CN116479406B - 化学气相沉积设备与方法 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种化学气相沉积设备与方法，化学气相沉积设备包括：反应腔室以及晶舟。反应腔室的底部设有至少一个气体输入部，反应腔室的侧壁上沿其高度方向上设有依次间隔布置的多个抽吸部。抽吸部与反应腔室连通，还用于与抽吸设备相连通。使反应腔室侧壁上沿其高度方向上的多个不同部位的反应气体都同步向外排出，这样能改善相关技术中反应腔室底部至顶部的气体浓度逐渐减小导致的在不同高度位置处的衬底表面上沉积速度不同的缺陷，并使得反应腔室的底部至顶部的气体浓度趋于一致，从而便无需如相关技术中采取提高顶部温度/降低底部温度的方式，能实现晶舟沿其高度方向上的不同位置处的沉积速度相同，从而能提高半导体器件的产出稳定性。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，特别是涉及一种化学气相沉积设备与方法。
背景技术
随着半导体制造技术的发展，化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)作为薄膜制程已经被广泛使用。此外，低压力化学气相沉积法（Low Pressure ChemicalVapor Deposition，LPCVD），广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉积，是一种在较低压力条件下进行的化学气相沉积技术。在LPCVD过程中，化学反应通常发生在高温下，将预先指定的化学物质引入到反应腔室中，从而在衬底表面上沉积材料。具体工作时，先将衬底置于密闭的反应腔室中，再将反应气体输送至反应腔室内部，反应气体与衬底在高温环境下发生化学反应能在衬底表面沉积一层薄膜。以氮化硅层的沉积为例，二氯硅烷(SiH2Cl2)、臭氧(O3)、氨气（NH3）等反应气体注入到反应腔室内后能与衬底发生反应以在衬底表面形成氧化硅层。
相关技术中的反应腔室，为直立的圆柱形结构，例如为炉管。在该反应腔室内，多块衬底从下至上依次排布。气体输入管从反应腔室的底部伸入到反应腔室内，并位于衬底的一侧，使反应气体通入到反应腔室内以在衬底表面成膜，然而，最终生产出的半导体器件的稳定性较低。
发明内容
基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种化学气相沉积设备与方法，它能够提高半导体器件的产出稳定性。
一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：
反应腔室，所述反应腔室的底部设有至少一个气体输入部，所述反应腔室的侧壁上沿其高度方向上设有依次间隔布置的多个抽吸部，所述抽吸部与所述反应腔室连通，还用于与抽吸设备相连通；以及
晶舟，所述晶舟设置于所述反应腔室的内部，所述晶舟沿其高度方向上设有依次间隔布置的用于支撑衬底的多个支撑部。
在其中一个实施例中，所述化学气相沉积设备还包括设置于所述反应腔室内部的隔离套，所述隔离套的底端设为开口端，所述开口端与所述反应腔室连通，所述晶舟穿设于所述开口端并伸入到所述隔离套内部，所述隔离套的侧壁沿高度方向上设有依次间隔布置的多个出气部，所述出气部与所述反应腔室连通并与所述抽吸部对应设置。
在其中一个实施例中，所述出气部与所述抽吸部的数量相同，且所述抽吸部与相对应的所述出气部位置相对设置。
在其中一个实施例中，所述出气部包括绕所述隔离套的中心轴线依次间隔设置的多个出气孔。
在其中一个实施例中，所述出气部的多个出气孔依次等间隔地布置于所述隔离套上。
在其中一个实施例中，所述隔离套的顶端设为封闭端。
在其中一个实施例中，所述化学气相沉积设备还包括沿所述高度方向依次间隔设置的多个隔离件；所述隔离件与所述隔离套的外壁相连并对应设于相邻两个所述出气部之间，所述隔离件还与所述反应腔室的内壁相连。
在其中一个实施例中，所述隔离件包括环形密封板，所述环形密封板的内壁与所述隔离套的外壁相适应并密封连接，所述环形密封板的外壁与所述反应腔室的内壁相适应并密封连接。
在其中一个实施例中，多个所述隔离件依次等间隔布置。
在其中一个实施例中，所述化学气相沉积设备还包括对应设置于所述抽吸部上的气体控制阀；所述气体控制阀包括气体开度控制阀、气体流量控制阀、气体压力控制阀中的至少一个。
在其中一个实施例中，所述抽吸部包括连接于所述反应腔室侧壁上的支管，所述化学气相沉积设备还包括主管；多个所述支管均和所述主管相连通，所述主管还用于与所述抽吸设备相连。
