TWI637440B - Substrate processing system, manufacturing method of semiconductor device, program, and recording medium - Google Patents

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油谷幸則
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Abstract

本發明抑制因處理室之狀況而發生流體供給裝置內之流體之溫度變動之情形。
本發明之基板處理裝置具有：處理室，於其中對基板進行處理；流體供給部，其向處理室供給既定溫度之流體；流體供給管，其自流體供給部向處理室供給流體；第1流體排出管，其將流體自處理室向流體供給部排出；第2流體排出管，其設置有熱交換部，且將流體自流體供給管向流體供給部排出；流路切換部，其設置於流體供給管與第2流體排出管之連接部；以及控制部，其連接於流體供給部及流路切換部。

Description

基板處理系統、半導體裝置之製造方法、程式及記錄媒體
本揭示係關於一種基板處理系統、半導體裝置之製造方法、程式及記錄媒體。
若使向數個處理室中之一個處理室供給之流體之流量變化，則流體供給裝置(恆溫水循環裝置)內之恆溫槽之熱之收支改變，而向其他處理室循環之流體之溫度變動。於該變動對製程產生影響之情形時，需要等到流體之溫度穩定才能開始製程。
因處理室之狀況而有發生流體供給裝置內之流體之溫度變動之課題。
本揭示提供一種能夠抑制因處理室之狀況而發生流體供給裝置內之流體之溫度變動之技術。
根據一態樣，提供具有以下構件之技術：處理室，於其中對基板進行處理；流體供給部，其向處理室供給既定溫度之流體；流體供給管，其自流體供給部向處理室供給流體；第1流體排出管，其自處理室向流體供給部排出流體；第2流體排出管，其設置有熱交換部，且自流體供給管向流體供給部排出流體；流路切換 部，其設置於流體供給管與第2流體排出管之連接部；以及控制部，其連接於流體供給部及流路切換部。
根據本揭示之技術，能夠抑制因處理室之狀況而發生流體供給裝置內之流體之溫度變動。
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h‧‧‧腔室
110、110a、110b、110c、110d‧‧‧製程模組
111a、111b‧‧‧第1氣體供給管(處理氣體供給管)
112‧‧‧處理氣體共通管
113‧‧‧處理氣體源
114‧‧‧緩衝槽
115a、115b、125a、125b、125x、135a、135b、135x、145a、145b、145x、155a、155b、165a、165b、1530‧‧‧質量流量控制器(MFC)
116、116a、116b、126、126a、126b、136、136a、136b、176a、176b、186a、186b‧‧‧處理室側閥(氣體閥)
121a、121b‧‧‧第2氣體供給管(反應氣體供給管)
122‧‧‧反應氣體共通管
123‧‧‧反應氣體源
124‧‧‧遠距電漿單元(RPU)
131a、131b‧‧‧沖洗氣體(惰性氣體)供給管
132‧‧‧沖洗氣體(惰性氣體)共通管
133‧‧‧第1沖洗氣體(惰性氣體)源
141a、141b、151a、151b‧‧‧第2沖洗氣體供給管
143‧‧‧第2沖洗氣體(惰性氣體)源
146a、146b、156a、156b、227、237、237b、237x、237y、380、382、1540‧‧‧閥
160‧‧‧槽側閥(氣體閥)
170、170a、170b‧‧‧排氣閥
171a、171b‧‧‧排氣管線
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧間隔板
207‧‧‧頂起銷
210‧‧‧基板支持部
211、1311a、1311b‧‧‧載置面(基板載置面)
212、1320‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器(基座加熱器)
214‧‧‧貫通孔
215‧‧‧外周面
217、1850、1870、1880、1950、1970、1980‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧風箱
221‧‧‧排氣口
222、238‧‧‧壓力調整器
222a、1620‧‧‧APC(自動壓力控制器)
223‧‧‧真空泵
223a‧‧‧排氣泵
224、224a、224b‧‧‧處理室排氣管
225a‧‧‧共通氣體排出管
226a、226b‧‧‧傳導率調整部
231‧‧‧蓋
231a‧‧‧孔
232a‧‧‧第1緩衝空間(第1緩衝室)
232b‧‧‧第2緩衝空間(第2緩衝室)
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧簇射頭
234a‧‧‧第1分散孔(分散孔)
234b‧‧‧第2分散孔(分散孔)
234c‧‧‧第3分散孔
234d‧‧‧第4分散孔
235‧‧‧氣體導向器
236‧‧‧簇射頭排氣管
240a、240b‧‧‧簇射頭排氣口
241‧‧‧氣體導入孔
241a‧‧‧第1氣體導入口
241b‧‧‧第2氣體導入口(氣體導入孔)
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
260‧‧‧控制器
260a‧‧‧CPU
260b‧‧‧RAM
260c‧‧‧記憶裝置
260d‧‧‧I/O埠
260e‧‧‧內部匯流排
261‧‧‧輸入輸出裝置
262‧‧‧外部記憶裝置
263‧‧‧網路
300‧‧‧流體供給裝置
301‧‧‧第2流體排出管(流體排出管)
302、303、304、341、342、343、344‧‧‧流體排出管
305‧‧‧第3流體排出管(流體排出管)
310、1630‧‧‧泵
311‧‧‧熱交換部
312、313‧‧‧溫度檢測部
320‧‧‧加熱單元
330‧‧‧冷卻單元
351、352、353、354‧‧‧流體供給管
355、356、357、358‧‧‧流量控制器(流路切換部)
360‧‧‧循環槽
361、362‧‧‧溫度感測器
1000‧‧‧基板處理系統
1001‧‧‧箱
1100‧‧‧IO載台
1120‧‧‧頂蓋
1200‧‧‧大氣搬送室
1210‧‧‧開箱器
1220‧‧‧第1搬送機器人(大氣搬送機器人)
1230、1450‧‧‧升降機
1240‧‧‧線性致動器
1250‧‧‧潔淨單元
1270、1310、1410‧‧‧殼體
1280、1290、1340、1420、1480、1480e、2060e‧‧‧基板搬入搬出口 (基板出入口)
1300‧‧‧負載鎖定室
1330、1350、1490、1490a、1490b、1490c、1490d、1490e、1490f、1490g、1490h‧‧‧閘閥
1400‧‧‧真空搬送室
1430‧‧‧凸緣
1460‧‧‧惰性氣體供給孔
1470‧‧‧排氣孔
1500‧‧‧惰性氣體供給部
1510‧‧‧惰性氣體供給管
1520‧‧‧惰性氣體源
1600‧‧‧氣體排出部
1610‧‧‧排氣管
1700‧‧‧第2搬送機器人(真空搬送機器人)
1800、1900‧‧‧臂
1810、1820、1910、1920‧‧‧末端效應器
1830、1930‧‧‧叉架部分
1840、1940‧‧‧中間部分
1860、1960‧‧‧底端部分
2040a‧‧‧間隔壁
X1、X2、Y1、Y2‧‧‧方向
圖1係一實施形態之基板處理系統之橫截面之概略圖。
圖2係一實施形態之基板處理系統之縱截面之概略圖。
圖3係一實施形態之基板處理系統之真空搬送機器人之概略圖。
圖4係一實施形態之基板處理裝置之概略構成圖。
圖5係一實施形態之腔室之縱截面之概略圖。
圖6係一實施形態之基板處理系統之控制器之概略構成圖。
圖7係一實施形態之基板處理步驟之流程圖。
圖8係一實施形態之基板處理步驟之序列圖。
圖9係通常之基板處理系統及恆溫槽之概略構成圖。
圖10係一實施形態之基板處理系統及恆溫槽之概略構成圖。
圖11係一實施形態之基板處理系統與恆溫槽之熱交換與流量之關係圖。
圖12係一實施形態之維護步驟之流程圖。
圖13係表示一實施形態之基板處理系統及恆溫槽之變形例之概略構成圖。
圖14係表示一實施形態之基板處理系統及恆溫槽之另一變形 例之概略構成圖。
圖15係表示一實施形態之基板處理系統及恆溫槽之又一變形例之概略構成圖。
<第1實施形態>
以下，結合圖式對本揭示之第1實施形態進行說明。
以下，對本實施形態之基板處理系統進行說明。
(1)基板處理系統之構成
使用圖1至圖4對本發明之一實施形態之基板處理系統之概要構成進行說明。圖1係表示本實施形態之基板處理系統之構成例之橫截面圖。圖2係表示本實施形態之基板處理系統之構成例之圖1之α-α'之縱截面圖。圖3係說明圖1之臂之詳細狀況之說明圖。圖4係圖1之β-β'之縱截面圖，且係說明於供給製程模組之氣體供給系統之說明圖。圖5係說明設置於製程模組之腔室之說明圖。
於圖1及圖2中，本揭示所應用之基板處理系統1000係處理晶圓200者，且主要藉由IO載台1100、大氣搬送室1200、負載鎖定室1300、真空搬送室1400、及製程模組110構成。接下來，對各構成具體地進行說明。於圖1之說明中，關於前後左右，係將X1方向設為右，將X2方向設為左，將Y1方向設為前，將Y2方向設為後。
(大氣搬送室、IO載台)
於基板處理系統1000之近前，設置有IO載台(負載埠)1100。 於IO載台1100上搭載有數個箱(pod)1001。箱1001係使用作為搬送矽(Si)基板等基板200之載體，且以於箱1001內，分別以水平姿勢收納數個未處理之基板(晶圓)200或處理後之基板200之方式構成。
於箱1001設置有頂蓋(cap)1120，且藉由下述之開箱器(pod opener)1210而開關。開箱器1210係藉由開關載置於IO載台1100之箱1001之頂蓋1120，將基板出入口1280打開、關閉，而能夠實現相對於箱1001之基板200之進出。箱1001係藉由未圖示之步驟內搬送裝置(有軌小車(RGV，Rail Guided Vehicle))，而相對於IO載台1100被供給及排出。
IO載台1100係鄰接於大氣搬送室1200。大氣搬送室1200係於與IO載台1100不同之面，連結下述之負載鎖定室1300。
於大氣搬送室1200內設置有作為移載基板200之第1搬送機器人之大氣搬送機器人1220。如圖2所示，大氣搬送機器人1220係構成為藉由設置於大氣搬送室1200之升降機1230而升降，並且構成為藉由線性致動器1240而向左右方向往返移動。
如圖2所示，於大氣搬送室1200之上部，設置有供給潔淨空氣之潔淨單元1250。又，如圖1所示，於大氣搬送室1200之左側，設置有將形成於基板200之凹口或定向平面對準之裝置(以下稱為預對準裝置(pre-aligner))1260。
如圖1及圖2所示，於大氣搬送室1200之殼體1270之前側，設置有用以將基板200相對於大氣搬送室1200搬入搬出之基板搬入搬出口1280、及開箱器1210。隔著基板搬入搬出口1280而於開箱器1210之相反側、即殼體1270之外側設置有IO載台(負 載埠)1100。
於大氣搬送室1200之殼體1270之後側，設置用以將晶圓200搬入搬出於負載鎖定室1300之基板搬入搬出口1290。基板搬入搬出口1290能夠藉由利用下述之閘閥1330開放、關閉，而實現晶圓200之進出。
(負載鎖定(L/L)室)
負載鎖定室1300係鄰接於大氣搬送室1200。於構成負載鎖定室1300之殼體1310所具有之面中之與大氣搬送室1200不同之面，如下所述般配置有真空搬送室1400。負載鎖定室1300由於配合大氣搬送室1200之壓力及真空搬送室1400之壓力而殼體1310內之壓力變動，故而構成為能夠承受負壓之構造。
於殼體1310中，於與真空搬送室1400鄰接之側，設置基板搬入搬出口1340。基板搬入搬出口1340能夠藉由利用閘閥1350開放、關閉，而實現晶圓200之進出。
進而，於負載鎖定室1300內，設置有至少具有兩個載置晶圓200之載置面1311(1311a、1311b)之基板載置台1320。基板載置面1311間之距離係根據下述之真空搬送機器人1700所具有之指間之距離而設定。
(真空搬送室)
基板處理系統1000具備作為搬送室之真空搬送室(轉移模組)1400，該搬送室成為於負壓下搬送基板200之搬送空間。構成真空搬送室1400之殼體1410係俯視形成為五邊形，且於五邊形之 各邊，連結有負載鎖定室1300及對晶圓200進行處理之製程模組110a~110d。於真空搬送室1400之大致中央部，以凸緣1430作為基部而設置有作為於負壓下移載(搬送)基板200之第2搬送機器人之真空搬送機器人1700。再者，於此，以五邊形之例表示真空搬送室1400，但亦可為四邊形或六邊形等多邊形。
於殼體1410之側壁中，於與負載鎖定室1300鄰接之側，設置有基板搬入搬出口1420。基板搬入搬出口1420能夠藉由利用閘閥1350開放、關閉，而實現晶圓200之進出。
設置於真空搬送室1400內之真空搬送機器人1700，如圖2所示，構成為可藉由升降機1450及凸緣1430一邊維持真空搬送室1400之氣密性一邊升降。真空搬送機器人1700之詳細之構成係如下所述。升降機1450係以真空搬送機器人1700所具有之兩個臂1800及1900能夠分別獨立地升降之方式構成。
於殼體1410之天花板，設置用以向殼體1410內供給惰性氣體之惰性氣體供給孔1460。於惰性氣體供給孔1460，設置惰性氣體供給管1510。於惰性氣體供給管1510，自上游起依序設置惰性氣體源1520、質量流量控制器1530、及閥1540，控制向殼體1410內供給之惰性氣體之供給量。
主要藉由惰性氣體供給管1510、質量流量控制器1530、及閥1540，構成真空搬送室1400之惰性氣體供給部1500。再者，亦可將惰性氣體源1520、及氣體供給孔1460包含於惰性氣體供給部1500。
於殼體1410之底壁，設置用以將殼體1410之環境氣體排出之排氣孔1470。於排氣孔1470，設置排氣管1610。於排氣 管1610，自上游起依序設置有屬於壓力控制器之自動壓力控制器(APC，Auto Pressure Controller)1620、及泵1630。
主要藉由排氣管1610、及APC1620構成真空搬送室1400之氣體排出部1600。再者，亦可將泵1630、及排氣孔1470包含於氣體排出部。
藉由惰性氣體供給部1500、及氣體排出部1600之協動，而控制真空搬送室1400之環境氣體。例如，控制殼體1410內之壓力。
如圖1所示，於殼體1410之五片側壁中，未設置負載鎖定室1300之側，連結有對晶圓200進行所需之處理之製程模組110a、110b、110c、110d。
於製程模組110a、110b、110c、110d之各者，設置有基板處理裝置之一構成之腔室100。具體而言，製程模組110a係設置腔室100a、100b。於製程模組110b設置腔室100c、100d。於製程模組110c設置腔室100e、100f。於製程模組110d設置腔室100g、100h。
於殼體1410之側壁中，於與各腔室100相對之壁，設置基板搬入搬出口1480。例如，如圖2所記載，於與腔室100e相對之壁，設置基板出入口1480e。
於圖2中，於將腔室100e替換成腔室100a之情形時，於與腔室100a相對之壁，設置基板搬入搬出口1480a。
同樣地，於將腔室100f替換成腔室100b之情形時，於與腔室100b相對之壁，設置基板搬入搬出口1480b。
閘閥1490係如圖1所示，設置於每個處理室。具體 而言，於腔室100a與真空搬送室1400之間設置閘閥1490a，於與腔室100b之間設置閘閥1490b。於與腔室100c之間設置閘閥1490c，於與腔室100d之間設置閘閥1490d。於與腔室100e之間設置閘閥1490e，於與腔室100f之間設置閘閥1490f。於與腔室100g之間設置閘閥1490g，於與腔室100h之間設置閘閥1490h。
能夠藉由利用各閘閥1490開放、關閉，而實現經由基板搬入搬出口1480之晶圓200之進出。
繼而，使用圖3對搭載於真空搬送室1400之真空搬送機器人1700進行說明。圖3係將圖1之真空搬送機器人1700放大後之圖。
真空搬送機器人1700具備兩個臂1800及臂1900。臂1800具有於前端設置有兩個末端效應器1810及末端效應器1820之叉架部分(Fork portion)1830。於叉架部分1830之根部經由軸1850而連接中間部分(middle portion)1840。
於末端效應器1810及末端效應器1820，載置自各個製程模組110搬出之晶圓200。於圖2中，表示載置自製程模組110c搬出之晶圓200之例。
於中間部分1840中，於與叉架部分1830不同之部位，經由軸1870而連接底端部分(bottom portion)1860。底端部分1860係經由軸1880而配置於凸緣1430。
臂1900具有於前端設置有兩個末端效應器1910及末端效應器1920之叉架部分1930。於叉架部分1930之根部經由軸1950而連接中間部分1940。
於末端效應器1910及末端效應器1920，載置自負載 鎖定室1300搬出之晶圓200。
於中間部分1940中，於與叉架部分1930不同之部位，經由軸1970而連接底端部分1960。底端部分1960係經由軸1980而配置於凸緣1430。
末端效應器1810、及末端效應器1820係配置於較末端效應器1910、及末端效應器1920更高之位置。
真空搬送機器人1700能夠進行以軸為中心之旋轉、或臂之延伸。
(製程模組)
繼而，以圖1、圖2、圖4為例，對各製程模組110中之製程模組110a進行說明。圖4係說明製程模組110a與連接於製程模組110a之氣體供給部、及連接於製程模組110a之氣體排出部之關聯之說明圖。
於此係以製程模組110a為例，但於其他製程模組110b、製程模組110c、及製程模組110d中亦為相同之構造，因此，此處省略說明。
如圖4所記載，於製程模組110a，設置對晶圓200進行處理之基板處理裝置之一構成之腔室100a及腔室100b。於腔室100a與腔室100b之間設置間隔壁2040a，且以各個腔室內之環境氣體不混合存在之方式構成。
