JP4613910B2 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4613910B2 JP4613910B2 JP2006540850A JP2006540850A JP4613910B2 JP 4613910 B2 JP4613910 B2 JP 4613910B2 JP 2006540850 A JP2006540850 A JP 2006540850A JP 2006540850 A JP2006540850 A JP 2006540850A JP 4613910 B2 JP4613910 B2 JP 4613910B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- exposure apparatus
- stage
- wafer
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70653—Metrology techniques
- G03F7/70666—Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本願は、2004年10月8日に出願された特願2004−296375号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本発明の態様に従えば、移動可能な基板ステージ(WST)上に載置された基板(W)に投影光学系(PL)を介してパターンを露光する露光装置(EX)であって、前記基板ステージとは独立して移動可能に構成され、第1方向に沿って形成された第1反射部(50)と前記第1方向と直交する第2方向に沿って形成された第2反射部(51X)とを有する計測ステージ(MST)と、前記計測ステージに形成された前記第1反射部および前記第2反射部材にビームを照射して、前記計測ステージの前記第1方向および前記第2方向に関する位置を検出する位置検出装置(42、44)とを備え、前記計測ステージは、前記投影光学系によって投影される前記パターンの投影像の位置を計測する基準マーク(FM1、FM11、FM12)と、前記投影光学系を介して前記基板に与えられる露光エネルギーに関する情報を検出する検出装置(62)とを備え、前記基準マークは前記第1方向および前記第2方向に関して前記検出装置よりも前記第1反射部および前記第2反射部に近接して配置される露光装置が提供される。
本発明の別の態様に従えば、上記の露光装置を用いてデバイスのパターンを基板に転写する工程を含むデバイス製造方法が提供される。
また、図3Bに示す通り、永久磁石35a,35bに対応して複数のコイルを備えるX方向に延びるZ軸固定子36aが設けられており、永久磁石35c,35dに対応して複数のコイルを備えるX方向に延びるZ軸固定子36bが設けられている。これらZ軸固定子36a,36bは、永久磁石35a,35b及び永久磁石35c,35dとそれぞれ協働してZ方向への駆動力を発生するものである。Z軸固定子36a,36bに設けられるコイルに供給する電流を制御することにより、ウェハステージ本体26をZ方向、θx、θy方向に駆動することができる。また、チューブキャリア29をX方向に駆動するために、X方向に延びる固定子37も設けられている。尚、上記のY軸用固定子33、X軸用固定子34a,34b、Z軸固定子36a,36b、及び固定子37の各々は両端が第2駆動系28a,28bを構成する可動子39a,39bにそれぞれ固定されている。
Claims (13)
- 移動可能な基板ステージ上に載置された基板に投影光学系を介してパターンを露光する露光装置において、
前記基板ステージとは独立して移動可能に構成され、第1方向に沿って形成された第1反射部と前記第1方向と直交する第2方向に沿って形成された第2反射部とを有する計測ステージと、
前記計測ステージに形成された前記第1反射部および前記第2反射部材にビームを照射して、前記計測ステージの前記第1方向および前記第2方向に関する位置を検出する位置検出装置とを備え、
前記計測ステージは、前記投影光学系によって投影される前記パターンの投影像の位置を計測する基準マークと、前記投影光学系を介して前記基板に与えられる露光エネルギーに関する情報を検出する検出装置とを備え、前記基準マークは前記第1方向および前記第2方向に関して前記検出装置よりも前記第1反射部および前記第2反射部に近接して配置されることを特徴とする露光装置。 - 前記基準マークは、前記投影光学系により投影される前記パターンの空間像の位置を計測する空間像計測装置の一部を構成することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- 前記空間像計測装置は液体を介して前記空間像を計測することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記投影光学系の収差情報を検出する収差検出装置を、前記第1反射部または前記第2反射部の少なくとも一方に関して前記基準マークよりも離間して前記計測ステージに配置することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記計測ステージは、前記第1反射部とほぼ平行に前記第1方向に沿って設けられた第3反射部を有し、前記基準マークは前記第3反射部よりも前記第1反射部近傍に設けられていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記位置検出装置は、前記第2反射部に照射して前記計測ステージの前記第1方向に関する位置を計測する第1ビームと、前記第1反射部に照射して前記計測ステージの前記第2方向に関する位置を計測する第2ビームとを含み、前記第1ビームと前記第2ビームとは、前記基板の露光処理中には前記基板ステージの前記第1方向位置及び前記第2方向位置の計測に用いられることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記計測ステージは少なくとも一部が交換可能なプレート部を有していることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記基準マークは、前記プレート部とは独立して交換可能な計測パターン部に形成されていることを特徴とする請求項7記載の露光装置。
- 前記プレート部の少なくとも一部は低熱膨張材料で形成されていることを特徴とする請求項7又は請求項8記載の露光装置。
- 前記計測パターン部は、前記プレート部と係合して同一平面を形成する円形部材であることを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記プレート部の少なくとも一部は撥液処理を施していることを特徴とする請求項7から10のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記投影光学系の投影中心とは離れた視野中心を有したアライメント系を有し、該アライメント系は液体を介さずに前記基準マークを検出することを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の露光装置。
- 請求項1から請求項12の何れか一項に記載の露光装置を用いてデバイスのパターンを基板に転写する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004296375 | 2004-10-08 | ||
JP2004296375 | 2004-10-08 | ||
PCT/JP2005/016379 WO2006040890A1 (ja) | 2004-10-08 | 2005-09-07 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006040890A1 JPWO2006040890A1 (ja) | 2008-05-15 |
JP4613910B2 true JP4613910B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=36148192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006540850A Expired - Fee Related JP4613910B2 (ja) | 2004-10-08 | 2005-09-07 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090213357A1 (ja) |
EP (1) | EP1806771A4 (ja) |
JP (1) | JP4613910B2 (ja) |
KR (1) | KR20070063505A (ja) |
TW (1) | TW200612210A (ja) |
WO (1) | WO2006040890A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3190605B1 (en) * | 2004-06-21 | 2018-05-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101258581B (zh) * | 2005-09-09 | 2011-05-11 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法以及设备制造方法 |
CN104111588B (zh) * | 2007-07-18 | 2016-08-03 | 株式会社尼康 | 测量方法、载台装置、及曝光装置 |
NL2002998A1 (nl) * | 2008-06-18 | 2009-12-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus. |
US8514395B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101678050B1 (ko) * | 2009-11-16 | 2016-12-07 | 삼성전자 주식회사 | 오프 액시스 정렬을 이용한 마스크리스 노광 장치 및 방법 |
KR101437210B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2014-11-03 | 엔에스케이 테쿠노로지 가부시키가이샤 | 노광 장치용 광조사 장치, 노광 장치, 노광 방법, 기판의 제조 방법, 마스크, 및 피노광 기판 |
US8605294B2 (en) * | 2012-03-09 | 2013-12-10 | Chung-Shan Institute of Science and Technology, Armaments, Bureau, Ministry of National Defense | Actuating apparatus, actuating system and method for actuating a working stage to move relative to a platform with high-precision positioning capability |
JP6560490B2 (ja) * | 2014-12-10 | 2019-08-14 | キヤノン株式会社 | 顕微鏡システム |
JP6483536B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2019-03-13 | 株式会社アドテックエンジニアリング | パターン描画装置及びパターン描画方法 |
CN110057300B (zh) * | 2019-04-30 | 2024-07-02 | 宁波名古屋工业有限公司 | 接头检测设备及其检测方法 |
CN114035022A (zh) * | 2021-10-21 | 2022-02-11 | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 | 一种芯片的测试工装与测试系统 |
CN114111691B (zh) * | 2021-11-19 | 2024-06-14 | 三英精控(天津)仪器设备有限公司 | 一种晶圆检测高精度气浮运动平台及方法 |
CN115728233B (zh) * | 2022-09-14 | 2023-08-29 | 深圳市智佳能自动化有限公司 | 一种晶圆检测平台及其方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11135400A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Nikon Corp | 露光装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000164504A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法 |
JP2001160530A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
WO2003087934A2 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-23 | Zygo Corporation | Interferometry system error compensation in twin stage lithography tools |
WO2004059710A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Nikon Corporation | 収差計測方法、露光方法及び露光装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
KR100300618B1 (ko) * | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
US5874820A (en) * | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) * | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5623853A (en) * | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
CN1244018C (zh) * | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
EP1197801B1 (en) * | 1996-12-24 | 2005-12-28 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic device with two object holders |
JPH1116816A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US6897963B1 (en) * | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
KR20010033118A (ko) * | 1997-12-18 | 2001-04-25 | 오노 시게오 | 스테이지 장치 및 노광장치 |
US6208407B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
-
2005
- 2005-09-07 EP EP05778485A patent/EP1806771A4/en not_active Withdrawn
- 2005-09-07 WO PCT/JP2005/016379 patent/WO2006040890A1/ja active Application Filing
- 2005-09-07 US US11/664,863 patent/US20090213357A1/en not_active Abandoned
- 2005-09-07 JP JP2006540850A patent/JP4613910B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-07 KR KR1020077004818A patent/KR20070063505A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-09-14 TW TW094131604A patent/TW200612210A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11135400A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Nikon Corp | 露光装置 |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000164504A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法 |
JP2001160530A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
WO2003087934A2 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-23 | Zygo Corporation | Interferometry system error compensation in twin stage lithography tools |
WO2004059710A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Nikon Corporation | 収差計測方法、露光方法及び露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2006040890A1 (ja) | 2008-05-15 |
WO2006040890A1 (ja) | 2006-04-20 |
EP1806771A4 (en) | 2008-06-18 |
KR20070063505A (ko) | 2007-06-19 |
EP1806771A1 (en) | 2007-07-11 |
TW200612210A (en) | 2006-04-16 |
US20090213357A1 (en) | 2009-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4613910B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
US9690209B2 (en) | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP5309565B2 (ja) | ステージ装置、露光装置、方法、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
KR102027589B1 (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
US20080297751A1 (en) | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device | |
JP5353005B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
US20110086315A1 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
US20070188732A1 (en) | Stage apparatus and exposure apparatus | |
KR102022788B1 (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
US8472008B2 (en) | Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method | |
US20110008734A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP5861858B2 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
US20110007325A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP2004087593A (ja) | ステージ装置および露光装置 | |
JP2006060152A (ja) | 光学特性測定装置、ステージ装置及び露光装置 | |
US20130271738A1 (en) | Movable body apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2006237488A (ja) | ステージ装置、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090327 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100921 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101004 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |