TWI606137B - 基板處理設備 - Google Patents

Description

基板處理設備

本文中所揭示的本發明涉及基板處理設備，並且更具體地說涉及能夠通過調節處理氣體的流動控制供應到基板的上表面的處理氣體的量的基板處理設備。

通常，基板處理設備可以分類為單晶片型基板處理設備和分批型基板處理設備，在單晶片型基板處理設備中基板處理過程在一個基板上執行，在分批型基板處理設備中基板處理過程同時在多個基板上執行。單晶片型基板處理設備具有的優勢在於其結構簡單。然而，單晶片型基板處理設備可能在生產率方面退化。因此，由於大批量生產能力，分批型基板處理設備是受歡迎的。

分批型基板處理設備可以包含：處理室，以用於接收和處理在水準方向上堆疊成多層的基板；處理氣體供應噴嘴，以用於將處理氣體供應到處理室中；以及排氣管線，以用於排空處理室。使用此類分批型基板處理設備的基板處理過程可以如下執行：首先，將多個基板運載到處理室中；接下來，經由排氣管線排空處理室的內部並且經由處理氣體供應噴嘴將處理氣體供應到處理室中；接 下來，從處理氣體供應噴嘴噴灑的處理氣體在基板之間傳遞並且通過排氣開口流動到排氣管線中同時薄膜形成於基板上。

然而，在常規的基板處理設備中，一些處理氣體可能不會通過基板的上表面而是沿著基板的圓周移動以吸收到排氣管線中也就是說，沿著基板的圓周移動的處理氣體可能實際上未參與處理過程而是吸收到排氣管線中。因此，處理氣體可能被浪費並且基板上的處理過程的效率可能降低。

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專利文檔1：第10-1463592 B1號韓國專利

此背景技術章節中所揭示的以上資訊僅用於增強對發明背景的理解，且因此其可含有並不形成所屬領域的技術人員已知的現有技術的資訊。

本發明提供能夠調節處理氣體的流動的基板處理設備。

本發明提供能夠改進基板處理過程的效率的基板處理設備。

參考以下詳細描述及附圖，本發明的其他目標將變得顯而易見。

本發明的實施例可以包含：管，其提供內部空間，在所述 內部空間中處理基板；基板支撐部分，其在管的內部空間中以多層堆疊多個基板；氣體供應部分，其將處理氣體供應到多個基板；排氣部分，其安置成面向氣體供應部分以吸收處理氣體；以及流動調節部分，其具有沿著在氣體供應部分與排氣部分之間的管的圓周形成的噴灑開口以噴灑調節氣體。

本發明的一些實施例可進一步包含其中容納有管的外部管，並且流動調節部分可以安置在管與外部管之間。

本發明的其他實施例可以包含多個隔板，均沿著基板的載入方向安置在基板之間以劃分處理空間，以用於處理多個基板中的每一個，並且多個噴灑開口可以形成於在對應於處理空間中的每一個的不同高度處的管上。

流動調節部分可以包含：管道，其安裝在管的外表面上以提供流動空間用於調節氣體移動到噴灑開口；以及調節氣體供應線路，其連接到管道以供應調節氣體。

流動調節部分可以包含安置在管道的內部的噴灑單元以在對應於處理空間中的每一個且連接到調節氣體供應線路的管道的內部噴灑調節氣體。

噴灑開口可以形成於管的兩側上並且可以安置成面向彼此。

噴灑開口以縫隙的形狀形成或者以安置在線路中的多個孔的形狀形成。

噴灑開口可以隨著從氣體供應部分到排氣部分而在寬度 上發生改變。

多個噴灑開口根據高度可具有不同面積。

多個噴灑開口安置在與噴灑氣體供應部分的處理氣體的多個噴灑嘴中的每一個相同的高度處。

根據本發明的示例性實施例，可以通過在基板處理設備上包含流動調節部分來調節處理氣體的流動。也就是說，流動調節部分可以從沿著基板的圓周的移動到朝向基板的中心部分的移動調節處理氣體的流動。因此，大部分處理氣體可以參與基板的處理過程並且浪費的處理氣體的量可以減小。因此，可以改進基板處理過程的效率。

100‧‧‧基板處理設備

111‧‧‧管

112‧‧‧外部管

120‧‧‧腔室

121‧‧‧上部主體

122‧‧‧下部主體

130‧‧‧氣體供應部分

131‧‧‧噴灑嘴

132‧‧‧處理氣體供應線路

140‧‧‧排氣部分

141‧‧‧排氣開口

142‧‧‧排氣口

143‧‧‧排氣管線

144‧‧‧排氣管道

150‧‧‧加熱部分

160‧‧‧驅動部分

170‧‧‧基板支撐部分

171‧‧‧基板固持器

171a‧‧‧上部板

171b‧‧‧支撐杆

172‧‧‧擋板

173‧‧‧軸杆

175‧‧‧隔板

190‧‧‧流動調節部分

191‧‧‧噴灑開口

192‧‧‧管道

193‧‧‧調節氣體供應線路

195‧‧‧噴灑單元

S‧‧‧基板

圖1是根據本發明的一個實施例的基板處理設備的結構的視圖。

圖2是說明根據本發明的一個實施例的氣體供應部分和流動調節部分的視圖。

圖3是說明根據本發明的一個實施例的流動調節部分的透視圖。

圖4是說明根據本發明的一個實施例的噴灑開口和管道的視圖。

圖5是說明根據本發明的一個實施例的流動調節部分的操作的視圖。

圖6是說明根據本發明的另一個實施例的流動調節部分的透視圖。

在下文中，參考附圖更加詳細地描述本發明的示例性實施例。然而，本發明可以許多不同形式實施，並且不應被解釋為限於本文所闡述的實施例。實際上，提供這些實施例是為了使得本發明將是透徹並且完整的，且這些實施例將把本發明的範圍完整地傳達給所屬領域的技術人員。為了本發明的詳細描述可以放大圖式。圖式中相同的參考標號表示相同的元件。

圖1是根據本發明的一個實施例的基板處理設備的結構的視圖；圖2是說明根據本發明的一個實施例的氣體供應部分和流動調節部分的視圖；圖3是說明根據本發明的一個實施例的流動調節部分的透視圖；圖4是說明根據本發明的一個實施例的噴灑開口和管道的視圖；圖5是說明根據本發明的一個實施例的流動調節部分的操作的視圖；以及圖6是說明根據本發明的另一個實施例的流動調節部分的透視圖。

參考圖1和圖2，根據本發明的一個實施例的基板處理設備100可以包含：管111，其提供內部空間，在所述內部空間中處理基板S；基板支撐部分170，其在管111的內部空間中以多層堆 疊多個基板S；氣體供應部分130，其將處理氣體供應到多個基板S；排氣部分140，其安置成面向氣體供應部分130以吸收處理氣體；以及流動調節部分190，其具有沿著在氣體供應部分130與排氣部分140之間的管111的圓周形成的噴灑開口191以噴灑調節氣體。

此處，根據本發明的一個實施例的基板處理設備100可以是磊晶設備以在基板S上形成磊晶層。在選擇性磊晶生長(Selective Epitaxial Growth，SEG)過程在基板S上進展的情況下，處理氣體可供應到全部處理空間。處理氣體可以包含原料氣體、蝕刻氣體、摻雜劑氣體和運載氣體中的至少一種，並且氣體可以各種比率混合和供應以控制基板S上的薄膜的厚度。

由於氣體具有不同的分子量，處理氣體的流動可以根據比率改變。因此，處理氣體的流或流動可以是用於確定選擇性磊晶生長中的基板S上的薄膜的厚度和組成的關鍵因素。噴灑到基板S的處理氣體可例如沿著基板S的圓周且沿著基板S的下表面以及沿著基板S的上表面移動。因此，僅供應到基板S的上表面的處理氣體的一些部分可實際上參與基板S的處理過程並且氣體的其他部分可能實際上未參與基板S的處理過程。因此，可以包含流動調節部分190以調節處理氣體的流以控制待供應到基板S的上表面的更多的處理氣體。

腔室120可以矩形筒管的形狀或圓筒的形狀形成。腔室120可以包含上部主體121和下部主體122，並且上部主體121的 下部部分和下部主體122的上部部分彼此連通。下部主體122的側面部分可具有允許基板S的傳入和傳出的入口。因此，基板S可通過入口載入到腔室120中。並且載入在下部主體122的內部的基板S可以向上移動以在上部主體121中得到處理。因此，下部主體122的內部可以形成載入空間，在所述載入空間中載入有基板S，並且上部主體121的內部可以形成用於基板S的處理空間。然而，腔室120的結構和形狀可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

外部管112可以圓筒形狀形成，並且可安置在下部主體122的上側處，或者可以安置在上部主體121的內部處，所述下部主體的上部部分可以打開。用於容納管111的空間可以形成在外部管112的內部並且下側可以打開。此處，外部管112的內壁和管111的外壁是分離的，借此空間可形成於外部管112與管111之間。然而，外部管112的結構和形狀可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

管111可以圓筒形狀形成，並且可以安置在外部管112中。能夠容納基板S的空間可以形成在管111中並且其下側可以打開。因此，管111的內部可以與下部主體122的內部連通以用於基板S在管111與下部主體122之間移動。然而，管111的結構和形狀可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

基板支撐部分170可以包含：基板固持器171；擋板172，以用於密封管111的內部；軸杆173；以及多個隔板175，每個隔 板沿著基板S的載入方向安置在基板S之間以劃分處理空間以用於處理多個基板S中的每一個。

基板固持器171可以形成為在垂直方向上堆疊多個基板S。基板固持器171可以包含：多個支撐杆171b，其形成為在垂直方向上延展；以及上部板，其連接到這些支撐杆以支撐這些支撐杆。用於基板S的簡單支撐的支撐尖端形成於支撐杆上以朝向基板S的中心突出。

上部板171a可以圓盤形狀形成並且可具有與基板S的直徑相比更大的直徑。支撐杆171b可以提供為三個並且可以沿著上部板171a的圓周分離以連接到上部板的週邊部分的下側。支撐尖端可以提供為多個並且可以單獨地安置在沿著支撐杆171b的縱向方向的線路中。因此，基板固持器171可以形成多個層，基板S在垂直方向上堆疊在所述多個層上。因此，一個基板S可以載入在每個單個層上(或單個處理空間中)。然而，基板固持器171的結構和形狀可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

擋板172可以圓盤形狀形成並且可具有與基板固持器171的直徑相比更大的直徑。擋板172可以連接到基板固持器171的下側。因此，在基板固持器171從下部主體122移動到管111中的情況下，擋板172與基板固持器171一起向上移動以閉合管111的打開的下側。因此，在基板S的處理過程進展的同時，管111的內部可以抵靠著下部主體122密封。因此，可以防止管111中的處理氣體流入到下部主體122中或下部主體122中的異物流入管 111中。然而，擋板172的結構和形狀可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

軸杆173可以在垂直方向上延伸的杆形狀形成。軸杆173的上端可以連接到擋板172並且軸杆173的下端可以連接到驅動部分160。因此，基板固持器171可以通過驅動部分160圍繞軸杆173的中軸線在垂直方向上旋轉並且可以通過驅動部分160沿著軸杆173垂直移動。

隔板175可以圓盤形狀形成並且可以提供為多個以用於安置在支撐尖端的下側處。也就是說，隔板175可以通過支撐杆裝配並且可以單獨地安置在支撐尖端之間。因此，隔板175可以劃分空間，在所述空間中處理基板S中的每一個。因此，處理空間可以在基板固持器171的每個層處單獨地形成。

驅動部分160可以包含：垂直致動器，以用於垂直地移動基板支撐部分170；以及旋轉致動器，以用於使基板支撐部分170旋轉。

垂直致動器可以是圓筒，可以連接到基板支撐部分170的下側或軸杆173，並且可以起到垂直地移動基板支撐部分170的作用。因此，載入基板S的基板支撐部分170可以在管111與下部主體122之間移動。也就是說，在垂直致動器向下移動基板支撐部分170之後，基板S可以通過下部主體122的入口接收到基板支撐部分170上。並且在所有基板S接收到基板支撐部分170上之後，垂直致動器可在上側將基板支撐部分170移動到管111中。 並且隨後可以執行基板S的處理過程。

旋轉致動器可以是電動機，可以連接到基板支撐部分170的下側或軸杆173，並且可以起到旋轉基板支撐部分170的作用。當使用旋轉致動器旋轉基板支撐部分170時，移動通過載入在基板支撐部分170上的基板S的處理氣體可以混合並且可以均勻地分佈在基板S的上側上。因此，可以改進沉積在基板S上的膜的品質。然而，驅動部分160可以垂直地移動基板支撐部分170或可以旋轉基板支撐部分170的方法可以不限於上文所述並且可以有各種可能。

加熱部分150可以是安置在外部管112的外側處的加熱器。舉例來說，加熱部分150可以插入且安裝在上部主體121的內壁上並且可以安置為包圍側面部分和外部管112的上側。因此，由加熱部分150產生的熱能可以通過外部管112升高管111的內部的溫度。因此，加熱部分150可以受到控制以調節管111的內部的溫度為用於基板S的簡單處理的溫度。然而，加熱部分150安裝在上面的位置可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

參考圖1和圖2，氣體供應部分130可以包含：多個噴灑嘴131，以用於將處理氣體噴灑到管111的內部的基板S；以及處理氣體供應線路132，其連接到噴灑嘴131以供應處理氣體。

噴灑嘴131可以安裝且插入以通過管111的一側，例如，穿過管111的前側的內壁並且可以各自安置在不同高度處。也就是說，噴灑嘴131可以安置在垂直方向上各自對應於如由隔板175 所分開的每個處理空間，在每個處理空間中可以處理基板中的每一個。因此，可以單獨地控制供應到處理空間中的每一個的處理氣體的量。

處理氣體供應線路132可以管道形狀形成，其一端可以連接到噴灑嘴131並且其另一端可以連接到處理氣體供應源(未示出)。因此，從處理氣體供應源供應的處理氣體可以通過處理氣體供應線路132供應到噴灑嘴131。舉例來說，處理氣體供應線路132可以提供為多個，其中的每一個可以連接到噴灑嘴131中的每一個，或者一個處理氣體供應線路132可以分開為多個，其中的每一個可以連接到噴灑嘴131中的每一個。並且一個或多個控制閥可以提供到處理氣體供應線路132以控制供應到噴灑嘴131的處理氣體的量。然而，處理氣體供應線路132的結構和形狀可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

排氣部分140可以包括：排氣開口141，其中管111的內部的氣體可以流動；排氣口142，以用於吸收通過排氣開口141的氣體；排氣管線143，其連接到排氣口142以將吸收在排氣口142中的氣體排放到管111的外部；以及排氣管道144，其容納排氣口142。

排氣開口141可以形成於管111的另一側上，例如，在面向噴灑嘴131的管111的背側的內壁上。排氣開口141可以提供為在垂直方向上延伸或者可以提供為多個以安置在不同高度處。也就是說，多個排氣開口141中的每一個可以安置在對應於噴灑 嘴131中的每一個的垂直方向上。因此，從噴灑嘴131供應的處理氣體可以通過處理空間流動到放置在相對側處的排氣開口141。因此，可以確保處理氣體與基板S的表面之間的反應的足夠的時間。此處，在基板處理過程期間產生的非反應氣體和反應副產物可以通過排氣開口141吸收和釋放。

排氣口142可以對應於排氣開口141安裝在管111的外側上。用於氣體移動的空間可以提供在排氣口142的內部，並且吸收孔可以形成在面向排氣開口141的部分處。因此，通過排氣開口141的氣體可以穿過吸收孔在排氣口142的內部中流動。吸收孔可以提供為一個或對應於排氣開口141或處理空間中的每一個提供為多個。然而，排氣口142的結構和形狀可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

排氣管線143可以形成為管道形狀，其一端可以連接到排氣口142並且其另一端可以連接到吸收器(未示出)。因此，管111的內部的氣體可以通過排氣開口141，可以在排氣口142中被吸收，並且可以沿著排氣管線143通過吸收器提供的吸收力釋放到管111的外部。然而，排氣管線143的結構和形狀可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

排氣管道144可以形成空間，在該空間中可以接收排氣口142，並且可以安裝在管111的另一側上，例如，在管111的背側上。並且排氣管道144可以安置在管111與外部管112之間。因此，排氣管道144可以阻擋氣體通過流出到管111與外部管112 之間的空間而被吸收到排氣口142。

另一方面，噴灑嘴131和排氣開口141可以安置在管111與外部管112之間。因此，管111的內部可以雙重密封以有效防止管111中的氣體流出到外部或有效防止外部的異物流入管111中。並且處理氣體供應線路132或排氣管線143可以不提供於管111中，這可以改進管111的內部的空間效率。

此處，噴灑嘴131、基板S和排氣開口141可以沿著相同線路放置。因此，由於基板S的下表面可以通過支撐尖端維持漂浮狀態，所以從噴灑嘴131噴灑的處理氣體可以通過基板S並且可以在排氣開口141中被吸收以變為層流。也就是說，處理氣體可以接觸基板S的側表面，可以沿著基板S的上表面和下表面移動，並且可以在排氣開口141中流動。因此，由於處理氣體平行於基板S流動，所以處理氣體可以均勻地供應到基板S的上表面。

在基板S的處理過程通過形成層流進展的情況下，控制處理氣體的流或流動可以是關鍵的。因此，可以提供流動調節部分190以調節處理氣體的流動並且招來(induce)更多量的處理氣體實際上參與到基板S的處理過程中。

參考圖3和圖4，流動調節部分190可以安置在管111與外部管112之間並且可以起到調節處理氣體的流動的作用，方法是在與處理氣體的移動方向相交的方向上噴灑調節氣體。流動調節部分190可以包括：多個噴灑開口191，其在各自對應於處理空間中的每一個的不同高度處形成於管111的側面上；管道192，其安 裝在管111的外表面上以提供流動空間用於調節氣體以移動到噴灑開口191；調節氣體供應線路193，其連接到管道192以噴灑調節氣體；以及調節閥(未示出)，以用於調節所述調節氣體沿著調節氣體供應線路193移動的流速。

此處，作為調節氣體，可以使用氫氣等等，其並不影響基板S的處理過程，或者其並不實際上參與基板S的處理過程。調節氣體可以是與包含在處理氣體中的運載氣體相同成分的氣體。因此，由於處理氣體中的運載氣體的比率可以通過控制調節氣體的量受到控制，所以處理氣體的混合比率可以通過調節氣體受到控制。然而，調節氣體的類型可以不限於上文所述並且可以使用並不影響基板S的處理過程的各種氣體。

噴灑開口191可以沿著管111的圓周在噴灑嘴131與排氣開口141之間形成。也就是說，噴灑開口191可以安置在噴灑嘴131與排氣開口141之間以用於調節氣體在與處理氣體噴灑的方向相交的方向上噴灑。噴灑開口191可以提供為多個並且可以在各自對應於處理空間中的每一個的不同高度處形成於管111上。因此，在處理空間中的每一個處的處理氣體的流動可以受到控制以增大供應到基板S的上表面上的處理氣體的量。

並且多個噴灑開口191可以安置在與多個噴灑嘴131相同的高度處。也就是說，噴灑開口191中的每一個可以形成在與噴灑嘴131和基板S相同的高度處。因此，當從噴灑開口191噴灑的調節氣體並不與沿著基板S的圓周移動的處理氣體相遇時， 或者當處理氣體和調節氣體在彼此不同的高度處噴灑時，調節氣體可能難以推動處理氣體。

因此，噴灑開口191和噴灑嘴131可以安置在相同高度處以用於處理氣體和調節氣體在相同高度處噴灑。因此，並不參與基板S的處理過程的處理氣體可以被輕易地推動到基板S的中心部分。當處理氣體的流動通過調節氣體輕易地調節時，接觸基板S的上表面的處理氣體的量可以增大以增大實際上參與基板S的處理過程的處理氣體的量。

並且噴灑開口191可以縫隙的形狀形成或規則安置的多個孔的形狀形成。因此，調節氣體可以推動處理氣體，處理氣體朝向基板S的側圓周噴灑並且沿著基板S的圓周朝向基板S的中心部分移動。因此，更多量的處理氣體可以供應到基板S的上表面以實際上參與基板S的處理過程。

並且隨著噴灑開口191從氣體供應部分130到排氣部分140，噴灑開口191可以在寬度上發生改變。也就是說，隨著噴灑開口191從噴灑嘴131到排氣開口141，噴灑開口191的寬度可以增大或減小。因此，從非常接近於氣體供應部分130的部分噴灑的調節氣體的量以及從非常接近於排氣開口141的部分噴灑的調節氣體的量可以受到控制為彼此不同的。

舉例來說，在處理氣體從噴灑嘴131移動到排氣開口141期間，非常接近於噴灑嘴131的基板處的反應可以提前發生，這可以引起在非常接近於噴灑嘴131的部分處的薄膜的厚度與遠離 噴灑嘴131的部分相比較厚。因此，為了增大供應到遠離噴灑嘴131安置的基板S的一部分的調節氣體的量或為了增大供應到非常接近於排氣部分140的基板S的一部分的調節氣體的量，噴灑開口191可以形成為具有隨著它從氣體供應部分130到排氣部分140增大的寬度。

也就是說，從具有較大寬度的部分噴灑的調節氣體的量可以大於從具有較小寬度的部分噴灑的調節氣體的量。因此，更多量的調節氣體可以噴灑到非常接近於排氣開口141的部分，這可以招來更多量的處理氣體移動到非常接近於排氣開口141的基板S的一部分。因此，處理氣體可以在非常接近於排氣部分140的基板S的一部分處與基板S的表面反應以在整個基板S上形成均勻厚度的薄膜。

並且多個噴灑開口191根據高度可具有不同面積，並且面積可以隨著它從上側到下側而增大或減小。也就是說，噴灑開口191的大小或密度可以得到調節以控制供應到處理空間中的每一個的調節氣體的量。

舉例來說，由於調節氣體的供應壓力，在上側處從噴灑開口191噴灑的調節氣體的量可以不同於在下側處從噴灑開口191噴灑的調節氣體的量。也就是說，雖然在上側處和在下側處噴灑開口191可以相同大小形成，但是在上側處從噴灑開口191噴灑的調節氣體的量可以小於在下側處從噴灑開口191噴灑的調節氣體的量。因此，隨著噴灑開口191從上側到下側，可以使噴灑開口 191的大小變小。因此，在上側處從噴灑開口191噴灑的調節氣體的量可以增大，並且在下側處從噴灑開口191噴灑的調節氣體的量可以減小，借此供應到處理空間中的每一個的調節氣體的量可以變得均勻。

替代地，可以調節噴灑開口191的密度。也就是說，包含於噴灑開口191中的孔的數目可以不同。提供到安置在上側處的噴灑開口191的孔的數目可以增大，並且提供到下側處的噴灑開口191的孔的數目可以減小。因此，在上側處從噴灑開口191噴灑的調節氣體的量可以增大，並且在下側處從噴灑開口191噴灑的調節氣體的量可以減小，借此噴灑到處理空間中的每一個的調節氣體的量可以變得均勻。

並且噴灑開口191可以形成於管111的兩側上並且可以安置成面向彼此。也就是說，噴灑開口191可以安置在噴灑嘴131與排氣開口141之間的兩側。舉例來說，在噴灑開口191僅提供在管111的左側處的情況下，在從左側到右側的方向上噴灑的調節氣體可以僅將處理氣體推動到右側。因此，處理氣體無法被供應到基板S的中心部分，但是可以供應到基板S的右側，這引起基板S的處理過程的效率降低。

因此，如圖5中所示，噴灑開口191可以形成於管111的左側和右側上以面向彼此。也就是說，從左側噴灑的調節氣體可以沿著基板S的左側圓周推動處理氣體移動到基板S的中心部分，並且從右側噴灑的調節氣體可以沿著基板S的右側圓周推動處理 氣體移動到基板S的中心部分，借此處理氣體可以在基板S的中心部分處相遇並且處理氣體可以集中在基板S的中心部分處。因此，在基板S的中心部分的上表面處實際上參與基板S的處理過程的處理氣體的量可以增大以改進基板S的處理過程的效率。然而，噴灑開口191的結構和形狀可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

管道192可以安裝在管111的外表面上並且管道192的內部可以形成空間，調節氣體可以在該空間中流動。也就是說，管道192的內部可以提供用於調節氣體的流動空間以移動到噴灑開口191。並且管道192可以安置成覆蓋噴灑開口191，借此管道192的內部和管111的內部可以通過噴灑開口191彼此連通。因此，當調節氣體供應在管道192中時，調節氣體可以通過噴灑開口191噴灑到管111中。

管道192可以成對提供並且可以安置成面向彼此。也就是說，管道192可以安裝在對應於形成於管111的兩側上的噴灑開口191的管111的兩側中的每一側上。因此，管道192可以將調節氣體供應到噴灑開口191。然而，管道的結構和形狀可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

調節氣體供應線路193可以管道形狀形成，其一端可以連接到管道192並且其另一端可以連接到調節氣體供應源(未示出)。因此，從調節氣體供應源供應的調節氣體可以通過調節氣體供應線路193供應到管道192。舉例來說，調節氣體供應線路193 可具有沿著處理氣體供應線路132延伸的一端，可以在管111與外部管112之間的空間處分開，並且可以各自連接到兩側的管道192。

並且調節氣體供應線路193可以連接到管道192的上側。因此，調節氣體可以從管道192的上側填充到管道192的下側。也就是說，當調節氣體從管道192的下側填充時，調節氣體移動到管道192的上側可能是困難的，借此在上側處從噴灑開口191噴灑的調節氣體的量可能變得較小，並且在下側處從噴灑開口191噴灑的調節氣體的量可能變得較大。因此，供應到上側的基板S的調節氣體的量和供應到下側的基板S的調節氣體的量可能變得不同，並且處理氣體集中的上側的基板S上的位置以及處理氣體集中的下側的基板S上的位置可能是不同的，借此上側的基板S上的薄膜的厚度和下側的基板S上的薄膜的厚度可能無法變得均勻。

當調節氣體從管道192的上側填充時，調節氣體移動到管道192的下側可以是簡單的，借此調節氣體可以移動到下側並且可以通過多個噴灑開口191噴灑到多個基板S中的每一個。因此，從上側的噴灑開口191噴灑的調節氣體的量以及從下側的噴灑開口191噴灑的調節氣體的量可以是均勻的。因此，處理氣體集中的上側的基板S的位置和處理氣體集中的下側的基板S的位置可以變為相同的或彼此類似的，借此上側的基板S的薄膜的厚度和下側的基板S的薄膜的厚度可以調節成變得均勻。

另一方面，如圖6中所示，流動調節部分190可進一步 包含噴灑單元195，所述噴灑單元安置在管道192中並且連接到調節氣體供應線路193以將調節氣體噴灑到管道192中。噴灑單元195可以管道形狀形成以形成為在垂直方向上延展並且可以在垂直方向上的線路中具有多個孔。提供到噴灑單元195的多個孔可以對應於噴灑開口191的位置垂直地安置。因此，噴灑單元195可以對應於處理空間中的每一個將調節氣體噴灑到管道192中。

並且調節氣體供應線路193可以通過管道192連接到噴灑單元195的下側。因此，在調節氣體供應線路193中移動的調節氣體可以供應到噴灑單元195並且調節氣體可以通過噴灑單元195的孔均勻地供應到管道192中，借此調節氣體可以通過提供到管道192的噴灑開口191以均勻的量供應到基板S中的每一個。也就是說，由於均勻的量的調節氣體可以從噴灑單元195的孔噴灑，所以從噴灑開口191噴灑的調節氣體的量根據高度改變的問題可以得到最小化。因此，均勻的量的調節氣體可以噴灑到多個基板S上並且上側的基板S的薄膜的厚度和下側的基板S的薄膜的厚度可以調節為變得均勻。

舉例來說，噴灑單元195的多個孔可以形成為根據高度而改變寬度。也就是說，孔的寬度可以隨著它從上側到下側而增大或減小。因此，它可以針對噴灑的均勻的量的調節氣體進行調節而無論高度如何。然而，將調節氣體供應到管道192中的方法可能不限於上文所述並且可以有各種可能。

調節閥可以安裝在調節氣體供應線路193上並且可以起 控制在調節氣體供應線路193中移動的調節氣體的流速的作用。因此，噴灑到管111中的調節氣體的量可以根據過程受到控制並且過程的效率可以得到改進。

舉例來說，在形成於基板S的中心部分上的薄膜的厚度與形成於基板S的週邊部分上的薄膜的厚度相比較厚情況下，調節閥可以受到控制以減小供應到管道192的調節氣體的量。因此，將處理氣體推動到基板S的中心部分的調節氣體的量可以減小，借此被推動到基板S的中心部分的處理氣體的量可以減小並且供應到基板S的週邊部分的處理氣體的量可以增大。因此，在基板S的週邊部分處與處理氣體的反應與在中心部分處相比可以更加強烈的發生以在基板S上形成均勻厚度的薄膜。

相反，在形成於基板S的週邊部分上的薄膜的厚度與形成於基板S的中心部分上的薄膜的厚度相比較厚情況下，調節閥可以受到控制以增大供應到管道192的調節氣體的量。因此，將處理氣體推動到基板S的中心部分的調節氣體的量可以增大，借此更多量的處理氣體可以集中到基板S的中心部分並且供應到基板S的週邊部分的處理氣體的量可以減小。因此，在基板S的中心部分處與處理氣體的反應與在週邊部分處相比可以更加強烈的發生以在基板S上形成均勻厚度的薄膜。

如上文所述，流動調節部分190可以提供於基板處理設備100中以調節處理氣體的流動。也就是說，流動調節部分190可以調節沿著基板S的圓周移動的處理氣體的流動以朝向基板的中 心部分前進。因此，大部分的處理氣體可以參與基板S的處理過程，借此浪費的處理氣體的量可以減小並且基板的處理過程的效率可以增大。

儘管已結合目前視為實際的示例性實施例的內容來描述本發明，但應理解本發明不限於所公開的實施例，正相反，本發明意圖涵蓋包含在所附權利要求書的精神和範圍內的各種修改和等效物。

111‧‧‧管

131‧‧‧噴灑嘴

141‧‧‧排氣開口

142‧‧‧排氣口

191‧‧‧噴灑開口

192‧‧‧管道

193‧‧‧調節氣體供應線路

Claims (9)

1. 一種基板處理設備，包括：管，其提供內部空間，在所述內部空間中處理基板；基板支撐部分，其在所述管的所述內部空間中以多層堆疊所述基板；氣體供應部分，其將處理氣體供應到所述基板；排氣部分，其安置成面向所述氣體供應部分以吸收所述處理氣體；以及流動調節部分，其具有沿著在所述氣體供應部分與所述排氣部分之間的所述管的圓周形成的噴灑開口以噴灑調節氣體，且所述噴灑開口形成於所述管的兩側上並且安置成面向彼此。
2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理設備，進一步包括：外部管，在所述外部管中容納所述管，其中所述流動調節部分安置在所述管與所述外部管之間。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理設備，其中所述基板支撐部分進一步包括：多個隔板，均沿著所述基板的載入方向安置在所述基板之間以劃分處理空間，以用於處理所述基板中的每一個；以及所述噴灑開口形成於對應於所述處理空間中的每一個的不同高度處的所述管上。
4. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理設備，其中 所述流動調節部分進一步包括：管道，其安裝在所述管的外表面上以提供流動空間用於所述調節氣體移動到所述噴灑開口；以及調節氣體供應線路，其連接到所述管道以供應所述調節氣體。
5. 如申請專利範圍第4項所述的基板處理設備，其中所述流動調節部分進一步包括安置在所述管道的內部的噴灑單元以在對應於處理空間中的每一個且連接到所述調節氣體供應線路的所述管道的內部噴灑所述調節氣體。
6. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理設備，其中所述噴灑開口以縫隙的形狀形成或者以規則安置的多個孔的形狀形成。
7. 如申請專利範圍第6項所述的基板處理設備，其中所述噴灑開口隨著從所述氣體供應部分到所述排氣部分而在寬度上發生改變。
8. 如申請專利範圍第3項所述的基板處理設備，其中所述噴灑開口根據高度具有不同面積。
9. 如申請專利範圍第3項所述的基板處理設備，其中所述氣體供應部分包括多個噴灑嘴來噴灑出處理氣體，且所述噴灑開口安置在與所述多個噴灑嘴中的每一個相同的高度處。