在其中一个实施例中，所述气体输入部设为至少两个，并间隔地设置于所述反应腔室的底部；和/或，所述气体输入部为贯穿设置于所述反应腔室上的气体输入管。
一种化学气相沉积方法，采用了所述的化学气相沉积设备，所述化学气相沉积方法包括如下步骤：
使各个所述抽吸部同步抽吸动作；
控制各个所述抽吸部的抽吸效率，使所述抽吸部的抽吸效率在从所述反应腔室的底部至所述反应腔室的顶部的方向上呈增大趋势。
在其中一个实施例中，所述化学气相沉积方法还包括步骤：
检测步骤，检测所述晶舟上多个不同高度位置处的衬底表面上的薄膜沉积厚度大小；
判断步骤，根据多个所述薄膜沉积厚度大小进行判断所述晶舟上多个不同高度位置处的沉积速度是否均衡；
调整步骤，当判断到多个不同高度位置处的衬底的沉积速度大小不均衡时，通过调整所述晶舟上沉积速度存在差异的衬底所在高度位置对应的抽吸部的抽吸效率，和/或，通过调整所述晶舟上沉积速度存在差异的衬底所在高度位置的温度大小。
在其中一个实施例中，在使各个所述抽吸部同步抽吸动作步骤之前还包括步骤：
将反应气体通过气体输入部输入到反应腔室的内部。
上述的化学气相沉积设备与方法，在工作时，反应气体通过气体输入部输入到反应腔室的内部，并从反应腔室的底部向上流动，反应气体在流动至反应腔室顶部的过程中会与晶舟上不同高度位置处的衬底发生化学反应并在衬底的表面上沉积形成薄膜。由于反应腔室的侧壁上沿其高度方向上设有依次间隔布置的多个抽吸部，反应腔室通过多个抽吸部均与抽吸设备相连通，各个抽吸部对反应腔室侧壁上沿高度方向上的多个不同部位进行抽吸动作，使反应腔室侧壁上沿其高度方向上的多个不同部位的反应气体都同步向外排出，这样能改善相关技术中反应腔室底部至顶部的气体浓度逐渐减小导致的在不同高度位置处的衬底表面上沉积速度不同的缺陷，并使得反应腔室的底部至顶部的气体浓度趋于一致，从而便无需如相关技术中采取提高顶部温度/降低底部温度的方式，能实现晶舟沿其高度方向上的不同位置处的沉积速度相同，膜的厚度相同，阈值电压和电学性能得到提高，从而能提高半导体器件的产出稳定性。
附图说明
图1为相关技术中的化学气相沉积设备的结构示意图。
图2为本申请一实施例的化学气相沉积设备的结构示意图。
图3为图2所示结构一实施例的轴向剖视图。
图4为图2所示结构另一实施例的轴向剖视图。
图5为图2所示结构的俯视图。
110、外炉管；120、内炉管；130、晶舟；140、气体输入管；
210、反应腔室；211、气体输入部；212、抽吸部；220、晶舟；230、隔离套；231、开口端；232、封闭端；233、出气部；2331、出气孔；234、第一单元区域；240、隔离件；250、第二单元区域；260、气体控制阀；270、主管。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，本实施例中的衬底可以是在基材上形成半导体元件，例如集成电路或离散元件(discrete devices)的制程中任何阶段中的半导体衬底。在一实施例中，衬底包含极低介电常数介电层以及在半导体基材上的金属层。衬底可为光罩、半导体衬底、或电子元件制造领域的普通技术人员已知的其他工件。在至少一些实施例中，衬底包含用于制造任何集成电路、被动式(例如，电容器、电感器)以及主动式(例如，晶体管、光侦测器、激光器、二极管)微电子元件的任何材料。衬底可以包含将这种主动式和被动式微电子元件与形成在它们顶部的一个或多个导电层分开的绝缘材料(例如，介电材料)。在一实施例中，衬底为包含一层或多层介电层的半导体基材，例如硅、氮化镓、砷化镓、二氧化硅、氮化硅、蓝宝石、及其他介电材料。在一实施例中，衬底是包括一层或多层的衬底堆叠。一层或多层的衬底可包含导电层、半导体层、绝缘层或前述的任意层组合。
正如背景技术所述，相关技术中的最终生产出的半导体器件的稳定性较低问题，经发明人研究发现，出现这种问题的原因在于，请参阅图1，图1示出了相关技术中的化学气相沉积设备，包括外炉管110（又称反应腔室）、穿设于外炉管110中的内炉管120以及穿设于内炉管120中的晶舟130。晶舟130上用于承载衬底（图中未示出），外炉管110的壁体上设置有至少一个气体输入管140，气体输入管140与内炉管120的底端连通。工作时，通过气体输入管140向反应腔室内输入反应气体，反应气体从内炉管120的底部向上移动，并从内炉管120的顶部向外排出，然后进入到内炉管120与外炉管110之间的间隔区域，并通过泵体向外抽出。内炉管120内的反应气体从底部至顶部形成浓度梯度，底部气体浓度高/顶部气体浓度低，在相同温度下导致产品沉积速度（depo rate）底部快/顶部慢。进而，为统一内炉管120的底部与顶部的沉积速度, 一般需提高顶部温度/降低底部温度，这样就导致了底部与顶部的温度差超过15℃，从而影响了阈值电压，使得最终生产出的半导体器件的稳定性造成不良影响。