如圖2所記載，於腔室100e與真空搬送室1400鄰接之壁，設置有基板搬入搬出口2060e，同樣地，於腔室100a與真空搬送室1400鄰接之壁設置有基板搬入搬出口2060a。
於各腔室100設置有支持晶圓200之基板支持部210。
於製程模組110a，連接有對腔室100a及腔室100b之各者供給處理氣體之氣體供給部。氣體供給部係藉由第1氣體供給部(處理氣體供給部)、第2氣體供給部(反應氣體供給部)、第3氣體供給部(第1沖洗氣體供給部)、第4氣體供給部(第2沖洗氣體供給部)等構成。對各氣體供給部之構成進行說明。
(第1氣體供給部)
如圖4所示，於自處理氣體源113至製程模組110a之間，分別設置有緩衝槽114、質量流量控制器(MFC)115a、115b、及處理室側閥116(116a、116b)。又，該等係藉由處理氣體共通管112、或處理氣體供給管111a、111b等連接。第1氣體供給部藉由該等處理氣體共通管112、MFC115a、115b、處理室側閥116(116a、116b)、及第1氣體供給管(處理氣體供給管)111a、111b構成。再者，亦可構成為將處理氣體源113包含於第1氣體供給部。又，亦可構成為根據設置於基板處理系統之製程模組之台數，而增減相同之構成。
於此，MFC可為將電性質量流量計與流量控制組合而構成之流量控制裝置，亦可為針閥、或孔口等流量控制裝置。下述之MFC亦可為同樣地構成。於藉由針閥、或孔口等流量控制裝置構成之情形時，高速且脈衝地切換氣體供給變得容易。
(第2氣體供給部)
如圖4所示，於自反應氣體源123至製程模組110a之間，設置有作為活化部之遠距電漿單元(RPU)124、MFC125a、125b、及處 理室側閥126(126a、126b)。該等各構成係藉由反應氣體共通管122及第2氣體供給管(反應氣體供給管)121a、121b等連接。藉由該等RPU124、MFC125a、125b、處理室側閥126(126a、126b)、反應氣體共通管122、及反應氣體供給管121a、121b等構成第2氣體供給部。再者，亦可構成為將反應氣體供給源123包含於第2氣體供給部。又，亦可構成為根據設置於基板處理系統之製程模組之台數，而增減相同之構成。
又，亦可構成為於處理室側閥126(閥126a、126b)之前，設置排氣管線(vent line)171a、171b、及排氣閥(vent valve)170(170a、170b)而將反應氣體排出。藉由設置排氣管線，可將失活之反應氣體、或反應性下降之反應氣體不通過處理室而排出。
(第3氣體供給部(第1沖洗氣體供給部))
如圖4所示，於自第1沖洗氣體(惰性氣體)源133至製程模組110a之間，設置有MFC135a、135b、處理室側閥136(136a、136b)、及閥176a、176b、186a、186b等。該等各構成係藉由沖洗氣體(惰性氣體)共通管132、及沖洗氣體(惰性氣體)供給管131a、131b等連接。藉由該等MFC135a、135b、處理室側閥136(136a、136b)、惰性氣體共通管132、及惰性氣體供給管131a、131b等構成第3氣體供給部。再者，亦可構成為將沖洗氣體(惰性氣體)源133包含於第3氣體供給部(第1沖洗氣體供給部)。又，亦可構成為根據設置於基板處理系統之製程模組之台數，而增減相同之構成。
(第4氣體供給部(第2沖洗氣體供給部))
如圖4所示，第4氣體供給部係構成為能夠經由處理氣體供給管111a、111b、及反應氣體供給管121a、121b之各者而將惰性氣體供給至各處理室110a、110b。於自第2沖洗氣體(惰性氣體)源143至各供給管之間，設置有第2沖洗氣體供給管141a、141b、151a、151b、MFC145a、145b、155a、155b、閥146a、146b、156a、156b等。藉由該等構成而構成第4氣體供給部(第2沖洗氣體供給部)。再者，於此，分別構成第3氣體供給部及第4氣體供給部之氣體源，但亦可構成為合在一起而僅設置1個。
又，於製程模組110a，連接有分別將腔室100a內之氣體及腔室100b內之氣體排出之氣體排出部。如圖4所示，於排氣泵223a與腔室100a、100b之間，設置有APC(Auto Pressure Controller)222a、共通氣體排出管225a、及處理室排氣管224a、224b等。氣體排出部係藉由該等APC222a、共通氣體排出管225a、及處理室排氣管224a、224b構成。如此，構成為藉由1個排氣泵將腔室100a內之環境氣體及腔室100b內之環境氣體排出。再者，亦可設置能夠調整處理室排氣管224a、224b各者之排氣傳導率之傳導率調整部226a、226b，亦可將該等設為氣體排出部之一構成。又，亦可將排氣泵223a設為氣體排出部之一構成。
其次，對本實施形態之腔室100進行說明。腔室100係如圖5所示，構成為單片式基板處理裝置之一構成。於腔室中，進行半導體元件製造之一步驟。再者，腔室100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h係與圖5所示之構成同樣地構成。於此，以腔室100a為例進行說明。
如圖5所示，腔室100具備處理容器202。處理容器202係例如構成為橫截面為圓形且扁平之密閉容器。又，處理容器202係藉由例如鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等金屬材料、或者石英而構成。於處理容器202內，形成有對作為基板之矽晶圓等晶圓200進行處理之處理空間(處理室)201、及搬送空間203。處理容器202係藉由上部容器202a及下部容器202b構成。於上部容器202a與下部容器202b之間設置間隔板204。將由上部容器202a包圍之空間、且較間隔板204更靠上方之空間稱為處理空間(亦稱為處理室)201，將由下部容器202b包圍之空間、且較間隔板更靠下方之空間稱為搬送空間。
於下部容器202b之側面，設置有與閘閥1490鄰接之基板搬入搬出口1480，晶圓200係經由基板搬入搬出口1480而於與未圖示之搬送室之間移動。於下部容器202b之底部，設置有數個頂起銷207。進而，下部容器202b接地。
於處理室201內，設置有支持晶圓200之基板支持部210。基板支持部210具有載置晶圓200之載置面211、及於表面具有載置面211之基板載置台212。再者，於基板支持部210，亦可設置作為加熱部之加熱器213。藉由設置加熱部，可加熱基板，提高形成於基板上之膜之品質。於基板載置台212，亦可於與頂起銷207對應之位置分別設置供頂起銷207貫通之貫通孔214。
基板載置台212係由軸217支持。軸217貫通處理容器202之底部，進而於處理容器202之外部連接於升降機構218。藉由使升降機構218作動而使軸217及載置台212升降，能夠使載置於基板載置面211上之晶圓200升降。再者，軸217下端部之周 圍係藉由風箱219覆蓋，處理室201內被氣密地保持。
基板載置台212係於晶圓200之搬送時，以基板載置面211成為基板搬入搬出口1480之位置(晶圓搬送位置)之方式下降至基板支持台，且於晶圓200之處理時如圖5所示，上升至晶圓200於處理室201內之處理位置(晶圓處理位置)。
具體而言，於使基板載置台212下降至晶圓搬送位置時，變為頂起銷207之上端部自基板載置面211之上表面突出，頂起銷207將晶圓200自下方支持。又，於使基板載置台212上升至晶圓處理位置時，變為頂起銷207自基板載置面211之上表面埋沒，基板載置面211將晶圓200自下方支持。再者，頂起銷207係與晶圓200直接接觸，因此，較理想是藉由例如石英或氧化鋁等材質形成。再者，亦可構成為於頂起銷207設置升降機構，使基板載置台212與頂起銷207相對地移動。
(排氣系統)
於處理室201(上部容器202a)之內壁，設置有作為將處理室201之環境氣體排出之第1排氣部之排氣口221。於排氣口221連接有處理室排氣管224，且依序串聯連接有閥227。主要藉由排氣口221、及處理室排氣管224，構成第1排氣部(排氣管線)220。再者，亦可構成為將閥227、及真空泵223包含於第1排氣部。
(氣體導入口)
於上部容器202a之側壁設置有用以向處理室201內供給各種氣體之第1氣體導入口241a。於第1氣體導入口241a，連接有第1 氣體供給管111a。又，於設置於處理室201之上部之簇射頭234之上表面(天花板壁)，設置有用以向處理室201內供給各種氣體之第2氣體導入口241b。於第2氣體導入口241b連接有第2氣體供給管121b。關於連接於構成為第1氣體供給部之一部分之第1氣體導入口241a及構成為第2氣體供給部之一部分之第2氣體導入口241b之各氣體供給單元之構成，於下文敍述。再者，亦可構成為：將供給第1氣體之第1氣體導入口241a設置於簇射頭234之上表面(天花板壁)，自第1緩衝空間232a之中央供給第1氣體。藉由自中央進行供給，可使第1緩衝空間232a內之氣流自中心朝向外周流動，將空間內之氣流設為均勻，使向晶圓200之氣體供給量均勻化。
(氣體分散單元)
簇射頭234係藉由第1緩衝室(空間)232a、第1分散孔234a、第2緩衝室(空間)232b及第2分散孔234b構成。簇射頭234設置於第2氣體導入口241b與處理室201之間。自第1氣體導入口241a導入之第1氣體被供給至簇射頭234之第1緩衝空間232a(第1分散部)。進而，第2氣體導入口241b連接於簇射頭234之蓋231，自第2氣體導入口241b導入之第2氣體係經由設置於蓋231之孔231a而被供給至簇射頭234之第2緩衝空間232b(第2分散部)。簇射頭234係藉由例如石英、氧化鋁、不鏽鋼、鋁等材料構成。
再者，亦可將簇射頭234之蓋231藉由具有導電性之金屬形成，且設為用以激發存在於第1緩衝空間232a、第2緩衝空間232b或處理室201內之氣體之活化部(激發部)。此時，於蓋231 與上部容器202a之間設置有絕緣塊233，將蓋231與上部容器202a之間絕緣。亦可構成為：於作為活化部之電極(蓋231)連接整合器251及高頻電源252，而能夠供給電磁波(高頻電力或微波)。
亦可於第2緩衝空間232b，設置有形成所供給之第2氣體之流動之氣體導向器235。氣體導向器235係以孔231a作為中心隨著朝向晶圓200之徑向而直徑擴大之圓錐形狀。氣體導向器235之下端之水平方向之直徑係較第1分散孔234a及第2分散孔234b之端部進一步延伸至外周而形成。
於第1緩衝空間232a之內壁上表面，設置有作為將第1緩衝空間232a之環境氣體排出之第1簇射頭排氣部之簇射頭排氣口240a。於簇射頭排氣口240a連接有簇射頭排氣管236，於排氣管236，依序串聯連接有閥237x、及將第1緩衝空間232a內控制為既定之壓力之閥237。主要藉由簇射頭排氣口240a、閥237x、及排氣管236構成第1簇射頭排氣部。
於第2緩衝空間232b之內壁上表面，設置有作為將第2緩衝空間232b之環境氣體排出之第2簇射頭排氣部之簇射頭排氣口240b。於簇射頭排氣口240b連接有簇射頭排氣管236，於簇射頭排氣管236，依序串聯連接有閥237y、及將第2緩衝空間232b內控制為既定之壓力之閥237。主要藉由簇射頭排氣口240b、閥237y、及簇射頭排氣管236構成第2簇射頭排氣部。
繼而，對屬於第1氣體供給部之第1緩衝空間232a與屬於第2氣體供給部之第2緩衝空間232b之關係進行說明。數個分散孔234a自第1緩衝空間232a向處理室201延伸。數個分散孔234b自第2緩衝空間232b向處理室201延伸。於第1緩衝空間 232a之上側設置有第2緩衝空間232b。因此，如圖5所示，自第2緩衝空間232b之分散孔(分散管)234b以貫通第1緩衝空間232a內之方式向處理室201延伸。
(供給系統)
於連接於簇射頭234之蓋231之氣體導入孔241，連接有氣體供給部。自氣體供給部，供給處理氣體、反應氣體、及沖洗氣體。
(控制部)
如圖5所示，腔室100具有控制腔室100之各部之動作之控制器260。
將控制器260之概略狀況示於圖6。屬於控制部(控制手段)之控制器260構成為具備中央處理單元(CPU，Central Processing Unit)260a、隨機存取記憶體(RAM，Random Access Memory)260b、記憶裝置260c、及I/O(輸入/輸出)埠260d之電腦。RAM260b、記憶裝置260c、I/O埠260d係構成為能夠經由內部匯流排260e，而與CPU260a進行資料交換。於控制器260，構成為能夠連接例如構成為觸控面板等之輸入輸出裝置261、或外部記憶裝置262。
記憶裝置260c係藉由例如快閃記憶體、硬式磁碟機(HDD，Hard Disk Drive)等構成。於記憶裝置260c內，能夠讀出地收納有控制基板處理裝置之動作之控制程式、或記載有下述之基板處理之順序或條件等之製程配方等。再者，製程配方係以能夠使控制器260執行下述之基板處理步驟之各順序並獲得既定之結果之方 式組合而成者，且作為程式而發揮功能。以下，亦將該程式配方或控制程式等總括地簡稱為程式。再者，於本說明書中，於使用程式之詞語之情形時，存在僅包含程式配方單獨之情形、僅包含控制程式單獨之情形、或包含該兩者之情形。又，RAM260b係構成為暫時地保持藉由CPU260a讀出之程式或資料等之記憶體區域(工作區)。
I/O埠260d係連接於閘閥1330、1350、1490、升降機構218、加熱器213、壓力調整器222、238、真空泵223、整合器251、及高頻電源252等。又，亦可連接於下述之真空搬送機器人1700、大氣搬送機器人1220、負載鎖定室1300、質量流量控制器(MFC)115(115a、115b)、125(125a、125b、125x)、135(135a、135b、135x)、145(145a、145b、145x)、155(155a、155b)、165(165a、165b)、閥237(237a、237b)、處理室側閥116(116a、116b)、126(126a、126b)、136(136a、136b)、176(176a、176b)、186(186a、186b)、槽側閥160、排氣閥170(170a、170b)、及遠距電漿單元(RPU)124等。
CPU260a係構成為讀出並執行來自記憶裝置260c之控制程式，並且根據來自輸入輸出裝置261之操作指令之輸入等而自記憶裝置260c讀出製程配方。而且，CPU260a構成為以按照讀出之製程配方之內容之方式，控制閘閥1330、1350、1490(1490a、1490b、1490c、1490d、1490e、1490f、1490g、1490h)之開關動作、升降機構218之升降動作、向加熱器213之電力供給動作、壓力調整器222、238之壓力調整動作、真空泵223之開關控制、遠距電漿單元124對氣體之活化動作、MFC115(115a、115b)、125(125a、125b)、135(135a、135b)之流量調整動作、閥237(237a、237b)、處 理室側閥116(116a、116b)、126(126a、126b)、136(136a、136b)、176(176a、176b)、186(186a、186b)、槽側閥160、排氣閥170(170a、170b)對氣體之開關控制、整合器251對電力之整合動作、及高頻電源252之開關控制等。
再者，控制器260並不限定於構成為專用之電腦之情形，亦可構成為通用之電腦。例如，可藉由準備儲存有上述程式之外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等磁碟、CD(Compact Disc)或DVD(Digital Versatile Disc，數位多功能光碟)等光碟、MO(magneto-optical)等磁光碟、USB(Universal Serial Bus，通用串列匯流排)記憶體或記憶卡等半導體記憶體)262，並使用該外部記憶裝置262將程式安裝至通用之電腦等，而構成本實施形態之控制器260。再者，用以將程式供給至電腦之手段並不限定於經由外部記憶裝置262而供給之情形。例如，亦可設為，使用網路263(網際網路或專用線路)等通訊手段，不經由外部記憶裝置262而供給程式。再者，記憶裝置260c或外部記憶裝置262係構成為電腦能夠讀取之記錄媒體。以下，亦將該等總括地簡稱為記錄媒體。再者，於本說明書中，於使用記錄媒體之詞語之情形時，存在僅包含記憶裝置260c單獨之情形、僅包含外部記憶裝置262單獨之情形、或包含該兩者之情形。
(2)基板處理步驟
其次，參照圖7、8對作為半導體裝置(半導體元件)之製造步驟之一步驟而使用上述基板處理裝置之處理爐於基板上成膜絕緣膜、且例如作為含矽膜之氧化矽(SiO)膜之序列例進行說明。再者， 於以下之說明中，構成基板處理裝置之各部之動作係藉由控制器260而控制。
再者，於本說明書中，於使用「晶圓」之詞語之情形時，存在意指「晶圓本身」之情形、或意指「晶圓、形成於其表面之既定之層或膜等、及其積層體(集合體)」之情形(即，包含形成於表面之既定之層或膜等在內而稱為晶圓之情形)。又，於本說明書中，於使用「晶圓之表面」之詞語之情形時，存在意指「晶圓本身之表面(露出面)」之情形、或意指「形成於晶圓之既定之層或膜等之表面、即作為積層體之晶圓之最表面」之情形。
因此，於本說明書中，於記載為「對晶圓供給既定之氣體」之情形時，存在意指「對晶圓本身之表面(露出面)直接供給既定之氣體」之情形、或意指「對形成於晶圓之層或膜等、即對作為積層體之晶圓之最表面供給既定之氣體」之情形。又，於本說明書中，存在意指「於形成於晶圓之層或膜等上、即於作為積層體之晶圓最表面上形成既定之層(或膜)」之情形。
再者，於本說明書中，使用「基板」之詞語之情形亦與使用「晶圓」之詞語之情形同樣，於該情形時，只要於上述說明中，將「晶圓」替換成「基板」來考慮即可。
以下，對基板處理步驟進行說明。
(基板搬入步驟S201)
於進行基板處理步驟時，首先，將晶圓200搬入至處理室201。具體而言，藉由升降機構218使基板支持部210下降，而設為頂起銷207自貫通孔214於基板支持部210之上表面側突出之狀態。又， 於將處理室201內調整至既定之壓力後，打開閘閥1490，自閘閥1490將晶圓200載置於頂起銷207上。於將晶圓200載置於頂起銷207上後，利用升降機構218使基板支持部210上升至既定之位置，藉此晶圓200自頂起銷207被載置至基板支持部210。
(減壓、升溫步驟S202)
繼而，以處理室201內成為既定之壓力(真空度)之方式，經由處理室排氣管224而對處理室201內進行排氣。此時，基於壓力感測器所測得之壓力值，對作為壓力調整器222之APC閥之閥之開度進行反饋控制。又，基於溫度感測器(未圖示)檢測出之溫度值，以處理室201內成為既定之溫度之方式對向加熱器213之通電量進行反饋控制。具體而言，藉由加熱器213預先對基板支持部210進行加熱，當晶圓200或基板支持部210之溫度沒有變化後放置一定時間。其間，於有殘留於處理室201內之水分或來自構件之脫氣體等之情形時，亦可藉由真空排氣或利用氮氣之供給所進行之沖洗而去除。至此，成膜製程前之準備完成。再者，於將處理室201內排氣至既定之壓力時，亦可一次性地進行真空排氣直至能夠達到之真空度為止。
(成膜步驟S301A)
繼而，對在晶圓200成膜SiO膜之例進行說明。使用圖7、8對成膜步驟S301A之詳細狀況進行說明。
於晶圓200被載置於基板支持部210，且處理室201內之環境氣體穩定之後，進行圖7、8所示之S203~S207之步驟。
(第1氣體供給步驟S203)
於第1氣體供給步驟S203中，自第1氣體供給部向處理室201內供給作為第1氣體(原料氣體)之胺基矽烷系氣體。作為胺基矽烷系氣體，例如有雙二乙基胺基矽烷(H2Si(NEt2)2、雙(二乙胺基)矽烷：BDEAS)氣體。具體而言，打開氣體閥160，自氣體源向腔室100供給胺基矽烷系氣體。此時，打開處理室側閥116a，藉由MFC115a調整成既定流量。經流量調整之胺基矽烷系氣體通過第1緩衝空間232a，自簇射頭234之分散孔234a，被供給至減壓狀態之處理室201內。又，以繼續進行利用排氣系統所進行之處理室201內之排氣而處理室201內之壓力成為既定之壓力範圍(第1壓力)的方式進行控制。此時，成為對晶圓200供給胺基矽烷系氣體之狀況之胺基矽烷系氣體係以既定之壓力(第1壓力：例如100Pa以上且20000Pa以下)供給至處理室201內。以此方式，將胺基矽烷系氣體供給至晶圓200。藉由供給胺基矽烷系氣體，而於晶圓200上形成含矽層。
(第1沖洗步驟S204)
於在晶圓200上形成含矽層之後，將第1氣體供給管111a之氣體閥116a關閉，而停止胺基矽烷系氣體之供給。藉由如下方式進行第1沖洗步驟S204，即，藉由停止原料氣體，將存在於處理室201中之原料氣體、或存在於第1緩衝空間232a中之原料氣體自處理室排氣管224排出。
又，亦可構成為：於沖洗步驟中，除了僅對氣體進行 排氣(抽真空)而將氣體排出以外，進行藉由供給惰性氣體而將殘留氣體擠出之排出處理。又，亦可組合進行抽真空及惰性氣體之供給。又，亦可構成為交替地進行抽真空及惰性氣體之供給。
再者，此時，亦可將簇射頭排氣管236之閥237打開，而將存在於第1緩衝空間232a內之氣體自簇射頭排氣管236排出。再者，於排氣中，藉由閥227及閥237，控制簇射頭排氣管236及第1緩衝空間232a內之壓力(排氣傳導率)。亦可以如下方式控制閥227及閥237，即，排氣傳導率係來自第1緩衝空間232a之簇射頭排氣管236之排氣傳導率高於經由處理室201之向處理室排氣管224之排氣傳導率。藉由以此方式進行調整，而形成自屬於第1緩衝空間232a之端部之第1氣體導入口241a朝向屬於另一端部之簇射頭排氣口240a之氣流。藉由如此，可使附著於第1緩衝空間232a之壁之氣體、或懸浮於第1緩衝空間232a內之氣體不進入處理室201而自簇射頭排氣管236排出。再者，亦可調整第1緩衝空間232a內之壓力及處理室201之壓力(排氣傳導率)以抑制自處理室201向第1緩衝空間232a內之氣體之逆流。
又，於第1沖洗步驟中，繼續進行真空泵223之動作，而將存在於處理室201內之氣體自真空泵223排出。再者，亦可以如下方式調整閥227及閥237，即，自處理室201向處理室排氣管224之排氣傳導率高於向第1緩衝空間232a之排氣傳導率。藉由以此方式進行調整，可形成經由處理室201且朝向處理室排氣管224之氣流，而將殘留於處理室201內之氣體排出。又，於此，藉由將閥136a打開，調整MFC135a，供給惰性氣體，能夠將惰性氣體確實地供給至基板上，而可提高基板上之殘留氣體之去除效率。
於經過既定之時間後，將閥136a關閉，而停止惰性氣體之供給，並且將閥237關閉而遮斷自第1緩衝空間232a向簇射頭排氣管236之流路。
更佳為：於經過既定時間後，一邊使真空泵223繼續作動，一邊將閥237關閉較理想。若如此，則由於經由處理室201且朝向處理室排氣管224之流動不受簇射頭排氣管236之影響，故而能夠更確實地將惰性氣體供給至基板上，而可進而提高基板上之殘留氣體之去除效率。
再者，自處理室沖洗環境氣體，除了意指僅進行抽真空而將氣體排出以外，亦意指利用惰性氣體之供給所進行之氣體之擠出動作。因此，亦可構成為：於第1沖洗步驟中，進行藉由向第1緩衝空間232a內供給惰性氣體而將殘留氣體擠出之排出動作。又，亦可組合進行抽真空及惰性氣體之供給。又，亦可構成為交替地進行抽真空及惰性氣體之供給。
又，此時供給至處理室201內之氮氣之流量亦無須設為大流量，例如，亦可供給與處理室201之容積相同程度之量。藉由如此進行沖洗，可減少對下一步驟之影響。又，藉由不對處理室201內完全地進行沖洗，可縮短沖洗時間，而提高製造產能。又，氮氣之消耗亦能夠抑制於必需之最小限度。
此時之加熱器213之溫度係與向晶圓200之原料氣體供給時同樣地，以成為200~750℃、較佳為300~600℃、更佳為300~550℃之範圍內之固定溫度之方式進行設定。作為自各惰性氣體供給系統供給之沖洗氣體之氮氣之供給流量係分別設為例如100~20000sccm之範圍內之流量。作為沖洗氣體，除了可使用氮氣以 外，亦可使用Ar、He、Ne、Xe等稀有氣體。
(第2處理氣體供給步驟S205)
於第1氣體沖洗步驟之後，將閥126打開，經由氣體導入孔241b、第2緩衝空間232b、及數個分散孔234b，而向處理室201內供給作為第2氣體(反應氣體)之含氧氣體。含氧氣體例如有氧氣(O2)或臭氧氣體(O3)、水(H2O)、一氧化二氮氣體(N2O)等。於此，表示使用氧氣之例。由於經由第2緩衝空間232b、及分散孔234b而供給至處理室201，故而可將氣體均勻地供給至基板上。因此，可將膜厚設為均勻。再者，亦可構成為：於供給第2氣體時，能夠經由作為活化部(激發部)之遠距電漿單元(RPU)124，而將經活化之第2氣體供給至處理室201內。
此時，以氧氣之流量成為既定之流量之方式對質量流量控制器125進行調整。再者，氧氣之供給流量例如為100sccm以上且10000sccm以下。又，藉由對壓力調整器238精確地進行調整，而將第2緩衝空間232b內之壓力設為既定之壓力範圍內。又，以如下方式進行控制：於氧氣於RPU124內流動時，將RPU124設為ON狀態(電源接通之狀態)，而使氧氣活化(激發)。
若氧氣被供給至形成於晶圓200上之含矽層，則含矽層被改質。例如，形成矽元素或含有矽元素之改質層。再者，藉由設置RPU124，而將經活化之氧氣供給至晶圓200上，可形成更多之改質層。
改質層係根據例如處理室201內之壓力、氧氣之流量、晶圓200之溫度、RPU124之電力供給狀況，而以既定之厚度、 既定之分佈、及既定之氧成分等相對於含矽層之滲入深度而形成。
於經過既定之時間後，將閥126關閉，而停止氧氣之供給。
(第2沖洗步驟S206)
藉由以下方式進行第2沖洗步驟S206，即，藉由停止氧氣之供給，而將存在於處理室201中之氧氣、或存在於第2緩衝空間232b中之氧氣自第1排氣部排出。第2沖洗步驟S206係進行與上述第1沖洗步驟S204相同之步驟。
於第2沖洗步驟S206中，繼續進行真空泵223之動作，將存在於處理室201內之氣體自處理室排氣管224排出。再者，亦可以如下方式調整閥227及閥237，即，自處理室201向處理室排氣管224之排氣傳導率高於向第2緩衝空間232b之排氣傳導率。藉由以此方式進行調整，可形成經由處理室201且朝向處理室排氣管224之氣流，而將殘留於處理室201內之氣體排出。又，於此，藉由將氣體閥136b打開，調整MFC135b，供給惰性氣體，能夠將惰性氣體確實地供給至基板上，而基板上之殘留氣體之去除效率變高。
於經過既定之時間後，將閥136b關閉，而停止惰性氣體之供給，並且將閥237b關閉而將第2緩衝空間232b與簇射頭排氣管236之間遮斷。
更佳為：於經過既定時間後，一邊使真空泵223繼續作動，一邊將閥237b關閉較理想。若以此方式構成，則經由處理室201且朝向簇射頭排氣管236之流動不受處理室排氣管224之影 響，故而能夠更確實地將惰性氣體供給至基板上，可進而提高基板上之殘留氣體之去除效率。
再者，自處理室沖洗環境氣體，除了意指僅進行抽真空而將氣體排出以外，亦意指藉由惰性氣體之供給而進行之氣體之擠出動作。因此，亦可構成為：於沖洗步驟中，進行藉由向第2緩衝空間232b內供給惰性氣體而將殘留氣體擠出之排出動作。又，亦可組合進行抽真空及惰性氣體之供給。又，亦可構成為交替地進行抽真空及惰性氣體之供給。
