JP2001284334A - 基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハの冷却時間を短縮する。 【解決手段】 搬送チャンバとカセットチャンバとクー
リングチャンバとＣＶＤチャンバとを備えたマルチチャ
ンバ型ＣＶＤ装置によりウエハに成膜処理を実施する成
膜処理方法において、クーリングチャンバの冷却装置３
０の冷却室３２にウエハ１をその下面外周辺の一部に下
から係合して保持する三段の保持棚３６Ａ、３６Ｂ、３
６Ｃを上中下段に整列して形成し、中段保持棚３６Ｃに
は吸熱用ウエハ３７を予め装着しておく。冷却に際し
て、ＣＶＤチャンバで成膜された二枚のウエハ１、１は
上段保持棚３６Ａと下段保持棚３６Ｃにウエハ移載装置
１８のツィーザ１８ａによって移載され、中段保持棚３
６Ｂの吸熱用ウエハ３７で熱交換されることにより、強
制的に冷却される。 【効果】 ウエハの冷却時間を短縮することでスループ
ットを向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理方法、特
に、被処理基板の冷却技術に関し、例えば、半導体装置
の製造工場において、シリコンウエハ（以下、ウエハと
いう。）に酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）や窒化シリコン
（ＳｉＮｘ）および金属等を成膜するマルチチャンバ型
ＣＶＤ装置に利用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工場において、ウエハ
に酸化シリコンや窒化シリコンおよび金属等を成膜する
のに、次のようなマルチチャンバ型ＣＶＤ装置が使用さ
れることがある。すなわち、このマルチチャンバ型ＣＶ
Ｄ装置は、ウエハに酸化シリコンや窒化シリコンおよび
金属等を成膜するための二基のＣＶＤチャンバと、ウエ
ハを冷却するための二基のクーリングチャンバと、複数
枚のウエハを保持したカセットを収容するための二基の
カセットチャンバとを備えており、これらのチャンバが
ウエハを搬送して各チャンバに搬入搬出するためのウエ
ハ移載装置が設置された搬送チャンバの周りに配置され
て構成されている。

【０００３】そして、このマルチチャンバ型ＣＶＤ装置
においては、クーリングチャンバの壁体の内部に冷却水
を流通させてチャンバ自体を強制冷却させつつ、クーリ
ングチャンバに冷媒として窒素ガスを流してウエハを強
制冷却させるウエハ冷却方法が、採用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たマルチチャンバ型ＣＶＤ装置のウエハ冷却方法におい
ては、被冷却物であるウエハと冷媒である窒素ガスとの
熱交換効率が低いため、ウエハを冷却することができな
いばかりでなく、ウエハの熱をチャンバ壁に吸収させる
ためにウエハとチャンバ壁との距離を短縮してもウエハ
の熱を吸収することができない。その結果、ウエハの冷
却時間が長くなるため、スループットを向上することが
できない。

【０００５】本発明の目的は、被処理基板の冷却時間を
短縮することができる基板処理方法を提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
の手段は、被処理基板を吸熱部材に隣合うように配置し
て被処理基板の熱を吸熱部材によって吸熱させることを
特徴とする。

【０００７】前記した手段によれば、被処理基板の熱を
吸熱部材によって効率よく吸収することができるため、
被処理基板を効果的に冷却することができる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。

【０００９】本実施の形態において、本発明に係る基板
処理方法は、半導体装置の製造工場においてウエハに酸
化シリコンや窒化シリコン等の絶縁膜を成膜したり、ウ
エハに五酸化タンタル（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）やルテニウム（Ｒ
ｕ）等の金属膜を成膜するものとして使用されており、
マルチチャンバ型ＣＶＤ装置によって実施される。

【００１０】図１および図２に示されているように、マ
ルチチャンバ型ＣＶＤ装置１０は五角形の筒形状に形成
された搬送チャンバ１１を備えており、その底辺には第
一カセットチャンバ１２および第二カセットチャンバ１
３が隣接してそれぞれ配置されている。搬送チャンバ１
１の一対の対辺には第一クーリングチャンバ１４および
第二クーリングチャンバ１５がそれぞれ配置されてお
り、その一対の斜辺には第一ＣＶＤチャンバ１６および
第二ＣＶＤチャンバ１７がそれぞれ配置されている。搬
送チャンバ１１の内部にはウエハを各チャンバ１２〜１
７に対して搬入搬出するための搬送装置としてのウエハ
移載装置１８が設備されている。第一カセットチャンバ
１２および第二カセットチャンバ１３と搬送チャンバ１
１との間にはゲートバルブ１９がそれぞれ介設されてい
る。

【００１１】マルチチャンバ型ＣＶＤ装置１０は各チャ
ンバやウエハ移載装置等を制御するための図３に示され
た制御システム２０を備えている。図３に示されている
ように、制御システム２０はパーソナルコンピュータや
ＦＡコンピュータ等から構築されたメインコントローラ
２１を備えており、メインコントローラ２１にはフロー
パネルやキーボード、タッチパネル、マウス、ディスプ
レイ、プリンタおよび音声警報装置等の入出力装置２２
が接続されている。

【００１２】メインコントローラ２１には各種のサブコ
ントローラ２３〜２７が接続されている。圧力制御サブ
コントローラ２３は搬送チャンバ１１やカセットチャン
バ１２、１３等の圧力を排気装置（図示せず）を介して
制御するようになっている。クーリングチャンバサブコ
ントローラ２４は両クーリングチャンバ１４、１５の温
度を熱交換器等を介して制御するようになっている。第
一ＣＶＤチャンバサブコントローラ２５および第二ＣＶ
Ｄチャンバサブコントローラ２６は第一ＣＶＤチャンバ
１６および第二ＣＶＤチャンバ１７をヒータや原料ガス
供給装置等を介して制御するようになっている。移載装
置サブコントローラ２７はウエハ移載装置１８を電動モ
ータ等を介して制御するようになっている。

【００１３】メインコントローラ２１には記憶装置２８
が接続されており、記憶装置２８には搬送制御において
使用されるフローやテーブル等が記憶されるようになっ
ている。また、メインコントローラ２１は半導体装置の
製造工程を統括的に管理かつ生産制御するためのホスト
コンピュータ２９に接続されており、ホストコンピュー
タ２９からは成膜や冷却および搬送等の制御に必要な新
規ロットのレシピ番号等の情報を入手するようになって
いる。

【００１４】本実施の形態において、第一クーリングチ
ャンバ１４および第二クーリングチャンバ１５はいずれ
も図４に示された冷却装置３０によって構成されてい
る。すなわち、図４に示されているように、冷却装置３
０は平面視がウエハ１の外径よりも大径の正方形（図１
参照）の箱形状に形成された筐体３１を備えており、筐
体３１の内部室は冷却室３２を形成している。筐体３１
の一側壁の中間高さ位置にはウエハ１を出し入れするた
めのウエハ搬入搬出口３３が二枚のウエハ１、１を通過
させ得るように開設されており、搬入搬出口３３は搬送
チャンバ１１の内部室と冷却室３２とを連通させるよう
になっている。筐体３１の壁体３４内には冷却水が循環
する冷却水路３５が配管されており、冷却室３２は冷却
水路３５を循環する冷却水によって冷却されるようにな
っている。

【００１５】冷却室３２の内部には三段の保持棚３６
Ａ、３６Ｂ、３６Ｃが同一の垂直軸上において上中下段
に整列されており、上中下段の保持棚３６Ａ、３６Ｂ、
３６Ｃはウエハ１をその下面外周辺の一部に下から係合
することによってそれぞれ一枚ずつ保持するように構成
されている。上から一段目の保持棚（以下、上段保持棚
という。）３６Ａと上から二段目の保持棚（以下、中段
保持棚という。）３６Ｂとの間隔、および、中段保持棚
３６Ｂと上から三段目の保持棚（以下、下段保持棚とい
う。）３６Ｃとの間隔は、後記する二枚葉式ＣＶＤ装置
４０の保持治具４３の上下の間隔の略半分とそれぞれ等
しくなるように設定されている。そして、本実施の形態
において、中段保持棚３６Ｂには吸熱部材としての成膜
処理されないウエハ（以下、吸熱用ウエハという。）３
７が予め挿入されて保持されるようになっている。

【００１６】本実施の形態において、第一ＣＶＤチャン
バ１６および第二ＣＶＤチャンバ１７はいずれもホット
ウォール型二枚葉式減圧ＣＶＤ装置（以下、二枚葉式Ｃ
ＶＤ装置という。）によってそれぞれ構成されている。

【００１７】図５に詳しく示されているように、二枚葉
式ＣＶＤ装置４０は耐熱性が有り重金属汚染等を防止可
能な材料の一例である石英ガラスによって形成されたプ
ロセスチューブ４１を備えている。プロセスチューブ４
１は両端が開口した角筒形状に形成されており、中心線
が水平になるように横置きされている。プロセスチュー
ブ４１の内部室は処理室４２を実質的に形成しており、
処理室４２の内部には保持治具４３が配置されている。
保持治具４３はプロセスチューブ４１と同様に石英ガラ
スによって形成されており、二枚のウエハ１、１を上段
と下段とで水平に保持するように構成されている。

【００１８】プロセスチューブ４１の外部には断熱槽４
４によって包囲されたヒータ４５がプロセスチューブ４
１の周囲を包囲するように装備されており、ヒータ４５
は処理室４２の内部を全体にわたって均一に加熱するよ
うに構成されている。

【００１９】プロセスチューブ４１の一端開口は被処理
基板としてのウエハ１を出し入れするための炉口を実質
的に構成しており、炉口にはゲートバルブ４６が装着さ
れた炉口部材４７が連結されている。プロセスチューブ
４１の炉口部材４７は搬送チャンバ１１に隣接して連結
されており、ウエハ１は搬送チャンバ１１の内部室と処
理室４２との間をゲートバルブ４６の開閉によって搬入
搬出されるようになっている。また、プロセスチューブ
４１の他端開口は炉端口を実質的に構成しており、炉端
口には開口を塞ぐ炉端部材４８が連結されている。

【００２０】炉口部材４７および炉端部材４８の上側壁
には、複数個のガス供給口４９が長手方向に並べられて
開設された炉口側ガス供給口部材５０Ａおよび炉端側ガ
ス供給口部材５０Ｂがそれぞれ取り付けられており、炉
口側ガス供給口部材５０Ａには炉口側ガス供給路５１Ａ
が接続され、炉端側ガス供給口部材５０Ｂには炉端側ガ
ス供給路５１Ｂが接続されている。炉口側ガス供給路５
１Ａと炉端側ガス供給路５１Ｂとはいずれも方向制御弁
５２を介して原料ガス供給装置５３に接続されている。
方向制御弁５２は原料ガスの供給を炉口側ガス供給路５
１Ａと炉端側ガス供給路５１Ｂとの間で切り換えるよう
に構成されている。

【００２１】炉口部材４７の下側壁および炉端部材４８
の下側壁には炉口側排気口５４Ａおよび炉端側排気口５
４Ｂがそれぞれ開設されており、炉口側排気口５４Ａお
よび炉端側排気口５４Ｂには炉口側排気路５５Ａおよび
炉端側排気路５５Ｂがそれぞれ接続されている。炉口側
排気路５５Ａおよび炉端側排気路５５Ｂには開閉を切り
換える炉口側切換弁５６Ａおよび炉端側切換弁５６Ｂが
それぞれ介設されており、炉口側排気路５５Ａおよび炉
端側排気路５５Ｂは炉口側切換弁５６Ａおよび炉端側切
換弁５６Ｂの下流側においてメイン排気路５７に接続さ
れている。メイン排気路５７は真空ポンプ等によって構
成された排気装置５９に可変流量制御弁５８を介して接
続されている。方向制御弁５２や原料ガス供給装置５
３、炉口側切換弁５６Ａおよび炉端側切換弁５６Ｂ等は
第一ＣＶＤチャンバサブコントローラ２５および第二Ｃ
ＶＤチャンバサブコントローラ２６によって制御される
ように構成されている。

【００２２】本実施の形態において、ウエハ移載装置１
８はスカラ形ロボット（selective compliance assembl
y robot arm ＳＣＡＲＡ）によって構成されており、
図４（ａ）に示されているように、二枚のツィーザ１８
ａ、１８ａによって二枚のウエハ１、１を同時に搬送す
るようになっている。

【００２３】以下、本発明の一実施の形態であるウエハ
の成膜処理方法を前記構成に係るマルチチャンバ型ＣＶ
Ｄ装置１０を使用した場合について説明する。

【００２４】なお、説明の便宜上、第一ＣＶＤチャンバ
１６および第二ＣＶＤチャンバ１７のいずれにおいても
ゲート用絶縁膜としての五酸化タンタル（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）
膜がウエハ１に形成されるものとし、第一カセットチャ
ンバ１２、第一クーリングチャンバ１４および第一ＣＶ
Ｄチャンバ１６が使用される場合について代表的に説明
する。

【００２５】これから五酸化タンタルを成膜されるウエ
ハ１は二十五枚がキャリア治具としてのカセット２に収
納された状態で、第一カセットチャンバ１２に供給され
る。第一カセットチャンバ１２のカセット２に収納され
たウエハ１は二枚がウエハ移載装置１８によってピック
アップされて搬出され、第一ＣＶＤチャンバ１６に搬送
される。すなわち、カセット２に保持された二十五枚の
ウエハのうち二枚のウエハ１、１が、ウエハ移載装置１
８の上下二段のツィーザ１８ａ、１８ａによってピック
アップされて、移載装置サブコントローラ２７の制御に
よるウエハ移載装置１８の作動によって第一ＣＶＤチャ
ンバ１６に搬送される。

【００２６】ウエハ移載装置１８によって第一ＣＶＤチ
ャンバ１６に搬送された二枚のウエハ１、１は二枚葉式
ＣＶＤ装置４０の処理室４２に炉口から搬入されて、二
枚のツィーザ１８ａ、１８ａから保持治具４３に受け渡
され、図５に示されているように、保持治具４３によっ
て上下二段で水平に保持される。

【００２７】一方、二枚葉式ＣＶＤ装置４０において、
炉口側切換弁５６Ａまたは炉端側切換弁５６Ｂが開かれ
ることによって、処理室４２の内部が所定の真空度（例
えば、５０〜５００Ｐａ）に排気装置５９によって排気
される。また、処理室４２の内部がヒータ４５によって
所定の温度（例えば、約４００℃）に全体にわたって均
一に加熱される。

【００２８】次いで、Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜を形成するための原
料ガスとして、ペンタエトキシタンタル〔Ｔａ（ＯＣ₂
Ｈ₅ ）₅ 〕と酸素（Ｏ₂ ）との混合ガスが処理室４２の
内部に原料ガス供給装置５３によって供給される。処理
室４２に流入した原料ガスは保持治具４３に保持された
二枚のウエハ１、１に接触しながら処理室４２を流れ
て、炉口側排気口５４Ａまたは炉端側排気口５４Ｂから
排気される。ウエハ１に接触した原料ガスは熱エネルギ
ーによって化学反応が進んだ状態になっているため、原
料成分によるＣＶＤ反応によってＴａ₂ Ｏ₅ 膜がウエハ
１に堆積（デポジション）される。

【００２９】ちなみに、ＣＶＤ膜をウエハ１の全体にわ
たって均一に形成させるために、原料ガスの供給が炉口
側ガス供給路５１Ａと炉端側ガス供給路５１Ｂとの間で
方向制御弁５２によって適宜に切り換えられ、同時に、
排気が炉口側排気路５５Ａと炉端側排気路５５Ｂとの間
で炉口側切換弁５６Ａと炉端側切換弁５６Ｂとによって
切り換えられる。

【００３０】所定の時間が経過すると、原料ガス供給装
置５３の原料ガスの供給が第一ＣＶＤチャンバサブコン
トローラ２５の制御によって停止され、ゲートバルブ４
６が第一ＣＶＤチャンバサブコントローラ２５の制御に
よって開放される。保持治具４３上の成膜された二枚の
ウエハ１、１は移載装置サブコントローラ２７の制御に
よるウエハ移載装置１８の上下二段のツィーザ１８ａ、
１８ａの作動によって保持治具４３からピックアップさ
れて処理室４２から搬出される。

【００３１】二枚葉式ＣＶＤ装置４０の処理室４２から
ウエハ移載装置１８の上下二段のツィーザ１８ａ、１８
ａによって搬出された二枚のウエハ１、１はそのままの
状態で、第一ＣＶＤチャンバ１６から第一クーリングチ
ャンバ１４に移載装置サブコントローラ２７の制御によ
るウエハ移載装置１８の作動によって搬送される。

【００３２】図４に示されているように、第一クーリン
グチャンバ１４に搬送された二枚のウエハ１、１は第一
クーリングチャンバ１４の冷却装置３０の上段保持棚３
６Ａおよび下段保持棚３６Ｃにそれぞれ受け渡される。
二枚のウエハ１、１を上段保持棚３６Ａおよび下段保持
棚３６Ｃに受け渡すと、二段のツィーザ１８ａ、１８ａ
は移載装置サブコントローラ２７の制御によるウエハ移
載装置１８の作動によって後退され、第一カセットチャ
ンバ１２に移動される。

【００３３】一方、二枚のウエハ１、１を上段保持棚３
６Ａおよび下段保持棚３６Ｃが保持すると、上段保持棚
３６Ａおよび下段保持棚３６Ｃによって保持されたウエ
ハ１、１は中段保持棚３６Ｂに予め装着されて保持され
た吸熱用ウエハ３７によって熱交換されることにより、
強制的に冷却される。なお、吸熱用ウエハ３７は汚染の
度合い等によって定期的または不定期的に交換される。
この交換に際して、吸熱用ウエハ３７が使用されている
と、ウエハ移載装置１８によって被処理ウエハ１の搬入
搬出に準じて中段保持棚３６Ｂに搬入搬出することがで
きる。

【００３４】所定の冷却時間が経過すると、上段保持棚
３６Ａおよび下段保持棚３６Ｃ上の冷却された二枚のウ
エハ１、１は移載装置サブコントローラ２７の制御によ
るウエハ移載装置１８の上下二段のツィーザ１８ａ、１
８ａの作動によって上段保持棚３６Ａおよび下段保持棚
３６Ｃからピックアップされて冷却室３２から搬出され
る。

【００３５】冷却装置３０の冷却室３２からウエハ移載
装置１８の上下二段のツィーザ１８ａ、１８ａによって
搬出された二枚のウエハ１、１はそのままの状態で、第
一クーリングチャンバ１４から第一カセットチャンバ１
２に移載装置サブコントローラ２７の制御によるウエハ
移載装置１８の作動によって搬送される。

【００３６】そして、第一カセットチャンバ１２に搬送
された二枚のウエハ１、１は、第一カセットチャンバ１
２の元のカセット２における元のスロットに上下二段の
ツィーザ１８ａ、１８ａからそれぞれ受け渡される。以
降、前述した作動が繰り返される。

【００３７】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、ウエハの熱を吸熱用ウエハによって効率よく吸収す
ることができるため、ウエハを効果的に冷却することが
できる。また、吸熱部材として処理しないウエハを使用
することにより、被処理ウエハが吸熱部材によって汚染
されるのを防止することができる。

【００３８】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。

【００３９】例えば、吸熱部材としては処理しないウエ
ハを使用するに限らず、アルミニウムやステンレスおよ
び石英等の材料を使用してウエハの形状に形成された専
用の吸熱部材を使用してもよい。専用の吸熱部材を使用
する場合には、吸熱性の高い黒色被膜（黒アルマイト）
等の使用も考えられるが、被処理ウエハに対する汚染対
策を配慮することが望ましい。

【００４０】吸熱部材は被処理ウエハの片脇に隣り合わ
せに配置するに限らず、両脇に隣り合わせに配置しても
よい。

【００４１】クーリングチャンバは二基設置するに限ら
ず、一基でもよいし三基以上設置してもよい。

【００４２】処理チャンバは二枚葉式ＣＶＤ装置によっ
て構成するに限らず、一枚葉式ＣＶＤ装置やプラズマＣ
ＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置
等によって構成してもよい。

【００４３】前記実施の形態においてはクーリングチャ
ンバを備えたマルチチャンバ型ＣＶＤ装置を使用した基
板処理方法に適用した場合について説明したが、本発明
はこれに限らず、カセットチャンバの代わりにウエハ載
置チャンバを設け、チャンバ外に置かれたカセットから
ウエハのみをウエハ載置チャンバに搬入搬出させるクー
リングチャンバを備えないＣＶＤ装置にも適用すること
ができ、また、枚葉クラスタ式スパッタリング装置やマ
ルチチャンバ型ドライエッチング装置等の基板処理装置
を使用した基板処理方法全般に適用することができる。

【００４４】前記実施の形態においては、半導体装置の
製造方法の前工程に使用される場合について説明した
が、ＬＣＤの製造方法に使用される場合にも適用するこ
とができる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、被処理基板の熱を
吸熱部材によって効率よく吸収することができるため、
被処理基板を効果的に冷却することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態であるウエハ成膜処理方
法が実施されるマルチチャンバ型ＣＶＤ装置を示す概略
平面図である。

【図２】その側面図である。

【図３】その制御システムを示すブロック図である。

【図４】冷却装置を示しており、（ａ）は正面断面図、
（ｂ）は主要部の斜視図である。

【図５】二枚葉式ＣＶＤ装置を示す正面断面図である。

【符号の説明】

１…ウエハ（被処理基板）、２…カセット、１０…マル
チチャンバ型ＣＶＤ装置（基板処理装置）、１１…搬送
チャンバ、１２…第一カセットチャンバ、１３…第二カ
セットチャンバ、１４…第一クーリングチャンバ、１５
…第二クーリングチャンバ、１６…第一ＣＶＤチャン
バ、１７…第二ＣＶＤチャンバ、１８…ウエハ移載装
置、１９…ゲートバルブ、２０…制御システム、２１…
メインコントローラ、２２…入出力装置、２３…圧力制
御サブコントローラ、２４…クーリングチャンバサブコ
ントローラ、２５…第一ＣＶＤチャンバサブコントロー
ラ、２６…第二ＣＶＤチャンバサブコントローラ、２７
…移載装置サブコントローラ、２８…記憶装置、２９…
ホストコンピュータ、３０…二枚用の冷却装置、３１…
筐体、３２…冷却室、３３…ウエハ搬入搬出口、３４…
壁体、３５…冷却水路、３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃ…保持
棚、３７…吸熱用ウエハ（吸熱部材）、４０…二枚葉式
ＣＶＤ装置（ホットウォール型二枚葉式減圧ＣＶＤ装
置）、４１…プロセスチューブ、４２…処理室、４３…
保持治具、４４…断熱槽、４５…ヒータ、４６…ゲート
バルブ、４７…炉口部材、４８…炉端部材、４９…ガス
供給口、５０Ａ…炉口側ガス供給口部材、５０Ｂ…炉端
側ガス供給口部材、５１Ａ…炉口側ガス供給路、５１Ｂ
…炉端側ガス供給路、５２…方向制御弁、５３…原料ガ
ス供給装置、５４Ａ…炉口側排気口、５４Ｂ…炉端側排
気口、５５Ａ…炉口側排気路、５５Ｂ…炉端側排気路、
５６Ａ…炉口側切換弁、５６Ｂ…炉端側切換弁、５７…
メイン排気路、５８…可変流量制御弁、５９…排気装
置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 GA02 GA12 KA26 5F031 CA02 DA01 FA01 FA09 FA11 FA12 GA03 GA47 GA48 HA09 HA38 MA04 MA28 NA05 5F045 AA06 AB31 AB32 AB33 AC09 AC11 AD08 BB14 DP11 DQ17 EB02 EB08 EB09 EJ02 EM10 EN04 HA24

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を吸熱部材に隣合うように配
   置して被処理基板の熱を吸熱部材によって吸熱させるこ
   とを特徴とする基板処理方法。