CN106521620A - 衬底处理设备 - Google Patents

衬底处理设备 Download PDF

Info

Publication number
CN106521620A
CN106521620A CN201610600078.6A CN201610600078A CN106521620A CN 106521620 A CN106521620 A CN 106521620A CN 201610600078 A CN201610600078 A CN 201610600078A CN 106521620 A CN106521620 A CN 106521620A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
hole
dividing plate
gas
processing gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610600078.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106521620B (zh
Inventor
玄俊镇
诸成泰
宋炳奎
金龙基
金劲勋
金苍乭
申良湜
金哉佑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eugene Technology Co Ltd
Original Assignee
Eugene Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eugene Technology Co Ltd filed Critical Eugene Technology Co Ltd
Publication of CN106521620A publication Critical patent/CN106521620A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106521620B publication Critical patent/CN106521620B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45578Elongated nozzles, tubes with holes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45504Laminar flow
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)

Abstract

本发明提供一种衬底处理设备,衬底处理设备包含:管子,其中具有内部空间;衬底支撑单元,其包括多个隔板,多个隔板经配置以将多个衬底垂直堆栈于其上并且将其中处理多个衬底的处理空间在管子中分成多个处理空间;气体供应单元,其经配置以将处理气体供应到多个衬底;以及排气单元,其经安置以面对着气体供应单元来排出管子内部的气体。多个通孔界定于隔板中的每一个中。本发明提供的衬底处理设备能够在衬底上均匀地形成薄膜。

Description

衬底处理设备
技术领域
本发明涉及一种衬底处理设备,且更确切地说,涉及一种能够控制气体流动以使衬底上的薄膜能够均匀的衬底处理设备。
背景技术
一般来说,衬底处理设备分为能够针对一个衬底执行衬底处理过程的单晶片型设备以及能够针对多个衬底同时执行衬底处理过程的批量型设备。由于尽管单晶片型设备具有简单构造,但所述单晶片型设备具有低生产率,因此批量型设备通常用于批量生产。
批量型衬底处理设备包含:处理腔室,其中容纳待处理的在水平状态中多重堆栈的衬底;处理气体供应喷嘴,其将处理气体供应到处理腔室中;以及排气管线,其用于排空处理腔室的内部。如下执行使用批量型衬底处理设备的衬底处理过程。首先,将多个衬底载入到处理腔室中。此后,当通过排气管线排空处理腔室的内部时,通过处理气体供应喷嘴将处理气体供应到处理腔室中。此后,从处理气体供应喷嘴注入的处理气体在衬底之间传递并且通过排气口被引入到排气管线中以在衬底上形成薄膜。
然而,由于常规衬底处理设备不可以控制处理气体的流动,因此在衬底的外部部分和中心部分处的薄膜的厚度可能不均匀。因此,薄膜的质量(quality)可能降低并且可以出现缺陷。
[现有技术文献]
[专利文献]
(专利文献1)KR2015-0045012A
发明内容
本发明提供一种能够在衬底上均匀地形成薄膜的衬底处理设备。
本发明还提供一种能够增强衬底处理过程的效率的衬底处理设备。
根据示例性实施例,衬底处理设备包含:管子,其中具有内部空间;衬底支撑单元,其包括多个隔板,所述隔板经配置以将多个衬底垂直堆栈于其上并且将处理所述多个衬底的处理空间在所述管子中分成多个处理空间;气体供应单元,其经配置以将处理气体供应到所述多个衬底;以及排气单元,其经安置以面对着所述气体供应单元来排出所述管子内部的气体,其中多个通孔提供于所述隔板中的每一个中。
多个隔板可以彼此垂直间隔开并且多个衬底可以分别与所述多个隔板间隔开且堆栈于所述多个隔板之间。
气体供应单元可以包含多个注入喷嘴,所述多个注入喷嘴以彼此不同的高度安装以分别对应于在管子的一侧处的处理空间,并且排气单元可以包含多个排气口,所述多个排气口垂直安装以对应于在所述管子的另一侧上的所述注入喷嘴。
注入喷嘴的至少一部分可以穿过管子。
多个通孔可以朝向安置于其下的衬底径向地进行界定。
界定在隔板的中心部分中的通孔的有效面积的和可以不同于界定在隔板的外部部分中的通孔的有效面积的和。
多个通孔的面积的总和相对于隔板的全部面积可以为5%至50%。
通孔可以在跨越气体的流动方向的方向上延伸,所述气体从气体供应单元流动到排气单元,并且所述多个通孔可以沿着所述气体的流动方向界定在管线中。
邻近于气体供应单元安置的通孔的有效面积的和可以不同于相对于隔板的中心部分远离所述气体供应单元安置的所述通孔的有效面积的和。
多个通孔的面积的总和相对于隔板的全部面积可以为5%至50%。
附图说明
图1和图2是说明根据示例性实施例的衬底处理设备的结构的视图。
图3是说明根据示例性实施例的隔板的结构的视图。
图4(a)和图4(b)是说明根据示例性实施例的管子中的处理气体的流动的视图。
图5(a)和图5(b)是说明根据另一示例性实施例的隔板的视图。
图6(a)和图6(b)是说明根据又另一示例性实施例的隔板的视图。
具体实施方式
下文中将参考附图详细描述具体实施例。然而,本发明可以以许多不同的形式得到实施,并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例;相反地,提供这些实施例是为了使本发明将是透彻且完整的,并且这些实施例将把本发明的概念完整地传达给本领域的技术人员。在附图中,为了清晰起见放大层和区域的厚度并且通篇中相似附图标记指代相似元件。
图1和2是说明根据示例性实施例的衬底处理设备的结构的视图,图3是说明根据示例性实施例的隔板的结构的视图,图4(a)和图4(b)是说明根据示例性实施例的管子中的处理气体的流动的视图,图5(a)和图5(b)是说明根据另一示例性实施例的隔板的视图以及图6(a)和图6(b)是说明根据又另一示例性实施例的隔板的视图。
参考图1和2,根据示例性实施例的衬底处理设备100包含:管子111,其具有界定在其中的内部空间;衬底支撑单元170,其在管子111中垂直堆栈多个衬底S;气体供应单元130,其将处理气体供应到多个衬底S;以及排气单元140,其排出管子111中的气体。而且,衬底处理设备100可以包含:腔室120,其中具有内部空间;外管112,其安置于腔室120的内部空间中以及安置在管子111外部以围绕管子111;加热单元150,其加热管子111的内部;以及驱动单元,其垂直移动或旋转衬底支撑单元170。
此处,根据示例性实施例的衬底处理设备100可以是在衬底S上形成外延(epitaxial)层的外延设备。当在衬底S上执行选择性外延生长(selectiveepitaxialgrowth,SEG)过程时,将处理气体供应到整个处理空间。处理气体可以包含燃气、腐蚀气体、掺杂剂气体和运载气体中的至少一个,并且气体可以各种比率混合且经供应以控制衬底S上的薄膜的厚度。由于这些气体中的每一个具有不同分子量,因此处理气体的流动可以根据比率变化。因此,在SEG中,处理气体的流或流动可为用于确定衬底S上的薄膜的厚度和成分的主要因素。因此,提供根据示例性实施例的隔板175以调整处理气体的流动。
腔室120可以具有矩形容器或圆柱体的形状。腔室120可以包含上部主体121和下部主体122,并且上部主体121的下部部分和下部主体122的上部部分彼此连接。可以将入口孔122a(通过其可载入/卸载衬底S)提供到下部主体122的侧表面。因此,可以通过入口孔122a将衬底S载入到腔室120中。此处,载入到下部主体122中的衬底S可以向上移动并且在上部的腔室120中进行处理。因此,其中堆栈衬底S的堆栈空间可以提供于下部主体122中,并且用于衬底S的处理空间可以提供于上部主体121中。然而,腔室120的结构和形状并不限于此。例如,腔室120可以具有各种形状和结构。
外管112可以具有圆柱形形状并且安置于下部主体122上方,所述下部主体具有开放的上部部分或安置于上部主体121内部。外管112具有内部空间和开放的下部部分,在所述内部空间中容纳管子111。此处,外管112的内壁和管子111的外壁彼此间隔开以界定其间的空间。然而,外管112的结构和形状不限于此。例如,外管可以具有各种形状和结构。
管子111可以具有圆柱形形状并且安置于外管112内部。管子111具有衬底S容纳于其中的空间和开放的下部部分。因此,管子111的内部可以与下部主体122的内部连通并且衬底S可以在管子111与下部主体122之间移动。然而,管子111的结构和形状不限于此。例如,管子111可以具有各种形状和结构。
加热单元150可以是安置于外管112外部的加热器。
例如,加热单元150可以被插入到上部主体121的内壁中并且安置成围绕外管112的侧表面和上部部分。因此,当加热单元150产生热能时,热能可以穿过外管112以提高管子111的内部温度。因此,可以控制加热单元150以调整管子111的内部温度,使得内部温度适合于处理衬底S。然而,加热单元150的安装位置不限于此。例如,加热单元150可以安装在各个位置处。
气体供应单元130可以包括:多个注入喷嘴131,其将处理气体注入到安置于管子111内部的衬底S;以及供应管线132,其连接到注入喷嘴131以供应处理气体。
注入喷嘴131的至少一部分穿过管子111的一侧,例如,管子111的内壁并且以插入方式安装。注入喷嘴131安置于彼此不同的高度处。也就是说,注入喷嘴131可以安置成对应于其中相应地处理由隔板175分离的衬底的处理空间。因此,可以单独地控制供应到处理空间中的每一个的处理气体的量。
供应管线132可以管道的形式提供并且具有连接到注入喷嘴131的一端以及连接到处理气体供应源(未示出)的另一端。因此,从处理气体供应源中供应的处理气体可以通过供应管线132供应到注入喷嘴131。例如,多个供应管线132可以提供为分别连接到注入喷嘴131。或者,一个供应管线132可以分成多个以分别连接到注入喷嘴131。而且,可以将一个或多个控制阀提供到供应管线132以控制供应到注入喷嘴131的处理气体的量。
而且,处理气体供应源可以包含多个储气罐(未示出)。也就是说,由于处理气体可以包含燃气、腐蚀气体、掺杂剂气体和运载气体中的至少一个,因此可以提供用于分别存储气体的储罐。然而,处理气体供应源和供应管线132中的每一个的结构和形状不限于此。例如,供应管线132和处理气体供应源中的每一个可以具有各种形状和结构。
排气单元140可以包含:多个排气口141,其吸入管子111中的气体;以及排气管线142,其连接到排气口141以将吸入的气体排出到管子111外部。
排气口141被安装成穿过管子111的另一侧(例如,管子111的内壁)并且安置于彼此不同的高度处,所述排气口141面对着注入喷嘴131。也就是说,多个排气口141可以垂直安置成分别对应于注入喷嘴131。
因此,从注入喷嘴131供应的处理气体可以穿过处理空间以流向与注入喷嘴131相对的排气口141。因此,可以确保用于处理气体与衬底S的表面之间的反应的足够时间。此处,可以通过排气口141吸入和排出在衬底处理过程期间产生的不反应气体和反应副产物。
排气管线142可以管道的形式提供并且具有连接到排气口141的一端以及连接到吸入部分(未示出)的另一端。此处,管子111中的气体可以通过从吸入部分提供的吸力吸入到排气口141并且沿着排气管线142排出到外部。例如,多个排气管线142可以提供为分别连接到排气口141。或者,一个排气管线142可以分成多个以分别连接到排气口141。或者,排气管线142可以导管的形式提供并且连接到多个排气口141。然而,排气管线142的结构和形状不限于此。例如,排气管线142可以具有各种形状和结构。
同时,注入喷嘴131可以安置于外管112内部。
因此,管子111的内部空间可以通过管子111的内壁和外管112的内壁双重密封以有效地防止管子111中的气体泄漏到外部或防止外部杂质引入到管子111中。而且,由于未将供应管线132或排气管线142提供到管子111,因此管子111的内部空间效率可以增加。
驱动单元160可以包含垂直移动衬底支撑单元170的垂直驱动部分以及使衬底支撑单元170旋转的旋转驱动部分。
垂直驱动部分可以是圆柱体并且连接到衬底支撑单元170的下部部分以垂直移动衬底支撑单元170。因此,衬底S堆栈于其上的衬底支撑单元170可以在管子111与下部的腔室120之间垂直移动。也就是说,当衬底支撑单元170通过垂直驱动部分向下移动时,衬底S通过下部主体122的入口孔122a载入到衬底支撑单元170中,并且当所有衬底S被载入到衬底支撑单元170中时,垂直驱动部分将衬底支撑单元170移动到上部的管子111中以针对衬底S执行处理过程。
旋转驱动部分可以是电动机并且连接到衬底支撑单元170的下部部分以使衬底支撑单元170旋转。当衬底支撑单元170通过使用旋转驱动部分旋转时,流动至穿过堆栈于衬底支撑单元170上的衬底S的处理气体被混合以均匀地分布在衬底S的上部部分上。因此,沉积在衬底S上的膜的质量可以增加。然而,其中衬底支撑单元170通过驱动单元160垂直移动和旋转的方法不限于此。例如,衬底支撑单元170可以通过各种方法移动和旋转。
衬底支撑单元170可以包含衬底固持器171,其支撑衬底S;挡板172,其能够密封管子111的内部;轴杆173,其支撑衬底固持器171;多个隔板175,其划分处理空间,在所述处理空间中处理多个衬底并且多个衬底与待安置于所述多个衬底之间的衬底S间隔开。
提供衬底固持器171,使得多个衬底S垂直堆栈于所述衬底固持器上。衬底固持器171可以包含:多个支撑杆171b,其垂直延伸以及上部板171a,其连接到支撑杆171b以支撑所述支撑杆171b。用于容易地支撑衬底S的支撑尖端171c(如图4(a)所示)可以从支撑杆171b朝向衬底S的中心突出。
上部板171a可以圆板的形式提供并且具有大于衬底S的直径的直径。三个支撑杆171b可以提供为沿着上部板171a的周边彼此间隔开并且连接到上部板的外部下部部分。多个支撑尖端171c可以沿着支撑杆171b的延伸方向提供于管线中且在管线中间隔开。因此,衬底固持器171可以形成衬底S垂直堆栈于其上的多个底板(floor),并且一个衬底S可以堆栈于一个底板(或一个处理空间)上。然而,衬底固持器171的结构和形状不限于此。例如,衬底固持器171可以具有各种形状和结构。
而且,注入喷嘴131、衬底S和排气口141可以安置于相同管线中。因此,由于衬底S提升,使得衬底S的下表面由支撑尖端171c支撑,因此从注入喷嘴131注入的处理气体可以穿过衬底S并且被吸入到排气口141中以形成层流。也就是说,处理气体可以接触衬底S的侧表面、沿着衬底S的上表面和下表面移动并且随后被引入到排气口141中。因此,由于处理气体平行于衬底S流动,因此可以将处理气体均匀地供应到衬底S的上表面。
挡板172可以圆板的形式提供并且具有大于衬底固持器171的直径的直径。挡板172连接到衬底固持器171的下部部分。因此,当衬底固持器171从下部主体122移动到管子111中时,挡板172也与衬底固持器171一起向上移动以接近管子111的开放的下部部分。因此,当针对衬底S执行处理过程时,可以从下部主体122密封管子111的内部,并且可以防止管子111中的处理气体被引入到下部主体122中或可以防止下部主体122中的杂质被引入到管子111中。然而,挡板172的结构和形状不限于此。例如,挡板172可以具有各种形状和结构。
轴杆173可以垂直延伸的杆形状的形式提供。轴杆173可以具有连接到挡板172的上端以及连接到驱动单元160的垂直驱动部分和旋转驱动部分的下端。因此,衬底固持器171可以通过旋转驱动部分相对于轴杆173的垂直中心轴杆旋转并且通过垂直驱动部分沿着轴杆173垂直移动。
隔板175可以圆板的形式提供并且多个隔板被提供为彼此垂直间隔开。而且,多个隔板175可以分别与衬底S或支撑尖端171c间隔开。也就是说,隔板175的周边可以分别插入到支撑杆171b中并且安置于支撑尖端171c之间。因此,隔板175可以将其中处理衬底S的处理空间分成多个处理空间,并且多个衬底可以分别与隔板175间隔开并且安置于隔板175之间。因此,当从注入喷嘴131注入处理气体时,处理气体可以穿过衬底S的上侧和下侧并且被吸入到排气口141中。
参考图3、图4(a)和图4(b),多个通孔175a可以界定在隔板175的每一个中。例如,通孔175a中的每一个可以配备有圆形孔,并且多个通孔175a可以朝向安置于其下侧处的衬底S径向界定在隔板175中。因此,从注入喷嘴131供应的处理气体的一部分可以穿过处理空间并且被吸入到排气口141中,并且穿过衬底S的下侧的处理气体的一部分可以通过通孔175a供应到下部处理空间。
也就是说,供应到通孔175a的下侧(即,面对着通孔175a的部分)的处理气体的量可以增加。因此,由于通过通孔175a供应到衬底S的上表面的处理气体的量可以增加,因此沿着衬底S的周边流动的处理气体的量可以相对减小。因此,由于处理气体集中于衬底S的上表面上,因此参与衬底S处理过程的处理气体的量可以增加并且此衬底处理过程的效率可以增加。
例如,在从注入喷嘴131注入的处理气体中,穿过衬底S的中心部分并且通过注入压力引入到排气口141中的处理气体的量可以大于沿着衬底S的周边或下部部分流动并且被引入到排气口141中的处理气体的量。因此,从衬底S处理过程排除的处理气体的量可以大于基本上参与衬底S的上表面中的衬底S处理过程的处理气体的量。
因此,具有通孔175a(界定在隔板中)的隔板175可以安置于衬底S上方以增加供应到衬底S的上表面,尤其衬底S的中心部分的上表面的处理气体的量。因此,从衬底S处理过程排除的处理气体(即,沿着衬底S的周边和下侧流动的处理气体)可以通过通孔175a供应到下部处理空间中的衬底S的上表面以参与下部处理空间中的衬底S处理过程。因此,沿着衬底S的周边和下侧流动的处理气体的一部分可以被引入到通孔175a中以减少沿着衬底S的周边和下侧流动的气体的量并且增加供应到衬底S的上表面并且基本上参与衬底S处理过程的处理气体的量。
而且,当调整通孔175a的形状或结构时,处理气体可以集中于理想位置上。也就是说,可以调整通孔175a的形状或结构,使得界定在隔板175的中心部分中的通孔175a的有效面积(每单位面积衬底S中的通孔175a的实际面积)的和与界定在所述隔板的外部部分中的通孔175a的有效面积的和彼此不同。可以调整通孔175a的大小或通孔175a的密度以调整界定在中心部分和外部部分中的通孔175a的有效面积。
例如,在从注入喷嘴131注入的处理气体中,穿过衬底S的中心部分并且通过注入压力引入到排气口141中的处理气体的量可以大于沿着衬底S的周边或下部部分流动并且被引入到排气口141中的处理气体的量。因此,供应到衬底S的中心部分的处理气体的量可以小于供应到衬底S的周边或下部部分的处理气体的量,并且形成于衬底S的外部部分上的薄膜的厚度可以大于形成于衬底S的中心部分上的薄膜的厚度。