基于以上原因，本申请提供了一种化学气相沉积设备与方法，它能够提高半导体器件的产出稳定性的方案。
参阅图2与图3，图2示出了本申请一实施例的化学气相沉积设备的结构示意图。图3示出了图2所示结构一实施例的轴向剖视图。本申请一实施例提供的一种化学气相沉积设备，化学气相沉积设备包括：反应腔室210以及晶舟220。反应腔室210的底部设有至少一个气体输入部211。反应腔室210的侧壁上沿其高度方向上设有依次间隔布置的多个抽吸部212。抽吸部212与反应腔室210连通，还用于与抽吸设备（图中未示出）相连通。晶舟220设置于反应腔室210的内部，晶舟220沿其高度方向上设有依次间隔布置的用于支撑衬底（图中未示出）的多个支撑部（图中未示出）。
上述的化学气相沉积设备，在工作时，反应气体通过气体输入部211输入到反应腔室210的内部，并从反应腔室210的底部向上流动，反应气体在流动至反应腔室210顶部的过程中会与晶舟220上不同高度位置处的衬底发生化学反应并在衬底的表面上沉积形成薄膜。由于反应腔室210的侧壁上沿其高度方向上设有依次间隔布置的多个抽吸部212，反应腔室210通过多个抽吸部212均与抽吸设备相连通，各个抽吸部212对反应腔室210侧壁上沿高度方向上的多个不同部位进行抽吸动作，使反应腔室210侧壁上沿其高度方向上的多个不同部位的反应气体都同步向外排出，这样能改善相关技术中反应腔室210底部至顶部的气体浓度逐渐减小导致的在不同高度位置处的衬底表面上沉积速度不同的缺陷，并使得反应腔室210的底部至顶部的气体浓度趋于一致，从而便无需如相关技术中采取提高顶部温度/降低底部温度的方式，能实现晶舟220沿其高度方向上的不同位置处的沉积速度相同，膜的厚度相同，阈值电压和电学性能得到提高，从而能提高半导体器件的产出稳定性。
需要说明的是，本实施例中的气体浓度大小又可以理解为单位空间的气体体积占比大小。举例而言，当某一个空间部位的气体浓度大小较大时，即某一个空间部位在单位空间的气体摩尔量较大；反之，当某一个空间部位的气体浓度大小较小时，即某一个空间部位在单位空间的气体摩尔量较小。
在一个实施例中，多个支撑部沿晶舟220的高度方向上依次等间隔布置或者不等间隔布置。其中，当多个支撑部沿晶舟220的高度方向上呈不等间隔布置时，例如使得相邻两个支撑部的间隔尺寸大小按照晶舟220的高度方向上呈逐渐增大趋势，当相邻两个支撑部的间隔尺寸大小增大时，能有利于反应气体通入到相邻两个支撑部的间隔区域，从而能提高沉积速率，也即能有利于使得晶舟220沿其高度方向上的不同位置处的沉积速度相同，从而能提高半导体器件的产出稳定性。
在一个实施例中，晶舟220还包括沿反应腔室210的高度方向布置的主梁。多个支撑部依次间隔地连接于主梁上。可选地，支撑部包括但不限于为支撑板、支撑块等等。
请参阅图2与图3，在一个实施例中，化学气相沉积设备还包括设置于反应腔室210内部的隔离套230。隔离套230的底端设为开口端231，开口端231与反应腔室210连通，晶舟220穿设于开口端231并伸入到隔离套230内部，隔离套230的侧壁沿高度方向上设有依次间隔布置的多个出气部233，出气部233与反应腔室210连通并与抽吸部212对应设置。如此，反应气体通过气体输入部211输入到反应腔室210的内部，然后通过开口端231进入到隔离套230内部，接着通过沿高度方向上间隔布置的多个出气部233向外排出，并进入到相应的抽吸部212，通过抽吸部212将反应气体向外抽出。可见，通过在晶舟220的外部套设设置隔离套230，隔离套230起到聚集作用，使得反应气体尽可能地聚集于晶舟220所在区域，且隔离套230沿高度方向划分成与多个出气部233对应的多个第一单元区域234，在与出气部233相应的抽吸部212调整抽吸力度大小时，便能调整与出气部233对应的第一单元区域234的气体浓度大小，且调节反应灵敏度相对较高。
具体而言，开口端231与反应腔室210的底壁壁面设有预设间隔，使得开口端231与反应腔室210连通。其中，预设间隔的具体尺寸大小可以根据实际需求灵活调整与设置，在此不进行限定。其中，隔离套230通过至少一个支撑件与反应腔室210的壁体连接来实现隔离套230的开口端231与反应腔室210的底壁壁面间隔设置。该支撑件具体例如为下文的环形密封板。此外，可选地，气体输入部211例如贯穿反应腔室210的底部侧壁并伸入到反应腔室210的内部，气体输入部211的布置方向例如平行于反应腔室210的底壁壁面，气体输入部211位于反应腔室210的底壁壁面与开口端231端面之间，这样气体输入部211输入的反应气体便通过开口端231进入到隔离套230内部，同时位于反应腔室210的底部侧壁上的气体输入部211对位于反应腔室210底壁下方的各种部件的干涉影响小。当然，作为一些可选的方案，气体输入部211还可以例如贯穿反应腔室210的底壁壁面，并例如垂直于反应腔室210的底壁壁面，并使得气体输入部211与开口端231相对设置，这样气体输入部211向外排出的反应气体能直接通过开口端231流入到隔离套230内部。
请参阅图2与图3，在一个实施例中，出气部233与抽吸部212的对应设置既可以是一一对应设置（如图3所示），又可以是多对一设置（未示出），还可以是一对多设置（未示出），或者是按照其它不规则的方式相互对应设置，具体在此不进行限定，可以根据实际需求灵活调整与设置出气部233与抽吸部212的对应关系。如此，抽吸部212抽吸工作时，能提供负压使得与抽吸部212相对应设置的出气部233向外排反应气体，通过调整与改善出气部233向外排反应气体的力度大小，来使得晶舟220沿其高度方向上的不同位置处的沉积速度相同，从而能提高半导体器件的产出稳定性。
请参阅图3，在一个实施例中，出气部233与抽吸部212的数量相同，且抽吸部212与相对应的出气部233位置相对设置。具体而言，将化学气相沉积设备按照正常姿态摆放时，抽吸部212与出气部233处于同一水平高度位置。如此，抽吸部212提供负压抽吸力时，能使得将与抽吸部212位置相对应的出气部233处形成负压，并向外排放反应气体，同时能将隔离套230内部的反应气体更多地引流至该出气部233对应的第一单元区域234，从而能相对增大与该出气部233对应的第一单元区域234的气体浓度，进而能调整该第一单元区域234的沉积速度。
请参阅图3与图5，图5示出了图2所示结构的俯视图。在一个实施例中，出气部233包括绕隔离套230的中心轴线依次间隔设置的多个出气孔2331。
需要说明的是，隔离套230的中心轴线如图2中所示的虚线箭头O所示。
可选地，出气孔2331的形状包括但不限于为圆形孔、椭圆形孔、腰型孔、条形孔、多边形孔等等规则形状的孔以及其它各种不规则形状的孔，具体可以根据实际需求灵活调整与设置。其中，多边形孔包括但不限于为三角形孔、四边形孔、五边形孔、六边形孔等等。
请参阅图3，在一些实施例中，同一个出气部233的各个出气孔2331的形状与尺寸均完全相同，如此能使得各个部位的气体浓度大小尽可能相同。当然，同一个出气部233的各个出气孔2331的形状与尺寸也可以不完全相同或者完全不同，具体可以根据实际需求灵活调整与选取。
可选地，一个出气部233的多个出气孔2331例如组合形成包括绕隔离套230的周向设置的一圈，或至少两圈。当设置为至少两圈时，至少两圈沿隔离套230的中心轴线依次设置。请参阅图4，图4示出了一个出气部233的多个出气孔2331例如组合形成包括绕隔离套230的周向设置的两圈。
在一些实施例中，不同出气部233的出气孔2331的形状与尺寸之间可以保持一致，也可以不完全相同或者完全不同，具体可以根据实际需求灵活调整与设置。
在一个实施例中，出气部233的多个出气孔2331依次等间隔地布置于隔离套230上。
当然，作为一些可选的方案，出气部233的多个出气孔2331也可以是不等间隔地布置于隔离套230上。
请参阅图2与图3，在一个实施例中，隔离套230的顶端设为封闭端232。如此，进入到隔离套230内部的反应气体分别通过沿高度方向上不同位置处的出气部233向外排出，而并不会通过隔离套230的顶端向外排出，使得隔离套230在沿高度方向上的不同位置的气体浓度大小可控性增强。
请参阅图2与图3，在一个实施例中，化学气相沉积设备还包括沿高度方向依次间隔设置的多个隔离件240。隔离件240与隔离套230的外壁相连并对应设于相邻两个出气部233之间，隔离件240还与反应腔室210的内壁相连。如此，多个隔离件240能实现将反应腔室210沿高度方向划分成依次设置的多个第二单元区域250，各个第二单元区域250的独立性强，进而使得隔离套230在沿高度方向上的不同位置的气体浓度大小可控性增强。此外，多个第二单元区域250分别与多个出气部233对应连通设置，也即多个第一单元区域234与多个第二单元区域250对应连通，多个第二单元区域250还与多个抽吸部212对应连通。
在一个实施例中，隔离件240包括环形密封板。环形密封板的内壁与隔离套230的外壁相适应并密封连接，环形密封板的外壁与反应腔室210的内壁相适应并密封连接。
具体而言，环形密封板的内壁与隔离套230的外壁两者的连接方式包括但不限于粘接、焊接、卡接、或者采用螺钉、螺栓、销钉、铆钉等等方式相互连接固定。此外，类似地，环形密封板的外壁与反应腔室210的内壁两者的连接方式包括但不限于粘接、焊接、卡接、或者采用螺钉、螺栓、销钉、铆钉等等方式相互连接固定。
此外，隔离件240还可以是环形密封片、环形密封块，具体可以根据实际需求灵活调整与设置。
在一个实施例中，多个隔离件240依次等间隔布置。如此，能使得各个第二单元区域250的体积大小相同。
当然，作为一些可选的方案，多个隔离件240也可以是按照不等间隔地布置于反应腔室210内部，具体可以根据实际需求进行调整与设置。
请参阅图2与图3，在一个实施例中，化学气相沉积设备还包括对应设置于抽吸部212上的气体控制阀260。气体控制阀260包括但不限于气体开度控制阀、气体流量控制阀、气体压力控制阀中的至少一个。如此，通过气体控制阀260对气体流量和/或气体压力进行调整，从而能调整各个抽吸部212的抽吸效率，相应能使得反应腔室210沿高度方向上不同位置的反应气体的浓度大小达到均衡，在沉积速度一致的情况下，使反应腔室210的顶部温度与底部温度差异降到最低，从而达到改善晶舟220底部与顶部位置产品质量的目的。
请参阅图2与图3，在一个实施例中，抽吸部212包括连接于反应腔室210侧壁上的支管。化学气相沉积设备还包括主管270。多个支管均和主管270相连通，主管270还用于与抽吸设备相连。如此，抽吸设备工作时在主管270上产生抽吸力，主管270由于分别与多个支管相连，即分别在多个支管上产生抽吸力，从而能实现反应腔室210的多个出气部233处的反应气体分别通过多个支管向外抽出。此外，由于多个支管通过并联连接至主管270，从而共用一个抽吸设备，使得结构得以简化。
当然，作为一些可选的方案，省略掉主管270，抽吸设备设有与多个支管对应相连的多个接头；或者，抽吸设备设为多个，并分别与多个支管对应相连。
请参阅图2与图3，在一个实施例中，气体输入部211设为至少两个，并间隔地设置于反应腔室210的底部。如此，至少两个气体输入部211能实现将至少两种反应气体分别输入到反应腔室210内部。至少两个气体输入部211输入到反应腔室210内部的至少两种反应气体具体可以根据实际需求灵活调整与设置，在此不进行限定。
在一个实施例中，气体输入部211为贯穿设置于反应腔室210上的气体输入管。
在一个实施例中，一种化学气相沉积方法，采用了上述任一实施例的化学气相沉积设备，化学气相沉积方法包括如下步骤：
使各个抽吸部212同步抽吸动作；
控制各个抽吸部212的抽吸效率，使抽吸部212的抽吸效率在从反应腔室210的底部至反应腔室210的顶部的方向上呈增大趋势。如此，靠近于反应腔室210顶部的抽吸部212的抽吸效率越大，使得更多的反应气体流向反应腔室210的顶部，从而使得反应腔室210的底部至顶部的气体浓度趋于一致。
上述的化学气相沉积方法，各个抽吸部212对反应腔室210侧壁上沿高度方向上的多个不同部位进行抽吸动作，使反应腔室210侧壁上沿其高度方向上的多个不同部位的反应气体都同步向外排出，这样能改善相关技术中反应腔室210底部至顶部的气体浓度逐渐减小导致的在不同高度位置处的衬底表面上沉积速度不同的缺陷，并使得反应腔室210的底部至顶部的气体浓度趋于一致，从而便无需如相关技术中采取提高顶部温度/降低底部温度的方式，能实现晶舟220沿其高度方向上的不同位置处的沉积速度相同，膜的厚度相同，阈值电压和电学性能得到提高，从而能提高半导体器件的产出稳定性。
在一个实施例中，化学气相沉积方法还包括步骤：
检测步骤，检测晶舟220上多个不同高度位置处的衬底表面上的薄膜沉积厚度大小；
可选地，检测步骤包括但不限于光学检测，通过光学仪器实时地检测薄膜沉积厚度大小。
判断步骤，根据多个薄膜沉积厚度大小进行判断晶舟220上多个不同高度位置处的衬底的沉积速度是否均衡；
具体而言，判断晶舟220上多个不同高度位置处的衬底的沉积速度是否均衡的方法包括：判断各个衬底的薄膜沉积厚度的偏差量是否在预设范围内，若偏差量在预设范围内，则表示各个衬底的沉积速度均衡一致；反之，若偏差量不在预设范围内，例如其中一个、两个或多个衬底的薄膜沉积厚度明显高于或低于其余衬底的薄膜沉积厚度，则表示各个衬底的沉积速度不均衡。
需要说明的是，预设范围具体可以根据实际需求灵活调整与设置，例如设置为1mm、2mm、3mm等等数值。
调整步骤，当判断到晶舟220上多个不同高度位置处的衬底的沉积速度大小不均衡时，通过调整晶舟220上沉积速度存在差异的衬底所在高度位置对应的抽吸部212的抽吸效率，和/或，通过调整晶舟220上沉积速度存在差异的衬底所在高度位置的温度大小。进一步地，在调整沉积速度存在差异的衬底所在高度位置的温度大小时，需要满足于晶舟220上沿其高度方向上不同位置处的温差例如在3℃至5℃以内，也即微调晶舟220上沿其高度方向上不同位置处的温度大小，以提高薄膜沉积厚度的精度。
作为一个具体示例，若其中一个衬底的沉积速度大小偏大，则使得沉积速度偏大的衬底所在高度位置对应的抽吸部212的抽吸效率降低；反之，若其中一个衬底的沉积速度大小偏小，则使得沉积速度偏大的衬底所在高度位置对应的抽吸部212的抽吸效率增大。
作为一个具体示例，若其中一个衬底的沉积速度大小偏大，则使得沉积速度偏大的衬底所在高度位置的温度降低；反之，若其中一个衬底的沉积速度大小偏小，则使得沉积速度偏大的衬底所在高度位置的温度增大。
作为一个具体示例，若其中一个衬底的沉积速度大小偏大，则使得沉积速度偏大的衬底所在高度位置对应的抽吸部212的抽吸效率降低，以及使得沉积速度偏大的衬底所在高度位置的温度降低；反之，若其中一个衬底的沉积速度大小偏小，则使得沉积速度偏大的衬底所在高度位置对应的抽吸部212的抽吸效率增大，以及使得沉积速度偏大的衬底所在高度位置的温度增大。如此，同步通过调整抽吸部212的抽吸效率大小，以及调整温度大小，能实现较为快速地调整衬底上的薄膜沉积速度，以及能提高衬底上薄膜厚度沉积精度，能实现晶舟220沿其高度方向上的不同位置处的沉积速度相同，从而能提高半导体器件的产出稳定性。
在一个实施例中，在使各个抽吸部212同步抽吸动作步骤之前还包括步骤：将反应气体通过气体输入部211输入到反应腔室210的内部。
在本申请的描述中，需要理解的是，若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等，这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，若有出现这些术语“第一”、“第二”，这些术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，若有出现术语“多个”，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等，这些术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现第一特征在第二特征“上”或“下”等类似的描述，其含义可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，若元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。若一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。如若存在，本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，所述化学气相沉积设备包括：
反应腔室，所述反应腔室的底部设有至少一个气体输入部，所述反应腔室的侧壁上沿其高度方向上设有依次间隔布置的多个抽吸部，所述抽吸部与所述反应腔室连通，还用于与抽吸设备相连通；
晶舟，所述晶舟设置于所述反应腔室的内部，所述晶舟沿其高度方向上设有依次间隔布置的用于支撑衬底的多个支撑部；
设置于所述反应腔室内部的隔离套，所述隔离套的底端设为开口端，所述开口端与所述反应腔室连通，所述晶舟穿设于所述开口端并伸入到所述隔离套内部，所述隔离套的侧壁沿高度方向上设有依次间隔布置的多个出气部，所述出气部与所述反应腔室连通并与所述抽吸部对应设置；
沿所述高度方向依次间隔设置的多个隔离件，所述隔离件与所述隔离套的外壁相连并对应设于相邻两个所述出气部之间；以及
对应设置于所述抽吸部上的气体控制阀。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述开口端与所述反应腔室的底壁壁面设有预设间隔；所述隔离套通过至少一个支撑件与所述反应腔室的壁体连接；所述气体输入部贯穿所述反应腔室的底部侧壁并伸入到所述反应腔室的内部。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述出气部与所述抽吸部的数量相同，且所述抽吸部与相对应的所述出气部位置相对设置。
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述出气部包括绕所述隔离套的中心轴线依次间隔设置的多个出气孔。
5.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述隔离套的顶端设为封闭端。
6.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述隔离件还与所述反应腔室的内壁相连。
7.根据权利要求6所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述隔离件包括环形密封板，所述环形密封板的内壁与所述隔离套的外壁相适应并密封连接，所述环形密封板的外壁与所述反应腔室的内壁相适应并密封连接。
8.根据权利要求6所述的化学气相沉积设备，其特征在于，多个所述隔离件依次等间隔布置。
9.一种化学气相沉积方法，其特征在于，采用了如权利要求1至8任一项所述的化学气相沉积设备，所述化学气相沉积方法包括如下步骤：
使各个所述抽吸部同步抽吸动作；
控制各个所述抽吸部的抽吸效率，使所述抽吸部的抽吸效率在从所述反应腔室的底部至所述反应腔室的顶部的方向上呈增大趋势。
10.根据权利要求9所述的化学气相沉积方法，其特征在于，所述化学气相沉积方法还包括步骤：
检测步骤，检测所述晶舟上多个不同高度位置处的衬底表面上的薄膜沉积厚度大小；
判断步骤，根据多个所述薄膜沉积厚度大小进行判断所述晶舟上多个不同高度位置处的沉积速度是否均衡；
调整步骤，当判断到多个不同高度位置处的衬底的沉积速度大小不均衡时，通过调整所述晶舟上沉积速度存在差异的衬底所在高度位置对应的抽吸部的抽吸效率，和/或，通过调整所述晶舟上沉积速度存在差异的衬底所在高度位置的温度大小。
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Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4696833A (en) * | 1982-08-27 | 1987-09-29 | Hewlett-Packard Company | Method for applying a uniform coating to integrated circuit wafers by means of chemical deposition |
| JPH05211122A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-08-20 | Nec Corp | 縦型減圧化学気相成長装置 |
| KR20010091670A (ko) * | 2000-03-17 | 2001-10-23 | 윤종용 | 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치 |
| KR20070095567A (ko) * | 2006-03-21 | 2007-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 저압화학기상증착장치를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| KR20080012802A (ko) * | 2006-08-03 | 2008-02-12 | 에비자 테크놀로지, 인크. | 라디칼 보조 배치식 막 증착법 |
| JP2008202146A (ja) * | 2008-04-21 | 2008-09-04 | Ulvac Japan Ltd | 縦型化学気相成長装置及び該装置を用いた成膜方法 |
| JP2013072119A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Ulvac Japan Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| CN103173742A (zh) * | 2013-04-12 | 2013-06-26 | 光垒光电科技（上海）有限公司 | 喷淋头以及气相沉积反应腔 |
| CN104025259A (zh) * | 2012-01-04 | 2014-09-03 | 株式会社Eugene科技 | 包括处理单元的基板处理装置 |
| CN208829761U (zh) * | 2018-09-12 | 2019-05-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种沉积炉管 |
| CN111188027A (zh) * | 2020-02-12 | 2020-05-22 | 南京大学 | 一种化学气相沉积设备和成膜方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102385545B1 (ko) * | 2015-07-23 | 2022-04-12 | 삼성전자주식회사 | 가스 인젝터를 갖는 웨이퍼 처리 장치 |
| CN110121763B (zh) * | 2017-02-23 | 2023-12-26 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质 |
| CN114606476A (zh) * | 2020-12-03 | 2022-06-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 薄膜的炉管沉积方法 |
-
2023
- 2023-06-20 CN CN202310729865.0A patent/CN116479406B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4696833A (en) * | 1982-08-27 | 1987-09-29 | Hewlett-Packard Company | Method for applying a uniform coating to integrated circuit wafers by means of chemical deposition |
| JPH05211122A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-08-20 | Nec Corp | 縦型減圧化学気相成長装置 |
| KR20010091670A (ko) * | 2000-03-17 | 2001-10-23 | 윤종용 | 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치 |
| KR20070095567A (ko) * | 2006-03-21 | 2007-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 저압화학기상증착장치를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| KR20080012802A (ko) * | 2006-08-03 | 2008-02-12 | 에비자 테크놀로지, 인크. | 라디칼 보조 배치식 막 증착법 |
| JP2008202146A (ja) * | 2008-04-21 | 2008-09-04 | Ulvac Japan Ltd | 縦型化学気相成長装置及び該装置を用いた成膜方法 |
| JP2013072119A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Ulvac Japan Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| CN104025259A (zh) * | 2012-01-04 | 2014-09-03 | 株式会社Eugene科技 | 包括处理单元的基板处理装置 |
| CN103173742A (zh) * | 2013-04-12 | 2013-06-26 | 光垒光电科技（上海）有限公司 | 喷淋头以及气相沉积反应腔 |
| CN208829761U (zh) * | 2018-09-12 | 2019-05-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种沉积炉管 |
| CN111188027A (zh) * | 2020-02-12 | 2020-05-22 | 南京大学 | 一种化学气相沉积设备和成膜方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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