TWI823528B - 夾式雙通道蓮蓬頭 - Google Patents

夾式雙通道蓮蓬頭 Download PDF

Info

Publication number
TWI823528B
TWI823528B TW111131432A TW111131432A TWI823528B TW I823528 B TWI823528 B TW I823528B TW 111131432 A TW111131432 A TW 111131432A TW 111131432 A TW111131432 A TW 111131432A TW I823528 B TWI823528 B TW I823528B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
holes
shower head
dual
channel
base
Prior art date
Application number
TW111131432A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202310136A (zh
Inventor
奇朗夏姆 霍納瓦爾
史瑞肯坦 拉裘
甘嘉哈 席拉溫
阿尼魯德哈 包爾
燿宏 楊
巴沙瓦拉賈香卡拉帕 肯剛帝
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202310136A publication Critical patent/TW202310136A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI823528B publication Critical patent/TWI823528B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/005—Nozzles or other outlets specially adapted for discharging one or more gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • B05B1/18—Roses; Shower heads
    • B05B1/185—Roses; Shower heads characterised by their outlet element; Mounting arrangements therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream

Abstract

示例性的雙通道蓮蓬頭可以包括上板，該上板界定第一複數個孔。該等蓮蓬頭可以包括具有下板的基部。該下板可以界定第二複數個孔和第三複數個孔。該第一複數個孔中的每一者可以與該第二複數個孔中相應的一者流體耦合，以界定從該蓮蓬頭的頂表面通過該蓮蓬頭的底表面延伸的流體路徑。該基部可以界定與該第三複數個孔流體耦合的氣體入口。該基部可以使用一個或多個緊固機構可拆離地與該上板耦合。該等蓮蓬頭可以包括定位在該上板與該下板之間的可壓縮墊片。

Description

夾式雙通道蓮蓬頭
本申請案主張於2021年8月25日所提出的標題為「CLAMPED DUAL-CHANNEL SHOWERHEAD」的第63/236,998號的美國專利申請案的權益和優先權，該美國專利申請案的整體內容特此以引用方式納入本文。
本技術與半導體製程和設備相關。更具體地說，本技術與處理系統電漿部件相關。
積體電路是藉由在基板表面上產生錯綜複雜的圖案的材料層的製程來實現的。在基板上生產圖案化的材料需要有控制的方法來移除暴露的材料。化學蝕刻用於各種用途，包括將光致抗蝕劑中的圖案轉移到底層中，使層薄化，或使已經存在於表面上的特徵的橫向尺寸薄化。通常情況下，希望有一種蝕刻製程，使一種材料的蝕刻速度比另一種材料快，從而促進例如圖案轉移製程。這樣的蝕刻製程被稱為對於第一材料是有選擇性的。由於材料、電路和製程的多樣性，已經研發了對於各種材料具有選擇性的蝕刻製程。
在基板處理區域內形成的局部電漿中產生的乾式蝕刻可以穿透更受約束的溝槽，並表現出較少的精密剩餘結構的變形。然而，隨著積體電路技術規模的不斷縮小，輸送前驅物的設備可能會影響到所用前驅物和電漿物種的均勻性和品質。
因此，需要改進系統部件，使其能有效地用於電漿環境，同時提供合適的劣化曲線。本技術解決了這些和其他的需求。
示例性的雙通道蓮蓬頭可以包括上板，該上板界定第一複數個孔。該等蓮蓬頭可以包括具有下板的基部。該下板可以界定第二複數個孔和第三複數個孔。該第一複數個孔中的每一者可以與該第二複數個孔中相應的一者流體耦合，以界定從該蓮蓬頭的頂表面通過該蓮蓬頭的底表面延伸的流體路徑。該基部可以界定與該第三複數個孔流體耦合的氣體入口。該基部可以使用一個或多個緊固機構可拆離地與該上板耦合。該等蓮蓬頭可以包括可壓縮墊片，該可壓縮墊片將該第一複數個孔和該第二複數個孔與該第三複數個孔流體隔離。該可壓縮墊片可以定位在該上板與該下板之間。
在一些實施例中，該第三複數個孔中的每一者可以與該第一複數個孔和該第二複數個孔流體隔離。該基部可以界定送氣室，該送氣室將該氣體入口與該第三複數個孔中的每一者流體耦合。該基部可以界定遞迴流動路徑，該遞迴流動路徑將該氣體入口與該送氣室流體耦合。該墊片可以包括由頂表面和底表面所表徵的主體。該頂表面和該底表面中的一者或兩者可以包括複數個噴口（spigot），該複數個噴口從該墊片的該主體向外突出。該複數個噴口中的每一者可以與該第一複數個孔中相應的一者垂直對準。該墊片可以包括聚四氟乙烯（PTFE）。該墊片的頂表面和該墊片的底表面中的一者或兩者可以包括複數個噴口，該複數個噴口從該墊片的主體向外突出。該墊片的厚度可以隨著與該墊片的中心的徑向距離增加而減少。該下板可以使用一個或多個緊固件可拆離地與該基部耦合。該墊片的厚度可以隨著與該墊片的中心的徑向距離增加而減少。
本技術的一些實施例可以包含雙通道蓮蓬頭。該等蓮蓬頭可以包括上板，該上板界定第一複數個孔。該等蓮蓬頭可以包括具有下板的基部。該下板可以界定第二複數個孔和第三複數個孔。該第一複數個孔中的每一者可以與該第二複數個孔中相應的一者流體耦合，以界定從該蓮蓬頭的頂表面通過該蓮蓬頭的底表面延伸的流體路徑。該基部可以界定與該第三複數個孔流體耦合的氣體入口。該基部可以使用一個或多個緊固機構可拆離地與該上板耦合。
在一些實施例中，該基部可以界定接收該上板的底座。該底座的外部區域可以朝向該底座的周邊向上漸縮。該上板的底表面的周緣可以是錐形的。該底座的該外部區域的錐度可以與該底座的該底表面的該周緣的錐度匹配。該上板的底表面可以包括從該底表面向下延伸複數個噴口。該複數個噴口中的每一者可以界定該第一複數個孔中相應的一者的至少一部分。該等蓮蓬頭可以包括複數個密封件。該複數個密封件中的每一者可以定位在該複數個噴口中相應的一者的底端與該下板的頂表面之間的界面處。該上板的底表面可以包括從該底表面向下延伸複數個噴口。該複數個噴口中的每一者可以界定該第一複數個孔中相應的一者的至少一部分。該下板的頂表面可以包括從該頂表面向上延伸的複數個接受器杯。該複數個接受器杯中的每一者可以接收該複數個噴口中相應的一者。該第一複數個孔中的每一者和該第二複數個孔中的每一者可以是大致圓柱形的。該第三複數個孔中的每一者的內壁可以向內漸縮到扼流點，該扼流點設置在該相應的孔的中間部分內。該基部可以包括至少部分地圍繞該基部的圓周延伸的加熱線圈。
本技術的一些實施例可以包含處理基板的方法。該等方法可以包括以下步驟：使電漿激發的物種通過第一複數個孔和第二複數個孔流動到處理腔室中，該第一複數個孔形成在蓮蓬頭的上板中，該第二複數個孔形成在該蓮蓬頭的下板中。該等方法可以包括以下步驟：使前驅物經由形成在該蓮蓬頭的基部中的氣體入口通過形成在該下板中的第三複數個孔流動到該處理腔室中。該上板可以使用一個或多個緊固機構可拆離地與該基部耦合。該等方法可以包括以下步驟：從定位在該處理腔室內的基板移除一定量的材料。
在一些實施例中，該蓮蓬頭可以包括定位在該上板與該下板之間的可壓縮墊片。使該前驅物流動可以包括以下步驟：經由遞迴流動路徑將該前驅物引入送氣室，該送氣室與該第三複數個孔中的每一者流體耦合，該遞迴流動路徑延伸於該氣體入口與該送氣室之間。
