在于：
所述气体导入部具有沿垂直方向设置在所述空间部的气体导入路。
6.如权利要求3～5中的任一项所述的处理装置，其特征在于：
当所述保持具收纳在所述内管部内时，在所述内管部的内周面与所述保持具的外周面之间形成有容许所述保持具旋转的微小间隙。
7.一种处理方法，其为使用处理装置对被处理基板实施规定的热处理的处理方法，所述处理装置包括：
多层搭载被处理基板的保持具；
收纳所述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；
向所述处理容器内导入处理气体与不活泼气体的气体导入部；
将所述处理容器内真空排气至规定的压力的排气部；和
对所述处理容器进行加热的加热部，
该处理装置的特征在于：
在所述保持具上设置有当被收纳于所述处理容器内时针对每个被处理基板形成处理空间的隔壁板，
所述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，
所述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与所述气体导入孔相对的方式设置的排气孔，
该处理方法的特征在于，包括：
热处理工序，其通过从气体导入孔将处理气体导入每个处理空间并从排气孔进行排气，形成与被处理基板平行的处理气体的气流，并对被处理基板实施规定的热处理；和
吹扫处理工序，其在所述热处理工序之后，通过从气体导入孔导入不活泼气体并从排气孔进行排气，对每个处理空间实施吹扫处理。
8.一种处理方法，其为使用处理装置对被处理基板实施规定的热处理的处理方法，所述处理装置包括：
多层搭载保持被处理基板的保持具；
收纳所述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；
向所述处理容器内导入处理气体与不活泼气体的气体导入部；
将所述处理容器内真空排气至规定的压力的排气部；和
对所述处理容器内的被处理基板进行加热的加热部，
该处理装置的特征在于：
所述保持具的载置被处理基板的各载置板形成为，当将所述保持具收纳在所述处理容器内时形成每个被处理基板的处理空间的环状隔壁板，
所述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，
所述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与所述气体导入孔相对的方式设置的排气孔，
该处理方法的特征在于，包括：
热处理工序，其通过从气体导入孔将处理气体导入每个处理空间并从排气孔进行排气，形成与被处理基板平行的处理气体的气流，并对被处理基板实施规定的热处理；和
吹扫处理工序，其在所述热处理工序之后，通过从气体导入孔导入不活泼气体并从排气孔进行排气，对每个处理空间实施吹扫处理。
9.一种计算机能够读取的存储介质，其特征在于：
用于存储控制程序，该控制程序由控制处理装置的计算机执行，实现下述工序：
热处理工序，其通过从气体导入孔将处理气体导入每个处理空间并从排气孔进行排气，形成与被处理基板平行的处理气体的气流，并对被处理基板实施规定的热处理；和
吹扫处理工序，其在所述热处理工序之后，通过从气体导入孔导入不活泼气体并从排气孔进行排气，对每个处理空间实施吹扫处理，
所述处理装置包括：
多层搭载被处理基板的保持具；
收纳所述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；
向所述处理容器内导入处理气体与不活泼气体的气体导入部；
将所述处理容器内真空排气至规定的压力的排气部；和
对所述处理容器进行加热的加热部，
该处理装置的特征在于：
在所述保持具上设置有当被收纳于所述处理容器内时针对每个被处理基板形成处理空间的隔壁板，
所述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，
所述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与所述气体导入孔相对的方式设置的排气孔。
10.一种计算机能够读取的存储介质，其特征在于：
用于存储控制程序，该控制程序由控制处理装置的计算机执行，实现下述工序：
热处理工序，其通过从气体导入孔将处理气体导入每个处理空间并从排气孔进行排气，形成与被处理基板平行的处理气体的气流，并对被处理基板实施规定的热处理；和
吹扫处理工序，其在所述热处理工序之后，通过从气体导入孔导入不活泼气体并从排气孔进行排气，对每个处理空间实施吹扫处理，
所述处理装置包括：
多层搭载保持被处理基板的保持具；
收纳所述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；
向所述处理容器内导入处理气体与不活泼气体的气体导入部；
将所述处理容器内真空排气至规定的压力的排气部；和
对所述处理容器内的被处理基板进行加热的加热部，
该处理装置的特征在于：
所述保持具的载置被处理基板的各载置板形成为，当将所述保持具收纳在所述处理容器内时形成每个被处理基板的处理空间的环状隔壁板，
所述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，
所述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与所述气体导入孔相对的方式设置的排气孔。
CN2006800379045A 2005-10-11 2006-10-06 基板处理装置和基板处理方法 Active CN101288157B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005296389A JP4426518B2 (ja) 2005-10-11 2005-10-11 処理装置
JP296389/2005 2005-10-11
PCT/JP2006/320118 WO2007043478A1 (ja) 2005-10-11 2006-10-06 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101288157A true CN101288157A (zh) 2008-10-15
CN101288157B CN101288157B (zh) 2010-11-24

Family

ID=37942721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800379045A Active CN101288157B (zh) 2005-10-11 2006-10-06 基板处理装置和基板处理方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7807587B2 (zh)
EP (1) EP1936671A4 (zh)
JP (1) JP4426518B2 (zh)
KR (1) KR101243541B1 (zh)
CN (1) CN101288157B (zh)
TW (1) TWI412084B (zh)
WO (1) WO2007043478A1 (zh)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102839360A (zh) * 2011-06-21 2012-12-26 东京毅力科创株式会社 批量式处理装置
CN102856148A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 东京毅力科创株式会社 成膜装置
CN103160813A (zh) * 2011-12-14 2013-06-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室以及应用该反应腔室的等离子体加工设备
CN103871927A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 垂直扩散氧化炉石英工艺管的结构
CN104620353A (zh) * 2012-06-27 2015-05-13 新意技术股份有限公司 处理腔室及基板处理装置
CN106367805A (zh) * 2015-07-20 2017-02-01 株式会社Eugene科技 衬底处理设备
CN106467980A (zh) * 2015-08-21 2017-03-01 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种大型垂直式hvpe反应室的装配辅助装置
CN106521620A (zh) * 2015-09-11 2017-03-22 株式会社Eugene科技 衬底处理设备
CN107833846A (zh) * 2016-09-16 2018-03-23 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板运送方法
CN108220921A (zh) * 2016-12-22 2018-06-29 东京毅力科创株式会社 成膜装置以及成膜方法
CN109559975A (zh) * 2017-09-26 2019-04-02 株式会社国际电气 基板处理装置、反应管、半导体装置的制造方法及程序
CN111465714A (zh) * 2017-12-22 2020-07-28 株式会社村田制作所 成膜装置
CN111725108A (zh) * 2020-06-23 2020-09-29 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备
CN111948907A (zh) * 2019-05-16 2020-11-17 上海微电子装备（集团）股份有限公司 掩模板温度控制装置和掩模曝光装置
CN112349619A (zh) * 2019-08-09 2021-02-09 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板保持器具及记录介质
CN112466794A (zh) * 2020-11-24 2021-03-09 长江存储科技有限责任公司 薄膜沉积装置及晶舟组件
CN115537777A (zh) * 2022-08-16 2022-12-30 湖南顶立科技有限公司 一种气相沉积设备
CN115537777B (zh) * 2022-08-16 2024-05-14 湖南顶立科技有限公司 一种气相沉积设备

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
JP5474278B2 (ja) * 2007-02-22 2014-04-16 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 超臨界プロセス用バッチ式成膜装置及び半導体装置の製造方法
JP5090097B2 (ja) * 2007-07-26 2012-12-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
KR101043211B1 (ko) * 2008-02-12 2011-06-22 신웅철 배치형 원자층 증착 장치
JP5383332B2 (ja) * 2008-08-06 2014-01-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP5658463B2 (ja) 2009-02-27 2015-01-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5545061B2 (ja) * 2010-06-18 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び成膜方法
KR101223489B1 (ko) * 2010-06-30 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 기판 가공 장치
JP2012195565A (ja) * 2011-02-28 2012-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP5640894B2 (ja) * 2011-05-26 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置
JPWO2013054652A1 (ja) * 2011-10-11 2015-03-30 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、および記録媒体
US9512519B2 (en) * 2012-12-03 2016-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Atomic layer deposition apparatus and method
KR101396601B1 (ko) * 2013-02-26 2014-05-20 주식회사 테라세미콘 배치식 기판처리 장치
JP5977274B2 (ja) 2013-03-21 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 バッチ式縦型基板処理装置および基板保持具
KR101507557B1 (ko) * 2013-04-25 2015-04-07 주식회사 엔씨디 대면적 기판용 수평형 원자층 증착장치
JP6128969B2 (ja) * 2013-06-03 2017-05-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
DE102013105818B4 (de) * 2013-06-06 2017-01-26 Von Ardenne Gmbh Gehäuse zum Aufnehmen einer Mehrzahl von plattenförmigen Substraten
KR102162366B1 (ko) * 2014-01-21 2020-10-06 우범제 퓸 제거 장치
JP2015137415A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 エヌシーディ・カンパニー・リミテッドＮｃｄ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 大面積原子層蒸着装置
KR102268374B1 (ko) 2014-09-30 2021-06-23 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응관
JP6468901B2 (ja) * 2015-03-19 2019-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TWI611043B (zh) * 2015-08-04 2018-01-11 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
JP6464990B2 (ja) 2015-10-21 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP6462161B2 (ja) * 2016-02-09 2019-01-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置および半導体装置の製造方法
WO2018154823A1 (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6846993B2 (ja) 2017-06-19 2021-03-24 東京エレクトロン株式会社 基板保持具及びこれを用いた基板処理装置
JP6651591B1 (ja) * 2018-09-27 2020-02-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法
JP7048690B2 (ja) * 2020-09-25 2022-04-05 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具
US20220122856A1 (en) * 2020-10-15 2022-04-21 Changxin Memory Technologies, Inc. Diffusion furnace
US11688621B2 (en) * 2020-12-10 2023-06-27 Yield Engineering Systems, Inc. Batch processing oven and operating methods

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0732139B2 (ja) * 1988-12-08 1995-04-10 日本電気株式会社 縦型ウェハーボート
JPH0324718A (ja) * 1989-06-22 1991-02-01 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JP2730198B2 (ja) 1989-07-17 1998-03-25 いすゞ自動車株式会社 ４サイクル断熱エンジン
JPH06818Y2 (ja) * 1989-09-21 1994-01-05 日本エー・エス・エム株式会社 Ｃｖｄ装置のための基板支持装置
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
JP4083331B2 (ja) 1998-01-16 2008-04-30 株式会社エフティーエル 半導体装置の製造装置
JP2000294511A (ja) 1999-04-09 2000-10-20 Ftl:Kk 半導体装置の製造装置
JP3479020B2 (ja) * 2000-01-28 2003-12-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
TW578214B (en) * 2000-05-29 2004-03-01 Tokyo Electron Ltd Method of forming oxynitride film or the like and system for carrying out the same
JP2002222806A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Ebara Corp 基板処理装置
KR100864117B1 (ko) * 2001-03-05 2008-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리방법 및 열처리장치
JP3421660B2 (ja) * 2001-05-09 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及びその方法
JP2003045864A (ja) 2001-08-02 2003-02-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP3957549B2 (ja) 2002-04-05 2007-08-15 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
US20070243317A1 (en) * 2002-07-15 2007-10-18 Du Bois Dale R Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber
JP4329403B2 (ja) * 2003-05-19 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20050121145A1 (en) * 2003-09-25 2005-06-09 Du Bois Dale R. Thermal processing system with cross flow injection system with rotatable injectors
JP2005259841A (ja) 2004-03-10 2005-09-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20050211264A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Tokyo Electron Limited Of Tbs Broadcast Center Method and processing system for plasma-enhanced cleaning of system components
US7604841B2 (en) * 2004-03-31 2009-10-20 Tokyo Electron Limited Method for extending time between chamber cleaning processes
US7509962B2 (en) * 2005-01-21 2009-03-31 Tokyo Electron Limited Method and control system for treating a hafnium-based dielectric processing system
US7798096B2 (en) * 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US7632354B2 (en) * 2006-08-08 2009-12-15 Tokyo Electron Limited Thermal processing system with improved process gas flow and method for injecting a process gas into a thermal processing system

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102839360A (zh) * 2011-06-21 2012-12-26 东京毅力科创株式会社 批量式处理装置
CN102839360B (zh) * 2011-06-21 2014-10-08 东京毅力科创株式会社 批量式处理装置
CN102856148B (zh) * 2011-06-30 2015-12-16 东京毅力科创株式会社 成膜装置
CN102856148A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 东京毅力科创株式会社 成膜装置
CN103160813A (zh) * 2011-12-14 2013-06-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室以及应用该反应腔室的等离子体加工设备
CN103160813B (zh) * 2011-12-14 2015-10-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室以及应用该反应腔室的等离子体加工设备
CN104620353A (zh) * 2012-06-27 2015-05-13 新意技术股份有限公司 处理腔室及基板处理装置
CN103871927A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 垂直扩散氧化炉石英工艺管的结构
CN106367805A (zh) * 2015-07-20 2017-02-01 株式会社Eugene科技 衬底处理设备
CN106367805B (zh) * 2015-07-20 2020-06-09 株式会社Eugene科技 衬底处理设备
US10392702B2 (en) 2015-07-20 2019-08-27 Eugene Technology Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN106467980A (zh) * 2015-08-21 2017-03-01 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种大型垂直式hvpe反应室的装配辅助装置
CN106467980B (zh) * 2015-08-21 2019-01-29 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种大型垂直式hvpe反应室的装配辅助装置
US10337103B2 (en) 2015-09-11 2019-07-02 Eugene Technology Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN106521620A (zh) * 2015-09-11 2017-03-22 株式会社Eugene科技 衬底处理设备
CN106521620B (zh) * 2015-09-11 2019-02-15 株式会社Eugene科技 衬底处理设备
CN107833846B (zh) * 2016-09-16 2022-01-21 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板运送方法
CN107833846A (zh) * 2016-09-16 2018-03-23 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板运送方法
CN108220921A (zh) * 2016-12-22 2018-06-29 东京毅力科创株式会社 成膜装置以及成膜方法
CN109559975A (zh) * 2017-09-26 2019-04-02 株式会社国际电气 基板处理装置、反应管、半导体装置的制造方法及程序
CN109559975B (zh) * 2017-09-26 2023-12-19 株式会社国际电气 基板处理装置、反应管、半导体装置的制造方法及程序
CN111465714A (zh) * 2017-12-22 2020-07-28 株式会社村田制作所 成膜装置
CN111465714B (zh) * 2017-12-22 2022-06-28 株式会社村田制作所 成膜装置
TWI772750B (zh) * 2019-05-16 2022-08-01 大陸商上海微電子裝備（集團）股份有限公司 光罩溫度控制裝置及光罩曝光裝置
CN111948907B (zh) * 2019-05-16 2022-01-28 上海微电子装备（集团）股份有限公司 掩模板温度控制装置和掩模曝光装置
CN111948907A (zh) * 2019-05-16 2020-11-17 上海微电子装备（集团）股份有限公司 掩模板温度控制装置和掩模曝光装置
TWI764225B (zh) * 2019-08-09 2022-05-11 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、基板保持器具及程式
CN112349619A (zh) * 2019-08-09 2021-02-09 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板保持器具及记录介质
CN111725108A (zh) * 2020-06-23 2020-09-29 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备
CN111725108B (zh) * 2020-06-23 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备
CN112466794B (zh) * 2020-11-24 2021-12-03 长江存储科技有限责任公司 薄膜沉积装置及晶舟组件
CN112466794A (zh) * 2020-11-24 2021-03-09 长江存储科技有限责任公司 薄膜沉积装置及晶舟组件
CN115537777A (zh) * 2022-08-16 2022-12-30 湖南顶立科技有限公司 一种气相沉积设备
CN115537777B (zh) * 2022-08-16 2024-05-14 湖南顶立科技有限公司 一种气相沉积设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007109711A (ja) 2007-04-26
EP1936671A4 (en) 2010-06-09
US7807587B2 (en) 2010-10-05
JP4426518B2 (ja) 2010-03-03
TW200719412A (en) 2007-05-16
TWI412084B (zh) 2013-10-11
KR20080045739A (ko) 2008-05-23
EP1936671A1 (en) 2008-06-25
CN101288157B (zh) 2010-11-24
US20090305512A1 (en) 2009-12-10
WO2007043478A1 (ja) 2007-04-19
KR101243541B1 (ko) 2013-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101288157B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
TWI701356B (zh) 基板處理裝置、反應管、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
KR100964042B1 (ko) 기판 처리장치 및 처리가스 토출기구
TWI396946B (zh) 薄膜沉積系統之清潔方法、薄膜沉積系統及其程式
JP4634495B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
CN104681467B (zh) 支承体构造及处理装置
TWI764225B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、基板保持器具及程式
US20210207265A1 (en) Substrate Processing Apparatus and Reaction Tube
EP3715501A1 (en) Reaction tube, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2012099763A (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の保守点検方法
TWI777146B (zh) 基板處理裝置、反應管及半導體裝置之製造方法
JP4718054B2 (ja) 縦型熱処理装置
JP2001358084A (ja) 熱処理装置
JP4115331B2 (ja) 基板処理装置
JP2014132674A (ja) 支持体構造及び処理装置
CN215925068U (zh) 基板处理装置用喷嘴支架及基板处理装置用喷嘴组件
JP2006186049A (ja) 基板処理装置
JP2006093411A (ja) 基板処理装置
JP2004011005A (ja) 処理装置および処理方法
JP2009224457A (ja) 基板処理装置
TW202130853A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
JP2004095940A (ja) 半導体装置の製造方法
JP4616734B2 (ja) 基板処理装置
KR20060081524A (ko) 보트 어셈블리
KR20060098742A (ko) 보트 어셈블리

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant