KR200264228Y1 - 급속 열처리장치의 공정 챔버 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 급속 열처리장치의 공정 챔버에 관한 것으로서, 내측에 웨이퍼(W)를 지지하는 페데스탈(Pedestal;20)이 설치되고, 상측에 웨이퍼(W)를 가열하는 가열부재(30)가 설치되며, 일측에 반응가스와 퍼지가스를 공급하는 가스공급관(14)이 연결되고, 타측에 공정을 마친 반응가스와 퍼지가스를 배기함과 아울러 PCV(Pressure Control Valve;16a)와 압력계(16b)가 설치되는 가스배기관(16)이 연결되는 공정 챔버(10)를 구비한 급속 열처리장치에 있어서, 가스공급관(14)에는 공정 챔버(10)로 공급되는 퍼지가스의 공급량을 증가시 퍼지가스의 흐름이 빨라지는 것을 완화시키는 가스 리저버(100)가 구비되는 것으로서, 공정 챔버로 공급되는 퍼지가스의 공급량이 증가시 퍼지가스의 흐름이 빨라지는 것을 완화시킴으로써 공정 챔버내의 압력을 일정하게 유지함과 아울러 가스배기관에 외기의 압력변화로 인한 내부압력에 따라 적당량의 압력조절용 퍼지가스를 공급함으로써 공정 챔버내의 압력을 일정하게 유지하여 에러를 감소시켜 장치의 가동율을 증대시키며, 웨이퍼의 균일성(Uniformity)을 향상시키는 효과를 가지고 있다.
Description
본 고안은 급속 열처리장치의 공정 챔버에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정 챔버로 공급되는 퍼지가스의 공급량이 증가시 퍼지가스의 흐름이 빨라지는 것을 완화시키며, 가스배기관에 외기의 압력변화로 인한 내부압력에 따라 적당량의 압력조절용 퍼지가스를 공급함으로써 공정 챔버내의 압력을 일정하게 유지하는 급속 열처리장치의 공정 챔버에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정은 열처리의 반복으로 이루어져 있으며, 열처리가 필요한 공정은 열산화, 열확산, 각종의 어닐링(Annealing) 등이다. 어닐링은 불순물 이온을 넣은 후의 결정성 회복의 어닐링, Al·Si의 콘택트 특성과 Si·SiO2계면특성 향상을 위한 어닐링, 실리사이드(Silicide) 형성을 위한 신터링(Sintering) 등 용도는 매우 광범위하다.
열처리 공정을 수행하는 장치로는 퍼니스(Furnace)외에 급속 열처리장치(Rapid Thermal Processing;RTP)가 이용되고 있으며, 급속 열처리장치는 고온을 사용해서 원하는 효과를 얻을 수 있는 것과 동시에 짧은 시간(보통 수십초에서 수분정도) 동안에 열처리 공정이 진행되므로 불순물이 확산되는 부작용도 최소한으로 줄일 수 있는 장점이 있어 열처리 공정에 많이 사용되고 있다.
급속 열처리장치는 웨이퍼의 급속 열처리 공정을 실시하는 공정 챔버(Process chamber)와, 공정 챔버로부터 급속 열처리 공정이 완료된 웨이퍼를 냉각시키기 위한 쿨다운 챔버(Cooldown chamber)와, 각각의 챔버로 웨이퍼를 이송시키는 웨이퍼 이송로봇이 설치된 로드락 챔버(Loadlock chamber)를 포함하고 있으며, 이러한 급속 열처리장치에 있어서 공정 챔버를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 급속 열처리장치의 공정 챔버를 도시한 구성도이다. 도시된 바와 같이, 공정 챔버(10)는 내측에 웨이퍼(W)를 지지하는 페데스탈(Pedestal;20)이 설치되며, 페데스탈(20)의 상측에 웨이퍼(W)를 일정한 온도로 급속하게 가열하는 가열부재(30)가 설치된다.
공정 챔버(10)는 일측에 슬릿(Slit;11)을 형성하고, 슬릿(11)의 외측에는 슬릿(11)을 개폐하는 슬릿 밸브(12)가 설치되며, 슬릿 밸브(12)에 의해 개방된 슬릿(11)을 통해 로드락 챔버의 웨이퍼 이송로봇(도시 안됨)에 의해 웨이퍼(W)가 페데스탈(20)로 로딩/언로딩된다.
페데스탈(20)은 스테인레스 스틸 재질로 형성되고, 상측에 웨이퍼(W)를 상하로 이동시키는 리프트핀(Lift pins;21)이 수직되게 슬라이딩 결합되며, 내측에 중심으로부터 위치를 달리하여 분포되는 복수의 온도감지센서(미도시)가 구비된다.
가열부재(30)는 복수의 램프(31)가 방사상의 다수의 존(Zone)으로 배열되어 있으며, 하측에 쿼츠 윈도우 어셈블리(32;Quartz window assembly)가 구비된다.
한편, 공정 챔버(10)는 일측에 가스공급구(13)가 형성되고, 가스공급구(13)에는 가스공급관(14)이 연결되고, 가스공급관(14)의 공급측은 두 갈래로 분기되어 분기된 가스공급관(14)을 통해 반응가스와 퍼지가스가 각각 공급되며, 분기된 각각의 가스공급관(14)에는 반응가스 및 퍼지가스의 공급량을 제어하는 반응가스 MFC(14a) 및 퍼지가스 MFC(14b)가 각각 설치된다
또한, 분기된 각각의 가스공급관(14)에는 반응가스와 퍼지가스의 흐름을 각각 개폐하는 반응가스 개폐밸브(V1)와 퍼지가스 개폐밸브(V2)가 각각 설치된다.
한편, 공정 챔버(10)내로 공급되는 반응가스로는 산소(O2)가 사용되며, 내부를 정화시킴과 아울러 냉각시키는 역활을 수행하는 퍼지가스로는 질소(N2)가 사용된다.
공정 챔버(10)는 가스공급구(13)의 반대측에 가스공급구(13)를 통해 내측으로 공급된 반응가스와 퍼지가스를 외측으로 배기시키는 가스배기구(15)가 형성되며, 가스배기구(15)에는 가스배기관(16)이 연결된다.
가스배기관(16)에는 공정 진행시 공정 챔버(10)의 압력을 일정한 압력으로 유지시키는 PCV(Pressure Control Valve;16a)가 설치되며, PCV(16a)는 공정 챔버(10)내의 압력을 일정하게 유지시키면서 공정 챔버(10) 내부로부터 공정을 마친 반응가스와 퍼지가스를 가스배기관(16)을 통해 외기로 배기되도록 한다. 한편, 가스배기관(16) 내부의 압력을 측정하기 위하여 압력계(16b)가 설치되며, 제어부(도시 안됨)는 압력계(16b)로부터 측정된 값에 의해 PCV(16a)를 제어한다.
또한, 가스배기관(16)상에는 공정 챔버(10)내의 압력이 일정 압력 이하로 내려가면 가스배기관(16)의 가스의 흐름을 차단시키는 배기가스 개폐밸브(V3)가 설치되며, 공정 챔버(10)내의 압력이 일정 압력 이상일 때 공정 챔버(10)내의 반응가스 및 퍼지가스가 PCV(16a)를 바이패스(By-pass)하여 배기관(16)을 통해 배기되도록 벤트밸브(Vent valve;Vv)를 구비한 바이패스관(17)이 설치된다.
이와 같은 종래의 급속 열처리장치는 가스공급관(14)을 통해 공급되는 퍼지가스의 공급량을 증가할 경우 가스공급관(14)을 따라 흐르는 퍼지가스의 흐름이 빨라져 공정 챔버(10)내의 압력이 증가하므로 가스배기관(16)의 PCV(16a)는 공정 챔버(10)내의 압력을 일정하게 유지하기 위하여 개방되는데, 이 때 PCV(16a)는 그 밸브특성상 거의 최대한 열리게 됨으로써 공정 챔버(10) 내부의 퍼지가스가 갑자기 줄어들게 되고, PCV(16a)는 줄어든 공정 챔버(10)의 압력을 증가시키게 위해 반대로 닫히게 됨으로써 공정 챔버(10) 내부의 압력이 갑작스럽게 증가하게 되는 등 공정 챔버(10)내의 압력변화가 심하게 발생하며, 이로 인해 공정이 안정하게 실시되지 못함으로써 장치에 에러가 빈번하게 발생하여 장치의 가동률이 저하될 뿐만 아니라 웨이퍼의 균일성(Uniformity)를 저하시키는 문제점을 가지고 있었다.
또한, 가스배기관(16)은 외기와 연결되어 있으므로 가스배기관(16)을 통해 배기되는 가스량은 외기의 압력변화에 영향을 받게 되는데, 이로 인해 공정 챔버(10) 내의 압력이 변화하여 퍼지가스의 공급량 변화시 발생하는 상기한 바와 동일한 문제점을 발생시킨다.
본 고안은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안의 목적은 공정 챔버로 공급되는 퍼지가스의 공급량이 증가시 퍼지가스의 흐름이 빨라지는 것을 완화시킴으로써 공정 챔버내의 압력을 일정하게 유지함과 아울러 가스배기관에 외기의 압력변화로 인한 내부압력에 따라 적당량의 압력조절용 퍼지가스를 공급함으로써 공정 챔버내의 압력을 일정하게 유지하여 에러를 감소시켜 장치의 가동율을 증대시키며, 웨이퍼의 균일성(Uniformity)을 향상시키는 급속 열처리장치의 공정 챔버를 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 고안은, 내측에 웨이퍼를 지지하는 페데스탈(Pedestal)이 설치되고, 상측에 웨이퍼를 가열하는 가열부재가 설치되며, 일측에 반응가스와 퍼지가스를 공급하는 가스공급관이 연결되고, 타측에 공정을 마친 반응가스와 퍼지가스를 배기함과 아울러 PCV(Pressure Control Valve)와 압력계가 설치되는 가스배기관이 연결되는 공정 챔버를 구비한 급속 열처리장치에 있어서, 가스공급관에는 공정 챔버로 공급되는 퍼지가스의 공급량을 증가시 퍼지가스의 흐름이 빨라지는 것을 완화시키는 가스 리저버가 구비되는 것을 특징으로 한다.
가스 리저버는 가스공급관에 양단이 연결되는 튜브와; 튜브의 내측에 퍼지가스가 흐르는 방향과 직각되게 설치되되, 지그재그로 설치되는 복수의 격벽으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
공정 챔버와 PCV사이의 가스배기관에 내부의 압력을 조절하기 위하여 퍼지가스를 공급하는 압력가스공급관이 연결되며, 압력가스공급관에 압력계로부터 측정되는 압력에 따라 퍼지가스의 공급량을 조절하는 압력가스 MFC가 설치되는 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래의 급속 열처리 장치의 공정 챔버를 도시한 구성도이고,
도 2는 본 고안에 따른 급속 열처리장치의 공정 챔버를 도시한 구성도이고,
도 3은 본 고안에 따른 급속 열처리장치의 공정 챔버의 가스 리저버를 도시한 단면도이고,
도 4는 본 고안에 따른 급속 열처리장치의 공정 챔버의 제어를 위한 블럭도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 ; 가스 리저버(Gas reservoir) 110 ; 튜브
120 ; 격판 210 ; 압력가스공급관
220 ; 압력가스 MFC
이하, 본 고안의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 고안에 따른 급속 열처리장치의 공정 챔버를 도시한 구성도이다.도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 급속 열처리장치의 공정 챔버는 내측에 웨이퍼(W)를 지지하는 페데스탈(Pedestal;20)이 설치되고, 상측에 웨이퍼(W)를 가열하는 가열부재(30)가 설치되며, 일측에 반응가스(Process gas)와 퍼지가스(Purge gas)를 공급하는 가스공급관(14)이 연결되고, 타측에 공정을 마친 반응가스와 퍼지가스를 배기함과 아울러 PCV(16a)와 압력계(16b)가 설치되는 가스배기관(16)이 연결되며, 가스공급관(14)에 공정 챔버(10)로 공급되는 퍼지가스의 공급량을 증가시 퍼지가스의 흐름이 빨라지는 것을 완화시키는 가스 리저버(100; Gas reservoir)가 구비된다.
공정 챔버(10)는 일측에 슬릿 밸브(Slit valve;12)가 설치되는 슬릿(Slit;11)을 형성하고, 슬릿 밸브(12)에 의해 개방된 슬릿(11)을 통해 로드락 챔버의 웨이퍼 이송로봇(도시 안됨)에 의해 웨이퍼(W)가 페데스탈(20)로 로딩/언로딩된다.
페데스탈(20)은 상단에 공정 챔버(10) 내측으로 로딩된 웨이퍼(W)를 지지함과 아울러 상하로 이동시키는 리프트핀(Lift pins;21)이 수직으로 슬라이딩 가능하게 결합되고, 내측에 중심으로부터 위치를 달리하여 분포되는 복수의 온도감지센서(미도시)가 구비되며, 상측에 가열부재(30)가 설치된다.
가열부재(30)는 페데스탈(20)의 리프핀(21)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)를 급속하게 가열시키는 것으로써 복수의 램프(31)가 방사상의 다수의 존(Zone)으로 배열되며, 하측에 쿼츠 윈도우 어셈블리(32;Quartz window assembly)가 구비된다.
한편, 공정 챔버(10)의 양측에는 가스공급구(13)와 가스배기구(15)가 각각형성되며, 이들에는 가스공급관(14)과 가스배기관(16)이 각각 연결된다.
가스공급관(14)은 산소(O2)가 사용되어지는 반응가스와, 질소(N2)가 사용되어짐과 아울러 공정 챔버(10) 등의 내부를 정화 및 냉각시키는 퍼지가스를 각각 공급받으며, 이를 위해 공급측이 두 갈래로 분기되고, 분기된 각각에는 반응가스의 공급량을 제어하는 반응가스 MFC(14a) 및 퍼지가스의 공급량을 제어하는 퍼지가스 MFC(14b)가 각각 설치되며, 각각의 가스흐름을 개폐하는 반응가스 개폐밸브(V1)와 퍼지가스 개폐밸브(V2)가 설치되고, 퍼지가스 MFC(14b)와 퍼지가스 개폐밸브(V2) 사이에 가스 리저버(100)가 설치된다.
가스 리저버(100)는 도 3에서 나타낸 바와 같이, 가스공급관(14)에 양단이 연결되는 튜브(110)와, 튜브(110)의 내측에 퍼지가스가 흐르는 방향과 직각되게 설치되되 지그재그로 설치되는 복수의 격벽(120)으로 이루어진다.
또한, 튜브(110)는 퍼지가스의 흐름이 빨라지는 것을 완화시키는 것을 증대하기 위하여 그 직경이 가스공급관(14)의 직경에 비해 큰 것일 바람직하다.
한편, 가스배기관(16)에는 공정 진행시 공정 챔버(10)의 압력을 일정한 압력으로 유지시키는 PCV(16a)와, 내부의 압력을 측정하는 압력계(16b)와, 공정 챔버(10)내의 압력이 일정한 압력 이하로 내려가면 가스배기관(16)의 가스의 흐름을 차단시키는 배기가스 개폐밸브(V3)와, 공정 챔버(10)내의 압력이 일정 압력 이상일 때 공정 챔버(10)내의 반응가스 및 퍼지가스가 PCV(16a)를 바이패스(By-pass)하여 배기되도록 하는 벤트밸브(Vent valve;Vv)를 구비한 바이패스관(17)이 설치된다.
또한, 공정 챔버(10)와 PCV(16a)사이의 가스배기관(16)에는 내부의 압력을 조절하기 위하여 퍼지가스를 공급하는 압력가스공급관(210)이 연결되며, 압력가스공급관(210)에는 압력계(16b)로부터 측정되는 가스배기관(16)의 압력값을 수신하는 제어부(300; 도 4에 도시됨)에 의해 제어되어 퍼지가스의 공급량을 조절함으로써 공정 챔버(10) 내부의 압력을 일정하게 유지하는 압력가스 MFC(220)가 설치될 수 있다.
한편, 가스공급관(210)은 일단을 가스공급관(14)의 퍼지가스 공급측과 연결함으로써 가스공급관(14)의 퍼지가스 공급측으로부터 퍼지가스를 공급받을 수 있다.
이와 같은 구조로 이루어진 급속 열처리장치의 공정 챔버의 동작은 다음과 같이 이루어진다.
도 4에서 나타낸 바와 같이, 주어진 공정조건에 따라 제어부(300)가 반응가스 MFC(14a), 퍼지가스 MFC(14b), 반응가스개폐밸브(V1), 퍼지가스개폐밸브(V2) 등을 제어하는데, 이 때 퍼지가스의 공급량을 증가시키는 경우 가스공급관(14)을 통과하는 퍼지가스의 흐름은 빨라지며, 흐름이 빨라진 퍼지가스는 가스 리저버(100)의 튜브(110)로 유입되어 격벽(120)에 충돌하면서 지그재그로 흐르면서 속도가 저하된 상태에서 공정 챔버(10)로 공급된다.
따라서, 공정 챔버(10)는 비록 퍼지가스의 공급량이 증가하더라도 내부의 압력이 그다지 변함이 없으므로, PCV(16a)가 무리하게 동작할 필요가 없을 뿐만 아니라 공정 챔버(10)내부의 압력이 일정하게 유지됨으로써 안정된 상태에서 공정이 실시된다.
또한, 외기의 압력이 변화하는 경우 이러한 압력변화는 외기와 연결된 가스배기관(16)으로 전달되고, 이로 인해 가스배기관(16) 내부의 압력을 변하게 되며, 이 때, 이러한 가스배기관(16) 내부의 압력변화를 압력계(16b)를 통해 감지한 제어부(300)에 의해 동작하는 압력가스 MFC(220)가 압력가스공급관(210)을 통해 적당량의 퍼지가스를 가스배기관(16)으로 공급함으로써 공정 챔버(10) 내부의 압력은 일정하게 유지된다.
이상과 같이 본 고안의 바람직한 실시예에 따르면, 공정 챔버로 공급되는 퍼지가스의 공급량이 증가시 퍼지가스의 흐름이 빨라지는 것을 완화시킴으로써 공정 챔버내의 압력을 일정하게 유지함과 아울러 가스배기관에 외기의 압력변화로 인한 내부압력에 따라 적당량의 압력조절용 퍼지가스를 공급함으로써 공정 챔버내의 압력을 일정하게 유지한다.
상술한 바와 같이, 본 고안에 따른 급속 열처리장치의 공정 챔버는 공정 챔버로 공급되는 퍼지가스의 공급량이 증가시 퍼지가스의 흐름이 빨라지는 것을 완화시킴으로써 공정 챔버내의 압력을 일정하게 유지함과 아울러 가스배기관에 외기의 압력변화로 인한 내부압력에 따라 적당량의 압력조절용 퍼지가스를 공급함으로써 공정 챔버내의 압력을 일정하게 유지하여 에러를 감소시켜 장치의 가동율을 증대시키며, 웨이퍼의 균일성(Uniformity)을 향상시키는 효과를 가지고 있다.
이상에서 설명한 것은 본 고안에 따른 급속 열처리장치의 공정 챔버를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 고안은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 실용신안등록청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 고안의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
Claims (3)
- 내측에 웨이퍼를 지지하는 페데스탈(Pedestal)이 설치되고, 상측에 웨이퍼를 가열하는 가열부재가 설치되며, 일측에 반응가스와 퍼지가스를 공급하는 가스공급관이 연결되고, 타측에 공정을 마친 반응가스와 퍼지가스를 배기함과 아울러 PCV(Pressure Control Valve)와 압력계가 설치되는 가스배기관이 연결되는 공정 챔버를 구비한 급속 열처리장치에 있어서,상기 가스공급관에는 상기 공정 챔버로 공급되는 퍼지가스의 공급량을 증가시 퍼지가스의 흐름이 빨라지는 것을 완화시키는 가스 리저버가 구비되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리장치의 공정 챔버.
- 제 1 항에 있어서, 상기 가스 리저버는,상기 가스공급관에 양단이 연결되는 튜브와;상기 튜브의 내측에 퍼지가스가 흐르는 방향과 직각되게 설치되되, 지그재그로 설치되는 복수의 격벽;으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 급속 열처리장치의 공정 챔버.
- 제 1 항에 있어서, 상기 공정 챔버와 상기 PCV사이의 상기 가스배기관에 내부의 압력을 조절하기 위하여 퍼지가스를 공급하는 압력가스공급관이 연결되며, 상기 압력가스공급관에 상기 압력계로부터 측정되는 압력에 따라 퍼지가스의 공급량을 조절하는 압력가스 MFC가 설치되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리장치의 공정 챔버.
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Applications Claiming Priority (1)
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR2020010036838U KR200264228Y1 (ko) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 급속 열처리장치의 공정 챔버 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160071010A (ko) * | 2014-12-11 | 2016-06-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 배기 방법 |
| KR101786878B1 (ko) * | 2015-08-27 | 2017-10-18 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 시스템, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
| KR20180123862A (ko) * | 2017-05-10 | 2018-11-20 | 세메스 주식회사 | 공조 장치 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 |
-
2001
- 2001-11-29 KR KR2020010036838U patent/KR200264228Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160071010A (ko) * | 2014-12-11 | 2016-06-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 배기 방법 |
| KR102308139B1 (ko) * | 2014-12-11 | 2021-10-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 배기 방법 |
| KR101786878B1 (ko) * | 2015-08-27 | 2017-10-18 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 시스템, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
| US10131990B2 (en) | 2015-08-27 | 2018-11-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
| KR20180123862A (ko) * | 2017-05-10 | 2018-11-20 | 세메스 주식회사 | 공조 장치 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 |
| KR101985764B1 (ko) | 2017-05-10 | 2019-09-03 | 세메스 주식회사 | 공조 장치 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 |
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