與傳統的系統和技術相比，這種技術可以提供許多好處。例如，雙通道蓮蓬頭的上板和/或下板可以可移除地與雙通道蓮蓬頭的基部耦合，以促進更好地清潔雙通道蓮蓬頭。此外，多種前驅物可以藉由該組件進行輸送，同時維持彼此間的流體隔離。例如，可以使用墊片、密封件和/或聯鎖機構來將兩個流體路徑彼此流體隔離。這些和其他的實施例，以及它們的許多優點和特徵，將結合下面的描述和附圖進行更詳細的描述。
雙通道蓮蓬頭和其他氣體分佈系統通常用於提供多個流體流動路徑，以將多種製程氣體輸送到半導體處理腔室的處理區域進行沉積和/或蝕刻操作。傳統的雙通道蓮蓬頭包括主體，該主體包括例如藉由銅焊、電子束焊接和/或其他技術來融合在一起的上板和下板。然而，這些雙通道蓮蓬頭可能難以清潔，因為小的孔尺寸可能使清潔溶液難以流入雙通道蓮蓬頭的內部。因此，殘留物可能會在蓮蓬頭的內部聚集。這種殘留物可能會改變通過蓮蓬頭的流導，並可能導致殘留物顆粒落在晶圓上。此外，製程氣體可能與殘留物發生反應。這些問題可能導致不均勻性問題和晶圓上（on wafer）的缺陷。
本技術藉由納入可移除地與雙通道蓮蓬頭的基部耦合的上板和/或下板，克服了這些挑戰。這使得蓮蓬頭能夠被打開，以暴露出各種蓮蓬頭部件的內部進行清潔。藉由促進對蓮蓬頭更好地清潔，本文所述的實施例可以提供更好的處理操作均勻性，並可以防止掉落缺陷（fall on defect）以及防止製程氣體與蓮蓬頭內任何殘留物的沉積物發生反應。此外，蓮蓬頭可以包括幫助流體隔離兩種不同氣體的流動路徑的墊片、密封件和/或聯鎖部件，這使得雙通道蓮蓬頭能夠將兩種不同的製程氣體輸送到處理腔室的處理區域，而這兩種氣體在到達處理區域之前不會混合。
儘管其餘的揭示內容將例行地識別利用所揭露技術的具體沉積製程，但人們將很容易理解，這些系統和方法同樣適用於其他沉積和清潔腔室，以及可能發生在所述腔室中的製程。因此，不應認為本技術限於僅供這些特定的沉積製程或腔室使用。本揭示內容將論述一個可能的系統和腔室，該系統和腔室可以包括依據本技術的實施例的基座，然後再描述依據本技術的實施例的這個系統的其他變化和調整。
圖1示出了依據所揭露的實施例的沉積、蝕刻、烘烤和/或固化腔室的處理工具100的一個實施例的俯視平面圖。在圖式中，一對FOUP（前開式晶圓傳送盒）102供應基板（例如各種指定直徑的半導體晶圓），這些基板可以由機器手臂104接收，並在被放入串接製程腔室109a-c的基板處理區段108a-f中的一者之前被放入低壓保持區域106。第二機器手臂110可以用於將基板從保持區域106運送到處理腔室108a-f並返回。
串接製程腔室109a-c的基板處理區段108a-f可以包括一個或多個系統部件，用於在其上沉積、退火、固化和/或蝕刻基板或膜。示例性的膜可以是可流動的介電體，但許多類型的膜可以用處理工具形成或處理。在一種配置中，處理腔室的兩對串接處理區段（例如108c-d和108e-f）可以用於在基板上沉積介電材料，而第三對串接處理區段（例如108a-b）可以用於對沉積的介電體進行退火。在另一種配置中，處理腔室的兩對串接處理區段（例如108c-d和108e-f）可以被配置為在基板上對介電膜進行沉積和退火操作兩者，而第三對串接處理區段（例如108a-b）可以用於對沉積的膜進行UV或電子束固化。在又另一種配置中，所有三對串接處理區段（例如108a-f）可以被配置為在基板上沉積和固化介電膜或將特徵蝕刻到沉積的膜中。
在又另一種配置中，兩對串接處理區段（例如108c-d和108e-f）可以用於介電體的沉積和UV或電子束固化兩者，而第三對串接處理區段（例如108a-b）可以用於介電膜的退火。此外，串聯處理區段108a-f中的一者或多者可以被配置為處理腔室，並且可以是濕式或乾式處理腔室。這些製程腔室可以包括在包括水分的大氣中加熱介電膜。因此，系統100的實施例可以包括濕式處理串接處理區段108a-b和退火串接處理區段108c-d，以對沉積的介電膜執行濕式和乾式退火兩者。將理解，系統100考慮到了介電膜的沉積、退火和固化腔室的其他配置。
圖2A是示例性製程腔室區段200的橫截面圖，在處理腔室內有劃分的電漿產生區域。在膜沉積期間（例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或碳氧化矽），製程氣體可以通過氣體入口組件205流入第一電漿區域215。遠端電漿系統（RPS）201可以處理氣體，然後，該氣體通過氣體入口組件205。在氣體入口組件205內可以看見兩個相異的氣體供應通道。第一通道206攜帶通過遠端電漿系統（RPS）201的氣體，而第二通道207繞過RPS 201。在所揭露的實施例中，第一通道206可以用於製程氣體，第二通道207可以用於處理氣體。製程氣體可以在進入遠端電漿系統（RPS）201內的第一電漿區域215之前被激發。依據所揭露的實施例示出了蓋體212、蓮蓬頭225和上面設置有基板255的基板支撐件265。蓋體212可以是金字塔形、圓錐形，或有擴展到寬的底部部分的狹窄的頂部部分的其他類似結構。也可以使用蓋體212的其他幾何形狀。蓋體（或導電的頂部部分）212和蓮蓬頭225之間顯示有絕緣環220，這允許相對於蓮蓬頭225向蓋體212施加AC電勢。絕緣環220可以定位在蓋體212與蓮蓬頭225之間，使電容耦合電漿（CCP）能夠在第一電漿區域中形成。擋板（未示出）可以另外位於第一電漿區域215中，以影響通過氣體入口組件205進入該區域的流體流。
流體（例如前驅物，例如含矽前驅物）可以藉由本文所述的蓮蓬頭的實施例流入處理區域233。從電漿區域215的製程氣體衍生的激發物種可以通過蓮蓬頭225中的孔，並與從蓮蓬頭流入處理區域233的前驅物發生反應。在處理區域233中可能存在很少電漿或不存在電漿。製程氣體和前驅物的激發衍生物可以在基板上方的區域中結合，有時也可以在基板上結合，以在基板上形成在所揭露的應用中可流動的膜。對於可流動的膜，隨著膜的生長，最近添加的材料可能擁有比底層材料更高的流動性。隨著有機物含量因蒸發而減少，流動性可能下降。間隙可以由使用這種技術的可流動膜填補，在沉積完成後不會在膜內留下傳統密度的有機物含量。固化步驟仍然可以用於進一步減少或移除沉積的膜中的有機物含量。
直接激發第一電漿區域215中的製程氣體，激發RPS中的製程氣體，或這兩種操作，可以提供一些好處。由於第一電漿區域215中的電漿，從製程氣體衍生的激發物種的濃度可能在處理區域233內增加。這種增加可能是由於電漿在第一電漿區域215中的位置造成的。與遠端電漿系統（RPS）201相比，處理區域233可能位於離第一電漿區域215更近的地方，使得供激發的物種通過與其他氣體分子、腔室壁和蓮蓬頭表面的碰撞離開激發態的時間更短。
在處理區域233內，從製程氣體衍生的激發物種的濃度的均勻性也可以提高。這可能是由第一電漿區域215的形狀造成的，它可能與處理區域233的形狀更相似。在遠端電漿系統（RPS）201中創建的激發物種，相對於通過蓮蓬頭225中心附近的孔的物種來說，可能會走更遠的距離，以通過蓮蓬頭225邊緣附近的孔。更大的距離可能導致激發物種的激發減少，並且例如可能導致靠近基板邊緣的生長速度減慢。在第一電漿區域215中激發製程氣體可以減輕這種變化。
處理氣體可以在RPS 201中被激發，並且可以在激發態下通過蓮蓬頭225進入處理區域233。或者，也可以向第一處理區施域加電源，以激發電漿氣體或增強來自RPS的已經被激發的製程氣體。雖然可以在處理區域233中產生電漿，但也可以不在處理區域中產生電漿。在一個例子中，處理氣體或前驅物的唯一激發可以來自於激發RPS 201中的處理氣體以與處理區域233中的前驅物發生反應。
處理腔室和這個論述的工具在2008年9月15日於所提出的第12/210,940號的專利申請案和於2008年9月15日所提出的第12/210,982號的專利申請案中得到更全面的描述，這些專利申請案以引用方式納入本文，條件是它們不會與所請求保護的態樣和本文的描述不一致。
圖2B-2C是本文所述處理腔室和氣體分佈組件中的前驅物流動過程的一個實施例的側面示意圖。用於處理腔室區段200的氣體分佈組件可以稱為雙通道蓮蓬頭（DCSH）或三通道蓮蓬頭（TCSH），並在本文圖3A-3E、4、5、6、7、8A、8B和9所述的實施例中詳細說明。雙通道或三通道蓮蓬頭可以實現介電材料的可流動沉積，以及在操作期間分離前驅物和處理液體。蓮蓬頭也可以用於蝕刻製程，該製程使蝕刻劑能夠分離在反應區之外，以提供有限的與腔室部件的交互作用。
