JP4115111B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の基板を冷却することが可能な処理室を備えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板処理装置には、バッチ処理装置と枚葉処理装置の２種類があり、ともに高温処理後の基板を、後工程で処理可能な温度にまで冷却する冷却処理室が必要となる。
【０００３】
図１１に、従来の枚葉処理装置の冷却処理室を示す。冷却処理室１０１は冷却容器１０を有し、容器内部に一つの基板領域１０２が形成される。この一つの基板領域１０２内で複数のウェーハ２を共通に冷却処理するようになっている。基板領域１０２には一側に設けた冷却ガス供給配管８から冷却ガス５が導入され他側の排気口１７から排気される。冷却容器１０には例えば冷却水４が循環するようになっている。ゲートバルブ６を介して基板領域１０２内に搬送された複数枚のウェーハ２は、冷却ガス５と冷却容器１０からの冷熱放射とによって冷却される。これにより高温になっている処理後の複数枚のウェーハ２はかなり低い所定温度にまで冷却される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の技術では次のような問題があった。
【０００５】
（１）枚葉処理装置では、もともと１枚のウェーハを冷却するように構成されている基板領域で、複数枚のウェーハを冷却しようとするため、基板領域の冷却能力を一定に設定すると、所定温度まで冷却する時間がウェーハの処理枚数に応じて異なってしまう。したがって、１枚のウェーハを冷却する場合に比べて、複数枚の基板を所定温度まで冷却するのに時間を要することになる。
【０００６】
（２）枚葉処理装置では、スループットを上げるため、高温処理後のウェーハが時間差で冷却処理室に搬送されて来るものもある。この場合、先行ウェーハも後行ウェーハも共通の基板領域で冷却されるため、ウェーハ間で熱交換が起こり、先行冷却されているウェーハが後行ウェーハにより加熱される。したがって、先行ウェーハにあっては所定温度まで冷却するのにさらに時間を要することになる。
【０００７】
このため従来の基板処理装置では、上述した（１）の処理枚数や、（２）の時間差冷却などの要因を考慮した最大冷却時間を設定して、冷却処理室を運用しているのが現状である。その結果、冷却処理時間が長くなり、装置のスループットの低下を招いていた。
【０００８】
なお、上記問題点は、枚葉処理装置に限定されるものではなく、大量の基板を処理するバッチ処理装置にも共通し、基板処理装置における冷却処理時間の短縮化が要請されている。
【０００９】
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、冷却処理効率を改善して、装置のスループットを向上することが可能な基板処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の基板を冷却することが可能な処理室を備えた基板処理装置において、前記処理室に熱的に遮断される複数の基板領域を形成し、前記複数の基板領域の各基板領域ごとに冷却媒体を供給するようにした基板処理装置である。
【００１１】
熱的に遮断される複数の基板領域を形成したので、複数の基板を各基板領域に振分けて収容すれば、他の基板からの熱を受けるなどの外乱に影響されることなく、基板領域に存在する基板を冷却することができる。
【００１２】
また、各基板領域ごとに冷却媒体を供給するようにしたので、基板枚数や、基板領域に関係なく、基板の冷却時間を一様にすることができる。
【００１３】
したがって、冷却効率改善、及び装置のスループットが向上する。
【００１４】
なお、上記発明において、複数の基板領域は、処理室を熱遮蔽体によって区画形成することが好ましい。この場合において、熱遮蔽体から冷却媒体を供給するように構成することが好ましい。処理室に収容される複数の基板間に熱遮蔽体を設けるだけで、個別に基板を収容できる複数の基板領域が形成できる。また、熱遮蔽体から冷却媒体を供給するように構成すると、漠然と処理室に冷却媒体を供給するものと比べて、基板近傍からの供給になるので、基板を効率良く冷却することができる。
【００１５】
また、上記発明において、熱遮蔽体にこれを冷却する冷却媒体を流すように構成することが好ましい。熱遮蔽体は、熱伝導性の悪い材料を選んで構成してもよいが、冷却媒体を循環させる熱遮蔽体にすると、基板から受ける熱をより有効に遮断することができる。したがって、この場合、複数の基板領域の各基板領域ごとに供給される冷却媒体には、基板を直接冷却するために供給する冷却媒体と、基板領域を区画形成する熱遮蔽体及び処理室に供給する冷却媒体の両方が含まれる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に実施の形態を説明する。
【００１７】
図１は基板処理装置が備える実施の形態による冷却処理室の正断面図を示す。ここで基板処理装置は、冷却処理室及び給排気系等の周辺機器からなる狭義の装置だけでなく、冷却処理室をはじめ、熱処理室、成膜室、搬送ロボットなどを備えた広義の半導体製造装置も含む。
【００１８】
冷却処理室１は、複数のウェーハ２を多段に保持して冷却することが可能な所定の容積をもっている。図示例では同時に３枚冷却できるようになっている。冷却処理室１を形成する冷却容器１０は、気密に形成されている。開口した一側にゲートバルブ６が設けられ、ここから搬送ロボット（図示せず）でウェーハ２を出し入れできるようになっている。ゲートバルブ６は断熱材で構成するか、必要に応じて水冷ジャケット構造にするとよい。また、底部の一側に冷却ガス供給系２５が、他側に排出口１７がそれぞれ設けられ、冷却処理室１内に冷却ガス５を供給して排気するようになっている。冷却容器１０の周壁には水冷ジャケット２２が設けられ、冷却水５を循環することにより冷却容器１０及び容器内を冷却するようになっている。冷却処理室１は、上述したように真空に対応できる容器１０で構成され、かつゲートバルブ６を有していることが好ましい。
【００１９】
冷却処理室１には、熱的に相互に遮断される３つの基板領域１６（１６ａ、１６ｂ、１６ｃ）が形成されている。基板領域１６は１枚のウェーハ２を冷却処理する空間である。３つの基板領域１６ａ、１６ｂ、１６ｃは、冷却処理室１を３枚の熱遮蔽体としての熱遮蔽板３によって多段に区画形成してある。前述した冷却ガス供給系２５は、これらの熱遮蔽板３に接続されて、熱遮蔽板３から冷却ガス５が各基板処理領域１６毎に供給されるようになっている。また、熱遮蔽板３には、冷却容器１０の周壁と同様に冷却水を循環させて、熱遮蔽板３を冷却するようになっている。図１には示していないが、熱遮蔽板３に冷却水を供給する冷却水供給系が、冷却ガス供給系２５に加えて設けられている。
【００２０】
基板領域１６は、左右に共通排気空間と冷却ガス供給系２５とのスペースを確保しつつ、上述したように冷却処理室１内に設けた板状の熱遮蔽板３によって、３つに区画形成されている。したがって、各基板領域１６の外周は構造的には閉じていない。しかし、各基板領域１６は熱的には閉じている。すなわち、第１の基板領域１６ｃは、上下が第１の熱遮蔽板３ｃと第２の熱遮蔽板３ｂとで囲まれ、左右及び前後（紙面の手前と奥）が冷却容器１０の側壁１０ｂとゲートバルブ６でそれぞれ囲まれて、熱的に閉じている。第２の基板領域１６ｂは、上下が第２の熱遮蔽板３ｂと第３の熱遮蔽板３ａとで囲まれ、左右及び前後が冷却容器１０の側壁１０ｂとゲートバルブ６でそれぞれ囲まれて、熱的に閉じている。そして、第３の基板領域１６ａは、上下が冷却容器１０の上壁１０ａと第３の熱遮蔽板３ａとで囲まれ、左右及び前後が冷却容器１０の側壁１０ｂとゲートバルブ６で囲まれて、熱的に閉じている。
【００２１】
図２は図１の丸で囲んだＣ部の拡大図を示す。各熱遮蔽板３は２層構造になっており、下層には冷却水流路３１が形成され、冷却水流路３１は冷却水供給系２４から冷却水４が循環供給されるようになっている。上層には冷却ガス流路３２が形成され、冷却ガス供給系２５から冷却ガス５が供給され、熱遮蔽板３の表面から噴出され、ウェーハ２の裏面に当たるようになっている。
【００２２】
上述した複数枚の熱遮熱板３は、メンテナンスを容易にするために、次に説明するようにユニット化されている。
【００２３】
図３に熱遮蔽ユニットの正断面図を示す。ベースプレート２３の上に立設された支柱７に、下方から上方に向けて順次、第１の熱遮蔽板３ｃ、第２の熱遮蔽板３ｂ、第３の熱遮蔽板３ａが多段に設けられる。ベースプレート２３は冷却処理室１の下部に載置される。第１熱遮蔽板３ｃと第２熱遮蔽板３ｂとの間に１枚目のウェーハ２が、第２の熱遮蔽板３ｂと第３の熱遮蔽板３ａとの間に２枚目のウェーハ２が、そして第３の熱遮蔽板３ａの上方に３枚目のウェーハ２が積層されるようになっている。また、配管８，９の取付け側の各熱遮蔽板３の端を上段に行くにしたがって長く延設するようにして、各熱遮蔽板３から垂下された各配管８、９が互いに干渉しないようにしてある。
【００２４】
上記のように熱遮蔽板３とウェーハ２を交互に積層するのは、冷却処理室１に入る各ウェーハ２の熱遮蔽板３からの距離が均等になることで、冷却処理室１内の各ウェーハ２の冷却効率を均等にするためである。熱遮蔽板３が冷却源であるため、熱遮蔽板３からその上方に配置されるウェーハ２までの距離Ａ、及びウェーハ２からその上方に配置される熱遮蔽板３までの距離Ｂ、および最上段のウェーハ２と上壁までの距離Ｂは短ければ短いほど冷却効率がよい。しかし、搬送ロボット（図示せず）のウェーハ取出し機構と熱遮蔽板３の厚みから来る制約により、最少寸法が決定される。
【００２５】
上述した熱遮蔽ユニットは、具体的には次のように構成される。
【００２６】
図４に熱遮蔽ユニットの組立斜視図を示す。４本の支柱７を立設し、３枚の矩形をした熱遮蔽板３を支柱７の立設方向に多段に取り付ける。３枚の熱遮蔽板３は互いに平行に等間隔で取り付けられる。最上段となる３段目の熱遮蔽板３ａ上の空間、３段目の熱遮蔽板３ａと２段目の熱遮蔽板３ｂとの空間、及び２段目の熱遮蔽板３ｂと１段目の熱遮蔽板３ｃとの空間の計３箇所に、ウェーハ２が１枚づつ保持される。３枚のウェーハ２は４本の支柱７間に水平姿勢で多段に保持される。
【００２７】
図５に熱遮蔽ユニットの分解斜視図を示す。上記４本の支柱７は石英で構成され、同じく石英で構成されたベースプレート２３の上に半円形状に立設される。特に支柱７を石英で構成するのは、支柱７でウェーハ２を保持するために、ウェーハの汚染を防止し、水平保持のための加工精度を確保するためである。ここでは便宜上、３枚のウェーハ２は、４本の支柱７に熱遮蔽板３を介在させることなく保持されているように描かれているが、実際は上述したように熱遮蔽板３間ないし最上段の熱遮蔽板３上に保持される。３つの熱遮蔽板３は共通に構成される。
【００２８】
各熱遮蔽板３は、基板領域を熱的に遮蔽することにより、ウェーハ２の熱を基板領域から逃がさないようになっている。また、冷却ガス５を基板領域に供給することにより、ウェーハ２を冷却するようになっている。
【００２９】
矩形をした熱遮蔽板３の一側の下面に、冷却水を給排するための冷却水供給配管８ａと冷却水排出配管８ｂとが垂下して設けられる。冷却水供給配管８ａから熱遮蔽板３の内部に冷却水を供給して冷却水排出配管８ｂから排出することにより、熱遮蔽板３を冷却してウェーハ２間の熱遮蔽をするようになっている。
【００３０】
また、熱遮蔽板３の同じ側の下面に、冷却ガスを供給するための冷却ガス供給配管９が垂下して設けられる。熱遮蔽板３の上面に冷却ガスをシャワー状に噴出するための多数のガス噴出孔１８が設けられる。冷却ガス供給配管９から熱遮蔽板３の内部に冷却ガスを供給して、熱遮蔽板３の上面のガス噴出孔１８からシャワー状に冷却ガスを噴出してウェーハ２を冷却するようになっている。
【００３１】
上記熱遮蔽板３に形成されるガス噴出孔１８は、ウェーハ２を均一に冷却するために、ウェーハ面よりも広い領域にわたって均一に形成されることが好ましい。しかし、図示例のように、熱遮蔽板３には、４本の支柱７が熱遮蔽板３に干渉しないように、これらの支柱７を挿通するための４本の支柱用挿通穴２０が設けられる。それらの支柱用挿通穴２０によってガス噴出孔１８の形成領域が制約を受けることがある。図示例の場合には、制約内でウェーハ２を均一に冷却するために、ガス噴出孔１８の形成領域を十字状に形成してある。
【００３２】
図６は上述した３枚のうちの熱遮蔽板３のうち、１枚だけを抜き出した斜視図である。
【００３３】
図７の分解斜視図に示すように、この熱遮蔽板３は、５枚のプレート１１〜１５からなる積層構造になっている。下から数えて１枚目から３枚目までのプレート１１〜１３で冷却水流路３１を構成している。また、３枚目から５枚目までのプレート１３〜１５で冷却ガス流路３２を構成している。
【００３４】
冷却水流路３１を構成する２枚目の冷却水流路プレート１２は、冷却水が導入される側の１辺の中央から対向辺に向けて延在され、冷却水流路３１を往路と復路とに分離、例えばＵ字状にするための仕切片２１と、支柱用挿通穴２０を形成するための４つの突片２６とを残して、フレーム状に打ち抜かれている。最下層の１枚目の冷却水入出プレート１１は底板となり、前記冷却水流路フレームの一辺に対応する辺の両端には、Ｕ字状の冷却水流路３１の往路に連通する冷却水供給配管８ａと、Ｕ字状の冷却水流路３１の復路に連通する冷却水排出配管８ｂとが垂下して設けられる。３枚目の冷却ガス導入プレート１３は冷却水流路３１の上蓋となり、その一辺の一端には、冷却ガス導入配管９が垂下して設けられる。上記２枚目の冷却水流路プレート１２を、底蓋となる１枚目の冷却水入出プレート１１と上蓋となる３枚目の冷却ガス導入プレート１３とで挟むことにより、内部に冷却水を流すＵ字状の冷却水流路３１を構成している。上述した冷却水供給配管８ａからＵ字状の冷却水流路３１に導入されてＵ字状に流れて冷却水排出配管８ｂから排出される。
【００３５】
冷却ガス流路３２を構成する４枚目の冷却ガス流路プレート１４は、支柱用挿通穴２０を形成するための４つの突片２７を残して、フレーム状に打ち抜かれている。前述した３枚目の冷却ガス導入プレート１３は底板となり、その下面の一辺には、前述したように冷却ガス流路３２に連通する冷却ガス供給配管９が垂下して設けられる。多数のガス噴出孔１８を設けた５枚目のシャワープレート１５は冷却水流路３２の上蓋となる。上記４枚目の冷却ガス流路プレート１４を、底蓋となる３枚目の冷却ガス導入プレート１３と上蓋となる最上層のシャワープレート１５とで挟むことにより、内部に冷却ガスを流す冷却ガス流路３２を構成している。上述した冷却ガス供給配管９から冷却ガス流路３２に導入されてガス噴出孔１８からシャワー状に噴出される。
【００３６】
なお、５枚のプレート１１〜１５には、前述した４つの支柱用挿通穴２０が共通して設けられる。また、冷却水流路３１は、プレート１２に溝をカットしているだけの簡単な形状としているので、プレート１２の厚さが冷却水流路３１の高さになる。プレート１１〜１５厚は、冷却処理室１内に収納できるウェーハ枚数を考慮すれば、ｔ＝２〜５ｍｍ程度である。また、５枚のプレート１１〜１５の共通寸法は、ウェーハより小さければ効果が十分に発揮されないので、それ以上のサイズとする。また、５枚のプレート１１〜１５はレーザ溶接等により接合する。プレート１１〜１５材料は、溶接接合することと、冷却水流路３１をもっていることからＳＵＳが好ましい。ただし、ＳＵＳの他に、接合方法及び腐食に対応することができれば他の材料であってもよい。
【００３７】
冷却水は、基板処理装置として使用されている冷却水をそのまま使用する。したがって、冷却水温度は特に調節していないが、２３±３℃程度である。また、冷却水の流量及び流速は熱遮蔽板３に設ける冷却水流路３１の流路面積や流路長で調整可能である。また、冷却ガスには不活性ガスを使用する。特に冷却効率のよいＮ₂またはＨｅが好ましい。冷却ガスの流路及び流速は、冷却水同様に冷却ガス流路３２で調整可能である。
【００３８】
冷却処理室１内の温度は、入ってくるウェーハの温度の影響もあるが、熱遮蔽板３を設けたことで、冷却水、冷却ガス流量を調整することによって、ウェーハの放射熱を受けない部分は、冷却ガスと同等の温度にすることが可能である。また、冷却処理室１の排気口１７から排気する排気流量、排気速度は、冷却ガスの流量との関係もあるが、大気圧付近で冷却効率がよいので、ウェーハ冷却時は、冷却処理室内の圧力が大気圧になるように調整する。冷却処理室１に対するウェーハの搬入、搬出が真空搬送であれば、冷却処理室内は真空にする。
【００３９】
なお、図８に冷却容器からの配管の取出し構造例を示す。冷却容器下壁１０ｃに設けた配管取出穴の外周部に、配管８を挿通することが可能な中空のスタッドボルト３６を溶着する。スタッドボルト３６の中空部から配管取出穴に配管８を挿通し、スタッドボルト内の配管８にスリーブ３５とＯリング３８を嵌める。さらに穴の開いた袋ナット３７を配管８に挿通し、袋ナット３７をスタッドボルト３６に螺着して、スタッドボルト３６内のスリーブ３５及びＯリング３８を締め付ける。これによりＯリング３８で袋ナット３７の配管挿通部がシールされる。このようなシール構造とすることで、メンテナンス時に冷却処理室から熱遮蔽ユニットを取り外すことが可能になる。
【００４０】
上述したような実施の形態の構成において、熱的に遮断される複数の基板領域１６を形成したので、複数のウェーハ２を各基板領域１６に振分けて収容すれば、他のウェーハ２からの熱を受けるなどの外乱に影響されることなく、基板領域１６に存在するウェーハ２を冷却することができる。したがって、複数枚（２〜３枚）のウェーハ２を処理する場合であっても、１枚のウェーハ２を冷却処理する場合と同じになり、ウェーハ２の枚数による冷却時間の違いが生じない。したがって、１枚のウェーハ２を冷却する場合も、複数枚のウェーハ２を冷却する場合も、冷却に時間を要しない。
【００４１】
また、枚葉処理装置のように、高温処理後のウェーハ２が時間差で冷却処理室１に搬送される場合であっても、基板領域１６が独立しているため、ウェーハ２間で熱交換が起こらず、先行するウェーハ２が所定温度まで冷却するのに時間を要せず、冷却済みのウェーハ２として冷却処理室から先行して取り出すことが可能となる。
【００４２】
冷却処理室１に搬送されるウェーハの温度は、前工程でのウェーハの処理温度にもよるが、４００〜６００℃程度である。また、ウェーハを冷却して冷却処理室から取り出す温度は９０℃以下がよい。装置のスループットを向上させるためには冷却時間は短いほどよく、後工程で支障がなければ室温まで冷却する必要はない。取り出したウェーハを受け取るカセット樹脂が変形を起こさない温度以下であればよい。ウェーハ寸法は、例えば、φ＝３００〜２００ｍｍである。
【００４３】
したがって、枚葉処理装置にあっても、処理枚数や、時間差冷却などの要因を考慮した最大冷却時間を設定する必要がなくなり、このため冷却処理時間が長くなり、装置のスループットが大幅に向上する。
【００４４】
また熱的に遮断される複数の基板領域１６を、冷却水で冷却した熱遮蔽板３で構成したので、水冷ジャケット２２をもつ冷却容器１０と相俟って、基板領域１６間の熱遮断効果が大きく、基板領域１６内のウェーハ２間の熱干渉を有効に防止できる。
【００４５】
また、各基板領域１６ごとに冷却ガス５を供給するようにしたので、ウェーハ２の枚数や、基板領域１６に関係なく、ウェーハ２の冷却時間を一様にすることができる。特に、冷却ガス５をシャワー状に噴出してウェーハ２の下面に吹き付けるようにしたので、ウェーハ２を一様に冷却することができる。また、冷却ガス流路３２に隣接して冷却水流路３３を形成したので、冷却水４によって冷却ガス５をも一様に冷却することができる。
【００４６】