因此,为了增加供应到衬底S的上表面,尤其衬底S的中心部分的上表面的处理气体的量,其中从外部部分到中心部分通孔175a的直径逐渐增加的隔板175可以安置于衬底S上方。如在图5(a)中,通孔175a可以被制造成使得从隔板175的外部部分到中心部分通孔175a的直径逐渐增加。
也就是说,界定在隔板175的中心部分中的通孔175a的直径可以大于界定在隔板175的外部部分中的通孔175a的直径。因此,由于中心部分的通孔175a的尺寸大于外部部分的通孔的尺寸,因此通过中心部分的通孔175a供应到下部处理空间的处理气体的量可以大于通过外部部分的通孔175a供应到下部处理空间的处理气体的量。因此,由于处理气体通过中心部分的具有大直径的通孔175a集中于衬底S的中心部分上,因此薄膜可以形成为在衬底S的整个上表面上具有均匀厚度。
相反,当衬底S的中心部分的薄膜厚度大于衬底S的外部部分的薄膜厚度时,供应到衬底S的中心部分的处理气体的量大于供应到衬底S的外部部分的处理气体的量。因此,为了增加供应到衬底S的外部部分的处理气体的量,其中从其外部部分到中心部分通孔175a的直径逐渐减小的隔板175可以安置于衬底S上方。或者,如在图5(b)中,通孔175a可以被制造成使得从隔板175的外部部分到中心部分通孔175a的直径逐渐减小。
也就是说,界定在隔板175的中心部分中的通孔175a的直径可以小于界定在隔板的外部部分中的通孔175a的直径。因此,通过中心部分的通孔175a供应到下部处理空间的处理气体的量可以小于通过外部部分的通孔175a供应到下部处理空间的处理气体的量。因此,由于处理气体通过外部部分的具有大直径的通孔175a集中于衬底S的外部部分上,因此薄膜可以形成为在衬底S的整个上表面上具有均匀厚度。
而且,尽管通孔175a可以具有彼此相同的直径,但是可以调整通孔175a的密度以调整供应到衬底S上的处理气体的量。也就是说,当供应到衬底S的中心部分的处理气体的量增加时,隔板175的中心部分的通孔175a的数目可以增加并且外部部分的通孔175a的数目可以减小。因此,更大量的处理气体可以穿过中心部分,其中与外部部分相比提供更多通孔175a并且更多通孔175a被供应到衬底S的中心部分。
相反,当供应到衬底S的外部部分的处理气体的量增加时,隔板175的中心部分的通孔175a的数目可以减小并且外部部分的通孔175a的数目可以增加。因此,更大量的处理气体可以穿过外部部分,其中与中心部分相比提供更多通孔175a并且更多通孔175a被供应到衬底S的外部部分。而且,可以共同调整通孔175a的直径和密度以调整所供应的处理气体的量。
此处,多个通孔175a的面积的总和相对于隔板175的全部面积可以为5%至50%。也就是说,当通孔175a的总面积相对于隔板175的面积小于5%时,通过通孔175a供应到下部处理空间的处理气体的量可能太小并且因此提供通孔175a的效果不显著。因此,供应到衬底S的上表面且参与衬底S处理过程的处理气体的量可能较小,并且沿着衬底S的周边和下侧流动且被吸入到排气口141的处理气体的量可能较大,从而浪费处理气体。因此,为了将足够量的处理气体供应到衬底S的上表面且参与衬底S处理过程,通孔175a的面积的总和相对于隔板175的总面积可以大于或等于5%。
相反,当通孔175a的总面积相对于隔板175的面积超过50%时,通过通孔175a供应到下部处理空间的处理气体的量可以大大增加以减少穿过处理气体基本上注入到的处理空间的处理气体的量。
也就是说,由于处理气体需要均匀地供应到衬底S的上侧和下侧以形成层流,因此通过通孔175a流动到衬底S的下侧的处理气体的量可以增加。因此,供应到衬底S的上侧和下侧的处理气体的平衡可能被打破,从而不形成层流。因此,无法正确地执行使用处理气体的衬底S处理过程,从而不会适当地形成薄膜。因此,为了使足够量的处理气体能够流入处理气体基本上注入到的处理空间中或为了使处理气体能够形成层流,通孔175a的总面积相对于隔板175的面积可以等于或小于50%。
同时,通孔175a可以具有不同形状。例如,通孔175a可以在跨越气体的流动方向的方向上延伸,所述气体从气体供应单元130流动到排气单元140。也就是说,通孔175a可以狭缝的形式提供以具有长的长度。而且,多个通孔175a可以沿着气体的流动方向安置于管线中。因此,从注入喷嘴131供应的处理气体的一部分可以穿过处理空间且随后被吸入到排气口141,并且处理气体的一部分可以通过通孔175a供应到下部处理空间。
也就是说,供应到面对着衬底S的通孔175a的部分的处理气体的量可以增加。因此,沿着衬底S的周边流动的处理气体的量可以相对减小,并且供应到衬底S的上表面的处理气体的量可以相对增加。因此,处理气体可以集中于衬底S的上表面上并且参与衬底S处理过程的处理气体的量可以增加以由此增加衬底S处理过程的效率。
而且,通过通孔175a供应到衬底S上的处理气体可以改变通过注入喷嘴131朝向衬底S的上表面供应的处理气体的流动方向。也就是说,由于从通孔175a供应的处理气体使处理气体能够从一侧流动到另一侧以从上侧流动到下侧,因此更大量的处理气体可以接触衬底S的上表面。因此,衬底处理过程的效率可以增加。
而且,处理气体可以集中于衬底S的上部部分上,尤其面对着通孔175a的部分上。因此,可以调整通孔175a的形状或结构以使处理气体集中于理想位置上。也就是说,相对于隔板175的中心部分,邻近于气体供应单元130界定的通孔175a的有效面积的和与远离气体供应单元130界定的通孔175a的有效面积的和可以彼此不同。
例如,由于处理气体从注入喷嘴131流动到排气口141以在邻近于衬底S的注入喷嘴131的位置反应,因此邻近于注入喷嘴131安置的薄膜的厚度可以大于远离注入喷嘴131安置的薄膜的厚度。因此,为了增加供应到远离衬底S的注入喷嘴131安置的部分的处理气体的量,其中从气体供应单元130到排气单元140通孔175a的宽度逐渐增加的隔板175可以安置于衬底S上方。
如在图6(a)中,通孔175a可以被制造成使得从气体供应单元130到排气单元140通孔175a的宽度逐渐增加。也就是说,邻近于气体供应单元130界定的通孔175a的宽度可以小于远离气体供应单元130界定的通孔175a的宽度。因此,通过通孔175a供应到邻近于衬底S的气体供应单元130安置的部分的处理气体的量可以小于供应到远离气体供应单元130安置的部分的处理气体的量。因此,由于处理气体通过邻近于排气单元140安置的通孔175a集中于邻近于衬底S的排气单元140安置的部分,因此可以在衬底S的整个上表面上形成具有均匀厚度的薄膜。
相反,当在邻近于衬底S的气体供应单元130安置的部分处的薄膜的厚度小于在远离气体供应单元130安置的部分处的薄膜的厚度时,与邻近于气体供应单元130安置的部分相比,更多处理气体可以供应到远离气体供应单元130安置的部分。因此,为了增加供应到衬底S中的邻近于气体供应单元130安置的部分的处理气体的量,其中从气体供应单元130到排气单元140通孔175a的宽度逐渐减小的隔板175可以安置于衬底S上方。
如在图6(b)中,通孔175a可以被制造成使得从气体供应单元130到排气单元140通孔175a的宽度逐渐减小。也就是说,邻近于气体供应单元130界定的通孔175a的宽度可以大于远离气体供应单元130界定的通孔175a的宽度。因此,供应到衬底S中的邻近于气体供应单元130安置的部分的处理气体的量可以大于供应到到远离气体供应单元130安置的部分的处理气体的量。因此,由于处理气体通过邻近于气体供应单元130安置的通孔175a集中于衬底S中的邻近于气体供应单元130安置的部分上,因此可以在衬底S的整个上表面上形成具有均匀厚度的薄膜。
此处,多个通孔175a的面积的总和相对于隔板175的全部面积可以为5%至50%。也就是说,当通孔175a的总面积相对于隔板175的面积小于5%时,通过通孔175a供应到下部处理空间的处理气体的量可能太小并且因此提供通孔175a的效果不显著。因此,为了将足够量的处理气体供应到下部处理空间,通孔175a的面积的总和相对于隔板175的总面积可以等于或大于5%。
相反,当通孔175a的总面积相对于隔板175的面积超过50%时,通过通孔175a供应到下部处理空间的处理气体的量可以大大增加以减少穿过处理气体基本上注入到的处理空间的处理气体的量。因此,无法正确地执行使用处理气体的衬底S处理过程,从而不会适当地形成薄膜。因此,为了使足够量的处理气体能够流入处理气体基本上注入到的处理空间中,通孔175a的总面积相对于隔板175的面积可以等于或小于50%。然而,通孔175a的结构和形状并不限于此。例如,通孔175a中的每一个可以具有各种形状和结构。
如上所述,将多个通孔175a提供到隔板175,使得供应到处理空间中的每一个的处理气体的一部分通过隔板175的通孔175a供应到不同衬底S的处理空间。也就是说,当调整通孔175a的位置时,处理气体可以集中于衬底S的理想位置上。因此,当通孔175a界定在与薄膜在其上具有较小厚度的区域相对应的部分中时,处理气体集中于薄膜在其上具有较小厚度的区域上,使得薄膜的厚度可以在整个衬底S上均匀。因此,薄膜的质量可以提高并且失败率减小。
而且,穿过衬底S的周边和下侧且基本上从衬底S处理过程排除的处理气体通过通孔175a供应到衬底S的上表面以招来(induce)将参与衬底S处理过程的处理气体。因此,浪费的处理气体的量可以减小以增强衬底S处理过程的效率。
根据示例性实施例,将多个通孔提供到隔板,所述隔板将处理空间分成其中分别处理衬底的多个处理空间。因此,供应到处理空间中的每一个的处理气体的一部分可以通过隔板的通孔供应到不同衬底的处理空间。也就是说,当调整通孔中的每一个的位置时,处理气体可以集中于衬底上的理想位置上。因此,当通孔界定在与薄膜在其上具有较小厚度的区域相对应的部分中时,处理气体集中于薄膜在其上具有较小厚度的区域上,使得薄膜的厚度可以在整个衬底上均匀。因此,薄膜的质量可以提高并且失败率减小。
而且,穿过衬底的周边和下侧且基本上从衬底处理过程排除的处理气体通过通孔供应到衬底的上表面以招来将参与衬底处理过程的处理气体。因此,浪费的处理气体的量可以减小以增强衬底处理过程的效率。
尽管已在实施例的详细描述中描述了本发明的优选实施例,但是可以不脱离由所附权利要求书所界定的本发明的范围和精神的情况下可以对其作出各种变化和修改。因此,本发明的范围不受本发明的详细描述界定,但受所附权利要求书界定,且范围内的所有差异将被解释为包含于本发明中。

Claims (10)

1.一种衬底处理设备,其特征在于,包括:
管子,其中具有内部空间;
衬底支撑单元,其包括多个隔板,所述多个隔板经配置以将多个衬底垂直堆栈于其上并且将其中处理所述多个衬底的处理空间在所述管子中分成多个处理空间;
气体供应单元,其经配置以将处理气体供应到所述多个衬底;以及
排气单元,其经安置以面对着所述气体供应单元来排出所述管子内部的气体,
其中多个通孔提供于所述多个隔板中的每一个中。
2.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其特征在于,所述多个隔板彼此垂直间隔开,并且
所述多个衬底分别与所述多个隔板间隔开并且堆栈于所述多个隔板之间。
3.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其特征在于,所述气体供应单元包括多个注入喷嘴,所述多个注入喷嘴以彼此不同的高度安装以分别对应于在所述管子的一侧处的所述多个处理空间,并且
所述排气单元包括多个排气口,所述多个排气口垂直安装以对应于所述管子的另一侧上的所述多个注入喷嘴。
4.根据权利要求3所述的衬底处理设备,其特征在于,所述注入喷嘴的至少一部分穿过所述管子。
5.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其特征在于,所述多个通孔朝向安置于其下的衬底径向地进行界定。
6.根据权利要求5所述的衬底处理设备,其特征在于,界定在所述隔板的中心部分中的所述多个通孔的有效面积的和不同于界定在所述隔板的外部部分中的所述多个通孔的有效面积的和。
7.根据权利要求6所述的衬底处理设备,其特征在于,所述多个通孔的所述有效面积的总和相对于所述隔板的全部面积为5%至50%。
8.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其特征在于,所述通孔在跨越气体的流动方向的方向上延伸,所述气体从所述气体供应单元流动到所述排气单元,并且
所述多个通孔沿着所述气体的所述流动方向界定在管线中。
9.根据权利要求8所述的衬底处理设备,其特征在于,邻近于所述气体供应单元安置的所述多个通孔的有效面积的和不同于相对于所述隔板的中心部分远离所述气体供应单元安置的所述多个通孔的有效面积的和。
10.根据权利要求9所述的衬底处理设备,其特征在于,所述多个通孔的所述有效面积的总和相对于所述隔板的全部面积为5%至50%。
CN201610600078.6A 2015-09-11 2016-07-27 衬底处理设备 Active CN106521620B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0128971 2015-09-11
KR1020150128971A KR101760316B1 (ko) 2015-09-11 2015-09-11 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106521620A true CN106521620A (zh) 2017-03-22
CN106521620B CN106521620B (zh) 2019-02-15

Family

ID=58236785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610600078.6A Active CN106521620B (zh) 2015-09-11 2016-07-27 衬底处理设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10337103B2 (zh)
JP (1) JP6151829B2 (zh)
KR (1) KR101760316B1 (zh)
CN (1) CN106521620B (zh)
TW (1) TWI645455B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112575312A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 长鑫存储技术有限公司 薄膜制备设备以及薄膜制备方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5541274B2 (ja) * 2011-12-28 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR101760316B1 (ko) * 2015-09-11 2017-07-21 주식회사 유진테크 기판처리장치
US10947640B1 (en) * 2016-12-02 2021-03-16 Svagos Technik, Inc. CVD reactor chamber with resistive heating for silicon carbide deposition
JP6700165B2 (ja) * 2016-12-22 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
JP6820816B2 (ja) * 2017-09-26 2021-01-27 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム
JP1700778S (zh) * 2021-03-15 2021-11-29
US20240254655A1 (en) * 2023-01-26 2024-08-01 Applied Materials, Inc. Epi isolation plate and parallel block purge flow tuning for growth rate and uniformity

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000182979A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Tokyo Electron Ltd 被処理体支持具
US20050251990A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
CN101288157A (zh) * 2005-10-11 2008-10-15 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
JP2008258595A (ja) * 2007-03-09 2008-10-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20120000425A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Apparatus for Processing Substrate
CN103946956A (zh) * 2011-11-17 2014-07-23 株式会社Eugene科技 包括辅助气体供应端口的基板处理装置
CN104025259A (zh) * 2012-01-04 2014-09-03 株式会社Eugene科技 包括处理单元的基板处理装置
TW201443998A (zh) * 2013-04-08 2014-11-16 Eugene Technology Co Ltd 基板處理裝置

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4264393A (en) * 1977-10-31 1981-04-28 Motorola, Inc. Reactor apparatus for plasma etching or deposition
US5061359A (en) * 1985-01-17 1991-10-29 International Business Machines Corporation Plasma processing apparatus including three bus structures
FI97731C (fi) * 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
FI100409B (fi) * 1994-11-28 1997-11-28 Asm Int Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
JPH08264521A (ja) * 1995-03-20 1996-10-11 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造用反応炉
US6204194B1 (en) * 1998-01-16 2001-03-20 F.T.L. Co., Ltd. Method and apparatus for producing a semiconductor device
KR100347379B1 (ko) * 1999-05-01 2002-08-07 주식회사 피케이엘 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치
US9255329B2 (en) * 2000-12-06 2016-02-09 Novellus Systems, Inc. Modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD)
JP2002222806A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Ebara Corp 基板処理装置
US7118780B2 (en) * 2001-03-16 2006-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heat treatment method
JP4115111B2 (ja) 2001-09-27 2008-07-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP3957549B2 (ja) 2002-04-05 2007-08-15 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
US7032536B2 (en) * 2002-10-11 2006-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film formation apparatus including engagement members for support during thermal expansion
US20070275570A1 (en) * 2004-01-20 2007-11-29 Hitachi Kokusai Electric Inc. Heat Treatment Apparatus
WO2005124845A1 (ja) * 2004-06-15 2005-12-29 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP4833074B2 (ja) * 2004-09-30 2011-12-07 株式会社日立国際電気 熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
JP4185483B2 (ja) * 2004-10-22 2008-11-26 シャープ株式会社 プラズマ処理装置
JP4584722B2 (ja) * 2005-01-13 2010-11-24 シャープ株式会社 プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子
US7351057B2 (en) * 2005-04-27 2008-04-01 Asm International N.V. Door plate for furnace
US20090255630A1 (en) * 2005-04-28 2009-10-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and electrode member
TWI260679B (en) * 2005-05-12 2006-08-21 Nanya Technology Corp Inner tube for furnace and furnace apparatus using the same
JP5023646B2 (ja) * 2006-10-10 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 排気系、捕集ユニット及びこれを用いた処理装置
KR101431197B1 (ko) * 2008-01-24 2014-09-17 삼성전자주식회사 원자층 증착설비 및 그의 원자층 증착방법
JP5217663B2 (ja) * 2008-06-11 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法
US8702867B2 (en) * 2008-07-08 2014-04-22 Jusung Engineering Co., Ltd. Gas distribution plate and substrate treating apparatus including the same
JP5284182B2 (ja) * 2008-07-23 2013-09-11 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2010171388A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板処理用反応管
KR101759649B1 (ko) * 2011-01-04 2017-07-19 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 초격자 구조의 제조 방법
KR101271246B1 (ko) * 2011-08-02 2013-06-07 주식회사 유진테크 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비
KR101879175B1 (ko) * 2011-10-20 2018-08-20 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치
KR101308111B1 (ko) * 2011-11-17 2013-09-26 주식회사 유진테크 복수의 배기포트를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR101364701B1 (ko) * 2011-11-17 2014-02-20 주식회사 유진테크 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치
KR101380240B1 (ko) * 2011-11-17 2014-04-03 주식회사 유진테크 열차단플레이트를 포함하는 기판 처리 장치
JP5766647B2 (ja) * 2012-03-28 2015-08-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
US20130333616A1 (en) * 2012-06-18 2013-12-19 Tel Solar Ag Plasma processing system with movable chamber housing parts
US9493874B2 (en) * 2012-11-15 2016-11-15 Cypress Semiconductor Corporation Distribution of gas over a semiconductor wafer in batch processing
KR101557016B1 (ko) 2013-10-17 2015-10-05 주식회사 유진테크 기판 처리장치
KR101760316B1 (ko) * 2015-09-11 2017-07-21 주식회사 유진테크 기판처리장치
KR101710944B1 (ko) * 2015-09-11 2017-02-28 주식회사 유진테크 기판처리장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000182979A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Tokyo Electron Ltd 被処理体支持具
US20050251990A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
CN101288157A (zh) * 2005-10-11 2008-10-15 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
JP2008258595A (ja) * 2007-03-09 2008-10-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20120000425A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Apparatus for Processing Substrate
CN103946956A (zh) * 2011-11-17 2014-07-23 株式会社Eugene科技 包括辅助气体供应端口的基板处理装置
CN104025259A (zh) * 2012-01-04 2014-09-03 株式会社Eugene科技 包括处理单元的基板处理装置
TW201443998A (zh) * 2013-04-08 2014-11-16 Eugene Technology Co Ltd 基板處理裝置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112575312A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 长鑫存储技术有限公司 薄膜制备设备以及薄膜制备方法
CN112575312B (zh) * 2019-09-30 2023-08-29 长鑫存储技术有限公司 薄膜制备设备以及薄膜制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017055104A (ja) 2017-03-16
US20170073813A1 (en) 2017-03-16
TW201711090A (zh) 2017-03-16
TWI645455B (zh) 2018-12-21
CN106521620B (zh) 2019-02-15
KR20170031437A (ko) 2017-03-21
JP6151829B2 (ja) 2017-06-21
US10337103B2 (en) 2019-07-02
KR101760316B1 (ko) 2017-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106521620A (zh) 衬底处理设备
CN103080373B (zh) 用于处理基体的表面的装置和方法
US9732424B2 (en) Gas injection apparatus and substrate processing apparatus using same
TWI494469B (zh) 氣相成長裝置以及氣相成長方法
CN102839360B (zh) 批量式处理装置
TWI606137B (zh) 基板處理設備
EP2560193A1 (en) Gas injection unit and a thin-film vapour-deposition device and method using the same
US20090017637A1 (en) Method and apparatus for batch processing in a vertical reactor
TWI537416B (zh) A CVD reactor with a strip inlet region and a method of depositing a layer on the substrate in such a CVD reactor
CN106399973A (zh) 气体分配系统和处理腔室
CN108475618A (zh) 衬底处理装置及用于组装套管组合件的方法
CN106367805A (zh) 衬底处理设备
CN106711065A (zh) 衬底处理装置及使用所述衬底处理装置的衬底处理方法
JP5369178B2 (ja) Ald反応器の接続部の構成
TW201707055A (zh) 基板處理裝置
CN101310043B (zh) 原子层沉积反应器
CN108352294B (zh) 衬底处理装置
US8506754B2 (en) Cross flow CVD reactor
CN102277561B (zh) 用于多个基板的气体处理的系统和方法
JP2010027675A (ja) 気相成長装置
KR101323125B1 (ko) 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템
JP2010245135A (ja) 気相成長装置
KR20150077107A (ko) 화학기상증착장치
KR20160072315A (ko) 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치
CN116440964A (zh) 一种树脂在线装卸系统及装卸方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant