JP2001291708A - スリット型工程ガス引込み部と多孔構造の廃ガス排出部とを含む工程チューブ及び半導体素子の製造装置 - Google Patents

スリット型工程ガス引込み部と多孔構造の廃ガス排出部とを含む工程チューブ及び半導体素子の製造装置

Info

Publication number
JP2001291708A
JP2001291708A JP2001059134A JP2001059134A JP2001291708A JP 2001291708 A JP2001291708 A JP 2001291708A JP 2001059134 A JP2001059134 A JP 2001059134A JP 2001059134 A JP2001059134 A JP 2001059134A JP 2001291708 A JP2001291708 A JP 2001291708A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
tube
process tube
pipe
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001059134A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3779167B2 (ja
Inventor
Gyu-Hwan Kwack
奎煥 郭
Gen Kan
鉉 韓
Kikin Nan
基欽 南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2001291708A publication Critical patent/JP2001291708A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3779167B2 publication Critical patent/JP3779167B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大口径化されたウエハを利用して薄膜を形成
する時、成膜速度を出しつつ膜質の均一度を維持し、パ
ーティクルの発生を防止できる半導体素子製造用工程チ
ューブを提供する。 【解決手段】 所定の厚さを持つ円筒形のチューブ本体
の第１側には円周方向に帯状の陥没部が垂直方向に複数
形成されていて、各陥没部の底部には工程ガスを供給で
きるスリット状の工程ガス引込み部と、工程ガス引込み
部に対向する円筒チューブ本体の第２側には工程遂行後
の廃ガスを排出できて垂直方向に複数形成されている廃
ガス排出部とを具備し、工程チューブ本体内部に一体型
に構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の製造装
置に係り、詳細にはチューブを使用する化学気相蒸着装
置または酸化／拡散装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化膜、窒化膜、ＢＳＴ及び非晶質また
は多結晶シリコン膜のような膜質を半導体基板上に成膜
する低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）装置はウエハを搭
載して処理する方式により、枚葉式及び配置式に区分さ
れる。これら配置方式のＬＰＣＶＤ装置は多数のウエハ
を石英よりなったボートに搭載して工程チューブ内にロ
ーディングし、形成しようとする薄膜に適したガスを工
程内に流しつつ適正な温度と真空圧力を利用して薄膜を
形成する。
【０００３】前記ＬＰＣＶＤ装置の構成は、大きく石英
を材質とする工程チューブと、前記工程チューブの中に
構成される工程ガス引込み部と、前記工程ガス引込み部
から供給された工程ガスを排出させる廃ガス排出部と、
前記工程チューブに熱を供給する役割を果たすヒーティ
ングチャンバと、前記工程ガス引込み部と連結したガス
コントロールシステムと、前記廃ガス排出部と連結した
真空ポンプ及び前記真空ポンプで抜き取った廃ガスを洗
浄するガス洗浄器より構成される。
【０００４】縦型にウエハをボートに積載する一般的な
配置型ＬＰＣＶＤ装置では、前記工程ガス引込み部が工
程チューブの中でガスノズル状に構成される。従って、
前記ガスノズルに形成された穴を通じて工程チューブに
工程ガスを流す。しかし前述の一般的な方式のＬＰＣＶ
Ｄ装置の工程ガス引込み部は次のような問題点を持って
いる。
【０００５】第一に、３００ｍｍウエハのような大口径
化されたウエハを加工する場合に、成膜速度があまり遅
くて装置の効率が落ちる。一例として、ポリシリコン膜
を加工する場合には膜質の成膜速度が１２Å／ｍｉｎで
あり、１０，０００Åのポリシリコン膜を形成する場
合、約１４時間という長い工程進行時間が要求される。
従って、全体工程を通じて見る時、ボトルネック(bottl
e neck)現象が生じる。このようなボトルネック現象を
防止し、半導体素子製造工程の全体的な生産性を上げる
ためには、装置の台数を増やす必要がある。
【０００６】さらに、不純物が含まれた酸化膜のような
特定薄膜を形成する場合、薄膜形成ガス、たとえば、Ｓ
ｉＨ4、ＰＨ3のようなガスの使用量が多いために、ガス
容器を頻繁に交換しなければならず、ガスの使用量を遂
時点検して薄膜形成の最中に薄膜形成のためのガスがな
くならないようにせねばならない。従って、これを管理
しなければならない多くの人力が必要になる。このよう
に薄膜形成工程にて要求される多くのＬＰＣＶＤ装置の
台数／人力は製造コストの側面でも負担を与えて競争力
を低下させる原因になる。
【０００７】第二に、３００ｍｍウエハのような大口径
化されたウエハを加工する場合には膜質の均一度が落ち
てウエハ内に形成された半導体素子の信頼性を低下させ
ることがある。
【０００８】第三に、工程ガスが注入される通路の小さ
な穴に化学気相蒸着工程で未反応ガスが吸着されてパー
ティクル発生の原因になる。一般的なガスノズルの穴の
大きさは０．５〜０．８ｍｍの大きさであるが、ガスが
注入されつつガスノズル穴の周辺に未反応性ガスがパー
ティクル状に吸着された異物が生じる。このようなパー
ティクル形の異物によりガスノズルを周期的あるいは非
周期的に交換しなければならず、前記パーティクル形の
異物が半導体基板に落ちることにより多くの種類の工程
欠陥を誘発する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する技術的課題は大口径化されたウエハを利用して薄膜
を形成する時、成膜速度を出しつつ膜質の均一度を維持
し、パーティクルの発生を防止できる半導体素子製造用
工程チューブを提供するところにある。本発明が解決し
ようとする他の技術的課題は前記工程チューブを含む半
導体素子の製造装置を提供するところにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記技術的課題を解決す
るために本発明は、所定の厚さを持つ円筒形のチューブ
本体の第１側には円周方向に帯状の陥没部が垂直方向に
複数形成されていて、前記各陥没部の底部には工程ガス
を供給できるスリット状の工程ガス引込み部と、前記工
程ガス引込み部に対向する円筒チューブ本体の第２側に
は工程遂行後の廃ガスを排出でき、垂直方向に複数形成
されている廃ガス排出部を具備することを特徴とする半
導体素子製造用工程チューブを提供する。
【００１１】前記チューブ本体は前記第１側の内部に円
筒の円周方向に沿った空間（innerspace）として構成さ
れ、前記工程ガス引込み部と連結したバッファ(buffer)
用ガス配管と、前記第２側内部に円筒の円周方向に沿っ
た空間として構成され、前記廃ガス排出部と連結したガ
ス排気配管とを具備することが適当である。
【００１２】ここで、前記バッファ用ガス配管は前記チ
ューブ本体に構成されたガス引込み配管と複数の連結通
路を通じて連結し、前記ガス引込み配管はまたガスコン
トロールシステム配管と連結することが適し、前記ガス
排気配管は真空ポンプ配管と連結することが望ましい。
【００１３】前記工程ガス引込み部及び前記排ガス排出
部は前記第１側及び第２側にて１６０度の範囲内で形成
されることが適し、前記工程ガス引込み部は少なくとも
一つ以上であり、望ましくは、中央、左側及び右側に三
カ所形成されたことが適し、前記廃ガス排出部は渦巻き
現象を防止できるように一定間隔に互いに離隔されて複
数形成されたことが適している。
【００１４】本発明の望ましい実施形態によれば、前記
工程チューブは上部が密閉された形であることが適して
いる。前記他の目的を達成するために本発明は、所定の
厚さを持つ円筒形チューブ本体の第１側に円周方向に帯
状の陥没部が垂直方向に複数形成されていて、前記各陥
没部の底部には工程ガスを供給できるスリットが形成さ
れている工程ガス引込み部が構成され、前記工程ガス引
込み部に対向する前記円筒形チューブ本体の第２側には
工程遂行後の廃ガスを排出できる排出口が垂直方向に形
成されている廃ガス排出部が構成されている工程チュー
ブと、前記工程チューブの外部にて前記工程チューブに
熱を加えることができるヒーティングチャンバと、前記
工程チューブのガス引込み部にガスを供給するガスコン
トロールシステム配管と、前記工程チューブの廃ガス排
出部と連結する真空ポンプ配管と、工程遂行用ウエハを
水平に複数積載して前記工程内に往復移動できるボート
とを具備することを特徴とする半導体素子の製造装置を
提供する。
【００１５】本発明の望ましい実施形態によれば、前記
半導体素子の製造装置は、ＬＰＣＶＤ装置または酸化／
拡散装置であることが適している。前記ボートは、薄膜
が形成される間に１〜７０ＲＰＭの速度で回転すること
が適し、ウエハが置かれる石英平板同士のピッチが３．
５〜１５ｍｍの範囲であることが適している。
【００１６】また、前記ガスコントロールシステム配管
は前記工程チューブより構成されたガス引込み配管及び
バッファ用ガス配管を通じて前記工程ガス引込み部と連
結し、前記バッファ用ガス配管の圧力は１〜４０ｔｏｒ
ｒの範囲であることが望ましい。
【００１７】本発明によれば、スリット型の工程ガス引
込み部と多孔性廃ガス排出部が工程チューブ内にどちら
も形成された一体型工程チューブを利用して工程チュー
ブ内部に工程ガスの供給機能と排出機能とを強化するこ
とで、大口径化されたウエハより薄膜を形成する時に成
膜速度を改善できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付された図面を参照して
本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。図１は本
発明による半導体素子の製造装置の概略的な断面図であ
る。図１を参照すれば、本発明による半導体素子の製造
装置は、工程チューブ１００と、ボート２００、ヒーテ
ィングチャンバ３００、ガスコントロールシステム配管
４００及び真空ポンプ配管５００よりなされる。前記工
程チューブ１００は石英を材質として、上部が密閉され
て一定の厚さを持つ円筒形構造である。また、前記工程
チューブはスリット型の工程ガス引込み部１５０と、多
孔の廃ガス排出部１８０であり、前記工程チューブ１０
０の本体内で前記工程ガス引込み部１５０及び廃ガス排
出部１８０が一体型に構成された特徴を持っている。
【００１９】前記ＬＰＣＶＤ装置は、一定期間使用した
後でこれを解体し、工程チューブ１００に付着した薄膜
を除去しなければならない。これは湿式洗浄方式あるい
はＣＬＦ3ガスを使用してインサイチュ(in-situ)洗浄で
除去する。
【００２０】この時、既存の分離型の場合には、内部工
程チューブ、外部工程チューブ、ガスノズルなどに累積
された薄膜が全て付着している。従って、それぞれの累
積された薄膜を洗浄するのに多くの時間と人力及び広い
場所が要求される。さらに、これを再び組み立てる時、
若干の誤整列が発生しても装置の性能が変化するため
に、組立てに多くの問題が生じる。さらに、解体して組
み立てる時、石英よりなった工程チューブに衝撃が生じ
て壊れたり、傷がついたり、ひびが入ったりすることが
生じる可能性が高かった。
【００２１】しかし、本発明のような一つの工程チュー
ブ１００内に工程ガス引込み部１５０及び廃ガス排出部
１８０を一体型に作れば、装置を維持保守するにあた
り、前述した問題点を防止できる。さらに、装置の性能
において信頼性、再現性の側面でも既存の分離型と比較
して優れた特徴を持つ。このような工程チューブ１００
の内部構造特徴に関して後に続く図面を参照してより一
層詳細に説明する。
【００２２】前記ボート２００は、前記工程チューブ１
００の円筒内部にて多数のウエハ２１０を積載し上下運
動を行う手段であって石英を材質とする。前記ヒーティ
ングチャンバ３００は前記工程チューブ１００外部にて
工程チューブ１００に熱を加える手段として本発明では
円筒形として構成される。前記ガスコントロールシステ
ム配管４００はガスコントロールシステム６００から前
記工程チューブ１００の工程ガス引込み部１５０にガス
を供給する通路である。前記ガスコントロールシステム
６００は薄膜を形成するためのガスを混合しパージさ
せ、流すガス量を調節するシステムを意味する。
【００２３】真空ポンプ配管５００は、前記工程チュー
ブ１００の廃ガス排出部１８０と連結して薄膜形成工程
を行った後、生じる廃ガスを工程チューブ１００外部に
抜き取る通路であって真空ポンプ７００の作動により運
用される。従って、真空ポンプ７００を通じて工程チュ
ーブ１００の内部から抜き取られた廃ガスは再びガス洗
浄器（図示せず）にて安全及び環境に適したガスに置換
される燃焼及び吸着の加工工程をたどった後で最終的に
建物外に排出される。
【００２４】図２は本発明による半導体素子の製造装置
において工程チューブの工程ガス引込み部を説明するた
めに図示した概略的な斜視図である。図２は工程チュー
ブ１００から工程ガスが引込まれる過程を説明するため
の斜視図であり、工程チューブ１００の第１側を示す。
工程ガスはガスコントロールシステム配管４００を通じ
工程チューブ１００の本体１１０内部に流入する。前記
工程チューブ１００内部に流入した工程ガスは、再びガ
ス引込み配管１２０に流れ入り、前記ガス引込み配管１
２０内のガスは複数の連結通路１４０を通じてバッファ
用ガス配管１３０に流れ入る。その後、工程ガスは穴で
ないスリット形状より構成された工程ガス引込み部１５
０を通じてボート（図１の２００）のウエハに噴射され
る。
【００２５】前記スリット状の工程ガス引込み部１５０
が構成されたチューブ本体１１０の第１側の内表面には
陥没部１６０が構成されている。前記陥没部１６０はチ
ューブ本体１１０の第１側の内表面を四角形の溝に削っ
た部分であり、工程ガスが直進性をもってボートにある
ウエハに噴射される通路の役割を果たす。前記四角形の
溝に削った陥没部１６０の形は他の形に変形が可能であ
る。すなわち、工程ガスの流れに直進性を向上させるこ
とができる構造ならばどんな形でも変形させることがで
きる。
【００２６】従って、既存のＬＰＣＶＤ装置では、工程
チューブと別個の構造物として構成されたノズルの穴を
通じて工程ガスを流したのであるが、本発明ではスリッ
ト状のガス引込み部１５０と陥没部１６０を通じてボー
トに搭載されたウエハに工程ガスを方向性あるように噴
射する。従って、既存方式より多量の工程ガスをボート
にあるウエハに流すことができ、これにより薄膜の成長
速度を早くできる。この時、工程ガス引込み部１５０の
圧力は１〜４０ｔｏｒｒであり、既存の約１．５ｔｏｒ
ｒに比べて顕著に圧力を上げるのが適している。
【００２７】既存のノズル形の工程ガス引込み部を使用
した場合、ポリシリコン膜の成長速度が１３Å／ｍｉｎ
と低調であったが、本発明のような構造を採択してポリ
シリコン膜を形成した場合、１２０〜１５０Å／ｍｉｎ
の成膜速度を示して薄膜の形成速度が顕著に改善される
ことを示した。
【００２８】図３は本発明による半導体素子の製造装置
において、工程チューブの廃ガス排出部を説明するため
に図示した概略的な斜視図である。図３を参照すれば、
チューブ本体１１０の第２側にて内部の円周方向に沿っ
た空間として構成されたガス排気配管１７０が構成され
ていて、前記ガス排気配管１７０は多孔の廃ガス排出部
１８０と連結している。この時、前記廃ガス排出部１８
０は複数の穴がチューブ本体１１０の第２側内表面に沿
って一定間隔に離隔形成された構造である。
【００２９】前述した本発明による工程ガス引込み部は
スリット形であり、ガス噴射がウエハ当り１：１方式で
直接的になされる。この時、工程ガス引込み部と廃ガス
排出部１８０間にて真空の渦巻き発生を均一に制御する
のかということは本発明による工程チューブにおいてか
なり重要な問題である。従って、ひし形で互いに一定間
隔に離隔されて構成された排ガス排出部１８０は真空の
渦巻きを制御しつつ工程チューブ１００内の未反応ガス
を排出させるのに適した構造である。前記排ガス排出部
１８０の多孔性穴の水平列は前記図２の工程ガス引込み
部１５０と１：１に対応させるか、あるいは２：１に対
応させることができる。さらに、前記排ガス排出部１８
０の穴は楕円、円形などいろいろな形への変形が可能で
ある。
【００３０】結局、一定間隔に離隔形成されて真空の渦
巻き発生を抑制できる形より構成された多孔性廃ガス排
出部１８０は前記スリット形の工程ガス引込み部の構造
と共に本発明の目的の薄膜の成長速度を改善させる主要
な手段の一つとなる。
【００３１】図４は本発明による半導体素子の製造装置
において、工程チューブの排ガス排出部とガス排気配管
との連結を説明するために図示した概略的な断面図であ
る。詳細に説明すれば、図３のＩＶ−ＩＶ’を切開した
断面であり、チューブ本体１１０内で内部空間(inner s
pace)の排気ガス配管１７０と廃ガス排出部１８０とが
互いに直接的に連結したことを示す。
【００３２】図５は本発明による半導体素子の製造装置
において、工程チューブのガス排気配管と真空ポンプ配
管との連結を説明するために図示した断面図である。詳
細に説明すれば、排ガス排出部１８０と連結した排気ガ
ス配管１７０は再び真空ポンプ配管５００と連結して真
空ポンプの作動により工程チューブ内の廃ガスが工程チ
ューブ外部に排出される。
【００３３】図６はウエハを搭載したボートが本発明に
よる半導体素子の製造装置の工程チューブに投入された
時を説明するために図示した平面図である。詳細に説明
すれば、前記図２ないし図５を通じて部分的に説明した
工程チューブの形は本平面図を通じて全体的に明確に現
れる。工程チューブ１００のチューブ本体１１０の第１
側には内部に円周方向に沿った空間にバッファ用ガス配
管１３０が構成され、前記バッファ用ガス配管１３０は
スリット状の工程ガス引込み部１５０及びガス引込み配
管１２０と連結し、ガス引込み配管１２０は再びガスコ
ントロールシステム配管４００と連結することが分か
る。本実施形態では３つのガスコントロールシステム配
管４００が構成されたことを一例に説明したが、これは
１つのガスコントロールシステム配管４００を設置する
形に変形が可能である。
【００３４】さらに、工程チューブ１００のチューブ本
体１１０の第２側内部に構成されたガス排気配管１７０
は、チューブ本体１１０の内表面に構成された排ガス排
出部１８０及び真空ポンプ配管５００と連結する。この
時、前記工程ガス引込み部１５０及び廃ガス排出部１８
０がチューブ本体１１０に構成される角度（θ１、θ
２）は１６０度以内であり、ウエハ２１０上にハンティ
ング部分が最小化されるようにした。ここで、前記ハン
ティング部分はボートが回転しない時、工程ガス引込み
部１５０と排ガス排出部１８０間の気流の流れにより薄
膜が蒸着されない部分を示す。
【００３５】図面にて参照符号２２０はウエハ２１０を
搭載するボートの支持棒を指す。さらに、工程チューブ
１００にて第１側は前記θ１の角度内にある部分を指
し、第２側は前記θ２の角度内にある部分を指す。
【００３６】図７は本発明による半導体素子の製造装置
において、工程チューブの陥没部と工程ガス引込み部の
構造を説明するために図示した斜視図である。詳細に説
明すれば、チューブ本体１１０の第１側にて一つの陥没
部１６０内に構成されるスリット形の工程ガス引込み部
１５０の形を示す。前記工程ガス引込み部１５０はθ１
（図６参照）の角度内において中央、左側及び右側の三
カ所に構成される。
【００３７】前記スリットの形は楕円、ひし形あるいは
直四角形のさまざまな形に変形が可能であるが、本発明
では水平方向の長さが垂直方向の長さより長くて閉曲線
形ならばどんな形をしてもこれをスリットと限定する。
そして本発明ではスリットの数を３つと例示したが、こ
れは調整が可能である。
【００３８】従って、従来にはノズルの穴を通じガスを
注入する方式であったが、本発明ではスリット状のガス
引込み部１５０と陥没部１６０とを利用してより多くの
量の工程ガスを工程内に噴射させることにより、工程ガ
スの大部分が直進性をもち工程チューブ内で加工される
ウエハの上に流れる。従って、ボートのウエハにて形成
される薄膜の成長速度を大きく改善できる。
【００３９】さらに、既存のガスノズル穴を通じてガス
を注入する方式では、ＰＨ3のような特定の薄膜形成ガ
スの注入が円滑でなく、ＰＨ3と共に供給されるガスで
あるＳｉＨ4の供給量も制限されて成膜速度を落とし
た。しかし、本発明のようなスリット状のガス引込み部
１５０はＰＨ3ガスの注入を円滑にできるために薄膜の
成膜速度をポリシリコンの場合、１２／ｍｉｎから１０
０／ｍｉｎに画期的に増やすことができる。
【００４０】図８は本発明による半導体素子の製造装置
の工程チューブ内にて、ウエハが処理される過程を説明
するために図示した断面図である。詳細に説明すれば、
チューブ本体１１０内には薄膜形成のためのウエハ２１
０が配置方式にボート２００に載って投入される。従来
には１００枚以上のウエハがボートに搭載されたが、本
発明ではボートに搭載されるウエハの枚数が５０〜８０
枚の間が適している。従って、ボート２００の石英平板
２３０間のピッチが、従来には３．５〜１２ｍｍの間と
多少狭かったが、本発明では石英平板２３０間のピッチ
を３．５〜１５ｍｍに広く構成することが望ましい。図
面にて参照符号２４０はウエハ装着手段を指す。
【００４１】さらに、薄膜が形成される間にボート２０
０の回転速度が既存には１−９ＲＰＭと多少遅かった。
しかし、本発明ではスリット型の工程ガス引込み部１５
０を通じて多量の工程ガスがウエハ上部に噴射され、さ
らに多孔性の廃ガス排出部１８０を通じて排ガスが排出
されるためにボート２００の回転速度を１−７０ＲＰＭ
の水準に増加させることが適している。従って、ウエハ
に形成される薄膜に対する膜質の均一度を既存と同等に
維持できる。
【００４２】本図面ではボート２００の形をリング形ボ
ートを一例に例示したが、これは本発明が技術的特徴を
含む範囲内で他の形、たとえばスロットタイプなどの他
の形に変形して適用できる。工程チューブ内の温度は形
成される薄膜が窒化膜の場合４５０〜７５０℃、高温酸
化膜の場合には８００〜９００℃、シリサイド膜の場合
には１０００〜１２００℃の範囲にて調整することが望
ましい。
【００４３】
【発明の効果】前述した本発明によれば、最初、チュー
ブを使用する半導体装置、たとえばＬＰＣＶＤにて薄膜
の形成速度を改善することにより装置の効率を上げて生
産性を向上させることができる。このような効果はウエ
ハの口径が大口径の場合により一層効果的である。
【００４４】第二に、大口径化されたウエハにて薄膜を
形成する場合、形成される膜質の均一度が落ちる問題を
防止できる。第三に、工程ガスが注入される通路が小さ
な穴からスリット型に大きくなることにより、未反応ガ
スが工程ガス引込み部に吸着されて引き起こされるパー
ティクル発生を抑制できる。本発明は前記した実施形態
に限定されずに、本発明が属する技術的思想内で当分野
の通常の知識を持った者により多くの変形が可能である
ことが明白である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による半導体素子の製造装置の概略的
な断面図である。
【図２】 本発明による半導体素子の製造装置におい
て、工程チューブの工程ガス引込み部を説明するために
図示した概略的な斜視図である。
【図３】 本発明による半導体素子の製造装置におい
て、工程チューブの廃ガス排出部を説明するために図示
した概略的な斜視図である。
【図４】 本発明による半導体素子の製造装置におい
て、工程チューブの排ガス排出部とガス排気配管との連
結を説明するために図示した断面図である。
【図５】 本発明による半導体素子の製造装置におい
て、工程チューブのガス排気配管と真空ポンプ配管との
連結を説明するために図示した断面図である。
【図６】 ウエハを搭載したボートが本発明による半導
体素子の製造装置の工程チューブに投入された時を説明
するために図示した平面図である。
【図７】 本発明による半導体素子の製造装置におい
て、工程チューブの陥没部と工程ガス引込み部の構造を
説明するために図示した斜視図である。
【図８】 本発明による半導体素子の製造装置の工程チ
ューブ内にてウエハが処理される過程を説明するために
図示した断面図である。
【符号の説明】
１００ 工程チューブ １５０ 工程ガス引込み部 １８０ 排ガス排出部 ２００ ポート ２１０ ウエハ ３００ ヒーティングチャンバ ４００ ガスコントロールシステム配管 ５００ 真空チャンバ配管 ６００ ガス制御装置 ７００ 真空ポンプ

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定の厚さを持つ円筒形のチューブ本体
    の第１側には円周方向に帯状の陥没部が垂直方向に複数
    形成されていて、前記各陥没部の底部には工程ガスを供
    給できるスリット状の工程ガス引込み部と、 前記工程ガス引込み部に対向する円筒チューブ本体の第
    ２側には工程遂行後の廃ガスを排出できて垂直方向に複
    数形成されている廃ガス排出部とを具備することを特徴
    とする半導体素子製造用工程チューブ。
  2. 【請求項２】 前記チューブ本体は、 前記第１側の内部に円筒の円周に沿った空間として構成
    され、前記工程ガス引込み部と連結したバッファ用ガス
    配管と、 前記第２側内部に円筒の円周に沿った空間として構成さ
    れ、前記廃ガス排出部と連結したガス排気配管とを具備
    することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造
    用工程チューブ。
  3. 【請求項３】 前記バッファ用ガス配管は、前記チュー
    ブ本体に構成されたガス引込み配管と複数の通路を通じ
    互いに連結することを特徴とする請求項２に記載の半導
    体素子製造用工程チューブ。
  4. 【請求項４】 前記ガス引込み配管は、ガスコントロー
    ルシステム配管と連結したことを特徴とする請求項３に
    記載の半導体素子製造用工程チューブ。
  5. 【請求項５】 前記ガス排気配管は、真空ポンプ配管と
    連結したことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子
    製造用工程チューブ。
  6. 【請求項６】 前記チューブ本体は、上部が密閉された
    形であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子
    製造用工程チューブ。
  7. 【請求項７】 前記工程ガス引込み部は、前記チューブ
    本体の第１側にて円周方向に１６０度の範囲内に少なく
    とも一つ以上形成されたことを特徴とする請求項１に記
    載の半導体素子製造用工程チューブ。
  8. 【請求項８】 前記廃ガス排出部は、前記チューブ本体
    の第２側にて円周方向に１６０度の範囲内に少なくとも
    一つ以上形成されたことを特徴とする請求項１に記載の
    半導体素子製造用工程チューブ。
  9. 【請求項９】 前記陥没部の底部面に沿って形成された
    工程ガス引込み部は、中央、左側及び右側に形成された
    ことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子製造用工
    程チューブ。
  10. 【請求項１０】 前記廃ガス排出部は、前記第２側にて
    渦巻きの発生を抑制するために一定間隔に離隔形成され
    たことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子製造用
    工程チューブ。
  11. 【請求項１１】 所定の厚さを持つ円筒形チューブ本体
    の第１側に円周方向に帯状の陥没部が垂直方向に複数形
    成されていて、前記各陥没部の底部には工程ガスを供給
    できるスリット状の工程ガス引込み部が構成され、前記
    工程ガス引込み部に対向する前記円筒形チューブ本体の
    第２側には工程遂行後の廃ガスを排出できて垂直方向に
    複数形成されている廃ガス排出部が構成されている工程
    チューブと、 前記工程チューブの外部にて前記工程チューブに熱を加
    えることができるヒーティングチャンバと、 前記工程チューブのガス引込み部にガスを供給するガス
    コントロールシステム配管と、 前記工程チューブの廃ガス排出部と連結する真空ポンプ
    配管と、 工程遂行用ウエハを水平に複数積載して前記工程チュー
    ブ内に往復移動できるボートとを具備することを特徴と
    する半導体素子の製造装置。
  12. 【請求項１２】 前記ボートは、低圧化学気相蒸着装置
    または酸化／拡散装置用であるを特徴とする請求項１１
    に記載の半導体素子の製造装置。
  13. 【請求項１３】 前記ボートは、薄膜が形成される間に
    １〜７０ｒｐｍ／ｍｉｎの速度で回転することを特徴と
    する請求項１１に記載の半導体素子の製造装置。
  14. 【請求項１４】 前記ボートは、ウエハが装着される石
    英平板同士のピッチが３．５〜１５ｍｍの範囲であるこ
    とを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の製造装
    置。
  15. 【請求項１５】 前記ガスコントロールシステム配管
    は、前記工程チューブより構成されたガス引込み配管及
    びバッファ用ガス配管を通じて前記工程ガス引込み部と
    連結し、前記バッファ用ガス配管の圧力は１−４０ｔｏ
    ｒｒの範囲であることを特徴とする請求項１１に記載の
    半導体素子の製造装置。
  16. 【請求項１６】 前記スリットよりなった工程ガス引込
    み部は、前記工程チューブの第１側にて円周方向に１６
    ０度の範囲内の陥没部の底部面より構成されたことを特
    徴とする請求項１１に記載の半導体素子の製造装置。
  17. 【請求項１７】 前記廃ガス排出部は、前記工程チュー
    ブの第２側にて円周方向に１６０度の範囲内の内表面に
    構成されたことを特徴とする請求項１１に記載の半導体
    素子の製造装置。
  18. 【請求項１８】 前記工程ガス引込み部は、前記工程チ
    ューブの陥没部の底部にて少なくとも一つ以上形成され
    たことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の製
    造装置。
  19. 【請求項１９】 前記工程ガス引込み部は、工程チュー
    ブの陥没部の底部面にて中央、左側及び右側に形成され
    たことを特徴とする請求項１８に記載の半導体素子の製
    造装置。
  20. 【請求項２０】 前記工程チューブの排ガス排出部は、
    渦巻きの発生を抑制するために一定間隔に離隔形成され
    たことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の製
    造装置。
JP2001059134A 2000-03-17 2001-03-02 スリット型工程ガス引込み部と多孔構造の廃ガス排出部とを含む工程チューブ及び半導体素子の製造装置 Expired - Fee Related JP3779167B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR200013608 2000-03-17
KR1020000013608A KR100360401B1 (ko) 2000-03-17 2000-03-17 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001291708A true JP2001291708A (ja) 2001-10-19
JP3779167B2 JP3779167B2 (ja) 2006-05-24

Family

ID=19656161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001059134A Expired - Fee Related JP3779167B2 (ja) 2000-03-17 2001-03-02 スリット型工程ガス引込み部と多孔構造の廃ガス排出部とを含む工程チューブ及び半導体素子の製造装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6402849B2 (ja)
JP (1) JP3779167B2 (ja)
KR (1) KR100360401B1 (ja)
TW (1) TW498404B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014165500A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Tera Semicon Corp バッチ式基板処理装置
JP2015526594A (ja) * 2012-06-27 2015-09-10 イノシティ カンパニー リミテッド プロセスチャンバー及び基板処理装置
JP2018170468A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP2019036610A (ja) * 2017-08-10 2019-03-07 東京エレクトロン株式会社 ウエハボート支持部、熱処理装置及び熱処理装置のクリーニング方法
WO2020189205A1 (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびノズル

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100728244B1 (ko) * 1999-11-18 2007-06-13 동경 엘렉트론 주식회사 실리레이션처리장치 및 방법
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치
KR100560867B1 (ko) * 2000-05-02 2006-03-13 동경 엘렉트론 주식회사 산화방법 및 산화시스템
JP3980840B2 (ja) * 2001-04-25 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 気相成長装置および気相成長膜形成方法
DE10128091C1 (de) * 2001-06-11 2002-10-02 Applied Films Gmbh & Co Kg Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats
JP2003045864A (ja) * 2001-08-02 2003-02-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP3886424B2 (ja) * 2001-08-28 2007-02-28 鹿児島日本電気株式会社 基板処理装置及び方法
US20030111013A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-19 Oosterlaken Theodorus Gerardus Maria Method for the deposition of silicon germanium layers
FR2834713B1 (fr) * 2002-01-15 2004-04-02 Snecma Moteurs Procede et installation pour la densification de substrats par infiltration chimique en phase vapeur
US7431585B2 (en) * 2002-01-24 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for heating substrates
KR100455430B1 (ko) * 2002-03-29 2004-11-06 주식회사 엘지이아이 열교환기 표면처리장비의 냉각장치 및 그 제조방법
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
US20040221810A1 (en) * 2002-06-28 2004-11-11 Miles Ronald O. Process boat and shell for wafer processing
JP3861036B2 (ja) * 2002-08-09 2006-12-20 三菱重工業株式会社 プラズマｃｖｄ装置
US20040043617A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Partitioned wafer boat for constant wafer backside emmissivity
US6952889B2 (en) * 2002-11-05 2005-10-11 Wafermasters, Inc. Forced convection assisted rapid thermal furnace
KR100862658B1 (ko) * 2002-11-15 2008-10-10 삼성전자주식회사 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치
US6926775B2 (en) * 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7118781B1 (en) * 2003-04-16 2006-10-10 Cree, Inc. Methods for controlling formation of deposits in a deposition system and deposition methods including the same
JP3913723B2 (ja) * 2003-08-15 2007-05-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
US7235138B2 (en) * 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7422635B2 (en) * 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US20050067002A1 (en) * 2003-09-25 2005-03-31 Supercritical Systems, Inc. Processing chamber including a circulation loop integrally formed in a chamber housing
TW200525636A (en) * 2003-11-20 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Oxidation method and oxidation system for workpieces
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
KR101025323B1 (ko) * 2004-01-13 2011-03-29 가부시키가이샤 아루박 에칭 장치 및 에칭 방법
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US20050287806A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Hiroyuki Matsuura Vertical CVD apparatus and CVD method using the same
KR100614648B1 (ko) * 2004-07-15 2006-08-23 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치
CN100502050C (zh) * 2004-08-13 2009-06-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
KR100626386B1 (ko) * 2004-09-20 2006-09-20 삼성전자주식회사 반도체 기판 제조에 사용되는 기판 처리 장치 및 기판처리 방법
US7771563B2 (en) * 2004-11-18 2010-08-10 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Systems and methods for achieving isothermal batch processing of substrates used for the production of micro-electro-mechanical-systems
US20060106635A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Karl Ulrich Emission remediation
JP4951501B2 (ja) * 2005-03-01 2012-06-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
US20070084408A1 (en) * 2005-10-13 2007-04-19 Applied Materials, Inc. Batch processing chamber with diffuser plate and injector assembly
US20070084406A1 (en) * 2005-10-13 2007-04-19 Joseph Yudovsky Reaction chamber with opposing pockets for gas injection and exhaust
CN101292059A (zh) * 2005-10-17 2008-10-22 Oc欧瑞康巴尔斯公司 用于利用远程等离子体源的大面积等离子体增强化学气相沉积装置的清洗器具
FI121750B (fi) * 2005-11-17 2011-03-31 Beneq Oy ALD-reaktori
KR100779118B1 (ko) * 2005-12-09 2007-11-27 주식회사 테라세미콘 평판표시장치 제조시스템
US20070181062A1 (en) * 2006-02-07 2007-08-09 Kim Il-Kyoung Semiconductor device manufacturing apparatus including temperature measuring unit
US20090065146A1 (en) * 2006-03-06 2009-03-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US20070240644A1 (en) * 2006-03-24 2007-10-18 Hiroyuki Matsuura Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process
US8176871B2 (en) * 2006-03-28 2012-05-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP5179476B2 (ja) * 2007-04-17 2013-04-10 株式会社アルバック 成膜装置
JP5568212B2 (ja) * 2007-09-19 2014-08-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法
US7976631B2 (en) * 2007-10-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Multi-gas straight channel showerhead
KR101423556B1 (ko) * 2008-02-11 2014-07-28 (주)소슬 가스 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR101043211B1 (ko) * 2008-02-12 2011-06-22 신웅철 배치형 원자층 증착 장치
JP5383332B2 (ja) * 2008-08-06 2014-01-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
US8409352B2 (en) * 2010-03-01 2013-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus
KR100983730B1 (ko) * 2010-06-09 2010-09-24 송기훈 엘이디 제조장치
KR101055064B1 (ko) * 2011-07-08 2011-08-05 송기훈 엘이디 제조 장치
KR101308111B1 (ko) * 2011-11-17 2013-09-26 주식회사 유진테크 복수의 배기포트를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US9748125B2 (en) 2012-01-31 2017-08-29 Applied Materials, Inc. Continuous substrate processing system
US10119194B2 (en) * 2013-03-12 2018-11-06 Applied Materials, Inc. Indexed gas jet injector for substrate processing system
KR102150625B1 (ko) * 2013-03-15 2020-10-27 삼성디스플레이 주식회사 코팅장치
KR102156795B1 (ko) * 2013-05-15 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 증착 장치
EP2960059B1 (en) * 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US20160033070A1 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Applied Materials, Inc. Recursive pumping member
US10760161B2 (en) * 2014-09-05 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Inject insert for EPI chamber
JP6464990B2 (ja) 2015-10-21 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
KR101715192B1 (ko) * 2015-10-27 2017-03-23 주식회사 유진테크 기판처리장치
KR101731488B1 (ko) * 2015-10-27 2017-05-02 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 튜브 조립체 조립방법
FR3055468B1 (fr) * 2016-08-30 2018-11-16 Semco Tech Dispositif de traitement de pieces
JP2018133471A (ja) * 2017-02-16 2018-08-23 漢民科技股▲分▼有限公司 気相成膜装置
KR102453245B1 (ko) 2017-02-23 2022-10-07 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 컴퓨터 프로그램 및 처리 용기
JP1605460S (ja) * 2017-08-09 2021-05-31
JP1605461S (ja) * 2017-08-10 2021-05-31
JP6820816B2 (ja) * 2017-09-26 2021-01-27 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム
JP1605982S (ja) * 2017-12-27 2021-05-31
JP1611561S (ja) * 2018-02-07 2018-08-20
JP1644260S (ja) * 2019-03-20 2019-10-28
CN111834247B (zh) * 2019-04-23 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 冷却装置和半导体处理设备
KR20210043810A (ko) * 2019-10-14 2021-04-22 삼성전자주식회사 반도체 제조 장비
USD931823S1 (en) * 2020-01-29 2021-09-28 Kokusai Electric Corporation Reaction tube
CN115142047B (zh) * 2022-06-30 2023-07-07 北海惠科半导体科技有限公司 晶圆载具及氮化硅介质膜的制备方法
TW202410257A (zh) * 2022-07-04 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理設備
CN116479406B (zh) * 2023-06-20 2023-11-10 长鑫存储技术有限公司 化学气相沉积设备与方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4438724A (en) * 1982-08-13 1984-03-27 Energy Conversion Devices, Inc. Grooved gas gate
US4854266A (en) * 1987-11-02 1989-08-08 Btu Engineering Corporation Cross-flow diffusion furnace
JPH0642474B2 (ja) * 1988-03-31 1994-06-01 株式会社東芝 半導体製造装置
US5015330A (en) * 1989-02-28 1991-05-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method and film forming device
US4950156A (en) * 1989-06-28 1990-08-21 Digital Equipment Corporation Inert gas curtain for a thermal processing furnace
JP3034263B2 (ja) * 1989-11-30 2000-04-17 株式会社東芝 薄膜形成装置
US5310339A (en) * 1990-09-26 1994-05-10 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus having a wafer boat
JPH06204157A (ja) * 1992-12-25 1994-07-22 Tokyo Electron Tohoku Ltd 縦型熱処理装置
JP3024449B2 (ja) * 1993-07-24 2000-03-21 ヤマハ株式会社 縦型熱処理炉及び熱処理方法
JP3122364B2 (ja) * 1996-02-06 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 ウエハボート
US6030902A (en) * 1996-02-16 2000-02-29 Micron Technology Inc Apparatus and method for improving uniformity in batch processing of semiconductor wafers
US6246031B1 (en) * 1999-11-30 2001-06-12 Wafermasters, Inc. Mini batch furnace
US6302963B1 (en) * 1999-12-21 2001-10-16 Axcelis Technologies, Inc. Bell jar having integral gas distribution channeling
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015526594A (ja) * 2012-06-27 2015-09-10 イノシティ カンパニー リミテッド プロセスチャンバー及び基板処理装置
JP2014165500A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Tera Semicon Corp バッチ式基板処理装置
JP2018170468A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP2019036610A (ja) * 2017-08-10 2019-03-07 東京エレクトロン株式会社 ウエハボート支持部、熱処理装置及び熱処理装置のクリーニング方法
WO2020189205A1 (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびノズル
JPWO2020189205A1 (ja) * 2019-03-18 2021-12-16 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびノズル

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010091670A (ko) 2001-10-23
US6402849B2 (en) 2002-06-11
KR100360401B1 (ko) 2002-11-13
JP3779167B2 (ja) 2006-05-24
TW498404B (en) 2002-08-11
US20010050054A1 (en) 2001-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001291708A (ja) スリット型工程ガス引込み部と多孔構造の廃ガス排出部とを含む工程チューブ及び半導体素子の製造装置
KR100747735B1 (ko) 반도체 제조 장치
TWI390076B (zh) 用以沈積薄膜之方法及具有用於噴吹掃用之氣體之分離式噴射孔之薄膜沈積系統
US7305999B2 (en) Centrifugal spray processor and retrofit kit
US10279379B2 (en) Uniform fluid manifold for acoustic transducer
JP2017055104A (ja) 基板処理装置
JP2004006551A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2000311862A (ja) 基板処理装置
TWI502096B (zh) 用於化學氣相沉積的反應裝置及反應製程
KR20100077695A (ko) 원자층 증착장치
KR20080035735A (ko) 플라즈마 화학기상증착설비
KR100941960B1 (ko) 화학기상증착 장치의 샤워헤드
KR101323125B1 (ko) 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 가스 분사 시스템
KR101493254B1 (ko) 원자층 박막 증착장비
KR20190119152A (ko) 유동성 cvd를 위한 확산기 설계
JP4149694B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
KR20010001419A (ko) 반도체소자 제조용 보트 및 이를 구비한 공정튜브
JPH03257167A (ja) 常圧バッチ式ｃｖｄ装置の反応ガスフロー機構
JP2830585B2 (ja) 半導体製造装置
JPH01134911A (ja) 縦形気相成長装置
KR20190087046A (ko) 기판처리장치
KR20010104572A (ko) 화학기상 증착장치
KR100407508B1 (ko) 비회전형 박막 형성 장치
KR20220006326A (ko) 기판 처리 장치
KR0185056B1 (ko) 반응 시간을 증가시킨 수직형 확산로

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050927

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051004

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060131

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060301

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100310

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110310

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130310

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140310

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees