JP3779167B2 - スリット型工程ガス引込み部と多孔構造の廃ガス排出部とを含む工程チューブ及び半導体素子の製造装置 - Google Patents

スリット型工程ガス引込み部と多孔構造の廃ガス排出部とを含む工程チューブ及び半導体素子の製造装置 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子の製造装置に係り、詳細にはチューブを使用する化学気相蒸着装置または酸化/拡散装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
酸化膜、窒化膜、BST及び非晶質または多結晶シリコン膜のような膜質を半導体基板上に成膜する低圧化学気相蒸着(LPCVD)装置はウエハを搭載して処理する方式により、枚葉式及び配置式に区分される。これら配置方式のLPCVD装置は多数のウエハを石英よりなったボートに搭載して工程チューブ内にローディングし、形成しようとする薄膜に適したガスを工程内に流しつつ適正な温度と真空圧力を利用して薄膜を形成する。
【0003】
前記LPCVD装置の構成は、大きく石英を材質とする工程チューブと、前記工程チューブの中に構成される工程ガス引込み部と、前記工程ガス引込み部から供給された工程ガスを排出させる廃ガス排出部と、前記工程チューブに熱を供給する役割を果たすヒーティングチャンバと、前記工程ガス引込み部と連結したガスコントロールシステムと、前記廃ガス排出部と連結した真空ポンプ及び前記真空ポンプで抜き取った廃ガスを洗浄するガス洗浄器より構成される。
【0004】
縦型にウエハをボートに積載する一般的な配置型LPCVD装置では、前記工程ガス引込み部が工程チューブの中でガスノズル状に構成される。従って、前記ガスノズルに形成された穴を通じて工程チューブに工程ガスを流す。
しかし前述の一般的な方式のLPCVD装置の工程ガス引込み部は次のような問題点を持っている。
【0005】
第一に、300mmウエハのような大口径化されたウエハを加工する場合に、成膜速度があまり遅くて装置の効率が落ちる。一例として、ポリシリコン膜を加工する場合には膜質の成膜速度が12Å/minであり、10,000Åのポリシリコン膜を形成する場合、約14時間という長い工程進行時間が要求される。従って、全体工程を通じて見る時、ボトルネック(bottle neck)現象が生じる。このようなボトルネック現象を防止し、半導体素子製造工程の全体的な生産性を上げるためには、装置の台数を増やす必要がある。
【0006】
さらに、不純物が含まれた酸化膜のような特定薄膜を形成する場合、薄膜形成ガス、たとえば、SiH4、PH3のようなガスの使用量が多いために、ガス容器を頻繁に交換しなければならず、ガスの使用量を遂時点検して薄膜形成の最中に薄膜形成のためのガスがなくならないようにせねばならない。従って、これを管理しなければならない多くの人力が必要になる。このように薄膜形成工程にて要求される多くのLPCVD装置の台数/人力は製造コストの側面でも負担を与えて競争力を低下させる原因になる。
【0007】
第二に、300mmウエハのような大口径化されたウエハを加工する場合には膜質の均一度が落ちてウエハ内に形成された半導体素子の信頼性を低下させることがある。
【0008】
第三に、工程ガスが注入される通路の小さな穴に化学気相蒸着工程で未反応ガスが吸着されてパーティクル発生の原因になる。一般的なガスノズルの穴の大きさは0.5〜0.8mmの大きさであるが、ガスが注入されつつガスノズル穴の周辺に未反応性ガスがパーティクル状に吸着された異物が生じる。このようなパーティクル形の異物によりガスノズルを周期的あるいは非周期的に交換しなければならず、前記パーティクル形の異物が半導体基板に落ちることにより多くの種類の工程欠陥を誘発する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする技術的課題は大口径化されたウエハを利用して薄膜を形成する時、成膜速度を出しつつ膜質の均一度を維持し、パーティクルの発生を防止できる半導体素子製造用工程チューブを提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は前記工程チューブを含む半導体素子の製造装置を提供するところにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を解決するために本発明は、所定の厚さを持つ円筒形のチューブ本体の第1側には円周方向に帯状の陥没部が垂直方向に複数形成されていて、前記各陥没部の底部には工程ガスを供給できるスリット状の工程ガス引込み部と、前記工程ガス引込み部に対向する円筒チューブ本体の第2側には工程遂行後の廃ガスを排出でき、垂直方向に複数形成されている廃ガス排出部を具備することを特徴とする半導体素子製造用工程チューブを提供する。
【0011】
前記チューブ本体は前記第1側の内部に円筒の円周方向に沿った空間(inner space)として構成され、前記工程ガス引込み部と連結したバッファ(buffer)用ガス配管と、前記第2側内部に円筒の円周方向に沿った空間として構成され、前記廃ガス排出部と連結したガス排気配管とを具備することが適当である。
【0012】
ここで、前記バッファ用ガス配管は前記チューブ本体に構成されたガス引込み配管と複数の連結通路を通じて連結し、前記ガス引込み配管はまたガスコントロールシステム配管と連結することが適し、前記ガス排気配管は真空ポンプ配管と連結することが望ましい。
【0013】
前記工程ガス引込み部及び前記排ガス排出部は前記第1側及び第2側にて160度の範囲内で形成されることが適し、前記工程ガス引込み部は少なくとも一つ以上であり、望ましくは、中央、左側及び右側に三カ所形成されたことが適し、前記廃ガス排出部は渦巻き現象を防止できるように一定間隔に互いに離隔されて複数形成されたことが適している。
【0014】
本発明の望ましい実施形態によれば、前記工程チューブは上部が密閉された形であることが適している。
前記他の目的を達成するために本発明は、所定の厚さを持つ円筒形チューブ本体の第1側に円周方向に帯状の陥没部が垂直方向に複数形成されていて、前記各陥没部の底部には工程ガスを供給できるスリットが形成されている工程ガス引込み部が構成され、前記工程ガス引込み部に対向する前記円筒形チューブ本体の第2側には工程遂行後の廃ガスを排出できる排出口が垂直方向に形成されている廃ガス排出部が構成されている工程チューブと、前記工程チューブの外部にて前記工程チューブに熱を加えることができるヒーティングチャンバと、前記工程チューブのガス引込み部にガスを供給するガスコントロールシステム配管と、前記工程チューブの廃ガス排出部と連結する真空ポンプ配管と、工程遂行用ウエハを水平に複数積載して前記工程内に往復移動できるボートとを具備することを特徴とする半導体素子の製造装置を提供する。
【0015】
本発明の望ましい実施形態によれば、前記半導体素子の製造装置は、LPCVD装置または酸化/拡散装置であることが適している。
前記ボートは、薄膜が形成される間に1〜70RPMの速度で回転することが適し、ウエハが置かれる石英平板同士のピッチが3.5〜15mmの範囲であることが適している。
【0016】
また、前記ガスコントロールシステム配管は前記工程チューブより構成されたガス引込み配管及びバッファ用ガス配管を通じて前記工程ガス引込み部と連結し、前記バッファ用ガス配管の圧力は1〜40torrの範囲であることが望ましい。
【0017】
本発明によれば、スリット型の工程ガス引込み部と多孔性廃ガス排出部が工程チューブ内にどちらも形成された一体型工程チューブを利用して工程チューブ内部に工程ガスの供給機能と排出機能とを強化することで、大口径化されたウエハより薄膜を形成する時に成膜速度を改善できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
図1は本発明による半導体素子の製造装置の概略的な断面図である。
図1を参照すれば、本発明による半導体素子の製造装置は、工程チューブ100と、ボート200、ヒーティングチャンバ300、ガスコントロールシステム配管400及び真空ポンプ配管500よりなされる。前記工程チューブ100は石英を材質として、上部が密閉されて一定の厚さを持つ円筒形構造である。また、前記工程チューブはスリット型の工程ガス引込み部150と、多孔の廃ガス排出部180であり、前記工程チューブ100の本体内で前記工程ガス引込み部150及び廃ガス排出部180が一体型に構成された特徴を持っている。
【0019】
前記LPCVD装置は、一定期間使用した後でこれを解体し、工程チューブ100に付着した薄膜を除去しなければならない。これは湿式洗浄方式あるいはCLF3ガスを使用してインサイチュ(in-situ)洗浄で除去する。
【0020】
この時、既存の分離型の場合には、内部工程チューブ、外部工程チューブ、ガスノズルなどに累積された薄膜が全て付着している。従って、それぞれの累積された薄膜を洗浄するのに多くの時間と人力及び広い場所が要求される。さらに、これを再び組み立てる時、若干の誤整列が発生しても装置の性能が変化するために、組立てに多くの問題が生じる。さらに、解体して組み立てる時、石英よりなった工程チューブに衝撃が生じて壊れたり、傷がついたり、ひびが入ったりすることが生じる可能性が高かった。
【0021】
しかし、本発明のような一つの工程チューブ100内に工程ガス引込み部150及び廃ガス排出部180を一体型に作れば、装置を維持保守するにあたり、前述した問題点を防止できる。さらに、装置の性能において信頼性、再現性の側面でも既存の分離型と比較して優れた特徴を持つ。このような工程チューブ100の内部構造特徴に関して後に続く図面を参照してより一層詳細に説明する。
【0022】
前記ボート200は、前記工程チューブ100の円筒内部にて多数のウエハ210を積載し上下運動を行う手段であって石英を材質とする。前記ヒーティングチャンバ300は前記工程チューブ100外部にて工程チューブ100に熱を加える手段として本発明では円筒形として構成される。前記ガスコントロールシステム配管400はガスコントロールシステム600から前記工程チューブ100の工程ガス引込み部150にガスを供給する通路である。前記ガスコントロールシステム600は薄膜を形成するためのガスを混合しパージさせ、流すガス量を調節するシステムを意味する。
【0023】
真空ポンプ配管500は、前記工程チューブ100の廃ガス排出部180と連結して薄膜形成工程を行った後、生じる廃ガスを工程チューブ100外部に抜き取る通路であって真空ポンプ700の作動により運用される。従って、真空ポンプ700を通じて工程チューブ100の内部から抜き取られた廃ガスは再びガス洗浄器(図示せず)にて安全及び環境に適したガスに置換される燃焼及び吸着の加工工程をたどった後で最終的に建物外に排出される。
【0024】
図2は本発明による半導体素子の製造装置において工程チューブの工程ガス引込み部を説明するために図示した概略的な斜視図である。
図2は工程チューブ100から工程ガスが引込まれる過程を説明するための斜視図であり、工程チューブ100の第1側を示す。工程ガスはガスコントロールシステム配管400を通じ工程チューブ100の本体110内部に流入する。前記工程チューブ100内部に流入した工程ガスは、再びガス引込み配管120に流れ入り、前記ガス引込み配管120内のガスは複数の連結通路140を通じてバッファ用ガス配管130に流れ入る。その後、工程ガスは穴でないスリット形状より構成された工程ガス引込み部150を通じてボート(図1の200)のウエハに噴射される。
【0025】
前記スリット状の工程ガス引込み部150が構成されたチューブ本体110の第1側の内表面には陥没部160が構成されている。前記陥没部160はチューブ本体110の第1側の内表面を四角形の溝に削った部分であり、工程ガスが直進性をもってボートにあるウエハに噴射される通路の役割を果たす。前記四角形の溝に削った陥没部160の形は他の形に変形が可能である。すなわち、工程ガスの流れに直進性を向上させることができる構造ならばどんな形でも変形させることができる。
【0026】
従って、既存のLPCVD装置では、工程チューブと別個の構造物として構成されたノズルの穴を通じて工程ガスを流したのであるが、本発明ではスリット状のガス引込み部150と陥没部160を通じてボートに搭載されたウエハに工程ガスを方向性あるように噴射する。従って、既存方式より多量の工程ガスをボートにあるウエハに流すことができ、これにより薄膜の成長速度を早くできる。この時、工程ガス引込み部150の圧力は1〜40torrであり、既存の約1.5torrに比べて顕著に圧力を上げるのが適している。
【0027】
既存のノズル形の工程ガス引込み部を使用した場合、ポリシリコン膜の成長速度が13Å/minと低調であったが、本発明のような構造を採択してポリシリコン膜を形成した場合、120〜150Å/minの成膜速度を示して薄膜の形成速度が顕著に改善されることを示した。
【0028】
図3は本発明による半導体素子の製造装置において、工程チューブの廃ガス排出部を説明するために図示した概略的な斜視図である。図3を参照すれば、チューブ本体110の第2側にて内部の円周方向に沿った空間として構成されたガス排気配管170が構成されていて、前記ガス排気配管170は多孔の廃ガス排出部180と連結している。この時、前記廃ガス排出部180は複数の穴がチューブ本体110の第2側内表面に沿って一定間隔に離隔形成された構造である。
【0029】
前述した本発明による工程ガス引込み部はスリット形であり、ガス噴射がウエハ当り1:1方式で直接的になされる。
この時、工程ガス引込み部と廃ガス排出部180間にて真空の渦巻き発生を均一に制御するのかということは本発明による工程チューブにおいてかなり重要な問題である。従って、ひし形で互いに一定間隔に離隔されて構成された排ガス排出部180は真空の渦巻きを制御しつつ工程チューブ100内の未反応ガスを排出させるのに適した構造である。前記排ガス排出部180の多孔性穴の水平列は前記図2の工程ガス引込み部150と1:1に対応させるか、あるいは2:1に対応させることができる。さらに、前記排ガス排出部180の穴は楕円、円形などいろいろな形への変形が可能である。
【0030】
結局、一定間隔に離隔形成されて真空の渦巻き発生を抑制できる形より構成された多孔性廃ガス排出部180は前記スリット形の工程ガス引込み部の構造と共に本発明の目的の薄膜の成長速度を改善させる主要な手段の一つとなる。
【0031】
図4は本発明による半導体素子の製造装置において、工程チューブの排ガス排出部とガス排気配管との連結を説明するために図示した概略的な断面図である。詳細に説明すれば、図3のIV−IV’を切開した断面であり、チューブ本体110内で内部空間(inner space)の排気ガス配管170と廃ガス排出部180とが互いに直接的に連結したことを示す。
【0032】
図5は本発明による半導体素子の製造装置において、工程チューブのガス排気配管と真空ポンプ配管との連結を説明するために図示した断面図である。詳細に説明すれば、排ガス排出部180と連結した排気ガス配管170は再び真空ポンプ配管500と連結して真空ポンプの作動により工程チューブ内の廃ガスが工程チューブ外部に排出される。
【0033】
図6はウエハを搭載したボートが本発明による半導体素子の製造装置の工程チューブに投入された時を説明するために図示した平面図である。詳細に説明すれば、前記図2ないし図5を通じて部分的に説明した工程チューブの形は本平面図を通じて全体的に明確に現れる。工程チューブ100のチューブ本体110の第1側には内部に円周方向に沿った空間にバッファ用ガス配管130が構成され、前記バッファ用ガス配管130はスリット状の工程ガス引込み部150及びガス引込み配管120と連結し、ガス引込み配管120は再びガスコントロールシステム配管400と連結することが分かる。本実施形態では3つのガスコントロールシステム配管400が構成されたことを一例に説明したが、これは1つのガスコントロールシステム配管400を設置する形に変形が可能である。
【0034】
さらに、工程チューブ100のチューブ本体110の第2側内部に構成されたガス排気配管170は、チューブ本体110の内表面に構成された排ガス排出部180及び真空ポンプ配管500と連結する。この時、前記工程ガス引込み部150及び廃ガス排出部180がチューブ本体110に構成される角度(θ1、θ2)は160度以内であり、ウエハ210上にハンティング部分が最小化されるようにした。ここで、前記ハンティング部分はボートが回転しない時、工程ガス引込み部150と排ガス排出部180間の気流の流れにより薄膜が蒸着されない部分を示す。
【0035】
図面にて参照符号220はウエハ210を搭載するボートの支持棒を指す。さらに、工程チューブ100にて第1側は前記θ1の角度内にある部分を指し、第2側は前記θ2の角度内にある部分を指す。
【0036】
図7は本発明による半導体素子の製造装置において、工程チューブの陥没部と工程ガス引込み部の構造を説明するために図示した斜視図である。詳細に説明すれば、チューブ本体110の第1側にて一つの陥没部160内に構成されるスリット形の工程ガス引込み部150の形を示す。前記工程ガス引込み部150はθ1(図6参照)の角度内において中央、左側及び右側の三カ所に構成される。
【0037】
前記スリットの形は楕円、ひし形あるいは直四角形のさまざまな形に変形が可能であるが、本発明では水平方向の長さが垂直方向の長さより長くて閉曲線形ならばどんな形をしてもこれをスリットと限定する。そして本発明ではスリットの数を3つと例示したが、これは調整が可能である。
【0038】
従って、従来にはノズルの穴を通じガスを注入する方式であったが、本発明ではスリット状のガス引込み部150と陥没部160とを利用してより多くの量の工程ガスを工程内に噴射させることにより、工程ガスの大部分が直進性をもち工程チューブ内で加工されるウエハの上に流れる。従って、ボートのウエハにて形成される薄膜の成長速度を大きく改善できる。
【0039】
さらに、既存のガスノズル穴を通じてガスを注入する方式では、PH3のような特定の薄膜形成ガスの注入が円滑でなく、PH3と共に供給されるガスであるSiH4の供給量も制限されて成膜速度を落とした。しかし、本発明のようなスリット状のガス引込み部150はPH3ガスの注入を円滑にできるために薄膜の成膜速度をポリシリコンの場合、12/minから100/minに画期的に増やすことができる。
【0040】
図8は本発明による半導体素子の製造装置の工程チューブ内にて、ウエハが処理される過程を説明するために図示した断面図である。詳細に説明すれば、チューブ本体110内には薄膜形成のためのウエハ210が配置方式にボート200に載って投入される。従来には100枚以上のウエハがボートに搭載されたが、本発明ではボートに搭載されるウエハの枚数が50〜80枚の間が適している。従って、ボート200の石英平板230間のピッチが、従来には3.5〜12mmの間と多少狭かったが、本発明では石英平板230間のピッチを3.5〜15mmに広く構成することが望ましい。図面にて参照符号240はウエハ装着手段を指す。
【0041】
さらに、薄膜が形成される間にボート200の回転速度が既存には1−9RPMと多少遅かった。しかし、本発明ではスリット型の工程ガス引込み部150を通じて多量の工程ガスがウエハ上部に噴射され、さらに多孔性の廃ガス排出部180を通じて排ガスが排出されるためにボート200の回転速度を1−70RPMの水準に増加させることが適している。従って、ウエハに形成される薄膜に対する膜質の均一度を既存と同等に維持できる。
【0042】
本図面ではボート200の形をリング形ボートを一例に例示したが、これは本発明が技術的特徴を含む範囲内で他の形、たとえばスロットタイプなどの他の形に変形して適用できる。
工程チューブ内の温度は形成される薄膜が窒化膜の場合450〜750℃、高温酸化膜の場合には800〜900℃、シリサイド膜の場合には1000〜1200℃の範囲にて調整することが望ましい。
【0043】
【発明の効果】
前述した本発明によれば、最初、チューブを使用する半導体装置、たとえばLPCVDにて薄膜の形成速度を改善することにより装置の効率を上げて生産性を向上させることができる。このような効果はウエハの口径が大口径の場合により一層効果的である。
【0044】
第二に、大口径化されたウエハにて薄膜を形成する場合、形成される膜質の均一度が落ちる問題を防止できる。
第三に、工程ガスが注入される通路が小さな穴からスリット型に大きくなることにより、未反応ガスが工程ガス引込み部に吸着されて引き起こされるパーティクル発生を抑制できる。
本発明は前記した実施形態に限定されずに、本発明が属する技術的思想内で当分野の通常の知識を持った者により多くの変形が可能であることが明白である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による半導体素子の製造装置の概略的な断面図である。
【図2】 本発明による半導体素子の製造装置において、工程チューブの工程ガス引込み部を説明するために図示した概略的な斜視図である。
【図3】 本発明による半導体素子の製造装置において、工程チューブの廃ガス排出部を説明するために図示した概略的な斜視図である。
【図4】 本発明による半導体素子の製造装置において、工程チューブの排ガス排出部とガス排気配管との連結を説明するために図示した断面図である。
【図5】 本発明による半導体素子の製造装置において、工程チューブのガス排気配管と真空ポンプ配管との連結を説明するために図示した断面図である。
【図6】 ウエハを搭載したボートが本発明による半導体素子の製造装置の工程チューブに投入された時を説明するために図示した平面図である。
【図7】 本発明による半導体素子の製造装置において、工程チューブの陥没部と工程ガス引込み部の構造を説明するために図示した斜視図である。
【図8】 本発明による半導体素子の製造装置の工程チューブ内にてウエハが処理される過程を説明するために図示した断面図である。
【符号の説明】
100 工程チューブ
150 工程ガス引込み部
180 排ガス排出部
200 ポート
210 ウエハ
300 ヒーティングチャンバ
400 ガスコントロールシステム配管
500 真空チャンバ配管
600 ガス制御装置
700 真空ポンプ

Claims (20)

  1. 所定の厚さを持つ円筒形のチューブ本体の第1側には円周方向に帯状の陥没部が垂直方向に複数形成されていて、前記各陥没部の底部には工程ガスを供給できるスリット状の工程ガス引込み部と、
    前記工程ガス引込み部に対向する円筒チューブ本体の第2側には工程遂行後の廃ガスを排出できて垂直方向に複数形成されている廃ガス排出部とを具備することを特徴とする半導体素子製造用工程チューブ。
  2. 前記チューブ本体は、
    前記第1側の内部に円筒の円周に沿った空間として構成され、前記工程ガス引込み部と連結したバッファ用ガス配管と、
    前記第2側内部に円筒の円周に沿った空間として構成され、前記廃ガス排出部と連結したガス排気配管とを具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子製造用工程チューブ。
  3. 前記バッファ用ガス配管は、前記チューブ本体に構成されたガス引込み配管と複数の通路を通じ互いに連結することを特徴とする請求項2に記載の半導体素子製造用工程チューブ。
  4. 前記ガス引込み配管は、ガスコントロールシステム配管と連結したことを特徴とする請求項3に記載の半導体素子製造用工程チューブ。
  5. 前記ガス排気配管は、真空ポンプ配管と連結したことを特徴とする請求項2に記載の半導体素子製造用工程チューブ。
  6. 前記チューブ本体は、上部が密閉された形であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子製造用工程チューブ。
  7. 前記工程ガス引込み部は、前記チューブ本体の第1側にて円周方向に160度の範囲内に少なくとも一つ以上形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子製造用工程チューブ。
  8. 前記廃ガス排出部は、前記チューブ本体の第2側にて円周方向に160度の範囲内に少なくとも一つ以上形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子製造用工程チューブ。
  9. 前記陥没部の底部面に沿って形成された工程ガス引込み部は、中央、左側及び右側に形成されたことを特徴とする請求項7に記載の半導体素子製造用工程チューブ。
  10. 前記廃ガス排出部は、前記第2側にて渦巻きの発生を抑制するために一定間隔に離隔形成されたことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子製造用工程チューブ。
  11. 所定の厚さを持つ円筒形チューブ本体の第1側に円周方向に帯状の陥没部が垂直方向に複数形成されていて、前記各陥没部の底部には工程ガスを供給できるスリット状の工程ガス引込み部が構成され、前記工程ガス引込み部に対向する前記円筒形チューブ本体の第2側には工程遂行後の廃ガスを排出できて垂直方向に複数形成されている廃ガス排出部が構成されている工程チューブと、
    前記工程チューブの外部にて前記工程チューブに熱を加えることができるヒーティングチャンバと、
    前記工程チューブのガス引込み部にガスを供給するガスコントロールシステム配管と、
    前記工程チューブの廃ガス排出部と連結する真空ポンプ配管と、
    工程遂行用ウエハを水平に複数積載して前記工程チューブ内に往復移動できるボートとを具備することを特徴とする半導体素子の製造装置。
  12. 前記ボートは、低圧化学気相蒸着装置または酸化/拡散装置用であることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造装置。
  13. 前記ボートは、薄膜が形成される間に1〜70rpmの速度で回転することを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造装置。
  14. 前記ボートは、ウエハが装着される石英平板同士のピッチが3.5〜15mmの範囲であることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造装置。
  15. 前記ガスコントロールシステム配管は、前記工程チューブより構成されたガス引込み配管及びバッファ用ガス配管を通じて前記工程ガス引込み部と連結し、前記バッファ用ガス配管の圧力は1−40torrの範囲であることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造装置。
  16. 前記スリットよりなった工程ガス引込み部は、前記工程チューブの第1側にて円周方向に160度の範囲内の陥没部の底部面より構成されたことを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造装置。
  17. 前記廃ガス排出部は、前記工程チューブの第2側にて円周方向に160度の範囲内の内表面に構成されたことを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造装置。
  18. 前記工程ガス引込み部は、前記工程チューブの陥没部の底部にて少なくとも一つ以上形成されたことを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造装置。
  19. 前記工程ガス引込み部は、工程チューブの陥没部の底部面にて中央、左側及び右側に形成されたことを特徴とする請求項18に記載の半導体素子の製造装置。
  20. 前記工程チューブの排ガス排出部は、渦巻きの発生を抑制するために一定間隔に離隔形成されたことを特徴とする請求項11に記載の半導体素子の製造装置。
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Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6709523B1 (en) * 1999-11-18 2004-03-23 Tokyo Electron Limited Silylation treatment unit and method
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치
KR100560867B1 (ko) * 2000-05-02 2006-03-13 동경 엘렉트론 주식회사 산화방법 및 산화시스템
JP3980840B2 (ja) * 2001-04-25 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 気相成長装置および気相成長膜形成方法
DE10128091C1 (de) * 2001-06-11 2002-10-02 Applied Films Gmbh & Co Kg Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats
JP2003045864A (ja) * 2001-08-02 2003-02-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP3886424B2 (ja) * 2001-08-28 2007-02-28 鹿児島日本電気株式会社 基板処理装置及び方法
US20030111013A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-19 Oosterlaken Theodorus Gerardus Maria Method for the deposition of silicon germanium layers
FR2834713B1 (fr) * 2002-01-15 2004-04-02 Snecma Moteurs Procede et installation pour la densification de substrats par infiltration chimique en phase vapeur
US7431585B2 (en) * 2002-01-24 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for heating substrates
KR100455430B1 (ko) * 2002-03-29 2004-11-06 주식회사 엘지이아이 열교환기 표면처리장비의 냉각장치 및 그 제조방법
KR100829327B1 (ko) 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
US20040221810A1 (en) * 2002-06-28 2004-11-11 Miles Ronald O. Process boat and shell for wafer processing
JP3861036B2 (ja) * 2002-08-09 2006-12-20 三菱重工業株式会社 プラズマcvd装置
US20040043617A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Partitioned wafer boat for constant wafer backside emmissivity
US6952889B2 (en) * 2002-11-05 2005-10-11 Wafermasters, Inc. Forced convection assisted rapid thermal furnace
KR100862658B1 (ko) * 2002-11-15 2008-10-10 삼성전자주식회사 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치
US6926775B2 (en) * 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7118781B1 (en) * 2003-04-16 2006-10-10 Cree, Inc. Methods for controlling formation of deposits in a deposition system and deposition methods including the same
JP3913723B2 (ja) * 2003-08-15 2007-05-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
US7235138B2 (en) * 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7422635B2 (en) * 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US20050067002A1 (en) * 2003-09-25 2005-03-31 Supercritical Systems, Inc. Processing chamber including a circulation loop integrally formed in a chamber housing
TW200525636A (en) * 2003-11-20 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Oxidation method and oxidation system for workpieces
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
KR101025323B1 (ko) * 2004-01-13 2011-03-29 가부시키가이샤 아루박 에칭 장치 및 에칭 방법
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US20050287806A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Hiroyuki Matsuura Vertical CVD apparatus and CVD method using the same
KR100614648B1 (ko) * 2004-07-15 2006-08-23 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치
WO2006016669A1 (en) * 2004-08-13 2006-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR100626386B1 (ko) * 2004-09-20 2006-09-20 삼성전자주식회사 반도체 기판 제조에 사용되는 기판 처리 장치 및 기판처리 방법
US7771563B2 (en) * 2004-11-18 2010-08-10 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Systems and methods for achieving isothermal batch processing of substrates used for the production of micro-electro-mechanical-systems
US20060106635A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Karl Ulrich Emission remediation
KR100909750B1 (ko) * 2005-03-01 2009-07-29 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 디바이스의 제조 방법
US20070084408A1 (en) * 2005-10-13 2007-04-19 Applied Materials, Inc. Batch processing chamber with diffuser plate and injector assembly
US20070084406A1 (en) * 2005-10-13 2007-04-19 Joseph Yudovsky Reaction chamber with opposing pockets for gas injection and exhaust
WO2007045110A2 (en) * 2005-10-17 2007-04-26 Oc Oerlikon Balzers Ag Cleaning means for large area pecvd devices using a remote plasma source
FI121750B (fi) * 2005-11-17 2011-03-31 Beneq Oy ALD-reaktori
KR100779118B1 (ko) * 2005-12-09 2007-11-27 주식회사 테라세미콘 평판표시장치 제조시스템
US20070181062A1 (en) * 2006-02-07 2007-08-09 Kim Il-Kyoung Semiconductor device manufacturing apparatus including temperature measuring unit
US20090065146A1 (en) * 2006-03-06 2009-03-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US20070240644A1 (en) * 2006-03-24 2007-10-18 Hiroyuki Matsuura Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process
JPWO2007111348A1 (ja) * 2006-03-28 2009-08-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置
WO2008129977A1 (ja) * 2007-04-17 2008-10-30 Ulvac, Inc. 成膜装置
JP5568212B2 (ja) * 2007-09-19 2014-08-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法
US7976631B2 (en) * 2007-10-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Multi-gas straight channel showerhead
KR101423556B1 (ko) * 2008-02-11 2014-07-28 (주)소슬 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR101043211B1 (ko) * 2008-02-12 2011-06-22 신웅철 배치형 원자층 증착 장치
JP5383332B2 (ja) * 2008-08-06 2014-01-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
US8409352B2 (en) * 2010-03-01 2013-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus
KR100983730B1 (ko) * 2010-06-09 2010-09-24 송기훈 엘이디 제조장치
KR101055064B1 (ko) * 2011-07-08 2011-08-05 송기훈 엘이디 제조 장치
KR101308111B1 (ko) * 2011-11-17 2013-09-26 주식회사 유진테크 복수의 배기포트를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US9748125B2 (en) 2012-01-31 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Continuous substrate processing system
KR101215511B1 (ko) * 2012-06-27 2012-12-26 (주)이노시티 프로세스 챔버 및 기판 처리 장치
KR101396601B1 (ko) * 2013-02-26 2014-05-20 주식회사 테라세미콘 배치식 기판처리 장치
KR200486487Y1 (ko) * 2013-03-12 2018-05-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 프로세싱 시스템을 위한 인덱싱되는 가스 제트 주입기
KR102150625B1 (ko) * 2013-03-15 2020-10-27 삼성디스플레이 주식회사 코팅장치
KR102156795B1 (ko) * 2013-05-15 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 증착 장치
EP2960059B1 (en) * 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US20160033070A1 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Applied Materials, Inc. Recursive pumping member
US10760161B2 (en) * 2014-09-05 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Inject insert for EPI chamber
JP6464990B2 (ja) 2015-10-21 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
KR101715192B1 (ko) * 2015-10-27 2017-03-23 주식회사 유진테크 기판처리장치
KR101731488B1 (ko) * 2015-10-27 2017-05-02 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 튜브 조립체 조립방법
FR3055468B1 (fr) * 2016-08-30 2018-11-16 Semco Tech Dispositif de traitement de pieces
JP2018133471A (ja) * 2017-02-16 2018-08-23 漢民科技股▲分▼有限公司 気相成膜装置
CN110121763B (zh) 2017-02-23 2023-12-26 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质
JP2018170468A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP1605460S (ja) * 2017-08-09 2021-05-31
JP6817911B2 (ja) * 2017-08-10 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 ウエハボート支持部、熱処理装置及び熱処理装置のクリーニング方法
JP1605461S (ja) * 2017-08-10 2021-05-31
JP6820816B2 (ja) * 2017-09-26 2021-01-27 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム
JP1605982S (ja) * 2017-12-27 2021-05-31
JP1611561S (ja) * 2018-02-07 2018-08-20
JPWO2020189205A1 (ja) * 2019-03-18 2021-12-16 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびノズル
JP1644260S (ja) * 2019-03-20 2019-10-28
CN111834247B (zh) * 2019-04-23 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 冷却装置和半导体处理设备
KR20210043810A (ko) * 2019-10-14 2021-04-22 삼성전자주식회사 반도체 제조 장비
USD931823S1 (en) * 2020-01-29 2021-09-28 Kokusai Electric Corporation Reaction tube
CN115142047B (zh) * 2022-06-30 2023-07-07 北海惠科半导体科技有限公司 晶圆载具及氮化硅介质膜的制备方法
TW202410257A (zh) * 2022-07-04 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理設備
CN116479406B (zh) * 2023-06-20 2023-11-10 长鑫存储技术有限公司 化学气相沉积设备与方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4438724A (en) * 1982-08-13 1984-03-27 Energy Conversion Devices, Inc. Grooved gas gate
US4854266A (en) * 1987-11-02 1989-08-08 Btu Engineering Corporation Cross-flow diffusion furnace
JPH0642474B2 (ja) * 1988-03-31 1994-06-01 株式会社東芝 半導体製造装置
US5015330A (en) * 1989-02-28 1991-05-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method and film forming device
US4950156A (en) * 1989-06-28 1990-08-21 Digital Equipment Corporation Inert gas curtain for a thermal processing furnace
JP3034263B2 (ja) * 1989-11-30 2000-04-17 株式会社東芝 薄膜形成装置
US5310339A (en) * 1990-09-26 1994-05-10 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus having a wafer boat
JPH06204157A (ja) * 1992-12-25 1994-07-22 Tokyo Electron Tohoku Ltd 縦型熱処理装置
JP3024449B2 (ja) * 1993-07-24 2000-03-21 ヤマハ株式会社 縦型熱処理炉及び熱処理方法
JP3122364B2 (ja) * 1996-02-06 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 ウエハボート
US6030902A (en) * 1996-02-16 2000-02-29 Micron Technology Inc Apparatus and method for improving uniformity in batch processing of semiconductor wafers
US6246031B1 (en) * 1999-11-30 2001-06-12 Wafermasters, Inc. Mini batch furnace
US6302963B1 (en) * 1999-12-21 2001-10-16 Axcelis Technologies, Inc. Bell jar having integral gas distribution channeling
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치

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