KR970005443B1

KR970005443B1 - 기판의 처리방법

Info

Publication number: KR970005443B1
Application number: KR1019890003613A
Authority: KR
Inventors: 토모노리 나리타; 키미히로 마츠세
Original assignee: 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤; 고다까 토시오
Priority date: 1988-03-25
Filing date: 1989-03-22
Publication date: 1997-04-16
Also published as: US4913790A; KR890015384A

Abstract

내용 없음.

Description

기판의 처리방법

제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 CVD 처리에 사용되는 CVD 장치를 나타낸 도면.

제2도는 제1도에 나타낸 장치를 사용한 처리에서, 웨이퍼의 온도제어를 더어모커플만을 사용하여 행하였을 경우의 더어모커플 및 파이로미터에 의해 검출된 온도를 나타낸 도면.

제3도는 본 발명에서 웨이퍼의 온도제어를 위한 블록 다이어그램.

제4도는 제1도에서 파이로미터의 위치를 변경한 CVD 장치를 나타낸 도면.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 : 쳄버 2 : 반도체 웨이퍼

3 : 설치대 4 : 승강기구

5 : 지지대 6 : 열전대

7 : 창 8 : 적외선램프

9 : 배기구 10 : 진공펌프

11 : 가스 도입구 12 : 가스 도입구

13 : 흐름량 제어기구 14 : 흐름제어판

15 : 공간 16 : 파이로미터(Pyrometer)

17 : 렌즈 18 : 게이트밸브

19 : 핸드 아암 20 : 카세트

21 : 얹어 놓는 대 22 : 예비실

23 : 제어부

본 발명은 처리방법에 관한 것으로서, 특히 피처리피간 표면상의 금속퇴적(堆積)에 있어서의 온도제어에 관한 것이다.

종래에, 반도체 집적회로의 제조 프로세스에 있어서, 피처리기판의 표면에 금속을 퇴적시키는 기술로서, 증착이나 스퍼터링 등의 물리적 기상성장(Physical Vapor Deposition)(약칭 : PVD)법이 있다.

그러나, 초집적회로(ULSI)와 같이 집적회로의 고집적화, 고속화, 고밀도화에 따라, 게이트전극의 형성 및 콘택트 홀(Contact hole)이나 드루 홀(through hole)에서의 금속의 선택적인 퇴적 등을 위하여, 다결정 실리콘에 비항여 저항이 한 단계 이상 낮은 W(텅스텐) 등의 내화 금속을 퇴적시키는 기술이 중요시 되고 있다.

이와같은 목적을 위하여, 최근에는 퇴적의 선택도가 우수한 화학적 기상성장(Chemical Vapor Deposition)(약칭 : CVD)법이 주로 사용되고 있다.

CVD법에 의해 피처리기판, 예를 들면 표면에 알루미늄막이 형성된 피처리기판상에 얇은 막을 선택적으로 퇴적시키는 경우에, 퇴적의 선택도를 향상시키기 위하여 피처리기판을 급격하게 가열하고, 그 후에 소망의 온도로서 온도를 제어할 필요가 있다.

이 경우, 피처리기판의 온도제어에서는 피처리기판의 온도를 정확하게 제어할 필요가 있지만, 그 온도의 검지방법으로서 접촉형의 온도검지기구인 더어모커플(Thermocouple)을 기판에 접촉시켜 피처리기판의 온도를 검지하는 방법과, 비접촉형의 온도검지기구인 파이로미터(Pyrometer)에 의해 피처리기판으로부터의 적외선(Infrared ray)의 방사에너지를 검출하여 피처리기판의 온도를 검지하는 방법이 있다.

그러나, 이와같은 피처리기판의 온도제어를 위한 온도검지에 더어모커플을 사용하면, 더어모커플은 안정된 온도에 대하여서는 신뢰성이 높지만, 더어모커플 자체의 온도상승에 시간이 걸리기 때문에, 급격히 상승하는 온도에 대하여는 신뢰성이 낮다.

따라서, 피처리기판을 급격히 가열하였을 때에는, 온도의 상승에 더어모커플이 추종(追從)할 수가 없으므로, 더어모커플의 검지온도와 실제온도의 사이에 상당한 오차가 발생하고, 급격히 상승한 후에 일정하게 유지되어야 할 설정값이 대폭적으로 초과(Over shoot)하여 버린다.

이와같이 온도가 초과되면, 피처리기판 표면의 재질이 알루미늄인 경우에는, 피처리기판의 표면이 녹아버려, CVD 처리를 실시할 수 없다는 문제점도 있었다. 또한, 실리콘 기판의 확산영역 위에 CVD를 실시하는 경우에는, 반응이 피처리기판의 내부까지 표면이 진행되는, 소위 침식이라 불리는 현상이 발생하여 버린다.

한편, 피처리기판의 온도제어에 파이로미터를 사용하면, 파이로미터는 응답성이 우수한 것이어서, 급격한 가열에는 대응할 수가 있지만, 피처리기판의 표면상에 퇴적이 시작되면, 퇴적처리전의 피처리기판의 표면에서 방사되는 적외선의 방사율과 퇴적되는 막재질의 방사율이 다르기 때문에, 퇴적의 진행에 따라 피처리기판의 표면에서 방사되는 적외선의 방사율이 변화하면, 그 변화에 추종할 수가 없다. 이로 인해 오판된 온도 검지를 행하여 버린다는 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은, 가열에 따른 기판의 처리방법에 있어서, 기판의 온도를 정확하게 제어하면서 표면처리를 행하는 것을 가능하게 한 기판의 처리방법을 제공하는데에 있다.

본 발명에 의하면, 제1온도제어가 행해지는 승온공정과 제2온도제어가 행해지는 처리공정을 구비하고, 승온공정과 처리공정에서 기판의 적외선 방사율이 달라지도록 한 기판의 처리를 행하는 방법으로서, 승온공정에서는 비접촉형 온도검지수단에 의하여 피처리기판의 온도가 검지되고, 그에 따라 제1온도제어가 행해지며, 처리공정에서는 접촉형 온도검지수단에 의하여 기판의 온도가 검지되고, 그에 따라 제2온도제어가 행해지는 기판의 처리방법이 제공된다.

본 발명의 방법에서는, 상온에서 소정의 처리온도까지 기판을 승온시키고, 이어서 이 처리온도에서 기판이 처리된다. 이들 승온공정 및 처리공정중의 어느쪽이라도, 기판의 온도는 정확하게 제어되고 있다. 이 경우에, 승온공정과 처리공정에서 기판의 적외선 방사율이 달라지고 있으며, 그에 대응하여 숭온공정에서는 비접촉형 온도검지수단에 의해 기판의 온도가 감지되고, 처리공정에서는 접촉형 온도검지수단에 의해 피처리기판의 온도가 검지되고 있다.

본 발명에서, 승온공정의 승온속도는 5℃/초 이상인 것이 바람직하다. 이와 같은 승온속도에서는, 접촉형 온도검지수단에 의한 피처리기판의 온도검지를 정확하게 행할 수가 없기 때문에, 본 발명을 유리하게 적용하는 것이 가능하다. 기판의 가열은 적외선 램프의 조사나, 통상의 히이터를 사용하여 행할 수 있다.

본 발명의 방법에 사용되는 비접촉형 온도검지수단으로서는 파이로미터가, 접촉형 온도검지수단으로서는 더어모커플이 각각 사용 가능하지만 이들에 한정되는 것만은 아니다.

본 발명이 적용되는 처리방법으로서는, 증착, 스퍼터링, 열 CVD, 웨트 에칭(Wet etching), 플라즈마 에칭(Plasma etching), 오존 애슁(Ozone ashing), 플라즈마 애슁(Plasma ashing)등 여러 종류의 것을 열거할 수 있다. 특히 플라즈마의 발생을 수반하지 않은 처리에 가장 적정하게 적용이 가능하다.

또한, 플라즈마 CVD, 리액티브(Reactive) 이온에칭은, 처리되는 기판에 전압이 인가되기 때문에, 더어모커플의 사용이 곤란하게 되는 것이어서 본 발명의 적용은 곤란하다.

(실시예)

다음에, 본 발명의 방법을 반도체 제조공정의 화학적 기상성장에 의한 얇은 막의 형성공정에서, 한 매씩 처리에 의한 고융점 금속의 얇은 막 형성에 적용한 실시예에 대하여 첨부한 도면에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.

냉각수 등으로 벽면을 냉각 가능하도록 자켓(Jacket)이 형성된 기밀상태의 원통형상 Al(알루미늄)제 반응챔버(1)의 윗쪽에 피처리기판 예를들어 반도체 웨이퍼(2)를 피처리면이 아래쪽으로 향하도록 설치가 가능한 설치대(3)가 형성되어 있다.

그리고, 이 설치대(3)의 근방에는, 예를 들면 반도체 웨이퍼(2)의 바깥테두리를 지지하여 설치대(3)에 반도체 웨이퍼(2)를 고정시키기 위한, 예를 들면 에어실린더 등에 승강기구(4)를 구비한 지지체(5)가 형성되어 있다.

그리고, 이 지지체(5)의 소정의 위치에 홈이 형성되어 있고, 이 홈에 접촉형의 온도검지기구 예를 들면 열전대(6)가 형성되어 있다.

즉, 상기한 지지체(5)로서 반도체 웨이퍼(2)를 설치대(3)에 지지할 때에, 지지체(5)에 형성된 열전대(6)가 반도체 웨이퍼(2)와 접촉하도록 구성되어 있다. 상기한 열전대(6)는 상온에서 600℃까지 대응이 가능한 알루멜.크로멜의 K형인 것이 바람직하다.

또한, 설치대(3)의 윗쪽에는 석영유리제의 창(7)을 통하여 설치대(3)을 예를 들어 300℃ 내지 1000℃로 가열이 가능한 적외선램프(8)가 형성되어 있다.

그리고, 설치대(3) 근방의 반응챔버(1)의 윗쪽 벽에는, 예를 들면 2개소이 배기구(9)가 형성되고, 이 배기구(9)에는 반응챔버(1)내를 소정의 압력으로 감압 및 반응가스 등을 배출할 수 있는 진공펌프(10) 예를 들면 터어보 분자펌프(Turbo molecular pump) 등이 접속되어 있다.

그 다음에, 반응 챔버(1)의 아래쪽에 산화계의 가스인 막 성장용 가스 예를 들면 WF₆(6불화텅스텐) 등을 도입하는, 다수개의 미소한 구멍을 가지는 둥근 고리형상의 산화계 가스도입구(11)가 형성되고, 마찬가지로 환원계인 가스인 H₂(수소)나 캐리어가스인 Ar(아르곤) 등을 도입하는, 다수개의 미소한 구멍을 갖는 둥근 고리형상의 환원계 또는 캐리어 가스도입구(12)가 형성되어 있다.

이들 가스도입구(11),(12)는 흐름량 제어기구(13) 예를들면 매스 플로우(Massflow). 콘트롤러 등을 개재하여 가스공급원에 접속되어 있다.

또한, 설치대(3)와 가스도입구(11),(12)의 사이에는 가스의 흐름을 제어하기 위한 예를 들면 스테핑 모우터 등의 직선이동에 의한 이동기구(도시않됨)를 구비한 원판형상의흐름제어판(14)이 형성되어 있다.

그리고, 원판형상의 흐름제어판(14)의 중심에는, 설치대(3)에 설치된 반도체 웨이퍼(2)의 중심에 대응하도록 축방향으로 직경이 5cm 정도인 원통형의 공간(15)이 개구되어 있다.

또한, 이 공간(15)의 바닥부는 반응챔버(1) 외부의 아래쪽에 형성된 비접촉형의 온도검지기구, 예를 들면 적외선 방사에너지로부터 온도의 검지가 가능한 파이로미터(16)와 렌즈(17)를 사이에 개재하여 접속하고 있다.

즉, 파이로미터(16)는, 렌즈(17) 및 공간(15)을 개재하여 설치대(3)에 설치된 반도체 웨이퍼(2)와 대면하고 있으며, 이 반도체 웨이퍼(2)의 대략 중심의 직경 예를 들면 2 내지 3cm 부분의 적외선 방사에너지를 검출함으로써, 온도의 검지가 가능하게 되어 있다.

그리고, 반응챔버(1)의 한쪽면에 예를 들면 승강에 의하여 개폐가 가능한 게이트밸브(18)를 개재하여 기밀한 상태의 반송예비실(22)이 형성되어 있다. 게이트밸브(18)를 개폐함으로써, 반도체 웨이퍼(2)를 반응챔버(1)내로 반입 및 반출시킬 수 있다.

반송예비실(22)에는 신축회전이 자유롭게 웨이퍼(2)를 유지하여 반송하는 핸드아암(19)과, 웨이퍼(2)를 예를 들어 25매 정도 수납한 카세트(20)를 탑재하여 가능한 얹어 놓는 대(21)가 내장되어 있다.

또한, 상기한 열전대 및 파이로미터의 각 온도검지수단에 의해 검지한 결과에 따른 온도제어나, 막 형성장치의 동작제어 및 설정제어는 제어부(23)에 의해 제어된다.

다음에, 상술한 막 형성장치에 의한 반도체 웨이퍼(2)에 있어서의 선택적인 막형성방법을 설명한다.

예비실(22)의 도시하지 아니한 개폐구에서 로봇의 핸드 또는 수동에 의해, 예를 들어 피처리 반도체 웨이퍼(2)가 25매 정도 소정 간격으로 두고 적재하여 수납된 카세트(20)를 승강이 가능한 얹어 놓는 대(21)위에 탑재한다. 이 때 게이트밸브(18)는 닫혀진 상태로서, 반응챔버(1)의 내부는 이미 진공펌프(10)의 작동으로 소망의 저압상태로 되도록 감압되어 있다.

그리고, 이와 같이 카세트(20)를 세트한 후에, 반송예비실(22)의 도시하지 아니한 개폐구는 기밀하게 되도록 닫혀지고, 도시하지 아니한 진공펌프로서 반응챔버(1)와 같은 정도로 감압한다.

다음에, 게이트밸브(18)가 열려져서, 소망의 저압상태를 유지하고, 얹어 놓은 대(21)의 높이를 조정함으로써, 반도체 웨이퍼(2)를 신축이 자유로운 핸드아암(19)으로 카세트(20)에서 1매를 빼내어 반응챔버(1)내로 반입한다. 이 때 지지체(5)가 승강기구(4)에 의해 하강하여 웨이퍼(2)를 피처리면이 아래쪽을 향하도록 지지체(5)위에 얹어놓는다.

그리고, 승강기구(4)로서 지지체(5)를 상승시켜, 웨이퍼(2)를 설치대(23)와 지지체(5) 사이에 두고 지지하여 열전대(6)와 반도체 웨이퍼(2)가 접촉하도록 설치한다. 이 때 이미 적외선램프(8)로서 설치대(3)는 가열되어 있다.

이 경우에, 지지체(5)의 웨이퍼(2)와 맞닿는 면을 열저도율이 낮은 세라믹 등으로 구성하면 웨이퍼(2)의 열분포가 일정하게 되므로, 처리가 고르지 못하게 되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 반도체 웨이퍼(2)가 설치대(3)상에 설치되면, 핸드아암(19)을 반송예비실(22)내에 수납하고, 게이트밸브(18)를 닫는다.

다음에, 반도체 웨이퍼(2)의 피처리면 예를 들어 웨이퍼(2)의 윗면적의 수 % 내지 수십 %를 차지하는 알루미늄상에 W막을 퇴적시키는 처리를 시작한다.

또한, 처리중에는 반응챔버(1)내를 소망의 저압상태, 예컨대 100 내지 200mm Torr로 유지하도록 진공펌프(10)로서 항상 배기를 제어하여 둔다.

먼저, 반도체 웨이퍼(2)의 피처리면의 온도를 적외선램프(8)로서 소망의 온도대, 예를 들어 370℃ 정도 되도록 급격히 가열한다. 이 때, 웨이퍼(2)에서 방사되는 적외선 방사에너지를 파이로미터(16)를 사용하여, 웨이퍼(2)의 온도를 비접촉상태로 검지하고, 제어부(23)에서 적외선램프(8)의 출력을 제어한다.

그리고, 이와 같이 급격히 가열한 홈에 웨이퍼(2)가 소망 온도인 예를 들면 370℃ 로 안정되고, 웨이퍼(2)와 접촉하여 형성된 열전대(6)가 검지하는 온도가 안정한 곳에서, 웨이퍼(2)의 온도검지를 파이로미터(16)에서 열전대(6)로 수동 또는 자동적으로 전환하고, 열전대(6)에서 검지한 온도에 의해 제어부(23)에서 온도조정을 행한다.

제어부(23)에서의 반도체 웨이퍼(2)의 온도제어는, 예를 들면 제3도에 나타낸 바와같은 블록도에 따라 행하여 진다. 적외선 램프(8)에 의해 반도체 웨이퍼(2)의 가열이 시작되면, 그 온도는 파이로미터에 의해 검출된다. 가열은 미리 설정된 승온속도에 따라서 행해진다.

파이로미터에 의한 검출값은 비교기에서의 기준값, 이 경우에 370℃에 대응하는 값과 비교되고, 그 출력신호는 적외선램프 전류 콘트롤러를 통하여 적외선램프(8)에 입력된다.

이와 같이 하여, 반도체 웨이퍼(2)에 온도가 370℃로 유지되고, 그 후의 온도검출은 열전대로 전환되어, 마찬가지로 하여 온도제어가 행해진다.

그 후, 가스도입구(11),(12)에서 흐름량 제어기구(13)로서 반응기구를 구성하는 막 성장용 가스 예를 들어 WF₆, 환원용 가스 예를 들어 H₂, 캐리어 가스 예를 들어 Ar을 소정량 유출하여, 화학적인 기상성장을 행한다.

이 흐름량 및 피처리기판인 반도체 웨이퍼(2)의 온도검지수단을 아래의 표에 나타낸 바와 같이 제어하면, 피처리면 예를 들어 알루미늄 위에, W막을 선택적으로 퇴적시킬 수 있다.

상기 표에 나타낸 스텝 1 내지 스텝 8에 있어서는, 우선 스텝 1에서 Ar 가스의 도입을 시작하고, 스텝 2에서 가열을 시작한다. 그 후 스텝 3 내지 스텝 6에서 기판의 온도가 일정하게 되었을 때에, 스텝 7에서 WF가스 및 H가스를 도입한다.

WF가스 및 H가스의 도입에 의하여, 다음 반응식에 따라 반응이 진행되어 반도체 웨이퍼(2)의 표면에서 화학적 기상성장이 행해진다.

WF+3H→W+6HF↑

상기 식에서 WF와 H의 반응에 의한 처리를 실행하고 있다.

여기에서, 상기 각각의 스텝에 의한 반도체 웨이퍼(2)의 온도검지수단의 파이로미터(16)에서 열전대(6)로의 전환은, 스텝 7의 화확적 기상 성장 처리를 행하기 전에 전환하면 좋지만 미리 스텝 6의 단계에서 행하여도 좋고, 그 전에 열전대(6)가 검지하는 온도가 안정된 시점에서 행하여도 좋다.

여기에서, 상기 표에 나타낸 처리를 열전대(6)만의 온도제어로서 행하였을 경우의 웨이퍼(2)의 온도변화를 제2도에 나타낸다. 제2도에서 가로축을 시간, 세로축을 온도로 하고, 열전대(6)로서 검지한 웨이퍼(2)의 온도를 실선으로 나타내며, 파이로미터(16)로서 검지한 웨이퍼(2)의 온도를 점선으로 나타낸다.

이 그래프에서도 알 수 있는 바와 같이, 웨이퍼(2)를 적외선램프(8)로서 급격히 가열하였을 때, 응답속도가 느린 열전대(6)에서 370℃ 부근을 나타내어도, 응답속도가 빠른 파이로미터(16)에서는, 600℃ 이상으로 되어 있으므로 설정온도보다도 상당히 초과되고 있는 것을 알 수 있다.

또한, 스텝 7에 의한 화학적 기상성장 처리시에는, 온도가 안정하다면 신뢰성이 높은 열전대(6)에서는, 370℃ 부근을 나타내고 있음에도 불구하고, 파이로미터(16)에서는 피처리면과 퇴적물질의 방사율이 다르기 때문에, 방사율의 변화에 추종할 수 없으므로 변동하고 있다는 것을 알 수 있다.

상기에서와 같이, 열전대(6)로서 대응할 수 없는 급격한 가열을 할 때에는, 파이로미터(16)로 온도를 검지한 결과로서 온도제어를 실행하고, 파이로미터(16)로서 대응할 수 없는 방사율의 변화에 따른 처리를 할 때에는, 열전대(6)에서 온도를 검지한 결과를 제어하는 것이 좋은 것임을 알 수 있다.

또한, 상기한 바와 같은 처리를 실행하기 전에는 반도체 웨이퍼(2) 표면에 형성된 자연산화막 등의 불필요한 막을 이 챔버(1)내에서 플라즈마 에칭하여 제거하고 있다.

또한, 설치대(3)와 가스도입구(11),(12) 사이에 형성된 원판형상의 흐름제어판(14)의 위치를 이동기구로 조정함으로써, 설치된 반도체 웨이퍼(2)의 피처리면에 의해 균일하게 반응가스가 접촉하도록 반응가스의 흐름을 제어할 수 있다.

그리고, 소망의 막 형성이 종료되면, 반응가스의 유출을 중지시키고, 승강기구(4)로서 지지체(5)가 웨이퍼(2)를 지지한 상태로 하강하여, 게이트밸브(18)를 열고, 신축히전이 자유로운 핸드아암(19)에 의해 반도체 웨이퍼(2)를 반응챔버(1)에서 반출시킴과 동시에 게이트밸브(18)를 닫아 처리를 종료한다.

상기한 실시예에서는, 막 성장용 가스로 WH를 사용하여 W막을 H환원에 의해 피처리면 위에 퇴적시키는 예에 대하여 설명하였지만, 환원가스로 SiH가스를 사용하여, 다음 식에 나타낸 바와같은 SiH의 환원에 의하여 W막을 피처리면 위에 퇴적시켜도 좋다.

2WF+3SiH→2W+3SiF+6H

또한, 처리는 화학적 기상성장처리에 한정되는 것만이 아니고, 피처리기판을 급격히 가열한 후에 피처리면의 적외선 방사율의 변화에 따른 처리를 실행하는 것이라면 어느 것이어도 좋고, 예를 들어 에칭처리 등에도 적절하게 응용할 수 있다는 것은 말할 필요도 없다.

또한, 피처리기판을 급격히 가열하는 것은 적외선램프에 한정되는 것만은 아니며, 예를 들어 히이터에 의해 가열하여도 좋고, 온도검지기구도 열전대나 파이로미터에 한정되는 것만은 아니다.

또한, 상기한 실시예는, 한 매씩 처리를 행하는 예이지만, 본 발명은 한 매씩 처리하는 것에만 한정하지 않고, 다수매의 반도체 웨이퍼를 한꺼번에 처리하는 배치(Batch) 처리에도 마찬가지로 적용이 가능하다.

이 경우에, 모든 웨이퍼에 대한 온도의 검출을 행하는 것은 곤란한 것이어서, 양쪽과 한가운데의 합계가 3매인 웨이퍼에 대한 온도의 검출을 행하는 것으로 충분하다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 급격한 가열에 따른 승온공정과, 방사율의 변화에 따른 일정온도에서의 처리공정중의 어느것에 있어서도, 피처리물체의 온도를 정확하게 검출하는 것이 가능하고, 그에 따라 정확하게 온도제어를 행하면서 처리하는 것이 가능하다.

Claims

제1의 온도제어가 행하여지는 승온공정과 제2의 온도제어가 행하여지는 처리공정을 구비하고, 승온공정과 처리공정에서 피처리체의 적외선 방사율이 달라지도록 하는 처리를 행하는 방법으로서, 승온공정에서는 비접촉형 온도검지수단에 의하여 피처리체의 온도가 검지되고, 그것에 따라 제1의 온도제어가 행하여지며, 처리공정에서는 접촉형 온도검지수단에 의하여 피처리체의 온도가 검지되고, 그것에 따라 제2의 온도제어가 행하여지는 지판의 처리방법.
제1항에 있어서, 상기 피처리체는 반도체 기판인 기판의 처리방법.
제1항에 있어서, 상기 승온공정의 승온속도는 5℃/초 이상인 기판의 처리방법.
제1항에 있어서, 상기 피처리체의 가열은, 적외선램프(8)의 조사 또는 전기 히이터에 의하여 행하여지는 기판의 처리방법.
제1항에 있어서, 상기 비접촉형 온도검지수단은, 파이로미터(16)인 기판의 처리방법.
제1항에 있어서, 상기 접촉형 온도검지수단은, 더어모커플인 기판의 처리방법.
제1항에 있어서, 상기 처리공정에서의 처리방법은, 증착, 스퍼터링, 열 CVD, 플라즈마 에칭, 스퍼터 에칭, 오존 애슁 및 플라즈마 애슁으로 이루어지는 군중에서 선택된 한가지의 종류인 기판의 처리방법.