JP2000323390A

JP2000323390A - 荷電粒子線露光装置

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Publication number: JP2000323390A
Application number: JP11130872A
Authority: JP
Inventors: Hideyuki Minami; 秀之南
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1999-05-12
Filing date: 1999-05-12
Publication date: 2000-11-24
Also published as: US6376848B1

Abstract

(57)【要約】【課題】ステージ位置制御誤差補正のためのビーム偏
向量の増大に起因する収差を抑制できる荷電粒子線露光
装置を提供する。【解決手段】ステージ位置制御誤差の補正のための像
位置調整偏向器１６の偏向量を、各パターン小領域毎に
統計計算機３３のメモリ上に記録させておき、複数の小
領域を含むある特定範囲（ストライプ）の露光を行った
段階で、補正値を統計処理して傾向（例えば特定方向へ
のずれ）を解析する。そして、次のストライプを露光す
る際には、感応基板ステージの位置を上記傾向を見込ん
で調整し、像位置調整偏向器の偏向量がなるべく予定範
囲内の低い値となるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線やイオンビ
ーム等の荷電粒子線を用いて半導体デバイスパターン等
を転写する荷電粒子線露光装置に関する。特には、ステ
ージ位置制御誤差補正のためのビーム偏向量の増大に起
因する収差を抑制するための改良を加えた荷電粒子線露
光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子線露光を例にとって従来技術を説明
する。電子線露光は、紫外光を用いる露光よりも高解像
度が得られるが、スループットが低いのが欠点とされて
おり、その欠点を解消すべく様々な技術開発がなされて
きた。本格的な半導体チップの量産工程におけるウエハ
露光に応用できる程度に高いスループットをねらう電子
線露光方式として、一個の半導体チップ全体の回路パタ
ーン（チップパターン）を備えたレチクルに電子線束
（ビーム）を照射し、そのビームの照射範囲のパターン
を投影レンズによりウエハ上に縮小転写する装置が提案
されている。

【０００３】この種の装置の光学系では、レチクル上の
チップパターンの全範囲に一括して電子ビームを照射し
て一度にチップパターン全体を転写できるほどに広い低
収差の視野は通常得られない。そこで、チップパターン
全体領域を多数の小領域（サブフィールド）に分割して
レチクル上に形成し、各サブフィールド毎にパターンを
順次転写し、ウエハ上では各サブフィールドの像をつな
げて配列することにより全回路パターンを転写する、と
の提案がなされている（分割投影方式、例えば米国特許
第5,260,151 号、特開平８−186070号参照）。

【０００４】この分割転写方式においては、ウエハ上の
目標とする被転写領域にマスク上のサブフィールドのパ
ターンを正確に転写するためには、サブフィールドの投
影像の位置とウエハ上の特定領域とが一致していなけれ
ばならない。しかし、実際にはステージの制御目標位置
と実際のステージ位置とに誤差が生ずる。そこで、この
ステージ制御誤差を位置検出器（干渉計）で読み取り、
サブフィールドの投影位置を偏向器で変えることにより
誤差補正する。この動作を、各小領域を転写する毎に繰
り返す。従来は、ステージ位置制御誤差の値に特定の傾
向があっても（例えば、全体にＸ方向に１μm ずれてい
る等）、そのずれを偏向器で補正していた。

【０００５】

【発明が解決しようするする課題】そのような場合、全
サブフィールドの投影位置をキャリブレーションした位
置からずらすこととなるので、投影光学系の理想的な中
心座標から外れることとなり、偏向による収差が全体的
として増える。

【０００６】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、ステージ位置制御誤差補正のためのビーム
偏向がキャリブレーションした位置（レンズに対する理
想的な投影位置中心）からずれることに起因する収差を
抑制できる荷電粒子線露光装置を提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の荷電粒子線露光装置は、感応基板上に転写
すべきパターンを有するマスクに荷電粒子線（照明ビー
ム）を照射する照明光学系と、マスクを移動可能に載置
するマスクステージと、このマスクステージの位置検出
器と、マスクを通過した荷電粒子線（パターンビーム）
を感応基板上に投影結像させる投影光学系と、感応基板
を移動可能に載置する感応基板ステージと、この感応基
板ステージの位置検出器と、上記各部をコントロールす
るコントローラと、を備える荷電粒子線露光装置であっ
て；上記マスク上において、上記パターンは互いに離間
する複数のパターン小領域に分割されて形成されてお
り、該小領域を照射単位として順次照明ビームの照射を
繰り返すとともに、各々のパターン小領域を通過したパ
ターンビームを感応基板上の対応する被転写領域に投影
し、感応基板上では各パターン小領域の像が互いに接す
るように各々の像位置を調整しながら順次露光すること
によりパターン全体を転写し、上記投影光学系には、上
記パターンビームを偏向させて感応基板上におけるパタ
ーン小領域の像の位置を調整する像位置調整偏向器が配
置されており、転写時のステージの位置制御誤差を、上
記偏向器で補正し、上記ステージの位置制御誤差をメモ
リ上に記録し、ある範囲の複数の小領域についての位置
制御誤差の統計を取って誤差の傾向を分析し、次のある
範囲の複数の小領域の露光時に、上記ステージ位置制御
誤差の傾向を予めステージ位置制御に反映させてその範
囲の複数の小領域ではそれらの小領域露光時のステージ
位置制御誤差の平均的な誤差が最小になるようにステー
ジ制御を行うことを特徴とする。

【０００８】上記ステージ位置制御誤差の補正のための
像位置調整偏向器の偏向量を、各パターン小領域毎にメ
モリ上に記録させておき、複数の小領域を含むある特定
範囲（例えばストライプ）の露光を行った段階で、補正
値を統計処理して傾向（例えば特定方向へのずれ）を解
析する。そして、次の特定範囲（例えば次のストライ
プ）を露光する際には、感応基板ステージの位置を上記
傾向を見込んで調整する。例えば特定方向への位置オフ
セットを与えることにより、キャリブレーションした位
置からのずれを最小にすることにより収差を最小にでき
る。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。図４は、分割転写方式の電子線投影露光装置の光学
系全体における結像関係及び制御系の概要を示す図であ
る。

【００１０】光学系の最上流に配置されている電子銃１
は、下方に向けて電子線を放射する。電子銃１の下方に
は２段のコンデンサレンズ２、３が備えられており、電
子線は、これらのコンデンサレンズ２、３によって収束
されブランキング開口７にクロスオーバーC.O.を結像す
る。

【００１１】二段目のコンデンサレンズ３の下には、矩
形開口４が備えられている。この矩形開口（照明ビーム
成形開口）４は、マスク（レチクル）１０の一つのサブ
フィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照
明する照明ビームのみを通過させる。具体的には、開口
４は、照明ビームをマスクサイズ換算で例えば０．５〜
５mmの正方形に成形する。この開口４の像は、レンズ９
によってマスク１０に結像される。

【００１２】ビーム成形開口４の下方には、ブランキン
グ偏向器５が配置されている。同偏向器５は、照明ビー
ムを偏向させてブランキング開口７の非開口部に当て、
ビームがマスク１０に当たらないようにする。ブランキ
ング開口７の下には、照明ビーム偏向器８が配置されて
いる。この偏向器８は、主に照明ビームを図４の左右方
向（Ｘ方向）に順次走査して、照明光学系の視野内にあ
るマスク１０の各サブフィールドの照明を行う。偏向器
８の下方には、照明レンズ９が配置されている。照明レ
ンズ９は、マスク１０上にビーム成形開口４を結像させ
る。

【００１３】マスク１０は、図４では光軸上の１サブフ
ィールドのみが示されているが、実際には（図５を参照
しつつ後述）光軸垂直面内（Ｘ−Ｙ面）に広がっており
多数のサブフィールドを有する。マスク１０上には、全
体として一個の半導体デバイスチップをなすパターン
（チップパターン）が形成されている。

【００１４】マスク１０は移動可能なマスクステージ１
１上に載置されており、マスク１０を光軸垂直方向（Ｙ
Ｘ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも
広い範囲に広がるマスク上の各サブフィールドを照明す
ることができる。マスクステージ１１には、レーザ干渉
計を用いた位置検出器１２が付設されており、マスクス
テージ１１の位置をリアルタイムで正確に把握すること
ができる。

【００１５】マスク１０の下方には投影レンズ１５及び
１９並びに偏向器１６が設けられている。マスク１０の
あるサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１
５、１９、偏向器１６によってウエハ２３上の所定の位
置に結像される。投影レンズ１５、１９及び偏向器１６
（像位置調整偏向器）の詳しい作用については、図６を
参照して後述する。ウエハ２３上には、適当なレジスト
が塗布されており、レジストに電子線のドーズが与えら
れ、マスク上のパターンが縮小されてウエハ２３上に転
写される。

【００１６】なお、マスク１０とウエハ２３の間を縮小
率比で内分する点にクロスオーバーC.O.が形成され、同
クロスオーバー位置にはコントラスト開口１８が設けら
れている。同開口１８は、マスク１０の非パターン部で
散乱された電子線がウエハ２３に到達しないよう遮断す
る。

【００１７】ウエハ２３の直上には反射電子検出器２２
が配置されている。この反射電子検出器２２は、ウエハ
２３の被露光面やステージ上のマークで反射される電子
の量を検出する。例えばマスク１０上のマークパターン
を通過したビームでウエハ２３上のマークを走査し、そ
の際のマークからの反射電子を検出することにより、マ
スク１０と２３の相対的位置関係を知ることができる。

【００１８】ウエハ２３は、静電チャック（図示され
ず）を介して、ＸＹ方向に移動可能なウエハステージ２
４上に載置されている。上記マスクステージ１１とウエ
ハステージ２４とを、互いに逆の方向に同期走査するこ
とにより、チップパターン内で多数配列されたサブフィ
ールドを順次露光することができる。なお、ウエハステ
ージ２４にも、上述のマスクステージ１１と同様の位置
検出器２５が装備されている。

【００１９】上記各レンズ２、３、９、１５、１９及び
各偏向器５、８、１６は、各々のコイル電源制御部２
ａ、３ａ、９ａ、１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６
ａを介してコントローラ３１によりコントロールされ
る。また、マスクステージ１１及びウエハステージ２４
も、ステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、制御部３
１によりコントロールされる。ステージ位置検出器１
２、２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフ
ェース１２ａ、２５ａを介してコントローラ３１に信号
を送る。また、反射電子検出器２２も同様のインターフ
ェース２２ａを介してコントローラ３１に信号を送る。

【００２０】コントローラ３１は、ステージ位置の制御
誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器１６で補正
する。これにより、マスク１０上のサブフィールドの縮
小像がウエハ２３上の目標位置に正確に転写される。そ
して、ウエハ２３上で各サブフィールド像が繋ぎ合わさ
れて、マスク上のチップパターン全体がウエハ上に転写
される。なお、ステージ位置誤差補正の詳細については
後述する。

【００２１】次に、分割転写方式の電子線投影露光に用
いられるマスクの詳細例について、図５を用いて説明す
る。図５は、電子線投影露光用のマスクの構成例を模式
的に示す図である。（Ａ）は全体の平面図であり、
（Ｂ）は一部の斜視図であり、（Ｃ）は一つの小メンブ
レイン領域の平面図である。このようなマスクは、例え
ばシリコンウエハに電子線描画・エッチングを行うこと
により製作できる。

【００２２】図５（Ａ）には、マスク１０における全体
のパターン分割配置状態が示されている。同図中に多数
の正方形４１で示されている領域が、一つのサブフィー
ルドに対応したパターン領域を含む小メンブレイン領域
（厚さ０．１μm 〜数μm ）である。図５（Ｃ）に示す
ように、小メンブレイン領域４１は、中央部のパターン
領域（サブフィールド）４２と、その周囲の額縁状の非
パターン領域（スカート４３）とからなる。サブフィー
ルド４２は転写すべきパターンの形成された部分であ
る。スカート４３はパターンの形成されてない部分であ
り、照明ビームの縁の部分が当たる。パターン形成の形
態としては、メンブレンに孔開き部を設けるステンシル
タイプと、電子線の高散乱体からなるパターン層をメン
ブレン上に形成する散乱メンブレンタイプとがある。

【００２３】一つのサブフィールド４２は、現在検討さ
れているところでは、マスク上で０．５〜５mm角程度の
大きさを有する。投影の縮小率を１／５とすると、サブ
フィールドがウエハ上に縮小投影された投影像の大きさ
は、０．１〜１mm角である。小メンブレイン領域４１の
周囲の直交する格子状のグリレージと呼ばれる部分４５
は、マスクの機械強度を保つための、例えば厚さ０．５
〜１mm程度の梁である。グリレージ４５の幅は、例えば
０．１mm程度である。なお、スカート４３の幅は、例え
ば０．０５mm程度である。

【００２４】図５（Ａ）に示すように、図の横方向（Ｘ
方向）に多数の小メンブレイン領域４１が並んで一つの
グループ（偏向帯４４）をなし、そのような偏向帯４４
が図の縦方向（Ｙ方向）に多数並んで１つのストライプ
４９を形成している。偏向帯４４の長さ（ストライプ４
９の幅）は電子線光学系の偏向可能視野の大きさに対応
している。なお、一つの偏向帯４４内における隣り合う
サブフィールド間に、スカートやグリレージのような非
パターン領域を設けない方式も検討されている。

【００２５】ストライプ４９は、Ｘ方向に並列に複数存
在する。隣り合うストライプ４９の間にストラット４７
として示されている幅の太い梁は、マスク全体のたわみ
を小さく保つためのものである。ストラット４７はグリ
レージと一体で、厚さ０．５〜１mm程度であり、幅は数
mmである。

【００２６】現在有力と考えられている方式によれば、
１つのストライプ４９内のＸ方向のサブフィールド４２
の列（偏向帯４４）は電子線偏向により順次露光され
る。一方、ストライプ４９内のＹ方向の列は、連続ステ
ージ走査により順次露光される。隣のストライプ４９に
進む際はステージを間欠的に送る。露光の際、スカート
やグリレージ等の非パターン領域はウエハ上では消去さ
れ、各サブフィールドのパターンの像がウエハ上で繋ぎ
合わせされる。

【００２７】図６は、マスクからウエハへのパターン転
写の様子を模式的に示す斜視図である。図の上部にマス
ク１０上の１つのストライプ４９が示されている。スト
ライプ４９には上述のように多数のサブフィールド４２
（スカートについては図示省略）及びグリレージ４５が
形成されている。図の下部には、マスク１０と対向する
ウエハ２３が示されている。

【００２８】この図では、マスク上のストライプ４９の
一番手前の偏向帯４４の左隅のサブフィールド４２−１
が上方からの照明ビームＩＢにより照明されている。そ
して、サブフィールド４２−１を通過したパターンビー
ムＰＢが、２段の投影レンズと像位置調整偏向器（図２
参照）の作用によりウエハ２３上の所定の領域５２−１
に縮小投影されている。パターンビームＰＢは、マスク
１０とウエハ２３の間で、２段の投影レンズの作用によ
り、光軸と平行な方向から光軸と交差する方向へ、そし
てその逆に計２回偏向される。

【００２９】ウエハ２３上におけるサブフィールド像の
転写位置は、マスク１０とウエハ２３との間の光路中に
設けられた偏向器（図４の符号１６）により、各パター
ン小領域４２に対応する被転写小領域５２が互いに接す
るように調整される。すなわち、マスク上のパターン小
領域４２を通過したパターンビームＰＢを第１投影レン
ズ及び第２投影レンズでウエハ２３上に収束させるだけ
では、マスク１０のパターン小領域４２のみならずグリ
レージ４５及びスカートの像までも所定の縮小率で転写
することとなり、グリレージ４５等の非パターン領域に
相当する無露光領域が各被転写小領域５２の間に生じ
る。このようにならないよう、非パターン領域の幅に相
当する分だけパターン像の転写位置をずらしている。な
お、Ｘ方向とＹ方向に１つずつの位置調整用偏向器が設
けられている。この偏向器は、キャリブレーションされ
た位置に偏向するときには収差が少なくなっている。

【００３０】図１は、本発明の１実施例に係る電子線露
光装置のステージ系及び投影光学系の制御系の構成を示
すブロック図である。マスクステージ１１はリニアモー
タ等によりＸ方向、Ｙ方向に駆動され、その位置はマス
クステージ制御部１１ａによりコントロールされる。マ
スクステージ制御部１１ａには露光コントローラ３１か
らステージ位置指令が与えられる。マスクステージ１１
の位置は、位置検出器１２により検出される。位置検出
器１２の信号は、インターフェース１２ａを介して、統
計計算器３３及び露光コントローラ３１に送られる。投
影レンズ１５、１９は、レンズ励磁コイル電源制御部１
５ａ、１９ａを介して露光コントローラ３１にコントロ
ールされる。

【００３１】像位置調整偏向器１６は、偏向コイル電源
制御部１６ａを介して露光コントローラ３１にコントロ
ールされる。像位置調整偏向器１６の偏向量は、統計計
算器３３により入力される。

【００３２】ウエハステージ２４もリニアモータ等によ
りＸ方向、Ｙ方向に駆動され、その位置はウエハステー
ジ制御部２４ａによりコントロールされる。ウエハステ
ージ制御部２４ａには、露光コントローラ３１からステ
ージ位置指令が与えられる。ウエハステージ２４の位置
は、位置検出器２５により検出される。位置検出器２５
の信号は、インターフェース２５ａを介して、統計計算
器３３及び露光コントローラ３１に送られる。

【００３３】次に、本発明の１実施例に係る電子線露光
装置におけるサブフィールド像位置調整について説明す
る。なお、この例ではある範囲の小領域の像の回転誤差
はないものとする。図２は、ステージの位置制御誤差が
あった場合にウエハの被転写小領域の位置とサブフィー
ルド像位置のずれを説明するための平面図である。図３
は、ステージ位置制御誤差の統計処理方法の一例を説明
するための図である。

【００３４】図２において、制御目標とするステージ位
置に基づくウエハ上の各被転写小領域６３を破線で示
す。一方、ステージ位置検出器で検出した実際のステー
ジ位置に対応した各被転写小領域６１を実線で示す。こ
の例では、両者はずれている。この時、予定通りの投影
光学系の偏向量では、パターンサブフィールドの像６５
が、転写すべき領域６７にたいしてずれてしまう。そこ
で、像位置調整偏向器を調整して、両者が合うように、
△Ｘ₁、△Ｙ₁だけサブフィールド像６５の位置を調整
する。このような調整を各サブフィールドについて行
う。すなわち、実際の基板ステージの位置は、制御誤差
によって、目標とする基板ステージの位置と異なるの
で、そのずれを偏向器を使って荷電粒子線の照射する位
置をずらすことによって補正するのである。なお、サブ
フィールド像６５の位置は、マスクステージの位置誤差
に投影光学系の縮小率をかけた分だけずれるので、その
分も含めて像位置調整偏向器で調整する。

【００３５】この時の調整量は、図３に示すように、先
に露光したストライプと６９内の各サブフィールドにつ
いて、（△Ｘ₁、△Ｙ₁）、（△Ｘ₂、△Ｙ₂）〜、
（△Ｘ _i、△Ｙ_i）、‥‥、（△Ｘ_n、△Ｙ_n）であっ
たとする。

【００３６】この偏向器による補正量を、各サブフィー
ルドを照射する毎にメモリ上に記憶し、特定範囲（この
場合１つのストライプ）を露光し終ったところで上記の
メモリ上に記憶した補正値の統計計算を行う。統計計算
機は、例えば、全サブフィールドのＸ方向とＹ方向の各
々の誤差の平均を取り、次の特定範囲（ストライプ）を
露光する際に、計算した誤差平均値をステージの座標系
のＸ方向とＹ方向にオフセットする。

【００３７】以下に統計計算の式を示す。

【数１】

【００３８】すなわち、Ｘ方向の誤差の平均値Ｘ₀を、
次のストライプのステージ制御にオフセットとしてのせ
る。すなわち、次のストライプの露光時にはステージの
位置をＸ₀だけ調整することにより、偏向をキャリブレ
ーション偏向位置に近づけ、偏向収差を最小に抑制でき
る。Ｙ方向も同様に処理する。なお、ステージ位置誤差
補正専用の偏向器を別に設ける場所は、この誤差補正用
偏向器の偏向量はできるだけ低い値が好ましい。上述の
ステージ位置誤差補正によりそれが実現できる。

【００３９】あるいは、全小領域のＸ方向とＹ方向の各
々の誤差の座標位置からの距離の二乗和が最小となる座
標系を求め、それを次の特定範囲（ストライプ）の座標
系とすることもできる。

【００４０】統計計算機から求められた上記のオフセッ
ト又は座標系は、ウエハステージ制御装置に送られ、次
の特定範囲（ストライプ）を露光する際に、その座標系
に適応させる。例えば、座標系に上記オフセットを加算
した座標系を用いて露光動作を行う。なお、ストライプ
よりもっと狭い範囲で補正を行ってもよい。また、像の
回転も調整してもよい。さらに、マスクステージの制御
系又はマスク及びウエハの双方のステージの制御系にも
フィードバックすることとしてもよい。

【００４１】次に、ある範囲の小領域の像に回転誤差が
あり、像の回転を含めて調整する実施例について説明す
る。理想的なステージ位置（ｘ_i、ｙ_i）に対して、実
測値（Ｘ_i、Ｙ_i）であるとしたとき、この間の誤差を
回転と並進（ｘ₀、ｙ₀）とみなしたとき、各点のみな
し変換座標は以下となる。

【数２】したがって、このときのみなし誤差は、

【数３】となり、各点でのみなし誤差の自乗和Ｗは、

【数４】となり、これを最小にするθ、（ｘ₀、ｙ₀）が求める
最適みなしずれ量である。したがって、

【数５】より３本の方程式が得られ、３つの未知数が定まる。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、荷電粒子線の偏向器に
よる補正量を統計的に処理してその偏向量を少なくする
ことにより、像位置調整偏向器の偏向量を予定範囲内の
低い値となるようにできる。これにより偏向収差の増大
を避けることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例に係る電子線露光装置のステ
ージ系と投影光学系の制御系の構成を示すブロック図で
ある。

【図２】ステージの位置制御誤差があった場合にウエハ
の被転写小領域位置とサブフィールド像位置のずれを説
明するための平面図である。

【図３】ステージ位置制御誤差の統計処理方法の一例を
説明するための図である。

【図４】分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全
体における結像関係及び制御系の概要を示す図である。

【図５】電子線投影露光用のマスクの構成例を模式的に
示す図である。（Ａ）は全体の平面図であり、（Ｂ）は
一部の斜視図であり、（Ｃ）は一つの小メンブレイン領
域の平面図である。

【図６】マスクからウエハへのパターン転写の様子を模
式的に示す斜視図である。

【符号の説明】

１電子銃２，３コンデ
ンサレンズ４照明ビーム成形開口５ブランキン
グ偏向器７ブランキング開口８偏向器９コンデンサレンズ１０マスク１１マスクステージ１２マスクス
テージ位置検出器１５第１投影レンズ１６像位置調
整偏向器１８コントラスト開口１９第２投影
レンズ２２反射電子検出器２３ウエハ２４ウエハステージ２５ウエハス
テージ位置検出器３１コントローラ３３統計計算
機６１、６３、６７被転写小領域６５サブフィ
ールド像

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】感応基板上に転写すべきパターンを有す
るマスクに荷電粒子線（照明ビーム）を照射する照明光
学系と、マスクを移動可能に載置するマスクステージと、このマスクステージの位置検出器と、マスクを通過した荷電粒子線（パターンビーム）を感応
基板上に投影結像させる投影光学系と、感応基板を移動可能に載置する感応基板ステージと、この感応基板ステージの位置検出器と、上記各部をコントロールするコントローラと、を備える荷電粒子線露光装置であって；上記マスク上に
おいて、上記パターンは互いに離間する複数のパターン
小領域に分割されて形成されており、該小領域を照射単位として順次照明ビームの照射を繰り
返すとともに、各々のパターン小領域を通過したパターンビームを感応
基板上の対応する被転写領域に投影し、感応基板上では各パターン小領域の像が互いに接するよ
うに各々の像位置を調整しながら順次露光することによ
りパターン全体を転写し、上記投影光学系には、上記パターンビームを偏向させて
感応基板上におけるパターン小領域の像の位置を調整す
る像位置調整偏向器が配置されており、転写時のステージの位置制御誤差を、上記偏向器で補正
し、上記ステージの位置制御誤差をメモリ上に記録し、ある範囲の複数の小領域についての位置制御誤差の統計
を取って誤差の傾向を分析し、次のある範囲の複数の小領域の露光時に、上記ステージ
位置制御誤差の傾向を予めステージ位置制御に反映させ
て、その範囲の小領域露光時のステージ位置制御誤差の
平均的な誤差が最小になるようにステージ制御を行うこ
とを特徴とする荷電粒子線投影露光装置。
【請求項２】上記パターン小領域が縦横に複数個並ん
だ行列からなる複数の矩形領域（ストライプ）に分かれ
て上記マスク上にパターンが形成されており、各矩形領
域毎に誤差傾向の分析及び反映を行うことを特徴とする
請求項１記載の荷電粒子線露光装置。