JP4203252B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関し、特に、密閉室内における搬送技術に係り、例えば、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に拡散、CVDまたはエピタキシャル成長等の熱処理(thermal treatment )を施す熱処理装置(furnace)に利用して有効なものに関する。特に、400〜700℃という低温で実施するシリコンエピタキシャル成長またはシリコンゲルマニウムエピタキシャル成長の装置に利用して有効なものに関する。
【0002】
【従来の技術】
ウエハに熱処理を施す熱処理装置として、複数枚のウエハをボートに保持した状態で熱処理を施す処理室が形成されたプロセスチューブと、このプロセスチューブの真下に形成されてボートが処理室に対する搬入搬出を待機する待機室と、ボートを昇降させて処理室に搬入搬出するボートエレベータとを備えているバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置が、広く使用されている。従来のバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置においては、ボートエレベータは送りねじ軸装置によって構成されて待機室に縦形に設置されており、送りねじ軸は下端が待機室において支持され、上端において待機室の外部に設置されたモータによって回転駆動されるようになっている。
【0003】
ところが、従来のこのようなバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置においては、ボートエレベータが待機室の内部に設置されているため、送りねじ軸装置やガイドレールにおいて使用されたグリースや配線ケーブル等から有機物質が飛散することにより、ウエハを汚染する原因になるという問題点がある。そして、熱処理されて高温度になったボートが待機室に下降されて来て待機室の温度が上昇すると、有機物質の蒸発量は多くなる。このため、処理室における熱処理完了後に、処理室にボードを存置したままで、ボートやウエハ群を温度が例えば100℃以下になるまで冷却し、ボートやウエハ群の温度が充分に下がってから、ボートを処理室から搬出することが実施されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ボートやウエハ群の温度が充分に下がってからボートを処理室から搬出していたのでは、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置のスループットが低下してしまう。そこで、ボートエレベータを待機室の外部に設置するとともに、ボートエレベータの昇降体とボートとを昇降シャフトによって連結することにより、ボートエレベータからの有機物質の飛散を防止することを、提案することができる。
【0005】
ところが、この場合においては、ボートやウエハ群が高い温度のまま待機室に下降されて来ると、昇降シャフトが加熱されて熱膨張することにより、ボートの基準高さに対する位置がずれるため、ウエハをボートから脱装(ディスチャージング)することができなくなるという問題点があることが、本発明者によって明らかにされた。この対策としては、昇降シャフトの温度が下がり、ボートが定常の基準高さに戻るのを待つことが考えられるが、それでは結局、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置のスループットが低下してしまうことになる。また、ボートの高さが若干変化しても脱装し得るようにボートのウエハ保持溝の間隔を広く設定することが考えられるが、それでは処理枚数が減少したりボートやプロセスチューブの全長が長くなったりするため、結局、スループットが低下したり、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置が大形になったりしてしまう。
【0006】
本発明の目的は、スループットの低下や大形化を防止しつつボートエレベータによる汚染を防止することができる半導体製造装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、複数枚の基板をボートに保持した状態で処理を施す処理室と、この処理室の真下に形成されて前記ボートが前記処理室に対する搬入搬出を待機する待機室と、前記ボートを昇降させて前記処理室に搬入搬出するボートエレベータとを備えている半導体製造装置において、
前記ボートエレベータが前記待機室の外部に設置されているとともに、このボートエレベータと前記ボートとが前記待機室に挿通された昇降シャフトによって連結されており、この昇降シャフトが冷却されるように構成されていることを特徴とする。
【0008】
前記した手段によれば、ボートエレベータが待機室の外部に設置されているため、ボートエレベータの有機物質が待機室に飛散するのを必然的に防止することができる。また、ボートが待機室に高温度のまま下降されて来ても、ボートとボートエレベータとを連結している昇降シャフトを強制的に冷却することにより、昇降シャフトの熱膨張は抑止することができるため、ウエハのボートからの脱装作業は冷却時間を置くことなく直ちに実施することができる。つまり、自然冷却の待ち時間を省略することができるため、スループットの低下を防止することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0010】
本実施の形態において、本発明に係る半導体製造装置は、半導体装置の製造方法にあってウエハに熱処理を施すバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置(以下、バッチ式熱処理装置という。)として構成されている。
【0011】
図1に示されているように、バッチ式熱処理装置1は筐体2を備えており、筐体2にはボート13が待機する待機室3が形成されている。待機室3は大気圧未満の圧力を維持可能な気密性能を有する密閉室に構成されており、ボート13を収納可能な容積に形成されている。筐体2の前面壁にはウエハ搬入搬出口4が開設されており、ウエハ搬入搬出口4はゲート5によって開閉されるようになっている。筐体2の天井壁にはボート搬入搬出口6が開設されており、ボート搬入搬出口6はシャッタ7によって開閉されるようになっている。筐体2の上にはヒータユニット8が垂直方向に設置されており、ヒータユニット8の内部には処理室9を形成するプロセスチューブ10が配置されている。プロセスチューブ10は上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されてヒータユニット8に同心円に配置されており、プロセスチューブ10の円筒中空部によって処理室9が構成されている。プロセスチューブ10の下端部にはプロセスチューブ10の円筒中空部によって形成された処理室9に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管11と、プロセスチューブ10の内部を排気するための排気管12とが接続されている。
【0012】
筐体2の待機室3の外部には据付台19が設置されており、据付台19の上にはボートを昇降させるためのボートエレベータ20が据え付けられている。ボートエレベータ20は上側取付板21および下側取付板22によって垂直にそれぞれ敷設されたガイドレール23および送りねじ軸24を備えており、ガイドレール23には昇降体25が垂直方向に昇降自在に嵌合されている。昇降体25は送りねじ軸24に垂直方向に進退自在に螺合されている。なお、作動やバックラッシュを良好なものとするために、送りねじ軸24と昇降体25との螺合部にはボールねじ機構が使用されている。送りねじ軸24の上端部は上側取付板21を貫通しており、上側取付板21に設置されたモータ26によって正逆回転駆動されるように連結されている。
【0013】
昇降体25の側面にはアーム27が水平に突設されており、アーム27の先端には円筒形状に形成された昇降シャフト28が垂直方向下向きに固定されている。昇降シャフト28の中空部29には昇降シャフト28の内径よりも小径の外径を有する円筒形状に形成された内筒30が同心円に配置されて固定されている。昇降シャフト28は筐体2の天井壁に開設された挿通孔31を挿通して下端部が待機室3に挿入されており、筐体2の天井壁の上面とアーム27の下面との間には挿通孔31を気密封止するベローズ32が介設されている。昇降シャフト28の待機室3の下端にはボートを昇降させるための昇降台33が水平に配置されて固定されている。昇降台33は上面が開口した箱形状に形成された本体34と、平面形状が本体34と同一の平板形状に形成された蓋体35とを備えており、本体34に蓋体35がシールリング36を挟んで被せ付けられることにより、気密室37を形成するようになっている。
【0014】
昇降台33の気密室37の天井面である蓋体35の下面には磁性流体シール装置38によってシールされた軸受装置39が設置されており、軸受装置39は蓋体35を垂直方向に挿通した回転軸40を回転自在に支持しており、回転軸40はボート回転駆動用モータ41によって回転駆動されるようになっている。回転軸40の上端にはボート13が垂直に立脚するように設置されている。ボート13は複数枚(例えば、25枚、50枚、100枚、75枚、100枚ずつ等)のウエハ14をその中心を揃えて水平に支持した状態で、プロセスチューブ10の処理室9に対してボートエレベータ20による昇降台33の昇降に伴って搬入搬出するように構成されている。昇降台33の上面にはシールキャップ43がシールリング42を介されて設置されている。シールキャップ43は処理室9の炉口になる筐体2のボート搬入搬出口6をシールするように構成されている。
【0015】
磁性流体シール装置38の外側には磁性流体シール装置38や軸受装置39およびボート回転駆動用モータ41を冷却するための冷却装置44が設置されており、冷却装置44には冷却水供給管45が接続されている。冷却水供給管45は気密室37から内筒30の中空部を通じて待機室3の外部に引き出されており、冷却水供給源47に可変流量制御弁46を介して接続されるようになっている。シールキャップ43の内部には冷却水48が流通する通水路49が開設されており、通水路49には冷却装置44の冷却水が導入側連絡管50によって導入されるようになっている。通水路49には導出側連絡管51の一端が接続されており、導出側連絡管51の他端は昇降シャフト28の中空部29の下端に接続されている。昇降シャフト28の中空部29の上端には冷却水排出管52が接続されており、冷却水排出管52は冷却水供給源47に接続されようになっている。したがって、昇降シャフト28の中空部29には冷却水48が下端の導出側連絡管51から導入されて上端の冷却水排出管52から排出されることによって流通するようになっている。なお、内筒30の中空部にはボート回転駆動用モータ41の電力供給電線53が挿通されて、外部に引き出されている。
【0016】
以下、前記構成に係るバッチ式熱処理装置を使用した成膜工程を説明する。
【0017】
これから成膜すべきウエハ14は筐体2のウエハ搬入搬出口4を通して待機室3にウエハ移載装置(wafer transfer equipment )によって搬入され、ボート13に装填(チャージング)される。この際、図1に示されているように、ボート搬入搬出口6がシャッタ7によって閉鎖されることにより、処理室9の高温雰囲気が待機室3に流入することは防止されている。このため、装填途中のウエハ14および装填されたウエハ14が高温雰囲気に晒されることはなく、ウエハ14が高温雰囲気に晒されることによる自然酸化等の弊害の派生は防止されることになる。
【0018】
予め指定された枚数のウエハ14がボート13へ装填されると、図2に示されているように、ウエハ搬入搬出口4はゲート5によって閉鎖され、ボート搬入搬出口6がシャッタ7によって開放される。
【0019】
続いて、昇降台33に支持されたシールキャップ43およびボート13がボートエレベータ20のモータ26によって昇降体25および昇降シャフト28を介して上昇されて、プロセスチューブ10の処理室9にボート搬入搬出口6から搬入(ボートローディング)される。ボート13が上限に達すると、シールキャップ43の上面の周辺部がボート搬入搬出口6をシール状態に閉塞するため、プロセスチューブ10の処理室9は気密に閉じられた状態になる。ボート13を処理室9へ搬入する際に、昇降シャフト28が上昇すると、ベローズ32は上方向に伸張する。
【0020】
その後、プロセスチューブ10の処理室9は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管12によって排気され、ヒータユニット8によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管11によって所定の流量だけ供給される。これにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエハ14に形成される。この際、ボート13がボート回転駆動用モータ41によって回転されることにより、原料ガスがウエハ14の表面に均一に接触されるため、ウエハ14にはCVD膜が均一に形成される。
【0021】
ここで、冷却水48が冷却水供給管45および冷却水排出管52を通じて、冷却装置44およびシールキャップ43の通水路49に流通されることにより、熱によるシールキャップ43のシールリング42や磁性流体シール装置38および軸受装置39の劣化が防止される。このとき、冷却水48が昇降シャフト28の中空部29を流通するため、昇降シャフト28および内筒30も冷却されることになる。
【0022】
予め設定された処理時間が経過すると、図1に示されているように、ボート13およびシールキャップ43を支持した昇降台33が昇降シャフト28および昇降体25を介してボートエレベータ20のモータ26によって下降されることにより、処理済みウエハ14を保持したボート13が待機室3に搬出(ボートアンローディング)される。この際、ベローズ32は昇降シャフト28の下降に伴って下方向に短縮する。
【0023】
ここで、昇降シャフト28が冷却されない状態で、処理済みのボート13やウエハ14群が高い温度のまま待機室3に下降されて来ると、昇降シャフト28が加熱されて熱膨張することにより、ボート13の基準高さに対する位置がずれるため、ウエハ14をボート13からウエハ移載装置によって脱装(ディスチャージング)することができなくなる。
【0024】
本実施の形態においては、冷却水48が昇降シャフト28の中空部29に流通されて昇降シャフト28が強制的に冷却されていることにより、昇降シャフト28が熱膨張するのを防止されているため、ボート13が待機室3に高温度のまま下降されて来ても、ボート13の基準高さがずれることはない。したがって、ウエハ移載装置によるウエハ14のボート13からの脱装作業は、昇降シャフト28の自然冷却を待つことなく直ちに実施することができる。つまり、昇降シャフト28の自然冷却の待ち時間を省略することができるため、ウエハ14のボート13からの脱装作業のスループットの低下を防止することができる。
【0025】
ボート13が処理室9から待機室3に搬出されると、ボート搬入搬出口6がシャッタ7によって閉鎖される。次いで、待機室3のウエハ搬入搬出口4がゲート5によって開放され、ボート13の処理済みウエハ14がウエハ移載装置によって脱装(ディスチャージング)される。この際、昇降シャフト28の熱膨張が防止されることにより、ボート13の基準高さがずれるのを防止されているため、ウエハ移載装置による処理済みウエハ14のボート13からの脱装作業は適正かつ迅速に実行されることになる。
【0026】
以降、前述した作用が繰り返されることにより、ウエハ14が例えば、25枚、50枚、100枚、75枚、100枚ずつ、バッチ式熱処理装置1によってバッチ処理されて行く。
【0027】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【0028】
1) ボートエレベータを待機室の外部に設置することにより、ボートエレベータの有機物質が待機室に飛散するのを防止することができるため、有機物質によるウエハの汚染を未然に防止することができる。ウエハの汚染があると、曇り等の異常成膜が発生してしまう400〜700℃という低温で実施するシリコンエピタキシャル成長またはシリコンゲルマニウムエピタキシャル成長の成膜処理を行う半導体製造装置に利用して有効である。
【0029】
2) ボートとボートエレベータとを連結している昇降シャフトを強制的に冷却することにより、昇降シャフトの熱膨張を防止することができるため、ウエハのボートからの脱装作業を冷却時間を置くことなく直ちに実施することができる。
【0030】
3) 昇降シャフトの自然冷却の待ち時間を省略して、ウエハのボートからの脱装作業を直ちに実施することができるため、バッチ式CVD装置および成膜工程のスループットを高めることができる。
【0031】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0032】
例えば、昇降シャフトを強制的に冷却するための冷却装置の冷却水の流通経路は、磁性流体シール装置や軸受装置およびシールキャップの冷却水の流通経路に直列に接続して構成しているが、これらと独立するように構成してもよい。
【0033】
昇降シャフトの中空部に内筒を同心円に配置した二重構造に構成して中間に冷却水を流通させるように構成するに限らず、昇降シャフトの中空部に冷却水を流通させるように構成してもよいし、昇降シャフトの外側に冷却水の流通経路を構成してもよい。
【0034】
冷却媒体は冷却水に限らず、エチレングリコール水溶液や弗素系冷却液等の他の冷却液体であってもよいし、圧縮空気や窒素ガスおよび不活性ガス等の冷却気体であってもよい。
【0035】
バッチ式熱処理装置は成膜処理に使用するに限らず、酸化膜形成処理や拡散処理およびアニーリング等の熱処理にも使用することができる。
【0036】
前記実施の形態ではバッチ式熱処理装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、半導体製造装置全般に適用することができる。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体製造装置においてスループットの低下や大形化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるバッチ式熱処理装置を示す側面断面図である。
【図2】ボート搬入時を示す側面断面図である。
【符号の説明】
1…バッチ式熱処理装置(半導体製造装置)、2…筐体、3…待機室(密閉室)、4…ウエハ搬入搬出口、5…ゲート、6…ボート搬入搬出口、7…シャッタ、8…ヒータユニット、9…処理室、10…プロセスチューブ、11…ガス導入管、12…排気管、13…ボート、14…ウエハ(基板)、19…据付台、20…ボートエレベータ、21…上側取付板、22…下側取付板、23…ガイドレール、24…送りねじ軸、25…昇降体、26…モータ、27…アーム、28…昇降シャフト、29…中空部、30…内筒、31…挿通孔、32…ベローズ、33…昇降台、34…本体、35…蓋体、36…シールリング、37…気密室、38…磁性流体シール装置、39…軸受装置、40…回転軸、41…ボート回転駆動用モータ、42…シールリング、43…シールキャップ、44…冷却装置、45…冷却水供給管、46…可変流量制御弁、47…冷却水供給源、48…冷却水、49…通水路、50…導入側連絡管、51…導出側連絡管、52…冷却水排出管、53…電力供給電線。
Claims (2)
- 複数枚の基板をボートに保持した状態で処理を施す処理室と、この処理室の真下に形成されて前記ボートが前記処理室に対する搬入搬出を待機する待機室と、前記ボートを昇降させて前記処理室に搬入搬出するボートエレベータとを備えている半導体製造装置において、
前記ボートエレベータが前記待機室の外部に設置されているとともに、このボートエレベータと前記ボートを支持する昇降台とが前記待機室に挿通された昇降シャフトによって連結されており、
前記昇降シャフトを筒形状に形成し、その筒内に内筒を設け、
前記昇降シャフトの筒壁と前記内筒とによって形成される中空部に冷却媒体を流通させて、前記昇降シャフトを冷却することを特徴とする半導体製造装置。 - 複数枚の基板をボートに保持した状態で処理を施す処理室と、この処理室の真下に形成されて前記ボートが前記処理室に対する搬入搬出を待機する待機室と、前記ボートを昇降させて前記処理室に搬入搬出するボートエレベータとを備えている半導体製造装置において、
前記ボートエレベータが前記待機室の外部に設置されているとともに、このボートエレベータと前記ボートを支持する昇降台とが前記待機室に挿通された昇降シャフトによって連結されており、
前記昇降シャフトを筒形状に形成し、その筒内に内筒を設け、
前記昇降シャフトは、前記基板が前記処理室での処理完了後、少なくとも前記ボートを前記処理室から前記待機室へ搬出した際に、前記昇降シャフトの筒壁と前記内筒とによって形成される中空部に冷却媒体を流通させて、前記昇降シャフトを冷却することを特徴とする半導体製造装置。
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