KR101323125B1 - 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템 - Google Patents

반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템에 관한 것으로서, 웨이퍼의 증착 공정이 진행되도록 반응 공간을 제공하는 튜브, 상기 튜브의 내부 공간에 로딩되는 다수의 웨이퍼가 일정 간격으로 수평하게 탑재되는 보트, 상기 보트를 지지하여 상하로 이동시키고, 상기 튜브의 하단을 밀폐하는 지지 플레이트, 상기 웨이퍼에 증착될 반응 가스가 상기 튜브의 내부 공간으로 공급되도록 상기 튜브의 상단에 관통 설치되는 가스 공급관 및 상기 가스 공급관의 하측에 배치되도록 상기 튜브의 내부 상측에 마련되며, 상기 튜브의 내부 공간으로 공급되는 반응 가스가 균일하게 분사되도록 다수개의 가스 분사공이 일정 간격으로 타공 형성되는 분사판을 포함한다.

Description

반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템{GAS DISTRIBUTION SYSTEM OF VERTICAL DIFFUSION FURNACE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR}
본 발명은 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다수의 웨이퍼가 마련되는 튜브 내측에 반응 가스가 균일하게 확산되면서 유입되도록 하여 웨이퍼의 표면에 박막을 고르게 형성하는 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조시에는 다양한 공정을 거치게 되며, 그 중에서 폴리실리콘 및 질화막 등을 웨이퍼 상에 증착시키는 데는 주로 화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)법이 이용된다. 상기 CVD법은 화학 소스를 가스 상태로 장치 내에 공급하여 웨이퍼 표면상에서 확산을 일으킴으로써 유전체막, 도전막 및 반도전막 등을 웨이퍼 표면에 증착시키는 기술이다.
이러한 CVD법은 통상 장치 내의 압력에 따라 저압 CVD(LPCVD; Low Pressure CVD), 상압 CVD(APCVD; Atmospheric Pressure CVD)로 구분하고, 그 외에도 플라즈마 CVD(PECVD; Plasma Enhanced CVD) 및 광여기 CVD 등이 일반적으로 사용되고 있다. 상기 저압 CVD는 상압보다 낮은 압력에서 웨이퍼의 표면상에 필요한 물질을 침적시키는 방법으로서 확산공정에서 주로 사용되며, 상기 저압 CVD 공정과 산화막 성장 공정을 수행하는 장치로는 수직형 확산로(Vertical diffusion furnace)가 주로 사용된다.
도 1은 종래의 반도체 소자 제조용 수직형 확산로를 개략적으로 나타낸 정단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 수직형 확산로는 다수개의 웨이퍼(W)가 종방향으로 장착되어 있는 웨이퍼 보트(13), 상기 웨이퍼 보트(13)가 내측으로 로딩 또는 언로딩되고 상단으로 반응가스가 유입되는 이너 튜브(11), 상기 이너 튜브(11)의 외측으로 소정 간격 이격되어 설치되고 상기 이너 튜브(11)를 감싸는 벨(bell) 형상으로 형성되는 프로세스 튜브(12), 상기 이너 튜브(11) 및 상기 프로세스 튜브(12)의 하단을 지지하는 한편 상기 이너 튜브(11) 상측의 개구된 반응 가스 유입부(11a)로 반응 가스를 공급하는 가스 공급관(14)이 일측에 관통 결합되고 상기 이너 튜브(11)의 내측으로 공급된 반응 가스가 웨이퍼(W)와 반응한 후 배출되도록 배기관(19)이 타측에 형성된 고정 프레임(15), 상기 고정 프레임(15)의 하단을 지지 및 밀폐시키는 시일 캡(16), 상기 시일 캡(16)과 그 상측의 페데스탈(18) 및 상기 웨이퍼 보트(13)를 로딩 또는 언로딩시키는 로더 장치(17)를 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 프로세스 튜브(12)의 외측에는 히터(미도시)가 설치되어 반응 가스의 온도를 제어하도록 하고, 상기 배기관(19)에는 흡기펌프(미도시)가 설치되어 반응 가스의 배출을 용이하도록 하며, 상기 반응 가스 공급관(14)에는 인젝터(미도시)를 설치하여 반응가스를 분출시킬 수도 있다.
그러나, 종래의 수직형 확산로는 반응 가스가 완전히 개방되어 있는 상기 이너 튜브(11)의 반응 가스 유입부(11a)로 유입되므로 상기 흡기 펌프의 유입 속도, 상기 웨이퍼 보트(13)의 미묘한 위치차 및 이에 따른 웨이퍼(W)의 위치차 뿐만 아니라, 상기 이너 튜브(11) 내로 반응 가스가 균등하게 분포되어 유입되지 못하고 반응가스 이송 라인이 일정치 못하므로 상기 웨이퍼(W)에 박막이 균일하게 형성되지 못한다는 문제점이 발생 된다.
그리고 웨이퍼(W)가 갈수록 대형화되어 가는 추세를 감안하면 상기 이너 튜브(11) 내에서 반응 가스가 균등하게 유입 및 확산되어 웨이퍼(W) 표면에 박막이 균일하게 형성되도록 하는 것이 매우 중요함에도 종래 수직형 확산로는 이를 만족시키지 못한다는 단점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 튜브로 유입되는 반응 가스가 균일하게 확산되면서 유입되도록 함으로써, 웨이퍼 및 보트의 미세한 위치차 또는 흡기 펌프의 유입 속도 등에는 관계없이 웨이퍼 표면에 박막을 균일하게 형성하는 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 분사 시스템을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은,
웨이퍼의 증착 공정이 진행되도록 반응 공간을 제공하는 튜브와, 상기 튜브의 내부 공간에 로딩되는 다수의 웨이퍼가 일정 간격으로 수평하게 탑재되는 보트와, 상기 보트를 지지하여 상하로 이동시키고, 상기 튜브의 하단을 밀폐하는 지지 플레이트와, 상기 웨이퍼에 증착될 반응 가스가 상기 튜브의 내부 공간으로 공급되도록 상기 튜브의 상단에 관통 설치되며, 상기 튜브 내부 공간의 하단까지 연장되고, 상기 보트에 탑재된 웨이퍼 측을 향하여 가스 분사공이 형성되는 가스 공급관과, 상기 지지 플레이트의 일측에 형성되는 가스 배출구와 연통되는 가스 배출관으로 이루어진 반도체 소자 제조용 수직형 확산로에 관한 것으로,
상기 반도체 소자 제조용 수직형 확산로는,
상기 가스 배출관에 마련되며, 상기 가스 배출관과 연통되도록 형성된 압축 공기 유로의 일단부는 상기 가스 배출관 측으로 하향 경사지게 형성되는 압축 공기 유입부와;
상기 튜브의 내부 공간에서 사용이 완료된 반응 가스액을 수거하도록 상기 가스 배출관의 일단부에 마련되는 트랩과;
상기 가스 공급관의 하측에 배치되도록 상기 튜브의 내부 상측에 마련되고, 상기 튜브의 내부 공간으로 공급되는 반응 가스가 균일하게 분사되도록 다수개의 가스 분사공이 일정 간격으로 타공 형성되며, 그 중심으로 하향 경사지게 형성되는 분사판과;
상기 보트의 중심축에 인접하도록 상기 지지 플레이트에 마련된 질소가스 인입구를 포함한다.
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본 발명에 따르면, 반도체 제조 공정 중 산화막 성장 또는 화학 기상 증착 공정 등에서 사용되는 수직형 확산로의 튜브 내로 유입되는 반응 가스가 균일하게 확산되어 유입됨으로써 웨이퍼에 산화막 또는 박막이 균일하게 형성되므로 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 웨어퍼가 대형화되는 추세에 대응하여 사용 가능하다는 장점이 있다.
도 1은 종래의 반도체 소자 제조용 수직형 확산로를 개략적으로 나타낸 정단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템을 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템을 나타낸 정단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템을 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템을 나타낸 정단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템을 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템에서 지지 플레이트, 가스 배출관 및 압축 공기 유입부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다. 그리고 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 실시예를 용이하게 실시할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 범위 내에 속함은 물론이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템을 나타낸 사시도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템을 나타낸 정단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하여 상기 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템의 구체적인 구성 및 작동 과정에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템은 튜브(110), 보트(120), 지지 플레이트(130), 가스 공급관(140) 및 분사판(150)을 포함하여 구성된다. 상기 튜브(110)는 하단이 개방된 종형으로 형성되어 웨이퍼(W)의 증착 공정이 진행되도록 반응 공간을 제공하며, 상기 보트(120)는 상기 튜브(110)의 내부 공간에 로딩되는 다수의 웨이퍼(W)가 일정 간격으로 수평하게 탑재되도록 마련된다.
예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 보트(120)는 하나의 층에 4개의 웨이퍼(W)가 수평하게 탑재되도록 하나의 중심축(122) 및 상기 중심축(122)의 둘레를 따라 마련되는 복수개의 고정축(124)으로 구성된다.
상기 지지 플레이트(130)는 그 상단부에 상기 보트(120)가 고정됨으로써 상기 보트(120)를 지지하여 상하로 이동시키고, 웨이퍼(W)의 증착 공정시 상기 튜브(110)의 하단을 밀폐한다. 그리고 상기 가스 공급관(140)은 상기 튜브(110)의 상단에 관통 설치되어 상기 웨이퍼(W)에 증착될 반응 가스를 상기 튜브(110)의 내부 공간으로 공급하는데, 상기 가스 공급관(140)엔 인젝터(미도시) 등이 설치되어 상기 고압의 반응 가스를 상기 튜브(110)의 내부 공간으로 분사할 수 있다.
한편, 이러한 수직형 확산로에 있어서 상기 튜브(110)의 내부 상측에는 상기 분사판(150)이 마련된다. 즉, 상기 분사판(150)에는 다수개의 가스 분사공(152)이 일정 간격으로 타공 형성되고, 상기 가스 공급관(140)의 단부 하측에 배치됨으로써 상기 튜브(110)의 내부 공간으로 공급되는 반응 가스가 다수의 웨이퍼(W)에 균일하게 분사되도록 한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 반응 가스가 상기 보트(120)에 탑재된 웨이퍼(W)에 박막을 형성하기 위하여 상기 가스 공급관(140)을 통하여 상기 튜브(110) 내부로 유입되고, 상기 분사판(150)에 형성된 가스 분사공(152)으로 유입됨으로써 상기 튜브(110)의 내부 공간으로 균일하게 분포되어 확산된다. 이와 같이 상기 튜브(110) 내로 유입된 반응 가스는 상기 보트(120)에 탑재된 다수개의 웨이퍼(W)에 균일하게 확산됨으로써 산화막 또는 박막을 형성하게 된다.
한편, 도 3을 참조하면 상기 분사판(150)은 상기 튜브(110)의 내부에서 그 중심으로 하향 경사지게 형성된다. 이는 상기 가스 공급관(140)으로부터 상기 튜브(110)의 내부로 유입된 반응 가스가 다수개의 웨이퍼(W)에 보다 더 균일하게 확산되도록 하기 위함이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템을 나타낸 사시도이며, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템을 나타낸 정단면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하여 상기 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템의 구체적인 구성 및 작동 과정에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템은 튜브(210), 보트(220), 지지 플레이트(230) 및 가스 공급관(240)을 포함하여 구성된다. 상기 튜브(210)는 하단이 개방된 종형으로 형성되어 웨이퍼(W)의 증착 공정이 진행되도록 반응 공간을 제공하며, 상기 보트(220)는 상기 튜브(210)의 내부 공간에 로딩되는 다수의 웨이퍼(W)가 일정 간격으로 수평하게 탑재되도록 마련된다.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 보트(220)는 하나의 층에 4개의 웨이퍼(W)가 수평하게 탑재되도록 하나의 중심축(222) 및 상기 중심축(222)의 둘레를 따라 마련되는 복수개의 고정축(224)으로 구성된다.
상기 지지 플레이트(230)는 그 상단부에 상기 보트(220)가 고정됨으로써 상기 보트(220)를 지지하여 상하로 이동시키고, 웨이퍼(W)의 증착 공정시 상기 튜브(210)의 하단을 밀폐한다. 그리고 상기 가스 공급관(240)은 상기 튜브(210)의 상단에 적어도 하나가 관통 설치되어 상기 웨이퍼(W)에 증착될 반응 가스를 상기 튜브(210)의 내부 공간으로 공급하는데, 상기 가스 공급관(240)엔 인젝터(미도시) 등이 설치되어 상기 고압의 반응 가스를 상기 튜브(210)의 내부 공간으로 분사할 수 있다.
한편, 이러한 수직형 확산로에 있어서 상기 가스 공급관(240)에는 그 길이 방향을 따라 다수개의 가스 분사공(242)이 일정 간격으로 형성됨으로써, 상기 튜브(210)의 내부 공간으로 공급되는 반응 가스가 다수의 웨이퍼(W)에 균일하게 분사되도록 한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 가스 공급관(240)은 상기 튜브(210)의 양측에서 상기 튜브(210) 내부 공간의 하단까지 연장되고, 상기 가스 분사공(242)은 상기 보트(220)에 탑재된 웨이퍼(W) 측을 향하여 형성됨으로써 반응 가스는 상기 튜브(210)의 내부 공간으로 균일하게 분포되어 확산된다. 이와 같이 상기 가스 분사공(242)에 의해상기 튜브(210) 내로 유입된 반응 가스는 상기 보트(220)에 탑재된 다수개의 웨이퍼(W)에 균일하게 확산됨으로써 산화막 또는 박막을 형성하게 된다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템을 나타낸 단면도이다. 도 6을 참조하여 상기 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템의 구체적인 구성 및 작동 과정에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템은 튜브(310), 보트(320), 지지 플레이트(330) 및 가스 공급관(340)을 포함하여 구성된다. 상기 튜브(310)는 하단이 개방된 종형으로 형성되어 웨이퍼(W)의 증착 공정이 진행되도록 반응 공간을 제공하며, 상기 보트(320)는 상기 튜브(310)의 내부 공간에 로딩되는 다수의 웨이퍼(W)가 일정 간격으로 수평하게 탑재되도록 마련된다.
예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 보트(320)는 하나의 층에 4개의 웨이퍼(W)가 수평하게 탑재되도록 하나의 중심축(322) 및 상기 중심축(322)의 둘레를 따라 마련되는 복수개의 고정축(324)으로 구성되며, 상기 중심축(322)은 상단이 개방된 중공관 형상으로 형성된다.
상기 지지 플레이트(330)는 그 상단부에 상기 보트(320)가 고정됨으로써 상기 보트(320)를 지지하여 상하로 이동시키고, 웨이퍼(W)의 증착 공정시 상기 튜브(310)의 하단을 밀폐한다. 그리고 상기 가스 공급관(340)은 상기 튜브(310)의 상단에 관통 설치되어 상기 웨이퍼(W)에 증착될 반응 가스를 상기 튜브(310)의 내부 공간으로 공급하는데, 상기 가스 공급관(340)엔 인젝터(미도시) 등이 설치되어 상기 고압의 반응 가스를 상기 튜브(310)의 내부 공간으로 분사할 수 있다.
한편, 이러한 수직형 확산로에 있어서 상기 보트(320)의 중심축(322)에는 그 길이 방향 및 외주면을 따라 다수개의 가스 분사공(322a)이 일정 간격으로 형성되고, 상기 가스 공급관(340)은 상기 중심축(322)의 개방된 상단과 연통됨으로써 상기 튜브(310)의 내부 공간으로 공급되는 반응 가스가 다수의 웨이퍼(W)에 균일하게 분사되도록 한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 반응 가스가 상기 보트(320)에 탑재된 웨이퍼(W)에 박막을 형성하기 위하여 상기 가스 공급관(340)을 통하여 상기 튜브(310) 내부로 유입되고, 상기 중심축(322)에 형성된 가스 분사공(322a)으로 유입됨으로써 상기 튜브(310)의 내부 공간으로 균일하게 분포되어 확산된다. 이와 같이 상기 튜브(310) 내로 유입된 반응 가스는 상기 보트(320)에 탑재된 다수개의 웨이퍼(W)에 균일하게 확산됨으로써 산화막 또는 박막을 형성하게 된다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템에서 지지 플레이트, 가스 배출관 및 압축 공기 유입부를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 7을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템에서 사용이 완료된 반응 가스액을 배출 및 수거하는 구성에 대하여 상세히 설명한다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템에서 지지 플레이트(130, 230, 330)의 일측에는 튜브(110, 210, 310)의 내부 공간에서 웨이퍼(W)의 박막 증착 후 사용이 완료된 반응 가스액을 배출하는 가스 배출구(412)가 형성되며, 상기 가스 배출구(412)는 가스 배출관(410)과 연통되어 사용이 완료된 반응 가스액을 상기 튜브(110, 210, 310)의 외부로 배출시키게 된다.
구체적으로, 상기 가스 배출관(410)에는 압축 공기 유입부(420)이 마련되는데, 상기 압축 공기 유입부(420)에는 상기 가스 배출관(410)과 연통되는 압축 공기 유로(422)가 형성되고, 상기 압축 공기 유로(422)의 일단부는 상기 가스 배출관(410) 측으로 하향 경사지게 형성된다. 이와 같이 상기 압축 공기 유로(422)를 통하여 상기 가스 배출관(410) 내부로 압축 공기가 유입되면, 상기 가스 배출관(410) 내부에서의 압축 공기의 유동에 의하여 상기 튜브(110, 210, 310) 내부의 사용이 완료된 반응 가스액이 상기 튜브(110, 210, 310)의 외부로 배출된다.
그리고 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템에서 상기 가스 배출관(410)의 일단부에는 트랩(430)이 마련되며, 상기 트랩(430)은 상기 튜브(110, 210, 310)의 내부 공간에서 사용이 완료되고, 상기 가스 배출관(410)을 통하여 외부로 배출되는 반응 가스액을 수거한다.
한편, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 지지 플레이트(130, 230, 330)에는 보트(120, 220, 320)의 중심축(122, 222, 322)에 인접되도록 질소 가스 인입구(440)가 형성된다.
즉, 통상적으로 반도체 소자의 증착 공정시에는 반응 가스로서 POCl3(phosphoryl chloride, 염화 포스포릴)이 사용되는데, 웨이퍼에 증착되고 남은 반응 가스는 상기 중심축(122, 222, 322)의 외주면에 액화되어 증착된다. 따라서, 상기 질소 가스 인입구(440)를 통하여 상기 튜브(110, 210, 310) 내부의 중심축(122, 222, 322)을 향하여 질소 가스(N2)를 인입시킴으로써 웨이퍼에 증착되고 남은 반응 가스를 응착시켜 제거하여 웨이퍼의 오염을 방지하고, 수직형 확산로 설비의 청소 주기를 연장하여 설비 가동율의 향상, 청소 실시로 인한 시간 및 제반 경비와 인력 손실을 줄일 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
110: 튜브 120: 보트
130: 지지 플레이트 140: 가스 공급관
150: 분사판 152: 가스 분사공

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  9. 웨이퍼의 증착 공정이 진행되도록 반응 공간을 제공하는 튜브와, 상기 튜브의 내부 공간에 로딩되는 다수의 웨이퍼가 일정 간격으로 수평하게 탑재되는 보트와, 상기 보트를 지지하여 상하로 이동시키고, 상기 튜브의 하단을 밀폐하는 지지 플레이트와, 상기 웨이퍼에 증착될 반응 가스가 상기 튜브의 내부 공간으로 공급되도록 상기 튜브의 상단에 관통 설치되며, 상기 튜브 내부 공간의 하단까지 연장되고, 상기 보트에 탑재된 웨이퍼 측을 향하여 가스 분사공이 형성되는 가스 공급관과, 상기 지지 플레이트의 일측에 형성되는 가스 배출구와 연통되는 가스 배출관으로 이루어진 반도체 소자 제조용 수직형 확산로에 있어서,
    상기 반도체 소자 제조용 수직형 확산로는,
    상기 가스 배출관에 마련되며, 상기 가스 배출관과 연통되도록 형성된 압축 공기 유로의 일단부는 상기 가스 배출관 측으로 하향 경사지게 형성되는 압축 공기 유입부와;
    상기 튜브의 내부 공간에서 사용이 완료된 반응 가스액을 수거하도록 상기 가스 배출관의 일단부에 마련되는 트랩과;
    상기 가스 공급관의 하측에 배치되도록 상기 튜브의 내부 상측에 마련되고, 상기 튜브의 내부 공간으로 공급되는 반응 가스가 균일하게 분사되도록 다수개의 가스 분사공이 일정 간격으로 타공 형성되며, 그 중심으로 하향 경사지게 형성되는 분사판과;
    상기 보트의 중심축에 인접하도록 상기 지지 플레이트에 마련된 질소가스 인입구를 포함하는 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템.
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