JPH0529261A - ステージ温調装置 - Google Patents
ステージ温調装置Info
- Publication number
- JPH0529261A JPH0529261A JP17921991A JP17921991A JPH0529261A JP H0529261 A JPH0529261 A JP H0529261A JP 17921991 A JP17921991 A JP 17921991A JP 17921991 A JP17921991 A JP 17921991A JP H0529261 A JPH0529261 A JP H0529261A
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- JP
- Japan
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- temperature
- stage
- temperature controller
- main
- valve
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ステージ温調装置において、ステージの温度
変更に伴う昇温・降温に要する時間を減少させ、スルー
プットを向上させる。 【構成】 ステージ温調装置は、ステージ２を低温に温
調する大熱容量のメイン温調器８と、ステージ２を常温
に温調する小熱容量のサブ温調器７とからなる構造とし
た。
変更に伴う昇温・降温に要する時間を減少させ、スルー
プットを向上させる。 【構成】 ステージ温調装置は、ステージ２を低温に温
調する大熱容量のメイン温調器８と、ステージ２を常温
に温調する小熱容量のサブ温調器７とからなる構造とし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ステージ温調装置に関
し、特に、たとえば半導体ウエハなどのワークを載置す
るステージの温調に適用して有効な技術に関する。
し、特に、たとえば半導体ウエハなどのワークを載置す
るステージの温調に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの製造に際し、プラズマエ
ッチングやプラズマＣＶＤ(ChemicalVapor Deposition)
などは化学反応を利用しているため、半導体ウエハの
温調が不可欠である。
ッチングやプラズマＣＶＤ(ChemicalVapor Deposition)
などは化学反応を利用しているため、半導体ウエハの
温調が不可欠である。
【０００３】半導体ウエハの温調技術としては、半導体
ウエハを載置するステージを温調するステージ温調装置
がある。このステージ温調装置はステージに冷媒を循環
供給する大熱容量の温調器を１個備えた構造としたもの
である。
ウエハを載置するステージを温調するステージ温調装置
がある。このステージ温調装置はステージに冷媒を循環
供給する大熱容量の温調器を１個備えた構造としたもの
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記したス
テージ温調装置では、低温状態のステージを真空雰囲気
中から大気に開放すると、ステージ表面に大気中の水分
が結露してしまう。
テージ温調装置では、低温状態のステージを真空雰囲気
中から大気に開放すると、ステージ表面に大気中の水分
が結露してしまう。
【０００５】この結露を防止する手段としては、大気開
放を行う前に、真空雰囲気中でステージを常温に戻す手
段が考えられる。
放を行う前に、真空雰囲気中でステージを常温に戻す手
段が考えられる。
【０００６】しかし、この手段では、昇温に長時間を要
し、この間、半導体ウエハの処理を停止しなければなら
ず、また、半導体ウエハを処理するとき、温調器が大熱
容量であるため、処理の開始に時間がかかってしまう。
し、この間、半導体ウエハの処理を停止しなければなら
ず、また、半導体ウエハを処理するとき、温調器が大熱
容量であるため、処理の開始に時間がかかってしまう。
【０００７】その結果、スループットが低下し、これ
は、半導体ウエハの処理温度が低温になる程著しい。
は、半導体ウエハの処理温度が低温になる程著しい。
【０００８】本発明の目的は、ステージの温度変更に伴
う昇温・降温に要する時間を減少させ、スループットを
向上させることのできるステージ温調装置を提供するこ
とにある。
う昇温・降温に要する時間を減少させ、スループットを
向上させることのできるステージ温調装置を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１０】本発明のステージ温調装置は、ステージを
低温に温調する大熱容量のメイン温調器と、ステージを
常温に温調する小熱容量のサブ温調器とからなる構造と
したものである。
低温に温調する大熱容量のメイン温調器と、ステージを
常温に温調する小熱容量のサブ温調器とからなる構造と
したものである。
【００１１】
【作用】ステージを低温に温調する場合、メイン温調器
を稼動させ、ステージに低温の伝熱媒体を循環供給し、
ステージを降温させて低温に温調する。
を稼動させ、ステージに低温の伝熱媒体を循環供給し、
ステージを降温させて低温に温調する。
【００１２】ステージを常温に温調する場合、メイン温
調器を稼動させたまま、低温の伝熱媒体を内部循環さ
せ、低温を維持した状態で、サブ温調器を稼動させ、ス
テージに常温の伝熱媒体を循環供給し、ステージを昇温
させて常温に温調する。
調器を稼動させたまま、低温の伝熱媒体を内部循環さ
せ、低温を維持した状態で、サブ温調器を稼動させ、ス
テージに常温の伝熱媒体を循環供給し、ステージを昇温
させて常温に温調する。
【００１３】したがって、ステージの温度変更に伴う昇
温・降温に要する時間を減少させ、スループットを向上
させることができる。
温・降温に要する時間を減少させ、スループットを向上
させることができる。
【００１４】
【実施例１】図１は本発明の実施例１であるステージ温
調装置を示す構成図である。
調装置を示す構成図である。
【００１５】本実施例１はプラズマエッチング装置にお
けるステージ温調装置に適用したものである。
けるステージ温調装置に適用したものである。
【００１６】このステージ温調装置では、半導体ウエハ
１を載置するステージ２は、急激な温度変化に耐えるア
ルミニウム製とし、内部に熱交換部３を有している。
１を載置するステージ２は、急激な温度変化に耐えるア
ルミニウム製とし、内部に熱交換部３を有している。
【００１７】この熱交換部３の両端にサブ温調循環供給
路４が接続され、このサブ温調循環供給路４にメイン温
調循環供給路５が並列に接続され、このメイン温調循環
供給路５の始終端間にバイパス路６が接続され、前記温
調循環供給路４，５およびバイパス路６は断熱材で覆わ
れている。
路４が接続され、このサブ温調循環供給路４にメイン温
調循環供給路５が並列に接続され、このメイン温調循環
供給路５の始終端間にバイパス路６が接続され、前記温
調循環供給路４，５およびバイパス路６は断熱材で覆わ
れている。
【００１８】前記サブ温調循環供給路４にサブ温調器７
が設けられ、このサブ温調器７は内蔵のポンプ９により
ステージ２に高温でかつ小熱容量の伝熱媒体を循環供給
する機能を有する。
が設けられ、このサブ温調器７は内蔵のポンプ９により
ステージ２に高温でかつ小熱容量の伝熱媒体を循環供給
する機能を有する。
【００１９】前記メイン温調循環供給路５にメイン温調
器８が設けられ、このメイン温調器８は内蔵のポンプ９
によりステージ２に低温でかつ大熱容量の伝熱媒体を循
環供給する機能を有する。
器８が設けられ、このメイン温調器８は内蔵のポンプ９
によりステージ２に低温でかつ大熱容量の伝熱媒体を循
環供給する機能を有する。
【００２０】サブ温調器７より２次側のサブ温調循環供
給路４にサブバルブ１０が設けられ、メイン温調循環供
給路５の始終端にそれぞれメインバルブ１１が形成さ
れ、バイパス路６にバイパスバルブ１２が設けられてい
る。
給路４にサブバルブ１０が設けられ、メイン温調循環供
給路５の始終端にそれぞれメインバルブ１１が形成さ
れ、バイパス路６にバイパスバルブ１２が設けられてい
る。
【００２１】次に、本実施例１の作用を説明する。
【００２２】ステージ２を−６０℃の低温に温調する場
合、まず、バイパスバルブ１２およびサブバルブ１０を
閉じ、メインバルブ１１を開く。
合、まず、バイパスバルブ１２およびサブバルブ１０を
閉じ、メインバルブ１１を開く。
【００２３】次いで、メイン温調器８を稼動させ、ステ
ージ２に低温の伝熱媒体を循環供給し、ステージ２を降
温させて−６０℃の低温に温調する。
ージ２に低温の伝熱媒体を循環供給し、ステージ２を降
温させて−６０℃の低温に温調する。
【００２４】ステージ２を２０℃の常温に温調する場
合、まず、メイン温調器８をそのまま稼動させた状態
で、メインバルブ１１を閉じ、バイパスバルブ１２を開
き、低温の伝熱媒体を内部循環させ、低温を維持する。
合、まず、メイン温調器８をそのまま稼動させた状態
で、メインバルブ１１を閉じ、バイパスバルブ１２を開
き、低温の伝熱媒体を内部循環させ、低温を維持する。
【００２５】次いで、サブバルブ１０を開き、サブ温調
器７を稼動させ、ステージ２に高温の伝熱媒体を循環供
給し、ステージ２を昇温させて２０℃の常温に温調す
る。
器７を稼動させ、ステージ２に高温の伝熱媒体を循環供
給し、ステージ２を昇温させて２０℃の常温に温調す
る。
【００２６】したがって、ステージ２の温度変更に伴う
昇温・降温に要する時間を減少させ、スループットを向
上させることができる。
昇温・降温に要する時間を減少させ、スループットを向
上させることができる。
【００２７】
【実施例２】図２は本発明の実施例２であるステージ温
調装置を示す構成図である。
調装置を示す構成図である。
【００２８】本実施例２におけるステージ温調装置は、
前記実施例１とほぼ同様であるが、実施例１のサブ温調
器に代えてヒータ１３をステージ２に内蔵した点で特徴
を有する。
前記実施例１とほぼ同様であるが、実施例１のサブ温調
器に代えてヒータ１３をステージ２に内蔵した点で特徴
を有する。
【００２９】ステージ２の温度を−６０℃の低温に温調
する場合、メインバルブ１１を開き、バイパスバルブ１
２を閉じ、メイン温調器８の稼動によりステージ２に低
温の伝熱媒体を循環供給し、ステージ２を降温させて−
６０℃の低温に温調する。
する場合、メインバルブ１１を開き、バイパスバルブ１
２を閉じ、メイン温調器８の稼動によりステージ２に低
温の伝熱媒体を循環供給し、ステージ２を降温させて−
６０℃の低温に温調する。
【００３０】ステージ２の温度を２０℃の常温に温調す
る場合、メインバルブ１１を閉じ、バイパスバルブ１２
を開き、メイン温調器８を稼動させたまま、−６０℃の
伝熱媒体を内部循環させて低温を維持した状態で、ヒー
タ１３の電源をＯＮにし、ステージ２を昇温させて２０
℃の常温に温調する。
る場合、メインバルブ１１を閉じ、バイパスバルブ１２
を開き、メイン温調器８を稼動させたまま、−６０℃の
伝熱媒体を内部循環させて低温を維持した状態で、ヒー
タ１３の電源をＯＮにし、ステージ２を昇温させて２０
℃の常温に温調する。
【００３１】したがって、前記実施例１の効果に加え
て、実施例１におけるサブ温調循環供給路やサブバルブ
を不要にし、コストの低廉化を図ることができる。
て、実施例１におけるサブ温調循環供給路やサブバルブ
を不要にし、コストの低廉化を図ることができる。
【００３２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変形可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変形可能であることはいうまでもない。
【００３３】たとえば、前記実施例では、２０℃、−６
０℃のステージ温度に対応させて温調器を２個設けた場
合について説明したが、これに限らず、３種類あるいは
４種類のステージ温度に対応させて熱容量の異なる温調
器を３個あるいは４個設けることができる。
０℃のステージ温度に対応させて温調器を２個設けた場
合について説明したが、これに限らず、３種類あるいは
４種類のステージ温度に対応させて熱容量の異なる温調
器を３個あるいは４個設けることができる。
【００３４】また、前記実施例では、ステージにサブ温
調器とメイン温調器とを並列に接続させた場合について
説明したが、これに限らず、ステージにサブ温調器とメ
イン温調器とを直列に接続させることができる。
調器とメイン温調器とを並列に接続させた場合について
説明したが、これに限らず、ステージにサブ温調器とメ
イン温調器とを直列に接続させることができる。
【００３５】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野である、プラズマエッチ
ング装置におけるステージ温調装置について説明した
が、これに限定されるものでなく、プラズマＣＶＤ装置
あるいはプラズマスパッタリング装置は勿論、半導体ウ
エハ以外のワークの処理装置におけるステージ温調装置
にも適用できる。
てなされた発明をその利用分野である、プラズマエッチ
ング装置におけるステージ温調装置について説明した
が、これに限定されるものでなく、プラズマＣＶＤ装置
あるいはプラズマスパッタリング装置は勿論、半導体ウ
エハ以外のワークの処理装置におけるステージ温調装置
にも適用できる。
【００３６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００３７】すなわち、１個のステージに対し、熱容量
の異なる複数個の温調器を備えた構造としたので、ステ
ージの温度変更に伴う昇温・降温に要する時間を減少さ
せ、スループットを向上させることができる。
の異なる複数個の温調器を備えた構造としたので、ステ
ージの温度変更に伴う昇温・降温に要する時間を減少さ
せ、スループットを向上させることができる。
【図１】本発明の実施例１であるステージ温調装置を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】本発明の実施例２であるステージ温調装置を示
す構成図である。
す構成図である。
１ 半導体ウエハ
２ ステージ
３ 熱交換部
４ サブ温調循環供給路
５ メイン温調循環供給路
６ バイパス路
７ サブ温調器
８ メイン温調器
９ ポンプ
１０ サブバルブ
１１ メインバルブ
１２ バイパスバルブ
１３ ヒータ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 長谷部 有弘
東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東
京エレクトロニクス株式会社内
(72)発明者 小島 剛資
東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東
京エレクトロニクス株式会社内
(72)発明者 加藤 誠一
東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株
式会社日立製作所武蔵工場内
(72)発明者 河合 和彦
東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株
式会社日立製作所武蔵工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 １個のステージに対し、熱容量の異なる
複数個の温調器を備えたことを特徴とするステージ温調
装置。 - 【請求項２】 ステージを低温に温調する大熱容量のメ
イン温調器と、ステージを常温に温調する小熱容量のサ
ブ温調器とからなることを特徴とするステージ温調装
置。 - 【請求項３】 前記サブ温調器としてヒータを設けたこ
とを特徴とする請求項２記載のステージ温調装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17921991A JPH0529261A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | ステージ温調装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17921991A JPH0529261A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | ステージ温調装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529261A true JPH0529261A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16062021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17921991A Pending JPH0529261A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | ステージ温調装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529261A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005064659A1 (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Tokyo Electron Limited | 基板処理システムのための温度調節方法および基板処理システム |
| JP5938506B1 (ja) * | 2015-09-17 | 2016-06-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP17921991A patent/JPH0529261A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005064659A1 (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Tokyo Electron Limited | 基板処理システムのための温度調節方法および基板処理システム |
| JP5938506B1 (ja) * | 2015-09-17 | 2016-06-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
| JP2017059714A (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
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