前驅物可以藉由首先被引入蓮蓬頭225中由第一歧管226（或上板）和第二歧管227（或下板）界定的內部蓮蓬頭容積294來引入分佈區。歧管可以是界定複數個孔的穿孔板。內部蓮蓬頭容積294中的前驅物可以經由在下板中形成的孔296流295入處理區域233。這個流動路徑可以與腔室中的其餘製程氣體隔離，並可以使前驅物處於未反應或實質未反應的狀態，直到進入界定在基板255與下板227的底部之間的處理區域233。一旦進入處理區域233，前驅物就可以與處理氣體發生反應。前驅物可以藉由在蓮蓬頭225中形成的側面通道（如本文蓮蓬頭實施例中所示的氣體入口322、422、522、622、722、822、922）被引入蓮蓬頭225中所界定的內部蓮蓬頭容積294。製程氣體可以處於電漿狀態，包括來自RPS單元或來自第一電漿區域中產生的電漿的自由基。此外，還可以在處理區域中產生電漿。
處理氣體可以被提供到第一電漿區域215或上部容積中，該第一電漿區域或該上部容積由面板217和蓮蓬頭225的頂部界定。處理氣體可以在第一電漿區域215中進行電漿激發，以產生製程氣體電漿和自由基。或者，處理氣體在引入由面板217和蓮蓬頭225的頂部界定的第一電漿處理區域215之前，通過遠端電漿系統之後，可能已經處於電漿狀態。
然後，包括電漿和自由基的處理氣體可以被輸送到處理區域233，以便與通過通道（例如通道290）的前驅物進行反應，該等通道是通過蓮蓬頭板或歧管中的孔形成的。通過通道的處理氣體可以與內部蓮蓬頭容積294流體隔離，並且在處理氣體和前驅物兩者通過蓮蓬頭225時，可以不與通過內部蓮蓬頭容積294的前驅物發生反應。一旦進入處理容積，處理氣體和前驅物就可以混合並發生反應。
除了製程氣體和介電材料前驅物之外，還可以在不同時間為不同目的引入其他氣體。在沉積期間，可以引入處理氣體以從腔室壁、基板、沉積的膜和/或膜移除不需要的物種。處理氣體可以在電漿中被激發，然後用於減少或移除腔內部的殘留物含量。在其他揭露的實施例中，處理氣體可以在沒有電漿的情況下使用。當處理氣體包括水蒸氣時，可以使用質量流量計（MFM）、注射閥或藉由市售的水蒸氣產生器來實現輸送。處理氣體可以從第一處理區域通過RPS單元或繞過RPS單元引入，並可以在第一電漿區域中進一步激發。
孔291的開口的軸線292和孔296的開口的軸線297可以相互平行或實質平行。或者，軸線292和軸線297可以相互成角度，例如從約1°至約80°，例如從約1°至約30°。或者，相應的軸線292中的每一者可以相互成角度，例如從約1°至約80°，例如從約1°至約30°，並且相應的軸線297中的每一者可以相互成角度，例如從約1°至約80°，例如從約1°至約30°。
相應的開口可以是成角度的，如針對圖2B中的孔291所示，其中開口的角度從約1°至約80°，例如從約1°至約30°。孔291的開口的軸線292和孔296的開口的軸線297可以垂直於或實質垂直於基板255的表面。或者，軸線292和軸線297可以與基板表面成一定角度，例如小於約5°。
圖2C說明了處理腔室200和蓮蓬頭225的局部示意圖，說明前驅物流295從內部容積294通過孔296進入處理區域233。圖式還說明了替代性實施例，顯示兩個孔296的軸線297和297'相互成角度。
圖3A說明了雙通道蓮蓬頭300的上部透視圖。圖3A可以包括上文就圖2A論述的一個或多個部件，並且可以說明與該腔室有關的進一步細節。雙通道蓮蓬頭300可以用於執行半導體處理操作，包括前述的介電材料堆疊的沉積操作和/或蝕刻操作。雙通道蓮蓬頭300可以用於半導體處理腔室，如上面描述的腔室200，並且可以不包括所有的部件，如前面描述的額外的蓋體堆疊部件，這些部件可以理解為納入雙通道蓮蓬頭300的一些實施例中。在使用中，雙通道蓮蓬頭300可以具有實質水平的定向，使得通過其中形成的氣體孔的軸線可以垂直於或實質垂直於基板支撐件的平面（見圖2A中的基板支撐件265）。圖3B說明了雙通道蓮蓬頭300的分解透視圖。圖3C是雙通道蓮蓬頭300的橫截面側立面圖。圖3D和3E說明了雙通道蓮蓬頭300的氣體通道配置的橫截面俯視平面圖。
參考圖3A-3E，雙通道蓮蓬頭300一般包括具有環形主體340的基部335，上板320，和下板325。在一些實施例中，下板325可以與環形主體340一體地形成，而在其他的實施例中，下板325可以是單獨的部件。環形主體340可以是一個環，它有位於內徑處的內部環形壁301，位於外徑處的外部環形壁305，上表面315，和下表面310。上表面315和下表面310界定了環形主體340的厚度。導管或環形溫度通道或凹部可以界定在環形主體340內，並可以被配置為接收冷卻流體或加熱元件，該冷卻流體或該加熱元件可以用於維持或調節環形主體的溫度。例如，如圖3C所示，可以在底表面310中形成導管，並在其中設置加熱元件355。加熱元件355和/或冷卻通道可以圍繞環形主體340的全部或實質全部延伸。
一個或多個凹部和/或通道可以形成在環形主體中或由環形主體界定，如所揭露的實施例中所示，包括圖3D所示的實施例。環形主體可以包括在上表面中形成的上部凹部303。上部凹部303可以是在環形主體340中形成的上部凹部。如圖3B和3C所示，第一流體通道306可以界定在上表面315中，並可以位於環形主體中上部凹部303的徑向內側。第一流體通道306可以是環形的，並圍繞環形主體340的整個距離形成。在所揭露的實施例中，上部凹部303的底側部分與第一流體通道306的外壁相交。如圖3D和3E中的最佳說明，一些端口312可以界定在第一流體通道的內壁中，也可以界定在環形主體340的內部環形壁301中。端口312可以提供第一流體通道與界定在上板320與下板325之間的內部容積之間的通道。端口312可以在通道306的圓周周圍以特定的間隔界定，並可以促進在上板與下板之間界定的容積的整個區域進行分佈，這可以形成送氣室347。端口312之間的間隔可以是恆定的，也可以在不同的位置變化，以影響流體進入容積的流動。在一些實施例中，每個端口312的長度可以是恆定的，如圖3D中所示。在其他實施例中，一個或多個端口312a可以延伸到送氣室347的內部更遠的距離。例如，如圖3E所示，四個（八個中的四個）等距隔開的端口312a可以比其餘的端口312進一步延伸入送氣室347的中心（例如超出通道306的半徑的30%，超出或約為半徑的40%，超出或約為半徑的50%，超出或約為半徑的60%，超出或約為半徑的70%，超出或約為半徑的80%，或更多）。將理解，可以利用任何數量和/或配置的端口來實現送氣室347內的期望氣體分佈。第一流體通道306在徑向上的內壁和外壁可以有類似或不同的高度。例如，內壁可以形成得比外壁高，以影響流體在第一流體通道中的分佈，以避免或實質上避免流體流過第一流體通道的內壁。
再次參考圖3B和圖3C，可以在上表面315中界定第二流體通道308，該通道位於環形主體中第一流體通道306的徑向外側。第二流體通道308可以是環形的，並且位於第一流體通道306的徑向外側並與之同心。第二流體通道308也可以位於第一上部凹部303的徑向外側。第二複數個端口314可以界定在環形主體340的一部分中，該部分界定了第一流體通道306的外壁和第二流體通道308的內壁。第二複數個端口314可以在通道周圍以預定距離的間隔定位，以在第二流體通道308周圍的幾個位置處向第一流體通道306提供流體通路。在操作中，前驅物可以從製程腔室外部流向位於環形主體340的側面中的輸送通道或氣體入口322。流體可以流入第二流體通道308，通過第二複數個端口314進入第一流體通道306，通過第一複數個端口312進入界定在上板與下板之間的送氣室347，並通過位於下板中的第三孔375。因此，以這種方式提供的流體可以與通過第一孔360（形成在上板320中）和第二孔365（形成在下板325中）輸送到第一電漿區域中的任何流體隔離或實質隔離，直到這些流體單獨離開下板325。流體通道和流體端口可以一起界定遞迴流動路徑，該路徑將氣體入口322與送氣室347流體耦合，以在送氣室347內均勻地分佈流體。
上板320可以是圓盤狀的主體，並且可以在第一上部凹部303或其他底座處與環形主體340耦合。因此，上板320可以覆蓋第一流體通道306，以防止或實質防止流體從第一流體通道306的頂部流動。上板的直徑可以被選擇為與上部凹部303的直徑相匹配，並且上板可以包括通過其中形成的複數個第一孔360。如圖3A所示，第一孔360可以在上板320上以多邊形圖案佈置，使得通過最外側的第一孔360的中心畫出的假想線界定或實質界定多邊形圖形，這可以是例如六個邊的多邊形。
該圖案還可以具有約5列至約60列的交錯列陣列，例如從約15列至約25列的第一孔360。沿著y軸線，每個列可以具有從約5個至約20個第一孔360，其中每個列隔開約0.4至約0.7吋。一列中的每個第一孔360可以相對於先前的孔沿著x軸線從各自相應的直徑位移約0.4至約0.8吋。第一孔360可以相對於另一列中的孔沿著x軸線從各自相應的直徑錯開約0.2至約0.4吋。第一孔360可以在每一列中彼此等距。