また、複数の基板領域１６は、１つの冷却処理室１を複数の熱遮蔽板３によって区画形成しているので、複数の冷却処理室を並列に設ける場合に比して、構造を簡素化できる。また、ウェーハ２と平行に対峙する熱遮蔽板３から冷却ガス５をシャワー状に供給するように構成したので、冷却処理室１の一側から冷却ガス５を供給するものと比べて、ウェーハ２近傍からの均一供給になるので、ウェーハ２を効率良く冷却することができる。熱遮蔽板３にこれを冷却する冷却水４を流すように構成したので、熱伝導性の悪い材料を選んでパッシブなもので構成するものと比べて、ウェーハ２から受ける熱をより有効に遮断することができる。特に、熱遮蔽板３の最上段にあっては、水冷される周壁と同一条件でウェーハ２を挟むことになるので、ともすれば熱遮蔽板３間に収容されたウェーハ２と異なる条件となりやすい最上段に収容されるウェーハ２であっても、ウェーハ２面間均一性が良好になる。
【００４７】
なお、上述した実施の形態では、図２に示すように、熱遮蔽板３を２層構造にして、下層には冷却水４を流し、上層に冷却ガス５を流して、熱遮蔽板３の表面から冷却ガス５を噴出するように構成している。しかし、本発明はこの構成に限定されない。
【００４８】
例えば、図９に示すように、上層に冷却水４を流し、下層に冷却ガス５を流して、熱遮蔽板３の裏面から冷却ガス５噴出するように構成してもよい。
【００４９】
また、図１０に示すように、熱遮蔽板３を３層構造にして、中層に冷却水４を流し、中層を挟む上下層に冷却ガス５を流して、冷却ガス５を熱遮蔽板３の表裏面から噴出するように構成してもよい。この場合において、各ウェーハ２の冷却源の距離を均等にすることで、冷却処理室内のウェーハ２毎の冷却効率を均等に保つことが必要となる。したがって、片面から冷却される一番上のウェーハ２についても、表裏面から冷却される中間のウェーハ２と同じ冷却条件とするために、冷却容器１０の上壁１０ａ（図１参照）にも周壁冷却ガス流路と周壁シャワープレートを形成して、上壁１０ａからも冷却ガス５を噴出させるように構成することが好ましい。このように冷却容器１０の周壁から冷却ガス５を噴出する場合は、熱遮蔽板３の冷却ガス５噴出位置からウェーハ２の距離を同等の位置にするか、各ウェーハ２に均等に冷却ガス５が流れるように周壁にシャワープレートを設置する必要がある。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば、処理室に熱的に遮断される複数の基板領域を形成し、各基板領域ごとに冷却媒体を供給するようにしたので、冷却処理効率を改善することができ、その結果、装置のスループットを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態による冷却処理室の正断面図である。
【図２】図１のＣ部拡大図である。
【図３】実施の形態による熱遮蔽ユニットの正面図である。
【図４】実施の形態による熱遮蔽ユニットの斜視図である。
【図５】実施の形態による熱遮蔽ユニットの分解図斜視図である。
【図６】実施の形態による熱遮蔽ユニットを構成する熱遮蔽板の斜視図である。
【図７】実施の形態による熱遮蔽板の分解斜視図である。
【図８】実施の形態による配管のシール構造を示す説明図である。
【図９】図２に対応する熱遮蔽板の変形例を示す図である。
【図１０】図２に対応する熱遮蔽板の他の変形例を示す図である。
【図１１】従来例による冷却処理室の正断面図である。
【符号の説明】
１ 冷却処理室
２ ウェーハ（基板）
４ 冷却水（冷却媒体）
５ 冷却ガス（冷却媒体）
１６ 基板領域

Claims (1)

1. 複数の基板を積層配置して収容し冷却することが可能な処理室を備えた基板処理装置において、
   前記基板の間に板状の熱遮蔽体を設け熱的に遮断される複数の基板領域を形成し、
   前記基板領域ごとに、前記熱遮蔽体の主面から前記基板に対して冷却媒体を噴出することを特徴とする基板処理装置。

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