JP5309565B2 - ステージ装置、露光装置、方法、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2005年8月5日に出願された特願2005−227666号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本発明の第1の態様に従えば、基準面(21a)に沿って移動する第1及び第2ステージ(WST、MST)と、前記基準面に交差する第1方向に沿った、前記第1及び第2ステージの間の第1ギャップ(G2)を計測する第1計測装置(64)と、前記第1計測装置の計測結果に基づいて、前記第1ギャップを調整する第1調整装置(20、27、47)とを備えるステージ装置が提供される。
このステージ装置によると、第1計測装置によって第1ステージと第2ステージとの交差方向における相対位置が計測され、この計測結果に基づいて第1調整装置によって第1ステージと第2ステージとの相対位置が調整される。
本発明の第2の態様に従えば、基準面(21a)に沿って移動する第1及び第2ステージ(WST、MST)と、前記第1及び第2ステージの、前記基準面に沿った各位置を計測する計測装置(22、23)と、前記第1ステージの上面のエッジ及び前記第2ステージの上面のエッジを検出する検出装置(45)と、前記計測装置の計測結果と前記検出装置の検出結果とに基づいて、前記第1及び第2ステージの少なくとも一のステージの前記基準面に沿った位置を調整する調整装置と(20、28a、28b、48a、48b)とを備えるステージ装置が提供される。
このステージ装置によると、位置検出装置によって第1ステージ及び第2ステージの第1方向の位置がそれぞれ検出されるとともに、検出装置によって第1ステージ上面のエッジ部及び第2ステージ上面のエッジ部がそれぞれ検出され、これらの検出結果に基づいて調整装置によって第1ステージと第2ステージとの少なくとも一方の第1方向の位置が調整される。
本発明の第3の態様に従えば、液体(Lq)を介して基板(W)を露光する露光装置において、第1の態様によるステージ装置を備え、前記第1計測装置は前記液体を介さずに前記第1ギャップを計測する露光装置が提供される。
本発明の第4の態様に従えば、液体(Lq)を介して基板(W)を露光する露光装置において、第2の態様によるステージ装置を備え、前記検出装置は前記液体を介さずに前記第1ステージの上面のエッジ及び前記第2ステージの上面のエッジを検出する露光装置が提供される。
本発明の第5の態様に従えば、露光工程を有するデバイスの製造方法であって、上記の露光装置を用いるデバイスの製造方法が提供される。
本発明の第6の態様に従えば、液浸露光のために液浸領域を互いに相対移動可能な第1部材(WST)と第2部材(MST)との間で移動させる方法であって、前記第1部材と前記第2部材との間で液体(Lq)を移動させる第1ステップと、前記第1ステップに先立って、前記第1部材と前記第2部材との位置関係を計測する第2ステップと、を備える方法が提供される。
本発明の第7の態様に従えば、液体(Lq)を介して第1部材(WST)に保持された基板(W)を露光する露光方法であって、前記第1部材と、前記第1部材と相対移動が可能な第2部材(MST)との間で液体を移動させる第1ステップと、前記第1ステップに先立って、前記第1部材と前記第2部材との位置関係を計測する第2ステップと、を備える露光方法が提供される。
本発明の第8の態様に従えば、露光工程を有するデバイスの製造方法であって、上記の露光方法を用いる製造方法が提供される。
本発明の第9の態様に従えば、液体(Lq)を介して基板(W)を露光する露光装置(EX)を製造する方法であって、上記のステージ装置を供給するステップと、液体を介さずに前記第1ステージと前記第2ステージとの位置関係を計測するステップと、を備える露光方法が提供される。
Claims (23)
- 基準面に沿って移動する第1及び第2ステージと、
前記基準面に交差する第1方向に沿った、前記第1及び第2ステージの間の第1ギャップを計測する第1計測装置と、
前記第1計測装置の計測結果に基づいて、前記第1ギャップを調整する第1調整装置と
を備えたことを特徴とするステージ装置。 - 前記第1調整装置は、前記第1及び第2ステージが互いに近接した際に、前記第1及び第2ステージの少なくとも一のステージの前記第1方向に沿った位置を調整することを特徴とする請求項1記載のステージ装置。
- 前記第1調整装置は、前記第1ギャップが0.1mm以下になるように、前記第1及び第2ステージの少なくとも一のステージの前記第1方向に沿った位置を調整することを特徴とする請求項1又は請求項2記載のステージ装置。
- 前記第1方向は、前記基準面と直交することを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載のステージ装置。
- 前記基準面に沿った、前記第1及び第2ステージの間の第2ギャップを計測する第2計測装置と、
前記第2計測装置の計測結果に基づいて、前記第2ギャップを調整する第2調整装置と
をさらに備えたことを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載のステージ装置。 - 前記第2調整装置は、前記第2ギャップが0.5mm以下になるように、前記第1及び第2ステージの少なくとも一のステージの前記基準面に沿った位置を調整することを特徴とする請求項5記載のステージ装置。
- 基準面に沿って移動する第1及び第2ステージと、
前記第1及び第2ステージの、前記基準面に沿った各位置を計測する計測装置と、
前記第1ステージの上面のエッジ及び前記第2ステージの上面のエッジを検出する検出装置と、
前記計測装置の計測結果と前記検出装置の検出結果とに基づいて、前記第1及び第2ステージの少なくとも一のステージの前記基準面に沿った位置を調整する調整装置と
前記検出装置の前記検出結果に基づいて、前記基準面に交差する方向に沿った、前記第1及び第2ステージの間の第2ギャップを算出する算出装置と
を備えたことを特徴とするステージ装置。 - 前記調整装置は、前記基準面に沿った前記第1及び第2ステージの間の第1ギャップが0.5mm以下になるように、前記第1及び第2ステージの少なくとも一のステージの前記基準面に沿った位置を調整することを特徴とする請求項7記載のステージ装置。
- 前記第1又は第2ステージの一部が他方のステージに対して張り出していることを特徴とする請求項1から請求項8の何れか一項に記載のステージ装置。
- 液体を介して基板を露光する露光装置において、
請求項1から請求項6の何れか一項に記載のステージ装置を備え、
前記第1計測装置は前記液体を介さずに前記第1ギャップを計測することを特徴とする露光装置。 - 液体を介して基板を露光する露光装置において、
請求項7から請求項9の何れか一項に記載のステージ装置を備え、
前記検出装置は前記液体を介さずに前記第1ステージの上面のエッジ及び前記第2ステージの上面のエッジを検出することを特徴とする露光装置。 - 前記第1ステージは前記基板を保持する基板ステージであり、前記第2ステージは露光に関する情報を計測する計測ステージであることを特徴とする請求項10又は請求項11記載の露光装置。
- 露光工程を有するデバイスの製造方法であって、請求項10から請求項12の何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
- 液浸露光のために液浸領域を互いに相対移動可能な第1部材と第2部材との間で移動させる方法であって、
前記第1部材と前記第2部材との間で液体を移動させる第1ステップと、
前記第1ステップに先立って、前記第1部材と前記第2部材との位置関係を計測する第2ステップと、
前記第1ステップと前記第2ステップとの間で、前記第2ステップでの計測に基づいて前記第1部材と前記第2部材との位置関係を調整する第3ステップと、を備え、
前記第1及び第2部材は基準面に沿って移動可能であり、
前記第2ステップでは前記基準面に交差する第1方向に沿った前記第1及び第2部材の間の第1ギャップを計測し、
前記第3ステップでは前記計測に基づいて前記第1ギャップを調整することを特徴とする方法。 - 液体を介して第1部材に保持された基板を露光する露光方法であって、
前記第1部材と、前記第1部材と相対移動が可能な第2部材との間で液体を移動させる第1ステップと、
前記第1ステップに先立って、前記第1部材と前記第2部材との位置関係を計測する第2ステップと、
前記第1ステップと前記第2ステップとの間で、前記第2ステップでの計測に基づいて前記第1部材と前記第2部材との位置関係を調整する第3ステップと、を備え、
前記第1及び第2部材は基準面に沿って移動可能であり、
前記第2ステップでは前記基準面に交差する第1方向に沿った前記第1及び第2部材の間の第1ギャップを計測し、
前記第3ステップでは前記計測に基づいて前記第1ギャップを調整することを特徴とする露光方法。 - 前記第3ステップでは前記第1ギャップが0.1mm以下になるように前記第1及び第2部材の少なくとも一の部材の前記第1方向に沿った位置を調整することを特徴とする請求項15記載の露光方法。
- 光学部材と前記第1部材との間の空間に液体を満たして露光を行い、前記第1方向は前記光学部材の光軸方向に沿った方向であることを特徴とする請求項15記載の露光方法。
- 前記第1及び第2部材は基準面に沿って移動可能であり、前記第2ステップでは前記基準面に沿った前記第1及び第2部材の間の第2ギャップを計測し、前記第3ステップでは前記計測に基づいて前記第2ギャップを調整することを特徴とする請求項15記載の露光方法。
- 前記第3ステップでは前記第2ギャップが0.5mm以下になるように前記第1及び第2部材の少なくとも一の部材の前記基準面に沿った位置を調整することを特徴とする請求項18記載の露光方法。
- 前記第1及び第2部材は基準面に沿って移動可能であり、
前記第2ステップは、前記第1及び第2部材の前記基準面に沿った各位置を計測する第4ステップと、前記第1部材の上面のエッジ及び前記第2部材の上面のエッジを検出する第5ステップとを含み、
前記第3ステップは、前記第4ステップと前記第5ステップとに基づいて前記第1及び第2部材の少なくとも一の部材の前記基準面に沿った位置を調整することを特徴とする請求項15記載の露光方法。 - 前記第2ステップでは、液体を介さずに前記第1部材と前記第2部材との位置関係を計測することを特徴とする請求項15記載の露光方法。
- 露光工程を有するデバイスの製造方法であって、請求項15から請求項21の何れか一項に記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
- 液体を介して基板を露光する露光装置を製造する方法であって、
請求項1から請求項9の何れか一項に記載のステージ装置を供給するステップと、
液体を介さずに前記第1ステージと前記第2ステージとの位置関係を計測するステップと、を備えることを特徴とする露光方法。
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Families Citing this family (25)
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TWI614795B (zh) | 2004-02-06 | 2018-02-11 | Nikon Corporation | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
EP3232270A3 (en) | 2005-05-12 | 2017-12-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2009060585A1 (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-14 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US8711327B2 (en) * | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2189849B1 (en) * | 2008-11-21 | 2015-12-16 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus provided with a swap bridge |
US8553204B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
CN101900945B (zh) * | 2009-05-27 | 2012-05-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 叠对误差补偿方法 |
JP5299638B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2013-09-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5757397B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2015-07-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP5861858B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2016-02-16 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2013058288A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 磁気ヘッド素子検査方法及びその装置 |
NL2010166A (en) * | 2012-02-22 | 2013-08-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN104756013B (zh) | 2012-10-24 | 2017-09-29 | Asml荷兰有限公司 | 衬底定位系统、光刻设备以及器件制造方法 |
JP6362312B2 (ja) * | 2013-09-09 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
CN104698767B (zh) * | 2013-12-10 | 2017-01-18 | 上海微电子装备有限公司 | 一种浸没式光刻机的液体控制装置 |
JP6448220B2 (ja) * | 2014-05-22 | 2019-01-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
JP6953075B2 (ja) * | 2017-08-09 | 2021-10-27 | 株式会社ディスコ | 切削装置及びウェーハの加工方法 |
JP7173730B2 (ja) * | 2017-11-24 | 2022-11-16 | キヤノン株式会社 | 処理装置を管理する管理方法、管理装置、プログラム、および、物品製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004090577A2 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens |
JP2005019864A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
JP2006135165A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
US5874820A (en) * | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) * | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5623853A (en) * | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
AU5067898A (en) * | 1996-11-28 | 1998-06-22 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
EP0890136B9 (en) * | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
US6208407B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JP2001160530A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US6611316B2 (en) * | 2001-02-27 | 2003-08-26 | Asml Holding N.V. | Method and system for dual reticle image exposure |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
US7110081B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP1571697A4 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-04 | Nikon Corp | EXPOSURE SYSTEM AND DEVICE PRODUCTION METHOD |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR101289979B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2013-07-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2005227666A (ja) | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Toshiba Corp | マスクデータ補正方法と半導体装置の製造方法 |
EP1780786A4 (en) * | 2004-06-07 | 2009-11-25 | Nikon Corp | STAGE DEVICE, EXPOSURE DEVICE AND EXPOSURE METHOD |
US7580685B2 (en) * | 2004-07-09 | 2009-08-25 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Radio communication system |
WO2006009254A1 (ja) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Nikon Corporation | 支持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
TW200615716A (en) * | 2004-08-05 | 2006-05-16 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
EP3046135B1 (en) * | 2004-10-15 | 2017-09-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7310132B2 (en) * | 2006-03-17 | 2007-12-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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Patent Citations (3)
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WO2004090577A2 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens |
JP2005019864A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
JP2006135165A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
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