JP7173730B2 - 処理装置を管理する管理方法、管理装置、プログラム、および、物品製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、処理装置を管理する管理方法、管理装置、プログラム、および、物品製造方法に関する。
部材の処理を行う処理装置の例として、露光装置およびインプリント装置等のパターン形成装置、および、ＣＶＤ装置およびＰＶＤ装置等の成膜装置などを挙げることができる。このような処理装置の状態を制御するためにパラメータ値が設定されうる。例えば、露光装置では、目標とする露光結果（処理結果）が得られるように、例えば、露光量、フォーカス、アライメントに関するパラメータ値が設定されうる。オフセット値は、例えば、処理結果を評価し、その評価結果が処理装置にフィードバックされるように決定されうる。
特許文献１には、露光装置によるウエハの露光結果を計測してフォーカスのずれ量を決定し、このずれ量を露光装置のフォーカス設定値にフィードバックすることが記載されている。
特開２００１－１０２２８２号公報
上記のようなフィードバックは、処理装置の状態の経時変化に関わらず、処理装置による処理結果の特性あるいは品質を許容範囲内に維持するために有用な技術である。しかしながら、処理装置の構成部品の交換等のメンテナンスや、処理装置が有する機能のキャリブレーションがなされた場合、それによって処理装置の状態が大きく変化しうる。一方、フィードバックを行うためには、メンテナンスやキャリブレーションの直後に処理装置によって試験的に部材を処理し、その結果を評価する必要がある。メンテナンスやキャリブレーションの後にこのようなフィードバックがなされなければ、メンテナンスやキャリブレーションの前後において、処理装置による処理結果が急激に変化しうる。
本発明は、処理装置の調整によって該処理装置による処理結果が急激に変化することを簡易に抑制するために有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の１つの側面は、部材の処理を行う処理装置を管理する管理方法に係り、前記管理装方法は、前記処理装置の調整が行われた場合に、前記調整の前後における前記処理装置による部材の処理結果の変化量を取得し、その後、前記変化量が緩和されるように、前記処理装置を制御するオフセット値を設定し、前記処理装置の調整が行われた後、前記処理装置の調整が再度行われる前に、前記オフセット値を段階的に小さくする。
本発明によれば、処理装置の調整によって該処理装置による処理結果が急激に変化することを簡易に抑制するために有利な技術が提供される。
本発明の一実施形態としての露光装置の構成を模式的に示す図。 露光装置の状態の経時変化、および、その経時変化の影響を低減するためのフィードバックを模式的に示す図。 露光装置の調整によって起こりうる問題点を説明する図。 本発明の一実施形態における露光装置の管理方法を説明する図。 本発明の他の一実施形態における露光装置の管理方法を説明する図。 照度計測のキャリブレーション処理の流れを例示する図。 第１照度モニタを用いて基板面上の照度を取得(推定）する処理の流れを例示する図。 第１照度モニタの照度と第２照度モニタの照度との関係を例示する図。 露光装置の調整（キャリブレーション処理）に伴うオフセット値の管理処理の流れを例示する図。
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
この明細書の大部分では、部材の処理を行う処理装置の一例として、パターン形成装置としての露光装置について詳述される。しかしながら、部材の処理を行う処理装置の概念には、露光装置およびインプリント装置等のパターン形成装置の他、例えば、ＣＶＤ装置およびＰＶＤ装置等の成膜装置、エッチング装置、塗布・現像装置などが含まれうる。例えば、インプリント装置において、基板チャックの交換等の調整が行われた場合、一般的には、その調整の前後において、インプリント装置による処理結果が変化しうる。また、成膜装置およびエッチング装置において、電極の交換等の調整が行われた場合、一般的には、その調整の前後において、処理結果が変化しうる。また、塗布・現像装置において、部品の交換等の調整が行われた場合、一般的には、その調整の前後において、処理結果が変化しうる。
本発明に係る管理方法では、処理装置の調整が行われた場合に、該調整の前後における該処理装置による処理結果の変化が緩和されるように、該処理装置を制御するオフセット値が設定されうる。
以下、より具体的な例を提供するために、本発明をパターン形成装置としての露光装置に適用した例を説明する。図１には、本発明の一実施形態としての露光装置１の構成が模式的に示されている。露光装置１は、例えば、照明系２０、原版ステージ２２、投影系２４、基板ステージ２３、第１照度モニタ２１、第２照度モニタ２５、フォーカスセンサ２６、アライメントセンサ２７および制御部１１を備えうる。光源２は、露光装置１の構成要素であってもよいし、露光装置１の外部装置として把握されてもよい。
照明系２０は、光源２から提供される光を用いて、設定された照明モード（例えば、円形照明、輪帯照明、二重極照明、四重極照明等）で原版ステージ２２によって保持された原版（レチクル）を照明する。原版ステージ２２は、原版Ｒを保持し、不図示の駆動機構によって駆動されうる。投影系２４は、原版Ｒのパターンを基板ステージ２３によって保持された基板Ｓに投影する。基板ステージ２３は、基板Ｓを保持し、不図示の駆動機構によって駆動される。
第１照度モニタ２１は、例えば、照明系２０の光路から分岐された光の照度を検出するように構成される。第２照度モニタ２５は、例えば、基板ステージ２３に搭載され、投影系２４の像面（基板面）における光の照度を検出するように構成される。フォーカスセンサ２６は、基板Ｓの表面の高さを検出する。フォーカスセンサ２６の出力に基づいて、基板Ｓの表面の高さが投影系２４のベストフォーカス位置に一致するように基板Ｓの高さが調整されうる。アライメントセンサ２７は、基板Ｓのマークの位置を検出するように構成されうる。
制御部１１は、照明系２０、原版ステージ２２、投影系２４、基板ステージ２３、第１照度モニタ２１、第２照度モニタ２５、フォーカスセンサ２６およびアライメントセンサ２７を制御するように構成されうる。制御部１１は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。該プログラムは、例えば、メモリ媒体に格納して運搬されうる。あるいは、該プログラムは、通信回線を介して伝送されうる。制御部１１は、露光装置１を管理する管理装置としても機能しうる。
図２には、露光装置１の状態の経時変化、および、その経時変化の影響を低減するためのフィードバックが模式的に示されている。図２において、Ａは、露光装置１の状態が経時変化したことによって発生する露光装置１による露光結果のずれ量（目標からのずれ量）を模式的に示している。露光装置１の状態は、例えば、照明系２０および／または投影系２４の光透過率、光源２の状態、基板ステージ２３の位置決め誤差、投影系２４の結像性能、設定されている係数の値などを含みうる。露光結果のずれ量は、例えば、パターン幅（線幅）の目標からのずれ量として現れうる。
図２において、Ｂは、良好な露光結果を得るために、露光装置１の状態を補正するためのパラメータ値の変更による補正量（露光結果のずれ量を相殺するための補正量）を模式的に示している。パラメータ値は、例えば、露光量およびデフォーカス量の少なくとも１つに影響を与える数値でありうる。図２において、Ｃは、Ａ、Ｂの総和として得られる最終的な露光結果におけるずれ量を模式的に示している。図２において、横線は、ずれ量が０のレベルを示している。横線より上側は、プラスのずれ量を示し、横線より下側は、マイナスのずれ量を示している。
図２において、状態ＳＴ１では、露光装置１が最適な状態に調整され、目標からの露光結果のずれ量Ａが０である。なお、この例では、状態ＳＴ１における補正量Ｂが０である。状態ＳＴ２では、経時変化により、露光結果のずれ量Ａが発生している。状態ＳＴ２では、補正量Ｂが０であるので、最終的な露光結果のずれ量Ｃは、経時変化によって発生した露光結果のずれ量Ａと等しい。
状態ＳＴ３は、状態ＳＴ２における最終的な露光結果のずれ量Ｃを相殺するように補正量Ｂが設定された状態である。これは、状態ＳＴ２における最終的な露光結果のずれ量Ｃが補正量Ｂにフィードバックされた状態である。
状態ＳＴ４は、露光装置１の経時変化が進んで露光結果のずれ量Ａが状態ＳＴ３における露光結果のずれ量Ａよりも大きくなった状態である。状態ＳＴ４は、補正量Ｂに対する露光結果のずれ量Ｃのフィードバックが遅れた状態、あるいは、まだフィードバックがなされていない状態であるとも理解されうる。
状態ＳＴ５は、状態ＳＴ４における最終的な露光結果のずれ量Ｃを相殺するように補正量Ｂが設定された状態である。これは、状態ＳＴ４における最終的な露光結果のずれ量Ｃが補正量Ｂにフィードバックされた状態である。
図３には、露光結果のずれ量Ａが発生しないように露光装置１の調整が行われた場合に、該調整の前後において生じうる最終的なずれ量Ｃの変化が模式的に示されている。図３において、Ａ、Ｂ、Ｃは、図２におけるＡ、Ｂ、Ｃと同様である。ここで、露光装置１の調整は、例えば、構成部品の交換等のメンテナンスの実行、又は、露光装置１が有する機能のキャリブレーション処理の実行によってなされうる。図３において、状態ＳＴ１１は、露光装置１の調整前の状態を示し、状態ＳＴ１２は、露光装置１の調整後の状態を示している。
露光装置１の調整の実行によって露光結果のずれ量Ａは、例えば、０にクリアされうる。しかし、補正量Ｂは、露光装置１の調整の実行の前に設定されたままである。しがって、状態ＳＴ１２では、露光装置１の調整の実行によって露光結果のずれ量Ａが変更（例えば、０にクリア）されたことによって、補正量Ｂに起因する最終的なずれ量Ｃが発生する。つまり、露光装置１の調整の前後において、最終的な露光結果のずれ量Ｃが急激に変化しうる。最終的な露光結果のずれ量Ｃがプロセスの許容値を超えると、製品不良が発生しうる。
本実施形態の管理方法では、処理装置の調整が行われた場合に、上記の課題を解決するために、該調整の前後における該処理装置による処理結果の変化が緩和されるように、該処理装置を制御するオフセット値が設定されうる。以下、図４を参照しながら本実施形態の管理方法を説明する。この管理方法は、管理装置としても機能する制御部１１によって制御あるいは実行されうる。
図４において、Ａ、Ｂ、Ｃは、図２におけるＡ、Ｂ、Ｃと同様であり、Ｄは、オフセット値によって発生するオフセット量を模式的に示している。図４において、状態ＳＴ２１は、露光装置１の調整前の状態を示している。状態ＳＴ２２は、露光結果のずれ量Ａが０にクリアされるように露光装置１が調整され、かつ、露光装置１の調整前における露光結果のずれ量Ａに基づいて、オフセット量Ｄが与えられるようにオフセット値が露光装置１に設定された状態である。状態ＳＴ２２に例示されるように、露光装置１の調整が行われた後に最初に設定されるオフセット値（オフセット量Ｄ）は、露光装置１の調整が露光装置１による部材の処理に与える影響の全部が相殺されるように決定されうる。これにより、露光装置１の調整の前後において、最終的な露光結果のずれ量Ｃが急激に変化することが抑制される。ここで、オフセット値を決定することは、オフセット量を決定することと等価である。また、オフセット量を決定することは、オフセット値を決定することと等価である。
以下で説明されるように、制御部１１は、露光装置１の調整が行われた後、オフセット値（オフセット量）を段階的に小さくするように構成されうる。好ましくは、制御部１１は、露光装置１の調整が行われた後、オフセット値（オフセット量）を複数回にわたって段階的に小さくするように構成されうる。
状態ＳＴ２３は、制御部１１によって、状態ＳＴ２２で露光装置１を制御するオフセット値（オフセット量）がより小さい値に変更された状態である。ここで、状態ＳＴ２２を経ることなく、状態ＳＴ２１から状態ＳＴ２３に移行してもよい。この場合、露光装置１の調整が行われた後に最初に設定されるオフセット値（オフセット量Ｄ）は、露光装置１の調整が露光装置１による部材の処理に与える影響の一部が相殺されるように決定される。状態ＳＴ２２から状態ＳＴ２３への移行に伴って、オフセット量Ｄが変化し、その変化量に応じて、最終的な露光結果におけるずれ量Ｃが発生しうる。
状態ＳＴ２４は、制御部１１によって、状態ＳＴ２３における最終的な露光結果のずれ量Ｃを相殺するように補正量Ｂが設定された状態である。これは、状態ＳＴ２３における最終的な露光結果のずれ量Ｃが補正量Ｂにフィードバックされた状態である。
状態ＳＴ２５は、制御部１１によって、状態ＳＴ２３で露光装置１に設定されたオフセット値（オフセット量）がより小さい値に変更された状態である。これにより、状態ＳＴ２５では、オフセット量Ｄの変化量に応じて、最終的な露光結果におけるずれ量Ｃが発生しうる。以下では、状態ＳＴ２４に例示されるようなフィードバックと、状態Ｓ２５に例示されるようにオフセット値（オフセット量）を小さくする動作とが繰り返されうる。このようにして、オフセット値（オフセット量）が段階的に小さくされ、最終的に０にされうる。
１回あたりのオフセット値（オフセット量）の更新量、および、オフセット値（オフセット量）の更新の頻度（更新タイミング）は、プロセス許容値、補正量Ｂに対するフィードバック量、補正量Ｂに対するフィードバックの頻度等に応じて決定されうる。あるいは、１回あたりのオフセット値（オフセット量）の更新量、および、オフセット値（オフセット量）の更新の頻度（更新タイミング）は、露光装置１または制御部１１に提供される制御情報（レシピ）によって指定されてもよい。あるいは、１回あたりのオフセット値（オフセット量）の変更量、および、オフセット値（オフセット量）の変更の頻度（更新タイミング）は、露光装置１に設けられた不図示のコンソールに対してオペレータによって入力されてもよい。また、１回あたりのオフセット値（オフセット量）の変更量、および、オフセット値（オフセット量）の変更の頻度（更新タイミング）は、それらを直接に示す値によって指定されてうる。あるいは、１回あたりのオフセット値（オフセット量）の変更量、および、オフセット値（オフセット量）の変更の頻度（更新タイミング）は、それらを間接的に示す値（例えば、係数、比率、時定数、統計値等）によって指定されてもよい。
ここで、１回のオフセット値（オフセット量）の変更に対して１回のフィードバックが行われてもよいし、１回のオフセット値（オフセット量）の変更に対して複数回のフィードバックが行われるようになされてもよい。また、以下で説明されるように、本発明は、フィードバックが行われない場合にも適用されうる。
図５には、フィードバックを行うことなくオフセット値（オフセット量）を変更する例が示されている。図５において、Ａ、Ｂ、Ｃは、図２、図４におけるＡ、Ｂ、Ｃと同様であり、Ｄは、図４におけるＤと同様である。また、点線は、プロセス許容値を模式的に示している。
状態Ｓ３１は、露光結果のずれ量Ａを相殺するように補正量Ｂを与えるパラメータ値が設定された状態を模式的に示している。状態ＳＴ３２は、ずれ量Ａがクリアされるように露光装置１の調整がなされ、かつ、露光装置１の調整が露光装置１による部材の処理に与える影響の全部が相殺されるようにオフセット値（オフセット量Ｄ）が設定された状態である。即ち、状態ＳＴ３２は、露光装置１の調整によって最終的な露光結果のずれ量Ｃが変化しないようにオフセット値（オフセット量Ｄ）が設定された状態である。
以後、状態ＳＴ３３および状態ＳＴ３４のように、制御部１１は、オフセット値（オフセット量Ｄ）を段階的に小さくする。これにより、最終的な露光結果のずれ量Ｃは、段階的に大きくなる。制御部１１あるいはオペレータは、最終的な露光結果のずれ量Ｃがプロセス許容値を超えそうなことを事前に検知することができるようになる。これにより、製品不良が発生する前に様々な対処を実施することができる。
以下、図１、図６～図９を参照しながら照度モニタのキャリブレーション（露光装置の調整）に伴ってオフセット値の設定を変更する例を説明する。ここでは、露光装置の状態の経時変化が基板の露光量に影響を与える例を説明する。
基板の露光において、最適な露光条件（例えば、発振周波数、発振パルス数、走査速度等）は、制御情報であるレシピ（プロセス毎の設定条件）で指定された設定露光量と、その時の露光装置の基板面における照度とに基づいて決定されうる。
照度を計測する方法としては、例えば、照明系２０における照度を計測する第１照度モニタ２１を用いる方法と、基板ステージ２３上で照度を計測する第２照度モニタ２５を用いる方法とがある。第１照度モニタ２１を用いる方法では、原版ステージ２２および基板ステージ２３を使わないため、第１照度モニタ２１を用いて照度を計測する処理と並行して、原版ステージ２２および基板ステージ２３上で他の処理を実行可能である。このことから、第１照度モニタ２１を用いる方法は、第２照度モニタ２５を用いる方法よりも、スループットの観点で優れている。一方、第１照度モニタ２１を用いる方法では、第１照度モニタ２１と基板Ｓとの間における透過率の変化が露光量の誤差（結果として、露光結果のずれ量）をもたらしうる。
図６には、照度計測のキャリブレーション処理の流れが例示されている。キャリブレーション処理は、制御部１１によって制御されうる。キャリブレーション処理によって、第１照度モニタ２１によって計測された照度を基板上の照度に換算するための換算係数が設定されうる。
工程Ｓ６０１では、制御部１１は、レシピ（プロセス毎の設定条件）で指定された照明モードに応じて照明系２０を駆動する。これにより、照明系２０は、レシピで指定された照明モードでの照明が可能になるように照明系２０を駆動する。工程Ｓ６０２では、制御部１１は、照明系２０からの光が原版ステージ２２によって遮断されない位置に原版ステージ２２が配置されるように、原版ステージ２２の不図示の駆動機構を制御する。工程Ｓ６０３では、基板ステージ２３上の第２照度モニタ２５が露光領域（照明系２０および投影系２４を介して光が照射される領域）の中に配置されるように、基板ステージ２３の不図示の駆動機構を制御する。
工程Ｓ６０４では、制御部１１は、光源２に対して露光指令を送る。これにより、光源２から光が射出され、照明系２０および投影系２４を介して基板ステージ２３上の第２照度モニタ２５に光が照射される。なお、照明系２０にシャッタを設けて、露光指令に従ってシャッタを駆動することによって基板面に光が照射されるように構成されてもよい。また、第１照度モニタ２１にも、照明系２０の光路から分岐された光が照射される。工程Ｓ６０５では、制御部１１は、第１照度モニタ２１によって計測された照度Ｌ１を取得する。工程Ｓ６０６では、制御部１１は、第２照度モニタ２５によって計測された照度Ｌ２を取得する。
工程Ｓ６０７では、制御部１１は、第１照度モニタ２１によって計測された照度Ｌ１を基板上の照度Ｌ２に換算するための換算係数ｋを決定する。ここで、Ｌ１、Ｌ２、ｋは、以下の式（１）で示される関係を有する。
Ｌ２ ＝ ｋ × Ｌ１ ・・・（１）
工程Ｓ６０８では、制御部１１は、換算係数ｋを設定する。照度計測のキャリブレーション処理は、換算係数ｋを設定する処理である。以降は、第１照度モニタ２１でのみ照度Ｌ１を計測し、第１照度モニタ２１によって計測された照度Ｌ１に基づいて式（１）に従って基板面上の照度Ｌ２を計算によって取得（推定）することができる。
図７には、第１照度モニタ２１を用いて基板面上の照度Ｌ２を取得(推定）する処理の流れが例示されている。この処理は、制御部１１によって制御されうる。工程Ｓ７０１では、制御部１１は、レシピ（プロセス毎の設定条件）で指定された照明モードでの照明が可能になるように照明系２０を駆動する。
工程Ｓ７０２では、制御部１１は、光源２に対して露光指令を送る。これにより、光源２から光が射出される。工程Ｓ７０３では、制御部１１は、第１照度モニタ２１によって計測される照度Ｌ１を取得する。工程Ｓ７０４では、工程Ｓ７０３で取得した照度Ｌ１に基づいて式（１）に従って基板面上の照度Ｌ２を計算によって求める。
ここで、第１照度モニタ２１と基板Ｓとの間における透過率が変化した場合（例えば、経時変化による透過率の低下、メンテナンスによる透過率の増加）、その変化が露光量の誤差（結果として、露光結果のずれ量）をもたらしうる。例えば、最後にキャリブレーション処理を実行した時の第１照度モニタ２１、第２照度モニタ２５によって計測された照度Ｌ２が図８（ａ）に示される結果であるものと仮定する。また、最後のキャリブレーション処理の後の任意のタイミングにおいて、仮に第１照度モニタ２１、第２照度モニタ２５によって照度を計測したならば、図８（ｂ）に示される結果が得られるものとする。図８（ｂ）の状態では、仮にキャリブレーション処理を実行しなければ、５％の露光量ずれが発生する。
図９には、キャリブレーション処理に伴うオフセット値の管理処理の流れが例示されている。この管理処理は、制御部１１によって実行されうる。ここで、図９の管理処理の実行前における露光装置１の状態は、図４の状態ＳＴ２１であるものとする。
工程Ｓ９０１では、制御部１１は、図７に示されるキャリブレーション処理を実行する。キャリブレーション処理の実行は、露光装置の調整の一例である。キャリブレーション処理によって、露光装置１の状態は、露光結果（例えば、線幅）が影響を受けるように変化しうる。
工程Ｓ９０２では、制御部１１は、工程Ｓ９０１におけるキャリブレーション処理の実行によって生じる露光装置１による露光結果（例えば、線幅）のずれ量Ａを計算等によって取得する。例えば、キャリブレーション処理によって換算係数ｋが１から０．９５に変化した場合に、その変化量（５％）に対応するずれ量Ａが発生しうる。換算係数ｋの変化量とずれ量Ａとの関係は、予め実験等を通して取得しておくことができ、例えば、テーブルまたは計算式として制御部１１に組み込まれうる。
工程Ｓ９０３では、制御部１１は、工程Ｓ６０２で取得した露光結果のずれ量Ａに基づいて、ずれ量Ａに対応するオフセット量Ｄ（例えば、ずれ量Ａと同じオフセット量Ｄ）を決定する。
工程Ｓ９０４では、制御部１１は、オフセット量の一回あたりの更新量Ｘを計算等によって決定する。ここで、オフセット量の一回あたりの更新量Ｘは、例えば、ずれ量Ａに対応するオフセット量Ｄを更新回数Ｎで分割することによって、即ち、（２）式に従って決定することができる。
Ｘ＝Ｄ／Ｎ ・・・（２）
工程Ｓ９０５～Ｓ９１０では、制御部１１は、露光装置１を制御するオフセット量Ｄ（オフセット値）を複数回にわたって段階的に小さくする。なお、工程Ｓ９０５～Ｓ９１０の処理では、オフセット量Ｄは、工程Ｓ９０８または工程Ｓ９０９において（より小さい値に）書き換えられる。まず、工程Ｓ９０５では、制御部１１は、（残っている）オフセット量Ｄが０より大きいかどうかを判断し、（残っている）オフセット量Ｄが０より大きければ、工程Ｓ９０６に進み、（残っている）オフセット量が０であれば、図９の管理処理を終了する。
工程Ｓ９０６では、制御部１１は、更新タイミングまで待機する。工程Ｓ９０６の後、工程Ｓ９０７では、制御部１１は、（残っている）オフセット量Ｄが更新量Ｘより大きいかどうかを判断し、（残っている）オフセット量Ｄが更新量Ｘより大きい場合は工程Ｓ９０８に進み、そうでなければ工程Ｓ９０９に進む。工程Ｓ９０８では、制御部１１は、オフセット量Ｄの値をＤ－Ｘの値に書き換え、工程Ｓ９０９では、制御部１１は、オフセット量Ｄの値をＸの値に書き換える。工程Ｓ９１０では、制御部１１は、（残っている）オフセット量Ｄに対応するオフセット値を設定する。その後、工程Ｓ９０５に戻って、工程Ｓ９０５～Ｓ９１０の処理を繰り返す。ここで、オフセット値は、例えば、露光結果に影響を与えるパラメータ（例えば、発振周波数、発振パルス数、走査速度（走査露光装置の場合）等）に設定される値でありうる。オフセット値と露光結果（例えば、線幅）との関係は、予め実験等を通して取得しておくことができ、例えば、テーブルまたは計算式として制御部１１に組み込まれうる。
なお、図９に示す管理処理の実行中に露光装置の調整が実行された場合には、その調整によって生じる露光結果のずれ量Ａを計算し、工程Ｓ９０３～Ｓ９１０の処理が実行されうる。
図９に例示された管理処理によれば、露光装置１の調整の一例であるキャリブレーション処理の実行の前後において、最終的な露光結果のずれ量Ｃが急激に変化することが抑制される。
上述の例では、露光装置が最適に調整されている状態（例えば、状態ＳＴ２１）における最終的な露光結果のずれ量Ｃを０と仮定したが、実際は調整誤差等により最終的な露光結果のずれ量Ｃが０とならない場合がある。この場合、調整誤差等により発生する露光結果のずれ量をＥとすると、補正量Ｂ＝Ａ＋Ｅとすれば、最終的な露光結果のずれ量Ｃが０になる。そして、露光装置の調整時にずれ量Ａを０にするとともに、オフセット量Ｄ＝ずれ量Ａとする。以後、オフセット量Ｄを徐々に０に近づくように変化させると、最終的には、補正量Ｂ＝Ｅとなり、最終的な露光結果のずれ量Ｃが０になる。このように、露光装置が最適に調整されている時の露光結果のずれ量が０でなくても、本発明を適用することができる。
露光装置１の構成部品の交換を伴う調整を実施すると、構成部品の交換前における露光装置の経時変化によるずれ量Ａが分からなくなってしまう。この場合、構成部品の交換前に露光装置の経時変化によるずれ量Ａを計測しておき、このずれ量に基づいてオフセット量Ｄ（オフセット値）を決定すればよい。そして、構成部品の交換後に、段階的に小さくなるようにオフセット量Ｄ（オフセット値）を与えればよい。つまり、構成部品の交換の前における露光装置１の状態および構成部品の交換の後における露光装置１の状態に基づいてオフセット量Ｄ（オフセット値）が設定されうる。
上述の例は、露光量に影響を与える露光装置の状態に経時変化が発生するケースに関するものであるが、本発明は、アライメントまたはフォーカスに影響を与える露光装置の状態に経時変化が発生するケースにも適用可能である。フォーカスに影響を与える露光装置の状態の計測には、フォーカスセンサ２６が用いられうる。アライメントに影響を与える露光装置の調整状態の計測には、アライメントセンサ２７が用いられうる。いずれのケースでも、露光装置の経時変化による露光結果のずれ量が計測できれば、本発明を適用することができる。
以下、上記の露光装置１に代表されるパターン形成装置（処理装置）を用いて物品を製造する物品製造方法について説明する。該物品製造方法は、上記の管理方法に従ってパターン形成装置を管理する工程と、該パターン形成装置を使って部材にパターンを形成する工程と、該パターンが形成された該部材を処理する工程とを含み、該部材から物品を製造する。部材にパターンを形成する工程は、例えば、部材の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジスト膜を露光装置によって露光する工程と、該フォトレジスト膜を現像してパターンを形成する工程とを含みうる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
１：露光装置、２：光源、１１：制御部、２１：第１照度モニタ、２２：原版ステージ、２３：基板ステージ、２４：投影系、２５：第２照度モニタ、２６：フォーカスセンサ、２７：アライメントセンサ

Claims (20)

  1. 部材の処理を行う処理装置を管理する管理方法であって、
    前記処理装置の調整が行われた場合に、前記調整の前後における前記処理装置による部材の処理結果の変化量を取得し、その後、前記変化量が緩和されるように、前記処理装置を制御するオフセット値を設定し、
    前記処理装置の調整が行われた後、前記処理装置の調整が再度行われる前に、前記オフセット値を段階的に小さくする、
    ことを特徴とする管理方法。
  2. 前記処理は、原版のパターンを部材に投影することによって該部材を露光する処理である、
    ことを特徴とする請求項１に記載の管理方法。
  3. 前記処理装置の調整が行われた後、前記オフセット値が複数回にわたって段階的に小さくされる、
    ことを特徴とする請求項１に記載の管理方法。
  4. 前記処理装置の調整が行われた後に最初に設定される前記オフセット値は、前記処理装置の調整が前記処理に与える影響の全部または一部が相殺されるように決定される、
    ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の管理方法。
  5. 前記調整は、前記処理装置が有する機能のキャリブレーションを含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の管理方法。
  6. 前記調整は、前記処理装置のメンテナンスを含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の管理方法。
  7. 前記メンテナンスは、前記処理装置の構成部品の交換を含む、
    ことを特徴する請求項６に記載の管理方法。
  8. 前記交換の前における前記処理装置の状態および前記交換の後における前記処理装置の状態に基づいて前記オフセット値を設定する、
    ことを特徴とする請求項７に記載の管理方法。
  9. 前記オフセット値の変更に応じて、前記処理装置による前記処理の結果が前記処理装置を制御するためのパラメータ値に対してフィードバックされる、
    ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の管理方法。
  10. 部材の処理を行う処理装置を管理する管理方法であって、
    前記処理装置の調整が行われた場合に、前記調整の前後における前記処理装置による部材の処理結果の変化が緩和されるように、前記処理装置を制御するオフセット値を設定し、
    前記調整は、前記処理装置が有する機能のキャリブレーションを含み、
    前記処理装置の調整が行われた後、前記処理装置の調整が再度行われる前に、前記オフセット値を段階的に小さくする、
    ことを特徴とする管理方法。
  11. 部材の処理を行う処理装置を管理する管理方法であって、
    前記処理装置の調整が行われた場合に、前記調整の前後における前記処理装置による部材の処理結果の変化が緩和されるように、前記処理装置を制御するオフセット値を設定し、
    前記調整は、前記処理装置のメンテナンスを含み、
    前記処理装置の調整が行われた後、前記処理装置の調整が再度行われる前に、前記オフセット値を段階的に小さくする、
    ことを特徴とする管理方法。
  12. 部材の処理を行う処理装置を管理する管理方法であって、
    前記処理装置の調整が行われた場合に、前記調整の前後における前記処理装置による部材の処理結果の変化が緩和されるように、前記処理装置を制御するオフセット値を設定し、
    前記処理装置の調整が行われた後、前記処理装置の調整が再度行われる前に、前記オフセット値を段階的に小さくし、
    前記オフセット値の変更に応じて、前記処理装置による部材の前記処理の結果が前記処理装置を制御するためのパラメータ値に対してフィードバックされる、
    ことを特徴とする管理方法。
  13. 前記処理装置の調整が行われた後、前記オフセット値が段階的に小さくされる、
    ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の管理方法。
  14. 前記処理装置の調整が行われた後、前記オフセット値が複数回にわたって段階的に小さくされる、
    ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の管理方法。
  15. 前記処理装置の調整が行われた後に最初に設定される前記オフセット値は、前記処理装置の調整が前記処理に与える影響の全部または一部が相殺されるように決定される、
    ことを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載の管理方法。
  16. 前記処理装置は、部材にパターンを形成するパターン形成装置を含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の管理方法。
  17. 前記パターン形成装置は、露光装置である、
    ことを特徴とする請求項１６に記載の管理方法。
  18. 請求項１６に記載の管理方法に従って前記処理装置としての前記パターン形成装置を管理する工程と、
    前記パターン形成装置を使って部材にパターンを形成する工程と、
    前記パターンが形成された前記部材を処理する工程と、
    を含み、前記部材から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
  19. 部材の処理を行う処理装置を管理する管理装置であって、
    前記処理装置の調整が行われた場合に、前記調整の前後における前記処理装置による部材の処理結果の変化量を取得し、その後、前記変化量が緩和されるように、前記処理装置を制御するオフセット値を設定する制御部を備え、
    前記制御部は、前記処理装置の調整が行われた後、前記処理装置の調整が再度行われる前に、前記オフセット値を段階的に小さくする、
    ことを特徴とする管理装置。
  20. 請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の管理方法を実行するようにコンピュータを動作させることを特徴とするプログラム。
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US16/194,933 US11385549B2 (en) 2017-11-24 2018-11-19 Management method of managing processing apparatus by setting offset to reduce variance, management apparatus, computer readable medium, and article manufacturing method
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7173730B2 (ja) * 2017-11-24 2022-11-16 キヤノン株式会社 処理装置を管理する管理方法、管理装置、プログラム、および、物品製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005244519A (ja) 2004-02-25 2005-09-08 Fuji Xerox Co Ltd キャリブレーション方法及びキャリブレーション装置
JP2006019658A (ja) 2004-07-05 2006-01-19 Toshiba Corp 露光システム及び半導体装置の製造方法
JP2007227623A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置
JP2009026879A (ja) 2007-07-18 2009-02-05 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2010109273A (ja) 2008-10-31 2010-05-13 Canon Inc 情報処理装置、露光装置、デバイスの製造方法、情報処理方法およびプログラム
JP2010128301A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Canon Inc 露光装置
JP2014146636A (ja) 2013-01-28 2014-08-14 Nikon Corp 照明方法及び装置、空間光変調器の制御方法、並びに露光方法及び装置

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56160039A (en) * 1980-05-14 1981-12-09 Canon Inc Printing device
US5424552A (en) * 1991-07-09 1995-06-13 Nikon Corporation Projection exposing apparatus
US6753948B2 (en) * 1993-04-27 2004-06-22 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
US6308554B1 (en) * 1994-03-12 2001-10-30 Robert Bosch Gmbh Electronic device having an acceleration-sensitive sensor
JP3611060B2 (ja) * 1996-02-02 2005-01-19 シャープ株式会社 画像形成システム
JPH09320505A (ja) * 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン
JP3428872B2 (ja) * 1997-08-29 2003-07-22 キヤノン株式会社 露光方法および装置
US6232248B1 (en) * 1998-07-03 2001-05-15 Tokyo Electron Limited Single-substrate-heat-processing method for performing reformation and crystallization
JP2000323390A (ja) * 1999-05-12 2000-11-24 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置
US6368883B1 (en) * 1999-08-10 2002-04-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method for identifying and controlling impact of ambient conditions on photolithography processes
JP3949853B2 (ja) * 1999-09-28 2007-07-25 株式会社東芝 露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法
JP2001099711A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Minolta Co Ltd テストチャート測色システムおよびカラー出力機器校正システム
SG124257A1 (en) * 2000-02-25 2006-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
US7261983B2 (en) * 2000-12-08 2007-08-28 Litel Instruments Reference wafer and process for manufacturing same
US6734971B2 (en) * 2000-12-08 2004-05-11 Lael Instruments Method and apparatus for self-referenced wafer stage positional error mapping
US6803995B2 (en) * 2001-01-17 2004-10-12 International Business Machines Corporation Focus control system
TW563178B (en) * 2001-05-07 2003-11-21 Nikon Corp Optical properties measurement method, exposure method, and device manufacturing method
JP3870058B2 (ja) * 2001-10-05 2007-01-17 キヤノン株式会社 スキャン露光装置及び方法並びにデバイスの製造方法
KR100431329B1 (ko) * 2001-10-11 2004-05-12 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 오버레이 보정방법
US8100552B2 (en) * 2002-07-12 2012-01-24 Yechezkal Evan Spero Multiple light-source illuminating system
US6909858B2 (en) * 2002-08-09 2005-06-21 Seiko Epson Corporation Image forming apparatus, toner-adhesion calculation method and data processing method
JP4243462B2 (ja) * 2002-08-19 2009-03-25 富士フイルム株式会社 固体撮像装置および受光素子の感度対応出力調整方法
US7043327B2 (en) * 2003-08-12 2006-05-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography apparatus and method employing non-environmental variable correction
JP2005129674A (ja) * 2003-10-23 2005-05-19 Canon Inc 走査露光装置およびデバイス製造方法
WO2005067608A2 (en) * 2004-01-07 2005-07-28 Identification International, Inc. Low power fingerprint capture system, apparatus, and method
US7403264B2 (en) * 2004-07-08 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
US7692764B2 (en) * 2004-08-30 2010-04-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, operation decision method, substrate processing system, maintenance management method, and device manufacturing method
US7262831B2 (en) * 2004-12-01 2007-08-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
US20060193532A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 William Roberts Optimizing focal plane fitting functions for an image field on a substrate
US7403265B2 (en) * 2005-03-30 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering
JP5309565B2 (ja) * 2005-08-05 2013-10-09 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、方法、露光方法、及びデバイス製造方法
US7695876B2 (en) * 2005-08-31 2010-04-13 Brion Technologies, Inc. Method for identifying and using process window signature patterns for lithography process control
US20070105244A1 (en) * 2005-11-04 2007-05-10 Nikon Corporation Analytical apparatus, processing apparatus, measuring and/or inspecting apparatus, exposure apparatus, substrate processing system, analytical method, and program
JP4998853B2 (ja) * 2006-01-30 2012-08-15 株式会社ニコン 処理条件決定方法及び装置、処理装置、測定装置及び露光装置、基板処理システム、並びにプログラム及び情報記録媒体
US8134681B2 (en) * 2006-02-17 2012-03-13 Nikon Corporation Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium
EP2003680B1 (en) * 2006-02-21 2013-05-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8691323B2 (en) * 2006-03-06 2014-04-08 Nalco Company Method and apparatus for monitoring and controlling the application of performance enhancing materials to creping cylinders
US7829249B2 (en) * 2007-03-05 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, computer program and lithographic apparatus
US8237913B2 (en) * 2007-05-08 2012-08-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US9388530B2 (en) * 2008-10-07 2016-07-12 Nalco Company Method and apparatus for monitoring and controlling the application of performance enhancing materials to creping cylindersto improve process
US8077378B1 (en) * 2008-11-12 2011-12-13 Evans & Sutherland Computer Corporation Calibration system and method for light modulation device
NL2006099A (en) * 2010-02-19 2011-08-22 Asml Netherlands Bv Calibration of lithographic apparatus.
NL2008702A (en) * 2011-05-25 2012-11-27 Asml Netherlands Bv Computational process control.
US8937707B2 (en) * 2011-08-23 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of calibrating a displacement measuring system
NL2010262A (en) * 2012-03-07 2013-09-10 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus.
NL2011683A (en) * 2012-12-13 2014-06-16 Asml Netherlands Bv Method of calibrating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product.
US8851616B2 (en) * 2012-12-19 2014-10-07 Vistaprint Schweiz Gmbh Print head pre-alignment systems and methods
US9259931B2 (en) * 2012-12-19 2016-02-16 Cimpress Schweiz Gmbh System and method for print head alignment using alignment adapter
US20140168303A1 (en) * 2012-12-19 2014-06-19 Vistaprint Technologies Limited Print head alignment systems and methods for increasing print resolution
US9132660B2 (en) * 2012-12-19 2015-09-15 Cimpress Schweiz Gmbh System and method for offline print head alignment
JP2015032800A (ja) * 2013-08-07 2015-02-16 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品製造方法
WO2016087388A1 (en) * 2014-12-02 2016-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and apparatus
CN107003618B (zh) * 2014-12-02 2019-03-15 Asml荷兰有限公司 光刻方法和设备
US9740191B2 (en) * 2015-02-12 2017-08-22 The Boeing Company Location calibration for automated production manufacturing
JP5938506B1 (ja) * 2015-09-17 2016-06-22 株式会社日立国際電気 基板処理システム、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
JP6854914B2 (ja) * 2017-04-06 2021-04-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ方法及び装置
JP7173730B2 (ja) * 2017-11-24 2022-11-16 キヤノン株式会社 処理装置を管理する管理方法、管理装置、プログラム、および、物品製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005244519A (ja) 2004-02-25 2005-09-08 Fuji Xerox Co Ltd キャリブレーション方法及びキャリブレーション装置
JP2006019658A (ja) 2004-07-05 2006-01-19 Toshiba Corp 露光システム及び半導体装置の製造方法
JP2007227623A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置
JP2009026879A (ja) 2007-07-18 2009-02-05 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2010109273A (ja) 2008-10-31 2010-05-13 Canon Inc 情報処理装置、露光装置、デバイスの製造方法、情報処理方法およびプログラム
JP2010128301A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Canon Inc 露光装置
JP2014146636A (ja) 2013-01-28 2014-08-14 Nikon Corp 照明方法及び装置、空間光変調器の制御方法、並びに露光方法及び装置

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