上板320可以可移除地緊固到基部335的環形主體340。例如，上板320的周緣可以包括螺釘、螺栓、夾具和/或其他的緊固機構380。緊固機構380可以通過上板320的厚度延伸並延伸到環形主體340的至少一部分中。例如，上板320的邊緣區域可以比上板320的中間區域更薄，使得緊固機構380的頂表面可以定位在上板320的中間區域的頂表面下方。藉由使用緊固機構380，上板320可以可移除地固定到基部335，這可以促進更好地清潔雙通道蓮蓬頭300，因為一旦上板320被移除，清潔溶液就可以直接施加到雙通道蓮蓬頭300的內表面。
下板325可以有圓盤狀的主體，一些第二孔365和第三孔375通過其中形成，如圖3C中特別看到的那樣。下板325可以有多個厚度，其中所界定的部分的厚度大於上板320的中心厚度，並且在所揭露的實施例中，至少約為上板320厚度的兩倍。下板325的直徑也可以與環形主體340的內部環形壁301在第一下部凹部302處的直徑相配合。下板325可以與環形主體340分開形成，並且可以使用一個或多個緊固機構可移除地與環形主體340配合。在其他實施例中，下板325可以永久地與環形主體340耦合，例如藉由將這些部件銅焊在一起來耦合。在其他實施例中，下板325可以與環形主體340一體地形成。如所述，下板325可以有多個厚度，例如該板的第一厚度可以是第三孔375延伸通過的厚度。大於第一厚度的第二厚度可以是第二孔365周圍的板的厚度。例如，第二孔365可以由下板325界定為朝向上板320向上延伸的圓柱形主體或噴口327。以這種方式，可以在第一孔與第二孔之間形成通道，這些通道彼此之間是流體隔離的。此外，形成在上板與下板之間的送氣室347可以與形成在第一孔與第二孔之間的通道流體隔離。因此，通過第一孔360流動的流體將通過第二孔365流動，而板子之間的送氣室347內的流體將通過第三孔375流動，這些流體將彼此流體隔離，直到它們通過第二孔或第三孔中的任一者離開下板325。這種分離可以提供許多好處，包括防止自由基前驅物在到達反應區之前與第二前驅物接觸。藉由防止氣體的相互作用，在需要沉積的處理區域之前，可以將腔室內的沉積降到最低。
第二孔365可以佈置成與上述第一孔360的圖案一致的圖案。在一個實施例中，當上板320和下板325一個放在另一個上面時，第一孔360和第二孔365的軸線對準。在所揭露的實施例中，上板和下板可以相互耦合或直接黏合在一起。在任一情況下，板子的耦合可以發生，使得第一孔和第二孔對準，以形成通過上板和下板的通道。該複數個第一孔360和該複數個第二孔365的各自軸線可以相互平行或實質平行，例如孔360、365可以是同心的。或者，該複數個第一孔360和該複數個第二孔365的各自軸線可以彼此以從約1°至約30°的角度設置。在下板325的中心處，可以沒有第二孔365。
如前所述，雙通道蓮蓬頭300一般由環形主體340、上板320和下板325組成。如圖3B所示，下板325可以被定位在第一下部凹部303內，其中凸起的圓柱形主體或噴口327面向上板320的底表面。然後，下板325可以被定位在第一下部凹部304中，並可旋轉地定向，使得第一孔360和第二孔365的軸線可以對準。
該複數個第二孔365和該複數個第三孔375可以形成交替的交錯列。第三孔375可以佈置在下板325的至少兩個第二孔365之間。在每個第二孔365之間可以有第三孔375，該第三孔在兩個第二孔365之間均勻地隔開。也可以有一些以六邊形圖案圍繞下板325的中心定位的第三孔375，例如六個第三孔，或者一些形成另一種幾何形狀的第三孔375。在下板325的中心中可以沒有形成第三孔375。在形成第二孔的多邊形圖案的頂點的周邊第二孔365之間，也可以沒有第三孔375的位置。或者，可以有位於周邊第二孔365之間的第三孔375，也可以有位於周邊第二孔365外側的額外的第三孔375，形成最外側的孔環，例如如圖3C所示。
或者，第一孔和第二孔的佈置可以作出任何其他的幾何圖案，並可以作為孔環分佈，這些孔環彼此同心地向外定位並基於板子上居中的位置定位。作為一個例子，在不限制本技術的範圍的情況下，圖3A示出了由孔形成的圖案，該圖案包括從中心向外延伸的同心六邊形環。每個位於外側的環可以比位於內側的前一個環有相同數量、更多或更少的孔。在一個例子中，每個同心環可以基於每個環的幾何形狀有額外數量的孔。在六邊多邊形的例子中，每個向外移動的環可以比位於直接內側的環多出六個孔，其中第一個內環有六個孔。在第一孔環位於離上板和下板的中心最近的地方的情況下，上板和下板可以有超過兩個環，並且取決於所使用的孔的幾何圖案，可以有約一個至約五十個孔環。或者，板子可以有大約兩個至大約四十個環，或者最多到大約三十個環、大約二十個環、大約十五個環、大約十二個環、大約十個環、大約九個環、大約八個環、大約七個環、大約六個環等，或者更少。在一個例子中，如圖3A所示，在示例性的上板上可以有九個六邊形環。
這些同心孔環也可以沒有其中一個同心孔環，或者可以從其他環之間移除其中一個向外延伸的同心孔環。例如，參考板子上有九個示例性的六邊形環的圖3A，板子可以替代地有八個環，但可能是第四環被移除。在這樣的例子中，在第四環原本的位置可以不形成通道，這可以重新分佈通過孔的流體氣體流。這些環也可以從幾何圖案中移除某些孔。例如，再次參考圖3A，板子上可以形成顯示為最外環的第十個六邊形孔環。然而，該環可以不包括會形成六邊形圖案的頂點的孔，或環內的其他孔。
第一孔360、第二孔365和第三孔375都可以適於允許流體通過其中。第一孔360和第二孔365可以有圓柱形形狀，也可以有不同的橫截面形狀，包括圓錐形、圓柱形，或多種形狀的組合。在一個例子中，如圖3C所示，第一孔和第二孔可以有實質圓柱形的形狀，第三孔可以由一系列不同直徑的圓柱體形成。例如，第三孔可以包括三個圓柱體，其中第二個圓柱體的直徑小於其他圓柱體的直徑。這些和許多其他的變化都可以用來調節通過孔的流體流量。如所示，第三孔375可以包括與圓柱形區域接合的向內漸縮的圓錐截頭錐，這在孔的中間部分作為扼流點。扼流點可以過渡到向外漸縮的圓錐截頭錐，然後過渡到更大的圓柱形區域，然而在不同的實施例中可以利用其他的孔輪廓。
當所有第一孔和第二孔的直徑相同時，通過通道的氣體流可能不均勻。當製程氣體流入處理腔室時，氣體的流動可能是這樣的，即優先讓更多的氣體通過某些通道流動。因此，某些孔的直徑可以比某些其他孔的直徑小，以便在前驅物流被輸送到第一電漿區域中時重新分佈前驅物流。孔的直徑可以由於孔的相對位置（例如接近擋板）而選擇性地減少，因此，位於擋板附近的孔的直徑可以減少，以減少通過這些孔的製程氣體的流量。在一個例子中，如九個六邊形的第一孔環同心地定位在板子上的圖3A所示，某些孔環的一些孔或所有孔的直徑可以減少。例如，第四環可以包括第一孔的子集，其直徑比其他環中的第一孔小。或者，第二環到第八環、第二環到第七環、第二環到第六環、第二環到第五環、第二環到第四環、第三環到第七環、第三環到第六環、第三環到第五環、第四環到第七環、第四環到第六環、第二環和第三環、第三環和第四環、第四環和第五環、第五環和第六環等，或某種其他的環組合，位於那些環中的一些孔或所有孔的孔直徑可以減少。
雙通道蓮蓬頭300可以包括可壓縮墊片385，該墊片可以設置在上板320與下板325之間。例如，墊片385可以是大致圓盤形的，並且可以被定位成使得墊片385覆蓋送氣室347的頂部。在特定的實施例中，環形主體340可以界定凸耳，該凸耳定位在通道306、308的徑向內側和/或上方，支撐著墊片385的底表面。墊片385可以界定複數個孔390，每個孔390可以有與第一複數個孔360和第二複數個孔365中相應的一者的軸線對準的軸線，以界定通過雙通道蓮蓬頭300的厚度的流動路徑。墊片385可以由耐化學腐蝕的可壓縮材料形成。合適的材料可以包括但不限於聚四氟乙烯（PTFE）、熱塑性塑膠（如Celazole® PBI、Semitron® ESD）和/或其他可承受電漿化學環境的可壓縮和耐化學腐蝕的材料。墊片385的厚度可以在約0.10吋與約0.50吋之間，在約0.15吋與約0.45吋之間，在約0.20吋與約0.40吋之間，在約0.25吋與約0.35吋之間，在約0.275吋與約0.325吋之間，或在約0.2875吋與約0.3125吋之間。當上板320被緊固到環形主體340時，墊片385可以密封送氣室347的頂部，以將送氣室347和第三孔375與第一孔360、第二孔365和孔390流體隔離。
環形主體340可以界定隔離通道324。例如，隔離通道324可以形成在環形主體340的頂表面中，該頂表面在通道306、308的徑向外側，使得當上板320設置在第一凹部303內時，隔離通道324的頂部被上板320覆蓋。在操作中，隔離通道可以接收例如O型環326，或其他的隔離設備。O型環326可以提供真空密封，將雙通道蓮蓬頭300的內部與腔室的其餘部分分開。
如上所述，在一些實施例中，下板可以可移除地與基部的環形主體耦合。圖4說明了雙通道蓮蓬頭400的實施例的橫截面側立面圖，該蓮蓬頭包括可移除的下板425。雙通道蓮蓬頭400可以包括雙通道蓮蓬頭300的任何特徵或特性，並且可以被納入可以使用雙通道蓮蓬頭的任何腔室中，包括之前描述的任何腔室。例如，雙通道蓮蓬頭400可以包括具有環形主體440的基部435。雙通道蓮蓬頭400可以包括界定一些第一孔460的上板420和界定與第一孔460對準的第二孔465的下板425。上板420可以可移除地緊固到環形主體440。下板425也可以界定第三孔475，它們與第一孔460和第二孔465流體隔離。例如，第三孔475可以經由一個或多個通道406、408和/或送氣室447與氣體入口422流體耦合。墊片485可以定位在上板420與下板425之間，以將送氣室447和第三孔475與第一孔460、第二孔465和孔490（其可以藉由墊片485形成）流體隔離。
下板425可以包括凸緣423，該凸緣延伸於下板425的內部區域的徑向外側，該內部區域界定了第二孔465和第三孔475。凸緣423可以有頂表面，該頂表面相對於下板425的第一厚度的頂表面而言是凹陷的，並且可以抵著環形主體440的底表面安置。例如，環形主體440可以界定接收凸緣423的凹部，該凹部的上表面與凸緣423的上表面接觸，該凹部的外表面與凸緣423的外表面接觸。一些緊固件424（如螺釘、螺栓、夾具和/或其他緊固機構）可以用於將下板425與環形主體440可移除地耦合。藉由使下板425可從環形主體440移除，雙通道蓮蓬頭400的內部區域可以更容易地進行清潔，而不會因為各種孔限制清潔溶液流入雙通道蓮蓬頭400的內部。此外，下板425與環形主體440的分離可以使其更容易將複雜的特徵用機械加工到雙通道蓮蓬頭400中。
圖5說明了依據本發明的雙通道蓮蓬頭500的一個實施例的橫截面側立面圖。雙通道蓮蓬頭500可以包括雙通道蓮蓬頭300或400的任何特徵或特性，並且可以被納入可以使用雙通道蓮蓬頭的任何腔室中，包括之前描述的任何腔室。例如，雙通道蓮蓬頭500可以包括具有環形主體540的基部535。雙通道蓮蓬頭500可以包括界定一些第一孔560的上板520和界定與第一孔560對準的第二孔565的下板525。下板525也可以界定第三孔575，它們與第一孔560和第二孔565流體隔離。例如，第三孔575可以經由一個或多個通道506、508和/或送氣室547與氣體入口522流體耦合。上板520和/或下板525可以與環形主體540可移除地緊固在一起，如就圖3A-3E和圖4的描述。墊片585可以定位在上板520與下板525之間，以將送氣室547和第三孔575與第一孔560、第二孔565和孔590（其可以藉由墊片585形成）流體隔離。
墊片585的厚度可以隨著與墊片585的中心的徑向距離增加而減少。換句話說，墊片585的內部區域可以比墊片585的周邊區域更厚。這可以有助於在上板520被緊固到環形主體540時，更好地相對於第一孔560、第二孔565和孔590密封送氣室547和第三孔575。例如，由緊固機構580施加的壓縮力在緊固機構580附近（例如在上板520的周邊區域附近）更大。因此，為了更好地壓縮和密封送氣室547，墊片585的內部區域內可以更厚，以計及由上板520的中間部分施加的較低壓縮程度。內部區域和外部區域的厚度之間的過渡可以是線性/成角度的、有輪廓的和/或步進的，以創建兩個或更多個不同厚度的區域。如所示，墊片585有彎曲的厚度過渡，隨徑向距離而變化。在一些實施例中，墊片585的中心可以是周邊區域的厚度的至少或大約1.5倍，周邊區域的厚度的至少或大約2倍，周邊區域的厚度的至少或大約2.5倍，周邊區域的厚度的至少或大約3倍，周邊區域的厚度的至少或大約4倍，周邊區域的厚度的至少或大約5倍，周邊區域的厚度的至少或大約6倍，周邊區域的厚度的至少或大約7倍，周邊區域的厚度的至少或大約8倍，周邊區域的厚度的至少或大約9倍，周邊區域的厚度的至少或大約10倍，或者更大。
在一些實施例中，墊片可以包括定位在墊片的頂表面和/或底表面上的圓柱形主體和/或噴口。噴口可以提供更多的材料厚度和/或更薄的側壁，這可以增加墊片的壓縮量，以更好地相對於第一孔和第二孔密封送氣室。圖6說明了依據本發明的雙通道蓮蓬頭600的一個實施例的橫截面側立面圖。雙通道蓮蓬頭600可以包括雙通道蓮蓬頭300、400或500的任何特徵或特性，並且可以被納入可以使用雙通道蓮蓬頭的任何腔室中，包括之前描述的任何腔室。例如，雙通道蓮蓬頭600可以包括具有環形主體640的基部635。雙通道蓮蓬頭600可以包括界定一些第一孔660的上板620和界定與第一孔660對準的第二孔665的下板625。下板625也可以界定第三孔675，它們與第一孔660和第二孔665流體隔離。例如，第三孔675可以經由一個或多個通道606、608和/或送氣室647與氣體入口622流體耦合。上板620和/或下板625可以與環形主體640可移除地緊固在一起，如就圖3A-3E和圖4的描述。墊片685可以定位在上板620與下板625之間，以將送氣室647和第三孔675與第一孔660、第二孔665和孔690（其可以藉由墊片685形成）流體隔離。
墊片685的底表面可以包括一些從底表面向下延伸的圓柱形主體或噴口687。例如，噴口687可以向下延伸並環繞通過墊片685的厚度形成的每個孔690，使得噴口687部分地界定由第一孔和第二孔通過雙通道蓮蓬頭600的厚度形成的流體路徑。在一些實施例中，每個噴口687的高度可以是相同的，而在其他實施例中，靠近墊片685的中心的噴口的高度可以大於接近墊片685的周緣的噴口687的高度。不同高度的噴口687之間的過渡可以以線性的、有輪廓的和/或步進的方式進行。在具有線性和/或輪廓過渡的實施例中，每個單獨的噴口687的底表面可以有可變的高度。步進的過渡可以包括階梯，這些階梯包括單列噴口687和/或包括多列噴口687。在一些實施例中，每個噴口687的高度可以介於約0.05吋與約0.375吋之間，介於約0.1吋與約0.35吋之間，介於約0.15吋與約0.3吋之間，或介於約0.2吋與約0.25吋之間。雖然圖中的噴口687從墊片685的底表面向下延伸，但在一些實施例中，墊片685可以反轉，使得噴口687從墊片685的上表面向上延伸。墊片685的彈性模量可以被選為防止噴口687被上板620壓縮時發生明顯的橫向變形。
圖7說明了依據本發明的雙通道蓮蓬頭700的一個實施例的橫截面側立面圖。雙通道蓮蓬頭700可以包括雙通道蓮蓬頭300、400、500或600的任何特徵或特性，並且可以被納入可以使用雙通道蓮蓬頭的任何腔室中，包括之前描述的任何腔室。例如，雙通道蓮蓬頭700可以包括具有環形主體740的基部735。雙通道蓮蓬頭700可以包括界定一些第一孔760的上板720和界定與第一孔760對準的第二孔765的下板725。下板725也可以界定第三孔775，它們與第一孔760和第二孔765流體隔離。例如，第三孔775可以經由一個或多個通道706、708和/或送氣室747與氣體入口722流體耦合。上板720和/或下板725可以與環形主體740可移除地緊固在一起，如就圖3A-3E和圖4的描述。墊片785可以定位在上板720與下板725之間，以將送氣室747和第三孔775與第一孔760、第二孔765和孔790（其可以藉由墊片785形成）流體隔離。
墊片785的頂表面和底表面都可以包括一些圓柱形主體或噴口787，它們從墊片785的相應表面向上或向下延伸。例如，噴口787a可以從上表面向上延伸並環繞通過墊片785的厚度形成的每個孔790，而噴口787b可以從底表面向下延伸並環繞通過墊片785的厚度形成的每個孔790，使得噴口787部分地界定由第一孔和第二孔通過雙通道蓮蓬頭700的厚度形成的流體路徑。在一些實施例中，每個噴口787的高度可以是相同的，而在其他實施例中，靠近墊片785的中心的噴口的高度可以大於接近墊片785的周緣的噴口787的高度。在一些實施例中，只有噴口787a或787b的高度可以變化，而墊片785的其他表面上的噴口在墊片785的整個表面區域上具有恆定的高度。不同高度的噴口787之間的過渡可以以線性的、有輪廓的和/或步進的方式進行。在具有線性和/或輪廓過渡的實施例中，每個單獨的噴口787的頂表面或底表面可以有可變的高度。步進的過渡可以包括階梯，這些階梯包括單列噴口787和/或包括多列噴口787。在一些實施例中，每個噴口787的高度可以介於約0.05吋與約0.375吋之間，介於約0.1吋與約0.35吋之間，介於約0.15吋與約0.3吋之間，或介於約0.2吋與約0.25吋之間。在一些實施例中，噴口787a和噴口787b的高度可以相同，而在其他實施例中，噴口787a可以比噴口787b更短或更高。