又，此時供給至處理室201內之氮氣之流量亦無須設為大流量，例如亦可供給與處理室201之容積相同程度之量。藉由如此進行沖洗，可減少對下一步驟之影響。又，藉由不對處理室201內完全地進行沖洗，可縮短沖洗時間，而提高製造產能。又，氮氣之消耗亦能夠抑制於必需之最小限度。
此時之加熱器213之溫度係與向晶圓200之原料氣體供給時同樣地，以成為200~750℃、較佳為300~600℃、更佳為300~550℃之範圍內之固定溫度之方式進行設定。作為自各惰性氣體供給系統供給之沖洗氣體之氮氣之供給流量係分別設為例如100~20000sccm之範圍內之流量。作為沖洗氣體，除了可使用氮氣以外，亦可使用Ar、He、Ne、Xe等稀有氣體。
(判定步驟S207)
於第2沖洗步驟S206結束後，控制器260判定於上述成膜步驟S301A內，S203~S206是否已執行既定之循環數n(n為自然數)。即，判定於晶圓200上是否已形成所需之厚度之膜。將上述步驟 S203~S206設為1循環，藉由進行至少1次以上之該循環(步驟S207)，可於晶圓200上成膜既定膜厚之含矽及氧之絕緣膜、即SiO膜。再者，上述循環較佳為重複進行數次。藉此，於晶圓200上形成既定膜厚之SiO膜。
於未實施既定次數時(判定為No時)，重複進行S203~S206之循環。於已實施既定次數時(判定為Y時)，結束成膜步驟S301A，執行搬送壓力調整步驟S208及基板搬出步驟S209。
再者，於上述第1氣體供給步驟S203或第2氣體供給步驟S205中，若於供給第1氣體時向屬於第2分散部之第2緩衝空間232b供給惰性氣體，並於供給第2氣體時向屬於第1分散部之第1緩衝空間232a供給惰性氣體，則可防止各種氣體逆流至不同之緩衝空間。
(搬送壓力調整步驟S208)
於搬送壓力調整步驟S208中，以處理室201內或搬送空間203成為既定之壓力(真空度)之方式，經由處理室排氣管224而對處理室201內或搬送空間203內進行排氣。此時之處理室201內或搬送空間203內之壓力被調整至真空搬送室1400內之壓力以上。再者，亦可構成為：於該搬送壓力調整步驟S208期間或之前或之後，藉由頂起銷207保持以使晶圓200之溫度冷卻至既定之溫度。
(基板搬出步驟S209)
於藉由搬送壓力調整步驟S208而使處理室201內成為既定壓力後，將閘閥1490打開，將晶圓200自搬送空間203搬出至真空 搬送室1400。
藉由此種步驟，進行晶圓200之處理。於該基板處理期間、至少於正對基板進行處理期間，於各製程模組110a~110d中，自作為流體供給部之流體供給裝置向各製程模組使流體循環，於製程模組內之各腔室100a~100h之壁中流動流體。將此種自流體供給裝置向各處理室供給流體者設為第1流體供給步驟。於此，流體供給裝置具有恆溫槽之功能。所謂恆溫槽係指於儲蓄液體等之槽內，藉由溫度計、恆溫器、加熱器、冷卻器等，以將槽內部之液體等之溫度保持為固定之方式進行控制(調整)者。於此，所謂流體係冷媒、或加熱介質、且成為將各腔室100a~100h之內壁保持於既定之溫度之介質。於下述說明中，關於流體，係對作為冷媒而發揮作用之例進行說明。於此，所謂既定之溫度例如為25℃~150℃，且於下述說明中，對保持為50℃之例進行說明。再者，亦可構成為：向腔室之流體之供給係於壁之外側設置冷卻排管而流動。只要為能夠冷卻腔室之構造即可。
於圖9中概略地表示構成基板處理裝置之一部分之各製程模組與流體供給裝置間之流體之流動。流體供給裝置300主要由泵310、加熱單元320、冷卻單元330及循環槽360構成。於各製程模組110a、110b、110c、110d中，進行相同之基板處理製程。被冷卻至既定之溫度之流體自循環槽360經由泵310，藉由流體供給管351而被供給至製程模組110a，且沿製程模組110a之側壁等循環，藉此經加熱之流體藉由流體排出管341而返回至循環槽360。又，流體供給裝置300連接於控制器260，控制器260構成為能夠授受流體供給裝置300之動作狀況之資訊。又，構成為流體供 給管351內之流體之流動能夠藉由閥380而停止，構成為流體排出管341內之流體之流動能夠藉由閥382而停止。
同樣地，被冷卻至既定之溫度之流體自循環槽360，經由泵310，藉由各流體供給管352、353、354而被供給至各製程模組110b、110c、110d，且沿製程模組110b、110c、110d之側壁等循環，藉此經加熱之流體藉由流體排出管342、343、344而返回至循環槽360。
於此，例如於在製程模組110d進行下述之維護步驟之情形時，必須設為流體不於流體供給管354及流體排出管344內流動，而流體不被供給至製程模組110d。於製程模組110d之維護步驟之前，已將4台製程模組110a~110d冷卻，但於在製程模組110d進行維護步驟時，冷卻之製程模組變為3台。藉由如此改變冷卻之製程模組之台數，自循環槽360供給排出之流體之溫度變動(熱量改變)。該變動有對各製程模組之基板之處理製程產生影響之擔憂。例如，存在以下狀況：於停止向製程模組110d之流體之供給之情形時，其他製程模組之溫度下降。為了抑制該變動，必須控制循環槽360內之加熱單元320或冷卻單元330，而調節向各製程模組供給之流體之溫度。由於在該溫度調節時耗費時間，故而會產生製程開始之等待時間。又，存在以下狀況：設置於流體供給裝置300與各製程模組間之流體供給管之長度及流體排出管之長度根據各製程模組而不同。於該情形時，存在以下狀況：自各個流體供給管流出至外部之熱量、或自外部獲得之熱量不同，且供給至製程模組之流體之溫度、或供給至流體供給裝置300之流體之溫度根據製程模組而不同。於該情形時，流體之溫度控制變得更困難。
因此，將本揭示之第一實施形態示於圖10。於此，對在製程模組110d進行維護步驟之情形進行說明。於在製程模組110d進行維護步驟之情形時，必須設為於製程模組110d中流體不循環。因此，於流體供給管354設置作為流路切換部之能夠控制流量之流量控制器(流路切換部)355，於該流量控制器355設置第2流體排出管301。第2流體排出管301進而連接於第3流體排出管305。於流體排出管305，設置有熱交換部311，進而設置作為檢測管內之流體溫度之第2溫度測定部之溫度檢測部312，且連接於作為溫度調節裝置之循環槽360。控制部260預先記憶有作為第1溫度測定部之溫度檢測部313之維護步驟之前之流體測定資料(溫度資料)，藉由溫度檢測部312檢測流體之溫度，以成為與維護步驟之前之流體溫度相同溫度之方式，控制熱交換部311，而將流體設為既定之溫度並使其循環。流路切換部355、熱交換部311、溫度檢測部312、及閥380、382連接於控制器260，而構成為能夠配合下述之動作控制各者之構成。再者，第2流體排出管301與第3流體排出管305可無須分開構成而構成為一體，亦可於第2流體排出管設置熱交換部311。
如此，藉由設置作為旁通管線(迂迴路徑)之流體排出管301及流體排出管305，並利用熱交換部311進行熱處理，可將流體之溫度設為與於擬似性地流經製程模組110d之情形時相同，因此能夠不對在其他製程模組110a、110b、110c流動之流體溫度產生影響，而減少對其他製程模組中之基板處理產生影響。將此種自流體供給裝置向熱交換部供給流體者設為第2流體供給步驟。
於圖10中，為了對製程模組110a、110b、110c之各 者進行維護時，作為製程模組110a用，而於流體供給管351之中途設置流量控制器358，並自該流量控制器358設置流體排出管304。成為以下構造：自流體排出管304，經過流體排出管305、熱交換部311、溫度檢測部312而向循環槽360循環。作為製程模組110b用，而於流體供給管352之中途設置流量控制器357，並自該流量控制器357設置流體排出管303。成為以下構造：自流體排出管303，經過流體排出管305、熱交換部311、溫度檢測部312而向循環槽360循環。同樣地，作為製程模組110c用，而於流體供給管353之中途設置流量控制器356，並自該流量控制器356設置流體排出管302。成為以下構造：自流體排出管302，經過流體排出管305、熱交換部311、溫度檢測部312而向循環槽360循環。流路切換部356、357、358、及設置於各管之閥380、382連接於控制器260，且構成為能夠配合下述之動作而控制各者之構成。藉由控制設置於各製程模組110a~110d之上游側之閥380、及設置於各製程模組110a~110d之下游側之閥382，能夠抑制流體之逆流。
又，設為以如下方式控制流路切換部355，即，以使於基板處理後流體於屬於基板處理裝置之一構成之腔室100接收之熱量和流體於熱交換部311接收之熱量之總和、與於基板處理中流體於腔室100接收之熱量相等之方式緩緩地切換流路。藉由進行此種控制，能夠抑制於開始維護步驟之前對其他腔室(製程模組)之影響。若熱量之總和變大、或變小，則其他腔室過多地被加熱、或過多地被冷卻，因此每個基板之處理均勻性惡化。
又，較佳為以流量與熱量之關係成為如圖11所示之方式控制熱交換部及流路切換部355。具體而言，以自製程模組(PM， Process Module)奪取之熱量Qp與自熱交換器奪取之熱量Qht之總和成為與自PM奪取之熱量之初始值Qs相同之方式進行控制。以成為Qp+Qht=Qs之關係之方式進行控制。再者，於此，為熱量Q=MC△T。設為熱量Q[J]、流體之質量M[g]、流體之比熱C[J/g．℃]、上升溫度△T[℃]。圖11所示之自時間T0至T1之間之時間(流量切換時間)設為任意之時間，只要成為Qht≒Qs，則無須緩緩地進行切換。
再者，於此，針對在製程模組110d進行維護步驟之情形進行了記載，但並不限定於此，亦可構成為於數台其他製程模組進行維護步驟。例如，於在製程模組110d及製程模組110c進行維護步驟之情形時，分別控制流量控制器355及流量控制器356而切換流路。此時，以流體於製程模組110d及110c接收之熱量、與流體於熱交換部311接收之熱量成為相等之方式控制熱交換部311之溫度。又，亦可構成為：此時之流路之切換亦以緩緩地進行切換之方式控制流量控制部355、356。
(3)維護步驟
其次，參照圖12對維護步驟之流程進行說明。再者，於以下之說明中，構成基板處理系統之各部之動作係藉由控制器260等控制。
亦可構成為：於維護步驟中，如圖12所示，進行第1維護步驟M100及第2維護步驟M200。
(第1維護步驟M100)
第1維護步驟M100例如可如圖11所示，與流路切換部355之流路之切換並行地進行，亦可於流路之切換前或流路之切換後進行。第1維護步驟M100係進行以下所示之處理室沖洗步驟M101、氣體配管沖洗步驟M102、及加熱器OFF(關閉)步驟M103中之至少任一者。
(處理室沖洗步驟M101)
於處理室沖洗步驟M101中，於在基板支持部210上不存在晶圓200之狀態下，進行處理室201及搬送空間203中之任一者或兩者之環境氣體之排出、及惰性氣體之供給。於將處理室201及搬送空間203中之任一者或兩者之環境氣體排出或沖洗後，以處理室201及搬送空間203內成為既定之壓力之方式供給惰性氣體。
(氣體配管沖洗步驟M102)
氣體配管沖洗步驟M102係於處理室沖洗步驟M101之前及之後中之任一者進行。又，亦可與處理室沖洗步驟M101並行地進行。於氣體配管沖洗步驟M102中，進行將圖4所示之氣體供給系統內之至少連接於製程模組之氣體配管內之環境氣體排出之步驟。又，亦可設為：於將氣體配管內之環境氣體排出時，向氣體配管內供給惰性氣體，而將氣體配管內之環境氣體擠出。又，亦可構成為：除了氣體供給系統以外，將氣體排出部內之環境氣體排出。又，亦可構成為：於將氣體排出部內之環境氣體排出時，向氣體排出部內供給惰性氣體而將氣體排出部內之環境氣體擠出。
(加熱器OFF步驟M103)
加熱器OFF步驟M103係於氣體配管沖洗步驟之後進行。於加熱器OFF步驟M103中，例如將設置於圖5所示之單片式基板處理裝置之加熱器設為OFF。於此，例如，將供給至基座(susceptor)加熱器213之電力設為OFF，而將基座加熱器213冷卻。基座之溫度係冷卻至能夠維護之溫度為止。
以此方式進行第1維護步驟M100。再者，於第1維護步驟M100中，亦可進行除上述處理室沖洗步驟M101、氣體配管沖洗步驟M102、及加熱器OFF步驟M103以外之其他步驟。
(第2維護步驟M200)
第2維護步驟M200係例如如圖11所示於流路切換部355之流路之切換結束後進行。於第2維護步驟M200中，至少進行流體供給管拆卸步驟M201及零件更換步驟中之任一者或兩者。
(流體供給管拆卸步驟M201)
於流體供給管拆卸步驟M201中，連接於維護步驟之對象之製程模組之流體供給管351、352、353、354被卸除。又，連接於維護步驟之對象之製程模組之流體排出管341、342、343、344被卸除。
(零件更換步驟M202)
於零件更換步驟中，製程模組所具有之構件被更換。例如，基 板支持部210被更換。以此方式進行第2維護步驟M200。
以此方式進行第2維護步驟M200。再者，於第2維護步驟M200中，亦可進行除了上述流體供給管拆卸步驟M201及零件更換步驟M202以外之其他維護。
又，於未進行維護步驟之製程模組中，進行上述基板處理步驟。
<另一實施形態>
再者，除了上述實施形態以外，亦可以如下方式構成。
例如，亦可將圖10所示之基板處理裝置(基板處理系統)構成為圖13所示之形態。於圖13中係以基板處理裝置之一構成之製程模組為1台之情形為例而進行說明。自流體供給裝置300內之循環槽360，流體流經流體供給管354。自流體供給管354被供給至製程模組110d。於製程模組110d內被加熱之流體通過流體排出管344而返回至循環槽360。此時，藉由設置於流體排出管344之循環槽側之溫度感測器361，測定流體之溫度，並先記憶於控制器260內之記憶部。於對製程模組110d進行維護時，藉由設置於流體供給管354之中途之屬於流路切換部之閥(例如三通閥)355，而使流體向流體排出管301流動，通過流體排出管305，並於熱交換部311對流體進行加熱。經加熱之流體通過溫度感測器362，返回至循環槽360。此時，利用控制器260，以記憶之溫度感測器361之溫度與溫度感測器362之溫度成為相同溫度之方式控制熱交換部311。藉由此種控制，於製程模組110d之維護中，能夠不將流體供給至製程模組內而使循環之流體之溫度穩定化。
又，亦可將圖10所示之基板處理裝置構成為圖14所示之形態。於圖14中，以基板處理裝置之一構成之製程模組為1台之情形為例進行說明。自流體供給裝置300內之循環槽360，流體流經流體供給管354。自流體供給管354被供給至製程模組110d。於製程模組110d內被加熱之流體通過流體排出管344而返回至循環槽360。此時，藉由設置於流體排出管344之循環槽側之溫度感測器361，測定流體之溫度，並先記憶於控制器260內之記憶部。於對製程模組110d進行維護時，藉由設置於流體供給管354之中途之屬於流路切換部之閥(例如三通閥)355，而使流體向流體排出管301流動，於熱交換部311被加熱之流體係藉由設置於與流體排出管344之連接部分之閥(例如三通閥)355，自流體排出管344通過溫度感測器361而返回至循環槽360。此時，利用控制器260，以於維護前記憶之溫度感測器361之溫度與於維護後記憶之溫度感測器361之溫度成為相同溫度之方式控制熱交換部311。藉由設為此種構成，於製程模組110d之維護中，能夠不將流體供給至製程模組內，而使循環之流體溫度穩定化。又，可不使配管複雜化，而減少溫度感測器之個數。
又，控制器260亦可構成為以如下方式控制流路切換部，即，以於基板處理後流體於腔室100接收之熱量和流體於熱交換部311接收之熱量之總和、與於基板處理中流體於腔室100接收之熱量成為相等之方式，緩緩地切換流路。藉由此種構成，可不停止藉由基板處理系統之處理，而進行製程模組之維護，能夠減少停工時間。
再者，於即便基板處理後之流體於腔室100接收之熱 量和流體於熱交換部311接收之熱量之總和、與於基板處理中流體於腔室100接收之熱量不同之情形時，能夠利用恆溫槽緩和熱量之差時，亦可產生差。又，於恆溫槽，亦可設置使熱量之差緩和之緩衝器。
又，藉由如圖13及圖14般，於各製程模組之各者設置熱交換部311，可於在數個製程模組進行維護步驟之情形時，縮短熱交換部311之溫度調整時間、或流路之切換時間。
又，亦可構成為圖15所示之形態。圖15係於圖14之流體排出管301不設置熱交換部311，而於循環槽360之近前構成熱交換部311之例。於此，表示了將熱交換部311設置於流體供給裝置300內之例，但亦可設置於流體供給裝置300外。於此種情形時，以利用屬於流路切換部之閥355所進行之流路之切換前之溫度感測器361之溫度及切換後之溫度感測器361之溫度成為固定之方式，控制閥355、及熱交換器311。再者，閥355亦可以使流路緩緩地切換之方式進行控制。藉由利用閥355緩緩地切換流路，即便於利用熱交換器311之溫度之響應性較差之情形時，亦可使其追隨。又，於利用熱交換器311之溫度上升速度較快之情形時，可藉由使流路之切換速度變慢，而使既定之熱量之流體返回至循環槽360。
又，於維護步驟結束後之製程模組中，亦可進行如於圖11中成為Qp+Qht=Qs般之流路之切換步驟。於該情形時，以使製程模組之溫度自維護溫度上升至製程溫度之方式進行流路之切換。藉由以此方式，可使自維護步驟起至基板處理步驟之開始為止之時間縮短。
又，圖11所示之曲線係藉由單純之比例曲線表示，但並不限定於此，亦可使其階段性地變化，或亦可依指數函數變化。又，亦可為任意斜率之變化。
又，於上述中，針對交替地供給原料氣體及反應氣體而進行成膜之方法進行了記載，但只要原料氣體及反應氣體之氣相反應量或副生成物之產生量為容許範圍內，則亦能夠應用於其他方法。例如為如原料氣體與反應氣體之供給時序重疊般之方法。
又，於上述中，針對成膜處理進行了記載，但亦能夠應用於其他處理。例如，有擴散處理、氧化處理、氮化處理、氮氧化處理、還原處理、氧化還原處理、蝕刻處理、及加熱處理等。例如，於僅使用反應氣體，對基板表面或形成於基板之膜進行電漿氧化處理、或電漿氮化處理時亦可應用本揭示。又，亦可應用於僅使用反應氣體之電漿退火處理。
又，於上述中，針對半導體裝置之製造步驟進行了記載，但實施形態之揭示亦能夠應用於半導體裝置之製造步驟以外。例如有液晶元件之製造步驟、太陽電池之製造步驟、發光元件之製造步驟、玻璃基板之處理步驟、陶瓷基板之處理步驟、及導電性基板之處理步驟等之基板處理。
又，於上述中，表示了將含矽氣體使用作為原料氣體、將含氧氣體使用作為反應氣體，而形成氧化矽膜之例，但亦能夠應用於使用其他氣體之成膜。例如有含氧膜、含氮膜、含碳膜、含硼膜、含金屬膜及含有數種該等元素之膜等。再者，作為該等膜，例如有SiN膜、AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiN膜、TiC膜、TiAlC膜等。對為了 成膜該等膜而使用之原料氣體與反應氣體各自之氣體特性(吸附性、脫離性、蒸汽壓等)進行比較，藉由適當變更供給位置或簇射頭234內之構造，可獲得相同之效果。
又，設置於製程模組內之腔室可為一個亦可為數個。於在製程模組內設置有數個腔室之情形時，製程模組之熱容量變大，因此於對一台以上之製程模組進行維護之情形時之影響變大。
又，於上述中，表示了於一個處理室內對一張基板進行處理之裝置構成，但並不限定於此，亦可為沿水平方向或垂直方向排列有數張基板之裝置。
又，設置於上述流體供給裝置之恆溫槽亦可為冷卻器、加熱器。
又，所謂上述流體，例如為冷媒、冷卻水、熱介質，具體而言，可使用水、氟系液體(galden)、氣體(二氧化碳、氟氯烷、氨)、油(聚矽氧油)等。
又，上述流路切換部亦可為屬於流量控制器之三通閥、球閥、針閥、手動閥、及液體質量流量控制器(LMFC)。
又，於上述中，表示了將經加熱之製程模組冷卻之例，但並不限定於此，亦可將經冷卻之製程模組加熱至既定之溫度而開始維護步驟。可藉由適當控制上述流路切換器、或熱交換器等而應用。
又，於上述中，表示了自基板處理步驟進行維護步驟時之控制例，但並不限定於此，亦可以腔室單位或製程模組單位，於變更為不同之處理時進行相同之控制。又，亦可以腔室單位或製程模組單位，於藉由長期空轉而將加熱器設為OFF時進行相同之控 制。

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其具有：處理室，於其中對基板進行處理；流體供給部，其向上述處理室供給既定溫度之流體；流體供給管，其自上述流體供給部向上述處理室供給上述流體；第1流體排出管，其將上述流體自上述處理室向上述流體供給部排出；第2流體排出管，其設置有熱交換部，且將上述流體自上述流體供給管向上述流體供給部排出；流路切換部，其設置於上述流體供給管與上述第2流體排出管之連接部；以及控制部，其連接於上述流體供給部及上述流路切換部，且以下述方式控制上述流體供給部及上述流路切換部：於對上述基板進行處理之後，停止自上述流體供給管向上述處理室之流體之供給，並自上述流體供給管向上述熱交換部供給流體。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述控制部係以下述方式控制上述流路切換部：於對上述基板進行處理之後，一邊減少自上述流體供給管向上述處理室供給之流體之流量，一邊增大自上述流體供給管向上述熱交換部供給之流體之流量。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述控制部係以下述方式控制上述流路切換部：對上述基板進行處理後之向上述處理室之流量及向上述熱交換部之流量之總和、與於上述處理室對上述基板進行處理期間之向上述處理室之流量成 為相等。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述控制部係以下述方式控制上述流路切換部：對上述基板進行處理後之上述流體於上述處理室接收之熱量及上述流體於上述熱交換部接收之熱量之總和、與上述流體於在上述處理室對上述基板進行處理期間於上述處理室接收之熱量成為相等。
  5. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述控制部係以下述方式控制上述流路切換部：對上述基板進行處理後之上述流體於上述處理室接收之熱量及上述流體於上述熱交換部接收之熱量之總和、與上述流體於在上述處理室對上述基板進行處理期間於上述處理室接收之熱量成為相等。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述熱交換部連接於上述控制部，且具有：第1溫度測定部，其設置於上述第1流體排出管；及第2溫度測定部，其設置於上述第2流體排出管之上述流體供給部與上述熱交換部之間；且上述控制部根據上述第1溫度測定部及上述第2溫度測定部之測定資料，控制上述流路切換部及上述熱交換部中之任一者、或兩者。
  7. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述熱交換部連接於上述控制部，且具有：第1溫度測定部，其設置於上述第1流體排出管；及第2溫度測定部，其設置於上述第2流體排出管之上述流體供給部與上述熱交換部之間；且上述控制部根據上述第1溫度測定部及上述第2溫度測定部之測 定資料，控制上述流路切換部及上述熱交換部中之任一者、或兩者。
  8. 如請求項4之基板處理裝置，其中，上述熱交換部連接於上述控制部，且具有：第1溫度測定部，其設置於上述第1流體排出管；及第2溫度測定部，其設置於上述第2流體排出管之上述流體供給部與上述熱交換部之間；且上述控制部根據上述第1溫度測定部及上述第2溫度測定部之測定資料，控制上述流路切換部及上述熱交換部中之任一者、或兩者。
  9. 如請求項6之基板處理裝置，其中，上述控制部係以下述方式控制上述熱交換部：於自上述流體供給管向上述處理室供給上述流體期間上述第1溫度測定部所測得之溫度、與於對上述基板進行處理之後向上述熱交換部供給上述流體期間上述第2溫度測定部所測得之溫度成為相同。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，其具有：第1流體供給步驟，其係於在處理室對基板進行處理期間，自流體供給部經由流體供給管而向上述處理室供給既定溫度之流體，並自該處理室經由第1流體排出管而向該流體供給部供給上述流體；以及第2流體供給步驟，其係以下述方式切換流路：於對上述基板進行處理後，停止自上述流體供給管向上述處理室之流體之供給，自上述流體供給管經由具有熱交換部之第2流體排出管而向上述流體供給部供給上述流體。
  11. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其具有：於對上述基板進行處理之後，一邊減少自上述流體供給管向上述 處理室供給之流量，一邊增大自上述流體供給管向上述熱交換部供給之流體之流量的步驟。
  12. 如請求項11之半導體裝置之製造方法，其中，於增大向上述熱交換部供給之流體之流量之步驟中，使向上述處理室之流量及向上述熱交換部之流量之總和、與於對上述基板進行處理之步驟中上述流體被供給至上述處理室之流量成為相等。
  13. 如請求項11之半導體裝置之製造方法，其中，於增大向上述熱交換部供給之流體之流量之步驟中，使上述流體於上述處理室接受之熱量及上述流體於上述熱交換部接受之熱量之總和、與於對上述基板進行處理之步驟中上述流體於上述處理室接受之熱量成為相等。
  14. 如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中，於增大向上述熱交換部供給之流體之流量之步驟中，使上述流體於上述處理室接受之熱量及上述流體於上述熱交換部接受之熱量之總和、與於對上述基板進行處理之步驟中上述流體於上述處理室接受之熱量成為相等。
  15. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中，具有以下述方式控制上述熱交換部之步驟：使上述第1流體供給步驟中之設置於上述第1流體排出管之第1溫度測定部之溫度、與上述第2流體供給步驟中之設置於上述第2流體排出管之上述熱交換部之下游側之第2溫度測定部之溫度成為相等。
  16. 如請求項11之半導體裝置之製造方法，其中，具有以下述方式控制上述熱交換部之步驟： 使上述第1流體供給步驟中之設置於上述第1流體排出管之第1溫度測定部之溫度、與上述第2流體供給步驟中之設置於上述第2流體排出管之上述熱交換部之下游側之第2溫度測定部之溫度成為相等。
  17. 如請求項12之半導體裝置之製造方法，其中，具有以下述方式控制上述熱交換部之步驟：使上述第1流體供給步驟中之設置於上述第1流體排出管之第1溫度測定部之溫度、與上述第2流體供給步驟中之設置於上述第2流體排出管之上述熱交換部之下游側之第2溫度測定部之溫度成為相同。
  18. 一種記錄媒體，其記錄有藉由電腦而使基板處理裝置執行以下程序之程式：第1流體供給程序，其係於在處理室對基板進行處理期間，自流體供給部經由流體供給管而向上述處理室供給既定溫度之流體，並自該處理室經由第1流體排出管而向該流體供給部供給上述流體；以及第2流體供給程序，其係以下述方式切換流路：於對上述基板進行處理後，停止自上述流體供給管向上述處理室之流體之供給，並自上述流體供給管經由具有熱交換部之第2流體排出管而向上述流體供給部供給上述流體。
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