JP2002373890A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2002373890A
JP2002373890A JP2001179246A JP2001179246A JP2002373890A JP 2002373890 A JP2002373890 A JP 2002373890A JP 2001179246 A JP2001179246 A JP 2001179246A JP 2001179246 A JP2001179246 A JP 2001179246A JP 2002373890 A JP2002373890 A JP 2002373890A
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cooling
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wafer
cooling chamber
chamber
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Yasunori Takakuwa
康憲 高桑
Akihiko Yanagisawa
愛彦 柳沢
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 加熱された基板の冷却効率並びに処理速度の
向上を図ると共に、大気圧下又は減圧下にあっても有効
に冷却を行うこと 【解決手段】 基板60の成膜処理を行う反応室とは別
個独立して設けた冷却対象物たる前記基板60の出入用
の開口部10aを有する冷却室10と、この冷却室10
の内部に配設し且つ搬入された基板60を少なくとも一
つ載置保持する基板載置手段20と、この基板載置手段
20に載置された基板60の外殻部側から当該基板60
の面に対して略平行に冷却ガスを供給するブレークフィ
ルタ32を備えたガス供給手段30と、基板60を挟ん
でガス供給手段30の略反対側に配設する排気手段40
と、冷却室10の開口部10aを閉塞する移動自在なゲ
ートバルブ50とを備えること。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、加熱されたウエハ
の冷却を行う基板処理装置に係り、特にそのウエハの冷
却効率並びに処理速度の向上に好適な基板処理装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えばウエハ上に酸化膜や窒化膜
等のCVD膜の成膜を行う反応室にあっては、その反応
室内にウエハを供給し、成膜ガスを導入した後、ヒータ
で減圧下の反応室内を成膜に要する温度(例えば600
℃位)まで加熱して薄膜の成膜が行われている。そし
て、この反応室での成膜処理が終了すると、加熱された
ウエハは、冷却装置に送られて所望の温度(例えば50
℃位)まで冷却される。以下に、この従来の反応室と冷
却装置の一例について図4を用いて説明する。
【0003】この図4の符号100は前述したが如き反
応室を、符号101は前述したが如き冷却装置を示す。
図4に示すように、反応室100と冷却装置101との
間には真空用のウエハ搬送ロボット102が配設されて
おり、このウエハ搬送ロボット102が加熱されたウエ
ハを反応室100から冷却装置101まで搬送する。
【0004】ここで、反応室100と冷却装置101と
ウエハ搬送ロボット102とは各々が内部で連通してお
り、その連通部分にてウエハの授受が行われる。具体的
には、反応室100の内部とウエハ搬送ロボット102
の内部空間とが連通しており、これにより加熱されたウ
エハがその内部空間に具備された図示しないアームによ
って反応室内から取り出され、その内部空間に移送され
る。また、ウエハ搬送ロボット102の内部空間と冷却
装置101の内部とが連通しており、その内部空間に移
送されたウエハが上述したアームによって冷却装置10
1に搬入される。この場合、反応室100とウエハ搬送
ロボット102との間,冷却装置101とウエハ搬送ロ
ボット102との間には、各々例えば上下移動可能なゲ
ート103が設けられており、成膜処理時に反応室内
を,冷却処理時に冷却装置内を閉塞するよう構成されて
いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例における反応室100は減圧下で成膜処理を行うも
のであり、スループット向上等の問題から冷却装置内を
前述したが如く反応室内に連通させているので、その冷
却装置101での冷却は、減圧下にて行われていた。そ
して、このように減圧下で冷却が行われているので冷却
ガスがウエハの表面上を有効に流れず、その冷却効率が
著しく悪化してしまう、という不都合があった。また、
冷却効率が悪いので冷却処理に時間がかかり、結果的に
はスループットを有効に向上させることができない、と
いう不都合もあった。
【0006】本発明は、かかる従来例の有する不都合を
改善し、加熱された基板の冷却効率並びに処理速度の向
上を図ると共に、大気圧下又は減圧下にあっても有効に
冷却を行うことのできる基板処理装置を提供すること
を、その目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為、
請求項1記載の発明では、基板の成膜処理を行う反応室
とは別個独立して設けた冷却対象物たる前記基板の出入
用の開口部を有する冷却室と、この冷却室の内部に配設
し且つ搬入された基板を少なくとも一つ載置保持する基
板載置手段と、この基板載置手段に載置された基板の外
殻部側から当該基板の面に対して略平行に冷却ガスを供
給するブレークフィルタを備えたガス供給手段と、基板
を挟んでガス供給手段の略反対側に配設する排気手段
と、冷却室の開口部を閉塞する移動自在なゲートバルブ
とを有している。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明に係る基板処理装置の一実
施形態について図1から図3に基づいて説明する。
【0009】この基板処理装置は、図1及び図2に示す
ように、冷却対象物たるウエハ60の出入用の開口部1
0aを側面に設けた箱状の冷却室10と、この冷却室内
に搬入されたウエハ60を載置保持するウエハ載置手段
20と、冷却ガスを冷却室内に供給する二つのガス供給
手段30と、冷却処理後の冷却ガスを排気する排気手段
40と、冷却室10の開口部10aを閉塞する上下移動
自在なゲートバルブ50とで構成される。以下、これら
各構成について詳述する。
【0010】先ず、冷却室10について説明する。本実
施形態の冷却室10は、前述したウエハ60の出入用の
開口部10aと、ウエハ載置手段20を固定する為の底
部10bに設けた図示しない雌螺子部と、冷却室10の
外部に配設された図示しない冷却ガス供給装置にガス供
給手段30を延設する為の底部10bに設けた図示しな
い第一貫通孔と、排気手段40を固定する為の底部10
bに設けた図示しない第二貫通孔とを有する。
【0011】次に、前述したウエハ載置手段20につい
て説明する。本実施形態のウエハ載置手段20は、図1
及び図2に示すように、所定の間隔を設け且つ対向して
配設された略同等形状のアルミニウムから成る五枚の遮
熱板21と、これら遮熱板21各々の上面に配設された
ウエハ60を載置保持する為の石英から成る四つのウエ
ハ載置台22と、各遮熱板21を冷却室内で保持する円
柱状の脚23と、遮熱板21並びに脚23を冷却室内に
固定する螺子部材24とで構成される。
【0012】ここで、その遮熱板21は、図2に示すよ
うに、略矩形であって後述するが如く配設されたガス供
給手段30側の角部を切除した形状に成形される。この
ように角部を切除した形状とすることによってガス供給
手段30をウエハ60に近づけて配設することができ、
これが為、冷却室10の小型化を図ることができる。更
には、供給された冷却ガスを冷却室内の雰囲気温度で温
められる前にウエハ60に到達させることができる。
【0013】また、このような形状から成る各遮熱板2
1の四隅には、螺子部材24を挿通する為の図示しない
略円形の貫通孔が形成される。この場合、その貫通孔の
径は、螺子部材24の軸径よりも僅かに大きく設定され
る。尚、貫通孔相互間の位置バラツキ(形成時の誤差)
を考慮して、四つの貫通孔の内の何れかを長孔や更に大
きな丸孔としてもよい。
【0014】以上のように成形された相互に対向する遮
熱板21は、少なくとも冷却室10の中にウエハ60を
出入する図示しないウエハ搬送ロボットのアーム(ウエ
ハ60を保持して搬送するアーム)が動作できるだけの
間隔に設定される。
【0015】続いて、前述したウエハ載置台22は、図
3に示すように、遮熱板21上に固設する断面略矩形の
載置台主体22aと、この載置台主体22a上に突設し
てウエハ60の周縁部下面を保持するウエハ保持部22
bとで構成され、本実施形態においては一体的に成形さ
れる。ここで、ウエハ保持部22bは、図2に示すよう
に、その断面(図2の紙面と平行な断面)がウエハ60
の周縁部形状と略同等の円周状に成形される。これが
為、ウエハ60を必要最低限の面積で保持することがで
き、保持面積増大によって発生するパーティクルを防止
することができる。更には、ウエハ60とウエハ載置台
22との間の急激な熱移動によって発生するスリップを
防止することができる。このように成形されたウエハ載
置台22は、図2に示すように、ウエハ60の周縁部に
対応し且つ略等間隔で周方向に四つ配設される。尚、図
2は最上部のウエハ60の載置状態を示しているが、他
のウエハ60にあっても同様の形態で四つのウエハ載置
台22に載置されている。
【0016】このように載置された各ウエハ60の間に
は前述した遮熱板21が介在しているので、本実施形態
に係るウエハ載置手段20は、ウエハ60からの輻射熱
に起因するウエハ60相互間の熱干渉を防止することが
でき、これが為、冷却効率の向上を図ることが可能とな
る。
【0017】続いて、前述した脚23には、円柱の軸方
向に螺子部材24を挿通する為に、その螺子部材24の
軸径よりも大きな径の図示しない貫通孔が形成されてい
る。ここで、この脚23は、その貫通孔を前述した各遮
熱板21の四隅の貫通孔に対応させて配設される。この
場合、一番下側に配設された四つの脚23の下端面は、
前述したが如く冷却室10の底部10bに形成された雌
螺子部に対応させて配設される。
【0018】以上の如く構成され且つ配設されたウエハ
載置手段20は、螺子部材24を一番上側の遮熱板21
の上方から各遮熱板21並びに各脚23の貫通孔に挿通
し、冷却室10の雌螺子部に螺合することによって冷却
室内に固定される。
【0019】次に、前述したガス供給手段30について
説明する。本実施形態のガス供給手段30は、冷却ガス
供給装置から送出された冷却ガスを冷却室内に導入する
ガス導入管31と、このガス導入管31に連通接続し且
つ冷却ガスをウエハ60に向けて供給するブレークフィ
ルタ32とで構成される。
【0020】ここで、そのガス導入管31は、前述した
冷却室10の底部10bに形成された第一貫通孔を介し
て冷却室内に立設され、その一端がブレークフィルタ3
2の内部に連通接続される。
【0021】また、ブレークフィルタ32は、その内部
に例えばアルミナから成る多孔質部材が具備された柱状
のものであり、前述したガス導入管31の一端に連通接
続されて立設される。このようなブレークフィルタ32
は、ガス導入管31から冷却ガスが導入されると、多孔
質部材にて冷却ガス中の不純物を濾過してその冷却ガス
を外殻部に設けられた例えば供給孔等のガス供給部から
ウエハ60に供給する。ここで、ブレークフィルタ32
は、その外殻部が図1に示すが如く冷却室内に搬入され
た全てのウエハ60の外殻部と対向した位置に配設され
ているので、全てのウエハ60の表面上に均一に冷却ガ
スが流れ、これにより各ウエハ60を均等に冷却するこ
とができる。
【0022】以上の如く構成されたガス供給手段30
は、図2に示すが如く前述したウエハ載置手段20の一
方側に所定の間隔を設けて二つ配設される。ここで、本
実施形態にあっては各ガス供給手段30を冷却室10の
開口部10a側に配設しているので、その開口部10a
からウエハ60を搬入する為に、各ガス供給手段30間
の配設間隔をウエハ60の直径よりも大きく設定してい
る。
【0023】次に、前述した排気手段40について説明
する。本実施形態の排気手段40は、断面環状の筒体か
ら成る排気管であって、図1及び図2に示すが如くウエ
ハ載置手段20を挟んでガス供給手段30の反対側に配
設される。また、その一端は前述した冷却室10の底面
に形成された第二貫通孔に嵌合され、他端は冷却室10
の外部に配設される。このように排気手段40を設ける
ことによって、冷却室内での冷却ガスの滞留を防止する
ことができ,且つウエハ60の表面上にてブレークフィ
ルタ32から供給された冷却ガスの流れ(ラミナフロ
ー)を形成することができる。更には、このようにして
ウエハの表面上での冷却ガスの流速を稼ぐことができる
ので、冷却効率の向上を図ることができる。
【0024】次に、前述したゲートバルブ50について
説明する。本実施形態のゲートバルブ50は、略矩形の
板状体から成り、ウエハ60が搬入された後で冷却室1
0の開口部10aを閉塞するものである。このゲートバ
ルブ50は、開口部10aを開放若しくは閉塞する為、
上下方向(図1に示す矢印X方向)に移動自在に構成さ
れる。例えば、ゲートバルブ50の側部上下方向にラッ
クを設け、モータの駆動力で回転するピニオンをラック
に係合させることによって、ゲートバルブ50の上下移
動を可能にする。
【0025】以上の如く構成された基板処理装置は、大
気圧下でのウエハ搬送路に反応室とは別体で(具体的に
は反応室内と連通させずに)設けられ、その反応室から
取り出されたウエハ60を受け取って冷却処理を行う。
【0026】以下に、その基板処理装置によるウエハ6
0の冷却動作を説明する。本実施形態では、冷却ガスと
して不活性ガス、具体的には窒素ガスを用いる。
【0027】ここでは冷却室内が大気圧下にある場合の
冷却処理を例示する。
【0028】この基板処理装置は、先ずゲートバルブ5
0を下降させて冷却室10の開口部10aを開放する。
そして、図示しないウエハ搬送ロボットがその開口部1
0aから加熱されたウエハ60を搬入し、ウエハ載置手
段20のウエハ保持部22bに載置する。ここで、本実
施形態にあってはウエハ載置手段20に五枚のウエハ6
0を載置することができるので、ウエハ搬送ロボット
は、ウエハ60の搬入動作を五回繰り返して冷却室内に
五枚のウエハ60を収納する。このようにして全てのウ
エハ60が搬入されると、基板処理装置は、ゲートバル
ブ50を上昇させて開口部10aを閉塞する。
【0029】しかる後、冷却ガス供給装置から冷却ガス
が送出され、この冷却ガスがガス導入管31,ブレーク
フィルタ32を通って冷却室内に供給される。そして、
供給された冷却ガスが図1に示す矢印Gの如く各ウエハ
60の表面上を流れて加熱された各ウエハ60の冷却が
行われる。この場合、冷却後の冷却ガスは、排気手段4
0から排気されて図示しない排気ダクトへと導かれる。
【0030】ここで、冷却ガスの排気経路(例えば排気
手段40)に図示しない排気ポンプを設けて冷却室内を
減圧状態(即ち前述した従来例と同等の減圧状態)にし
た場合について例示する。前述した従来例にあっては冷
却室内が減圧下にある為、冷却ガスが有効に流れず、ウ
エハ60を冷却するのに時間を要した。しかしながら、
このように排気ポンプを設けて冷却後の冷却ガスを強制
的に排出することによって、前述した大気圧下での冷却
処理のようにウエハ60表面上でのラミナフローを形成
することができるので、好適な冷却効率を得ることがで
きる。即ち、減圧下であっても高い冷却効率を維持する
ことができる。
【0031】以上の如く冷却処理が終了したウエハ60
は、ゲートバルブ50を下降させて開放した開口部10
aからウエハ搬送ロボットによって搬出され、次工程に
移送される。
【0032】ここで、本実施形態の如く基板処理装置が
反応室とは別個に設けられているので、例えば冷却処理
工程に係る時間と次工程に係る時間とに差がある場合
(特に次工程に係る時間の方が長い場合)には、本実施
形態の基板処理装置内にウエハ60を貯めておき、次工
程にて冷却処理後のウエハ60の受け入れが可能になっ
たときに搬出することができる。また同様に、ウエハ搬
送ロボットが他工程にて使用されている場合にあって
も、そのウエハ搬送ロボットが空くまで基板処理装置内
にウエハ60を貯めておくことができる。このように基
板処理装置自体を、ウエハ60を貯留する為のウエハバ
ッファとしても使用することができ、反応室等の他の装
置の停滞時間を短縮することができるので、成膜処理,
冷却処理等の各工程全体での処理時間を短縮することが
可能となる。
【0033】尚、本実施形態においては冷却室内に五枚
のウエハ60全てを収納して冷却処理を行ったが、必ず
しもこれに限定するものではなく、適宜ウエハ60の収
納枚数を変えてもよい。また、冷却室内に収納するウエ
ハ60は、最大五枚に限定するものではなく、適宜好適
なウエハ載置手段20を装備して収納枚数を設定すれば
よい。
【0034】ここで、そのウエハ載置手段20は、必ず
しも本実施形態のものに限定するものではなく、例えば
遮熱板21は円盤状のものでもよく、またウエハ載置台
22はウエハ保持部22bのみで構成してもよい。
【0035】続いて、ガス供給手段30並びに排気手段
40は、必ずしも本実施形態の数量に限定するものでは
なく、更にはその配設位置にあっても本実施形態の態様
に限定するものではない。
【0036】ここで、本実施形態においては冷却ガスと
して窒素ガスを用いたが、必ずしもこれに限定するもの
ではなく、ヘリウムガス等の他の冷却ガスを用いてもよ
い。例えばヘリウムガスを用いた場合には、窒素ガスと
比して更なる熱置換効率の向上を図ることが可能とな
り、各ウエハ60の冷却効率をより向上させることがで
きる。
【0037】
【発明の効果】本発明に係る基板処理装置は、反応室の
内部に連通していないので、装置内が大気圧下にある
か,若しくは減圧下にあるかに拘らず冷却処理を行うこ
とができ、またウエハバッファとしても使用でき、反応
室等の他の装置の停滞時間を短縮することが可能となる
ので、成膜処理,冷却処理等の各工程全体での処理時間
を短縮することができる。更に、基板を間に置いてガス
供給手段と排気手段とを配設しているので、基板表面上
でのラミナフローの形成が可能となり、急速に冷却する
ことができる、という従来にない優れた基板処理装置を
得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の一実施形態の構成
を示す図であって、側面から見た部分断面側面図であ
る。
【図2】本実施形態の基板処理装置を示す図であって、
冷却室の上部を除いて見た上面図である。
【図3】図2に示すA−A線から見た断面図である。
【図4】従来の冷却装置の概念を示す部分断面図であ
る。
【符号の説明】
10 冷却室 10a 開口部 20 ウエハ載置手段(基板載置手段) 30 ガス供給手段 32 ブレークフィルタ 40 排気手段 50 ゲートバルブ 60 ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4K030 DA08 EA06 EA11 KA08 KA26 5F031 CA02 DA17 HA02 HA09 HA12 HA38 NA04 NA09 5F045 BB08 DP19 EB08 EJ02 EN04

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の成膜処理を行う反応室とは別個独
    立して設けた冷却対象物たる前記基板の出入用の開口部
    を有する冷却室と、該冷却室の内部に配設し且つ搬入さ
    れた前記基板を少なくとも一つ載置保持する基板載置手
    段と、該基板載置手段に載置された基板の外殻部側から
    当該基板の面に対して略平行に冷却ガスを供給するブレ
    ークフィルタを備えたガス供給手段と、前記基板を挟ん
    で前記ガス供給手段の略反対側に配設する排気手段と、
    前記冷却室の開口部を閉塞する移動自在なゲートバルブ
    とを有することを特徴とした基板処理装置。
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