在一些實施例中，雙通道蓮蓬頭可以完全省略可壓縮墊片的使用。圖8A說明了依據本發明的雙通道蓮蓬頭800的一個實施例的橫截面側立面圖。雙通道蓮蓬頭800可以包括雙通道蓮蓬頭300、400、500、600或700的任何特徵或特性，並且可以被納入可以使用雙通道蓮蓬頭的任何腔室中，包括之前描述的任何腔室。例如，雙通道蓮蓬頭800可以包括具有環形主體840的基部835。雙通道蓮蓬頭800可以包括界定一些第一孔860的上板820和界定與第一孔860對準的第二孔865的下板825。下板825也可以界定第三孔875，它們與第一孔860和第二孔865流體隔離。例如，第三孔875可以經由一個或多個通道806、808和/或送氣室847與氣體入口822流體耦合。上板820和/或下板825可以與環形主體840可移除地緊固在一起，如就圖3A-3E和圖4的描述。
第一孔860可以延伸到上板820的底表面之外，從而形成一些凸起的圓柱形主體或噴口823。在每個噴口823之間可以有間隙。下板825可以包括一些接受器杯824，它們從下板825的上表面向上延伸。接受器杯824可以與噴口823軸向對準，並且可以具有內徑，其大小與每個噴口823的外徑實質匹配，使得每個噴口823可以嵌套在接受器杯824中相應的一者內和/或以其他方式與之聯鎖，其中接受器杯824的內壁觸碰或幾乎觸碰噴口823的外壁。由於接受器杯824和噴口823的壁緊鄰，可能不需要墊片，因為壁之間形成的間隙的不存在或狹窄性可能會創建阻力較大的區域，在正常操作壓力/條件下，該區域會阻止製程氣體在間隙內流動。
圖8B說明了依據本發明的雙通道蓮蓬頭800b的一個實施例的橫截面側立面圖。雙通道蓮蓬頭800b可以與雙通道蓮蓬頭800相同，但是在雙通道蓮蓬頭800b中形成於環形主體840b中的上部凹部803的至少一部分可以由錐形壁（而不是像雙通道蓮蓬頭800中提供的垂直壁）界定。類似地，上板820b的底表面可以有錐形的周緣827，該周緣的錐形程度可以與上部凹部803的錐形程度相匹配。這些錐形表面可以使上板820b能夠在部件被緊固在一起之前在環形主體840內自調整（self-align）。在部件之間形成的大錐形界面可以使部件能夠容易對準，而不需要使用其他較小的對準機構，如銷和插座連接，這些較小的對準機構在雙通道蓮蓬頭的組裝期間，在使用者試圖將對準特徵對準時，可能會容易損壞。
圖9說明了依據本發明的雙通道蓮蓬頭900的一個實施例的橫截面側立面圖。雙通道蓮蓬頭900可以包括雙通道蓮蓬頭300、400、500、600、700或800的任何特徵或特性，並且可以被納入可以使用雙通道蓮蓬頭的任何腔室中，包括之前描述的任何腔室。例如，雙通道蓮蓬頭900可以包括具有環形主體940的基部935。雙通道蓮蓬頭900可以包括界定一些第一孔960的上板920和界定與第一孔960對準的第二孔965的下板925。下板925也可以界定第三孔975，它們與第一孔960和第二孔965流體隔離。例如，第三孔975可以經由一個或多個通道906、908和/或送氣室947與氣體入口922流體耦合。上板920和/或下板925可以與環形主體940可移除地緊固在一起，如就圖3A-3E和圖4的描述。
第一孔960可以延伸到上板920的底表面之外，從而形成一些凸起的圓柱形主體或噴口923。在每個噴口923之間可以有間隙。雙通道蓮蓬頭900可以包括一些密封件995，這些密封件定位在該複數個噴口923中相應的一者的底端與下板925的頂表面之間的界面處。例如，密封件995可以是大體上環形的，其尺寸與每個噴口923的直徑大約相同。密封件995可以由耐化學腐蝕的可壓縮材料形成。在一些實施例中，密封件995可以包括彈性體、熱塑性材料和/或其他耐化學腐蝕的材料。當上板920被緊固到環形主體940時，密封件995可以被壓縮，以相對於第一孔和第二孔密封送氣室947和第三孔975。
圖10示出依據本技術的一些實施例的半導體處理的示例性方法1000的操作。方法1000可以在各種處理腔室中執行，包括上文所述的處理系統200，這些處理腔室可以包括依據本技術的實施例的雙通道蓮蓬頭，這些雙通道蓮蓬頭包括可移除的上板和/或下板，如雙通道蓮蓬頭300、400、500、600、700、800和900。方法1000可以包括一些可選的操作，這些操作可以或可以不特別與依據本技術的方法的一些實施例相關聯。
方法1000可以包括處理方法，該處理方法可以包括用於形成硬掩模膜的操作或其他的沉積和/或蝕刻操作。該方法可以包括在啟動方法1000之前的可選操作，或者該方法可以包括額外的操作。例如，方法1000可以包括用與所示的順序不同的順序執行的操作。在一些實施例中，方法1000可以包括以下步驟：在操作505處，使第一氣體通過第一複數個孔和第二複數個孔流動到處理腔室中，該第一複數個孔形成在蓮蓬頭的上板中，該第二複數個孔形成在蓮蓬頭的下板中。例如，第一氣體可以包括電漿產生氣體，例如但不限於CF4、NH3、NF3、Ar、He、H2O、H2、O2。在操作1010處，第二氣體可以經由形成在蓮蓬頭的基部中的氣體入口通過形成在下板中的第三複數個孔流動到處理腔室中。例如，第二氣體可以經由遞迴流動路徑引入到送氣室中，該送氣室與該第三複數個孔中的每一者流體耦合，該遞迴流動路徑延伸於氣體入口與送氣室之間。第二氣體可以包括氣體/前驅物混合物，並且可以取決於正在執行的操作。例如，第二氣體可以包括用於沉積製程的沉積化合物（例如含矽化合物）和用於蝕刻製程的蝕刻劑。第二氣體可以經由雙通道蓮蓬頭組件的第二複數個孔流入處理區域。在上板與下板之間可以設置可壓縮的墊片和/或單獨的孔密封件，以將第一孔和第二孔與第三孔流體隔離。在其他實施例中，上板和下板可以包括將第一孔和第二孔與第三孔流體隔離的聯鎖特徵。方法1000可以包括以下步驟：在操作1015處，移除定位在處理腔室內的基板上的一定量的材料。
在前面的描述中，出於解釋的目的，已經闡述了許多細節以提供對本發明的各種實施例的理解。然而，對於本領域的技術人員來說，顯而易見的是，可以在沒有一些這些細節的情況下或在有額外的細節的情況下實行某些實施例。
在已經揭露了幾個實施例的情況下，本領域的技術人員將認識到，在不偏離所揭露的實施例的精神的情況下，可以使用各種修改、替代構造和等效物。此外，為了避免不必要地掩蓋本發明，一些眾所周知的過程和元素沒有被描述。因此，不應將以上描述視為對本發明的範圍的限制。
在提供數值範圍的情況下，可以理解為，除非上下文有明確規定，否則該範圍的上下限之間的每個中間值，以下限的最小分數為單位，也是被具體揭露的。在某一規定範圍內的任何規定值或中間值與該規定範圍內的任何其他規定值或中間值之間的每個更小的範圍都包含在內。那些較小範圍的上限和下限可以獨立地在該範圍內被包括或排除，並且在該等較小範圍內包括任一極限、不包括任一極限或包括兩個極限的每個範圍也包括在本發明內，但須受制於規定範圍內任何具體排除的極限。如果規定的範圍包括一個或兩個極限，那麼排除那些所包括的極限中的任一者或兩者的範圍也包括在內。
如本文和所附請求項中所使用的，除非上下文另有明確規定，否則單數形式「一（a）」、「一（an）」和「該」包括了複數的指涉對象。因此，例如對「一孔」的指稱包括複數個這樣的孔，並且對「該板」的指稱包括對一個或多個板的指稱，以及其本領域的技術人員已知的等效物，等等。
並且，用詞「包括（comprise）」、「包括（comprising）」、「包含（contain）」、「包含（containing）」、「包括（include）」和「包括（including）」在被用在本說明書中和以下請求項中時，旨在指定所述的特徵、整數、部件或步驟的存在，但它們並不排除一個或多個其他的特徵、整數、部件、步驟、行為或群組的存在或添加。
100:處理工具 102:FOUP 104:機器手臂 106:保持區域 110:機器手臂 200:處理腔室 201:遠端電漿系統（RPS） 205:氣體入口組件 206:第一通道 207:第二通道 215:第一電漿區域 217:面板 220:絕緣環 225:蓮蓬頭 226:第一歧管 227:第二歧管 233:處理區域 255:基板 265:基板支撐件 290:通道 291:孔 292:軸線 294:內部容積 295:前驅物流 296:孔 297:軸線 300:雙通道蓮蓬頭 301:內部環形壁 303:上部凹部 304:下部凹部 305:外部環形壁 306:第一流體通道 308:第二流體通道 310:下表面 312:端口 314:端口 315:上表面 320:上板 322:氣體入口 324:隔離通道 325:下板 326:O型環 327:噴口 335:基部 340:環形主體 347:送氣室 355:加熱元件 360:第一孔 365:第二孔 375:第三孔 380:緊固機構 385:墊片 390:孔 400:雙通道蓮蓬頭 406:通道 408:通道 420:上板 422:氣體入口 423:凸緣 424:緊固件 425:下板 435:基部 440:環形主體 447:送氣室 460:第一孔 465:第二孔 475:第三孔 485:墊片 490:孔 500:雙通道蓮蓬頭 506:通道 508:通道 520:上板 522:氣體入口 525:下板 535:基部 540:環形主體 547:送氣室 560:第一孔 565:第二孔 575:第三孔 585:墊片 590:孔 600:雙通道蓮蓬頭 606:通道 608:通道 620:上板 622:氣體入口 625:下板 635:基部 640:環形主體 647:送氣室 660:第一孔 665:第二孔 675:第三孔 685:墊片 687:噴口 690:孔 700:雙通道蓮蓬頭 706:通道 708:通道 720:上板 722:氣體入口 725:下板 735:基部 740:環形主體 747:送氣室 760:第一孔 765:第二孔 775:第三孔 785:墊片 790:孔 800:雙通道蓮蓬頭 803:上部凹部 806:通道 808:通道 820:上板 822:氣體入口 823:噴口 824:接受器杯 825:下板 827:錐形的周緣 835:基部 840:環形主體 847:送氣室 860:第一孔 865:第二孔 875:第三孔 900:雙通道蓮蓬頭 906:通道 908:通道 920:上板 922:氣體入口 923:噴口 925:下板 935:基部 940:環形主體 947:送氣室 960:第一孔 965:第二孔 975:第三孔 995:密封件 1000:方法 1005:操作 1010:操作 1015:操作 108a:基板處理區段 108b:基板處理區段 108c:基板處理區段 108d:基板處理區段 108e:基板處理區段 108f:基板處理區段 109a:串接製程腔室 109b:串接製程腔室 109c:串接製程腔室 297':軸線 312a:端口 787a:噴口 787b:噴口 800b:雙通道蓮蓬頭 820b:上板 840b:環形主體
藉由參考本說明書的其餘部分和附圖，可以實現對所揭露技術的本質和優點的進一步理解。
圖1示出示例性處理工具的一個實施例的俯視平面圖。
圖2A-2C示出示例性處理腔室的示意橫截面圖。
圖3A-3E示出依據所揭露的技術的示例性蓮蓬頭配置的示意圖。
圖4示出依據所揭露的技術的示例性蓮蓬頭配置的示意圖。
圖5示出依據所揭露的技術的示例性蓮蓬頭配置的示意圖。
圖6示出依據所揭露的技術的示例性蓮蓬頭配置的示意圖。
圖7示出依據所揭露的技術的示例性蓮蓬頭配置的示意圖。
圖8A和8B示出依據所揭露的技術的示例性蓮蓬頭配置的示意圖。
圖9示出依據所揭露的技術的示例性蓮蓬頭配置的示意圖。
圖10是依據本技術的一些實施例的半導體處理的示例性方法的流程圖。
在附圖中，類似的部件和/或特徵可以有相同的數字參考標籤。進一步地，同一類型的各種部件可以藉由在參考標籤後面加上區分類似部件和/或特徵的字母來區分。如果在本說明書中只使用第一數字參考標籤，那麼該描述可適用於具有同一第一數字參考標籤的任何一個類似部件和/或特徵，而不論其字母後綴如何。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
300:雙通道蓮蓬頭
320:上板
335:基部
340:環形主體
355:加熱元件
360:第一孔

Claims (20)

  1. 一種雙通道蓮蓬頭，包括：一上板，界定第一複數個孔；一基部，包括一下板，該下板界定第二複數個孔和第三複數個孔，其中：該第一複數個孔中的每一者與該第二複數個孔中相應的一者流體耦合，以界定從該蓮蓬頭的一頂表面通過該蓮蓬頭的一底表面延伸的一流體路徑；該基部界定與該第三複數個孔流體耦合的一氣體入口；以及該基部使用一個或多個緊固機構可拆離地與該上板耦合；以及一可壓縮墊片，將該第一複數個孔和該第二複數個孔與該第三複數個孔流體隔離，該可壓縮墊片定位在該上板與該下板之間。
  2. 如請求項1所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該第三複數個孔中的每一者與該第一複數個孔和該第二複數個孔流體隔離。
  3. 如請求項1所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該基部界定一送氣室，該送氣室將該氣體入口與該第三複數個孔中的每一者流體耦合。
  4. 如請求項3所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該基部界定一遞迴流動路徑，該遞迴流動路徑將該氣體入口與該送氣室流體耦合。
  5. 如請求項1所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該墊片包括由一頂表面和一底表面所表徵的一主體；該頂表面和該底表面中的一者或兩者包括複數個噴口，該複數個噴口從該墊片的該主體向外突出；以及該複數個噴口中的每一者與該第一複數個孔中相應的一者垂直對準。
  6. 如請求項1所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該墊片包括聚四氟乙烯(PTFE)。
  7. 如請求項1所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該墊片的一頂表面和該墊片的一底表面中的一者或兩者包括複數個噴口，該複數個噴口從該墊片的一主體向外突出；以及該墊片具有一厚度，該厚度隨著與該墊片的一中心的一徑向距離增加而減少。
  8. 如請求項1所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該下板使用一個或多個緊固件可拆離地與該基部耦合。
  9. 如請求項1所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該墊片具有一厚度，該厚度隨著與該墊片的一中心的一徑向距離增加而減少。
  10. 一種雙通道蓮蓬頭，包括：一上板，界定第一複數個孔；以及 一基部，包括一下板，該下板界定第二複數個孔和第三複數個孔，其中：該第一複數個孔中的每一者與該第二複數個孔中相應的一者流體耦合，以界定從該蓮蓬頭的一頂表面通過該蓮蓬頭的一底表面延伸的一流體路徑；該基部界定與該第三複數個孔流體耦合的一氣體入口；以及該基部使用一個或多個緊固機構可拆離地與該上板耦合。
  11. 如請求項10所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該基部界定接收該上板的一底座。
  12. 如請求項11所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該底座的一外部區域朝向該底座的一周邊向上漸縮；該上板的一底表面的一周緣是錐形的；以及該底座的該外部區域的一錐度與該上板的該底表面的該周緣的一錐度匹配。
  13. 如請求項10所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該上板的一底表面包括從該底表面向下延伸的複數個噴口，該複數個噴口中的每一者界定該第一複數個孔中相應的一者的至少一部分；以及該蓮蓬頭包括複數個密封件，該複數個密封件中的每一者定位在該複數個噴口中相應的一者的一底端與該下板的一頂表面之間的一界面處。
  14. 如請求項10所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該上板的一底表面包括從該底表面向下延伸的複數個噴口，該複數個噴口中的每一者界定該第一複數個孔中相應的一者的至少一部分；以及該下板的一頂表面包括從該頂表面向上延伸的複數個接受器杯，該複數個接受器杯中的每一者接收該複數個噴口中相應的一者。
  15. 如請求項10所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該第一複數個孔中的每一者和該第二複數個孔中的每一者是大致圓柱形的。
  16. 如請求項10所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該第三複數個孔中的每一者的一內壁向內漸縮到一扼流點，該扼流點設置在該相應的孔的一中間部分內。
  17. 如請求項10所述的雙通道蓮蓬頭，其中：該基部包括至少部分地圍繞該基部的一圓周延伸的一加熱線圈。
  18. 一種處理一基板的方法，該方法包括以下步驟：使一第一氣體通過第一複數個孔和第二複數個孔流動到一處理腔室中，該第一複數個孔形成在一蓮蓬頭的一上板中，該第二複數個孔形成在該蓮蓬頭的一下板中； 使一第二氣體經由形成在該蓮蓬頭的一基部中的一氣體入口通過形成在該下板中的第三複數個孔流動到該處理腔室中，其中：該上板使用一個或多個緊固機構可拆離地與該基部耦合；以及從定位在該處理腔室內的該蓮蓬頭下方的該基板移除一定量的材料。
  19. 如請求項18所述的處理一基板的方法，其中：該蓮蓬頭包括定位在該上板與該下板之間的一可壓縮墊片。
  20. 如請求項18所述的處理一基板的方法，其中：使該第二氣體流動之步驟包括以下步驟：經由一遞迴流動路徑將一前驅物引入一送氣室，該送氣室與該第三複數個孔中的每一者流體耦合，該遞迴流動路徑延伸於該氣體入口與該送氣室之間。
TW111131432A 2021-08-25 2022-08-22 夾式雙通道蓮蓬頭 TWI823528B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163236998P 2021-08-25 2021-08-25
US63/236,998 2021-08-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202310136A TW202310136A (zh) 2023-03-01
TWI823528B true TWI823528B (zh) 2023-11-21

Family

ID=85288056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111131432A TWI823528B (zh) 2021-08-25 2022-08-22 夾式雙通道蓮蓬頭

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230064637A1 (zh)
KR (1) KR20240046593A (zh)
CN (1) CN117916846A (zh)
TW (1) TWI823528B (zh)
WO (1) WO2023027915A1 (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150129112A1 (en) * 2013-11-12 2015-05-14 Tokyo Electron Limited Shower head assembly, plasma processing apparatus and method for manufacturing a shower head assembly
US20180171472A1 (en) * 2016-12-15 2018-06-21 Asm Ip Holding B.V. Shower plate structure for exhausting deposition inhibiting gas
US20200224313A1 (en) * 2019-01-11 2020-07-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US20200365373A1 (en) * 2019-05-14 2020-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Shower head assembly and plasma processing apparatus having the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210022879A (ko) * 2019-08-21 2021-03-04 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150129112A1 (en) * 2013-11-12 2015-05-14 Tokyo Electron Limited Shower head assembly, plasma processing apparatus and method for manufacturing a shower head assembly
US20180171472A1 (en) * 2016-12-15 2018-06-21 Asm Ip Holding B.V. Shower plate structure for exhausting deposition inhibiting gas
US20200224313A1 (en) * 2019-01-11 2020-07-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US20200365373A1 (en) * 2019-05-14 2020-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Shower head assembly and plasma processing apparatus having the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20230064637A1 (en) 2023-03-02
WO2023027915A1 (en) 2023-03-02
CN117916846A (zh) 2024-04-19
TW202310136A (zh) 2023-03-01
KR20240046593A (ko) 2024-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11264213B2 (en) Chemical control features in wafer process equipment
US11101136B2 (en) Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US7829145B2 (en) Methods of uniformity control for low flow process and chamber to chamber matching
US8883029B2 (en) Method of making a gas distribution member for a plasma processing chamber
US20060196420A1 (en) High density plasma chemical vapor deposition apparatus
TW201324663A (zh) 用於改良之沉積均勻性的前驅物分配特性
CN116631901A (zh) 超高选择性的氮化物蚀刻以形成FinFET器件
US20210032753A1 (en) Methods and apparatus for dual channel showerheads
TWI823528B (zh) 夾式雙通道蓮蓬頭
TWI700388B (zh) 用於可流動式cvd的雙遠端電漿源的集成
CN110249073A (zh) 用于可流动cvd的扩散器设计
TWI814291B (zh) 均勻的原位清洗及沉積
US20230009859A1 (en) Asymmetric purged block beneath wafer plane to manage non-uniformity