JP6846993B2 - 基板保持具及びこれを用いた基板処理装置 - Google Patents
基板保持具及びこれを用いた基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6846993B2 JP6846993B2 JP2017119435A JP2017119435A JP6846993B2 JP 6846993 B2 JP6846993 B2 JP 6846993B2 JP 2017119435 A JP2017119435 A JP 2017119435A JP 2017119435 A JP2017119435 A JP 2017119435A JP 6846993 B2 JP6846993 B2 JP 6846993B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate holder
- top plate
- support column
- bottom plate
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 129
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 123
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
前記天板及び前記天板に連結された前記支柱のうち最も外側に位置する部分は、前記天板の近傍の上端付近の前記支柱の外側が削られることにより、前記底板及び前記底板に連結された前記支柱のうち最も外側に位置する部分よりも小さく形成されている。
先ず、本実施形態に係る基板処理装置100について、図1を参照しながら説明する。図1に、本実施形態に係る基板処理装置100の一例の概略構成図を示す。
次に、本発明の第1の実施形態に係る基板保持具及び基板処理装置について説明する。図2は、本発明の第1の実施形態に係るウエハボートを示した図である。図2(a)は、第1の実施形態に係るウエハボート90の上面図であり、図2(b)は、第1の実施形態に係るウエハボート90の正面図である。また、図2(c)は、図2(b)のD−D断面で切って上から見た切断上面図である。
図9は、本発明の第2の実施形態に係るウエハボート190の一例を示した図である。図9(a)は、第2の実施形態に係るウエハボート190の上面図であり、図9(b)は、第2の実施形態に係るウエハボート90の側断面図である。また、図9(c)は、図9(b)のD−D断面で切って上から見た切断上面図である。
図12は、第3の実施形態に係るウエハボート290の一例の構成を示した図である。第3の実施形態に係るウエハボート290は、支柱293の上端部の外周面が、テーパー加工ではなく段差加工され、段差形状を有している。この場合も、図12に示される通り、インナーチューブ11とのクリアランスを増加させることができ、干渉を防ぐことができる。このように、ウエハボート290の支柱293の最上部外側に段差加工を施し、段差形状によりインナーチューブ11との接触を回避する構成としてもよい。
図13は、本発明の第4の実施形態に係るウエハボート390の一例の構成を示した図である。第4の実施形態に係るウエハボート390は、支柱393の周方向の形状が第1乃至第3の実施形態に係るウエハボート90、190、290と異なっている。第1及び第2の実施形態において、支柱93、94、193の径方向において削った分を、周方向に付加して幅広に構成して強度を保つ構成について説明したが、そのような幅を広くする形状は、周方向において徐々広くする構成としてもよい。図13において、ウエハボート390の支柱393の幅(周方向の大きさ)が、下方から天板391に向かって徐々に広がっている構成が示されている。例えば、このような構成を採用し、支柱93、94、190、290の強度を保つようにしてもよい。
図14は、本発明の第5の実施形態に係るウエハボート490の一例の構成を示した図である。第5の実施形態に係るウエハボート490は、支柱493の周方向の形状が第1乃至第4の実施形態に係るウエハボート90、190、290、390と異なっている。第1及び第2の実施形態において、支柱93、94、193の径方向において削った分を、周方向に付加して幅広に構成して強度を保つ構成について説明したが、そのような幅を広くする形状は、周方向において段階的に、階段状に広くする構成としてもよい。図14において、ウエハボート490の支柱493の幅(周方向の大きさ)が、天板491に向かって段階的に広がっている構成が示されている。例えば、このような構成を採用し、支柱93、94、190、290の強度を保つようにしてもよい。
図15は、本発明の第6の実施形態に係るウエハボート590の一例の構成を示した図である。第6の実施形態に係るウエハボート590は、基板保持用支柱593に加えて、補助支柱594を備える点で、第2乃至第5の実施形態に係るウエハボート190、290、390、490と異なっている。第1、第2、第4及び第5の実施形態において、支柱93、94、193、393、493の径方向において削った分を、周方向に付加して幅広に構成して強度を保つ構成について説明したが、そのような幅を広くして強度を確保する形状を採用せず、補助支柱を追加する構成としてもよい。例えば、第1乃至第3の実施形態において説明した薄肉部を有し、径方向の肉厚を薄くする構成の支柱93、94、193、293を採用するとともに、支柱93、94、193、293の支柱の強度の低下を補うために、補助支柱594を設ける構成としてもよい。
図16は、本発明の第7の実施形態に係るウエハボート690の一例の構成を示した図である。第7の実施形態に係るウエハボート690は、ブランチ695を備える点で、第1乃至第6の実施形態に係るウエハボート190、290、390、490、590と異なっている。第1、第2、第4及び第5の実施形態において、支柱93、94、193、393、493の径方向において削った分を、周方向に付加して幅広に構成して強度を保つ構成について説明したが、そのような幅を広くして強度を確保する形状を採用せず、薄肉化した支柱693と天板691とを連結するブランチ695を追加する構成としてもよい。例えば、第1乃至第3の実施形態において説明した薄肉部を有し、径方向の肉厚を薄くする構成の支柱93、94、193、293を採用するとともに、支柱93、94、193、293の支柱の強度の低下を補うために、ブランチ695を設ける構成としてもよい。ブランチ695を設けることにより、支柱693の薄肉部を天板691に連結させることができ、支柱693の強度を簡素な構成で維持することができる。
図17は、第2の実施形態に係るウエハボート190を用いた基板処理装置の上面図である。第1乃至第7の実施形態で説明した通り、基板保持用支柱193の外周面を削り、ボート旋回径を縮小することにより、インナーチューブ11の内径を絞ることが可能となる。このような構成を採用することにより、インナーチューブ11の内径を2〜8mm程度縮小することができ、ウエハボート190とインナーチューブ11との間のクリアランスdを縮小し、処理ガスを逃がさずにウエハWに供給することができ、処理効率を高めることができる。
11 インナーチューブ
12 アウターチューブ
20 マニホールド
30 インジェクタ
50 蓋体
60 保温筒
70 ヒータ
80 制御部
90、190、290、390、490、590、690 ウエハボート
91、191 天板
91a、92a、191a、192a 円形部
91b、92b、191b、192b 突出部
92、192 底板
93、94、193、293、393、493、593、693 支柱
695 ブランチ
Claims (19)
- 天板と、底板と、該天板及び該底板の外縁部に端部が連結して設けられた複数本の支柱とを有し、基板を多段に保持可能な基板保持具であって、
前記天板及び前記天板に連結された前記支柱のうち最も外側に位置する部分は、前記天板の近傍の上端付近の前記支柱の外側が削られることにより、前記底板及び前記底板に連結された前記支柱のうち最も外側に位置する部分よりも小さく形成されている基板保持具。 - 前記支柱は、外形が前記天板及び前記底板の外形と一致するように、前記天板及び前記底板の主面の外周端に連結された請求項1に記載の基板保持具。
- 天板と、底板と、該天板及び該底板の外縁部に端部が連結して設けられた複数本の支柱とを有し、基板を多段に保持可能な基板保持具であって、
前記天板及び前記天板に連結された前記支柱のうち最も外側に位置する部分は、前記底板及び前記底板に連結された前記支柱のうち最も外側に位置する部分よりも小さく形成され、
前記支柱は、外形が前記天板及び前記底板の外形と一致するように、前記天板及び前記底板の主面の外周端に連結され、
前記天板及び前記底板は、円形部分と、
該円形部分から径方向外側に突出して張り出した支柱設置部を有する基板保持具。 - 前記天板に接続された前記支柱の頂部は、前記底板に接続された前記支柱の基部よりも前記径方向における肉厚が薄くなっており、肉厚が薄い分、前記天板の外形が前記底板の外形よりも小さく形成されている請求項3に記載の基板保持具。
- 前記支柱は、前記頂部付近の所定上部領域において、前記径方向において肉厚が薄くなった薄肉部を有する請求項4に記載の基板保持具。
- 前記薄肉部は、前記頂部に接近する程前記径方向における肉厚が薄くなる形状を有する請求項5に記載の基板保持具。
- 前記薄肉部は、前記頂部に接近する程前記径方向における肉厚が徐々に薄くなるテーパー形状を有する請求項6に記載の基板保持具。
- 前記薄肉部は、前記頂部に接近する程前記径方向における肉厚が段階的に薄くなる階段形状を有する請求項6に記載の基板保持具。
- 前記所定上部領域は、前記基板保持具の全長の1/10以下の領域に形成されている請求項5乃至8のいずれか一項に記載の基板保持具。
- 前記薄肉部は、前記薄肉部以外の部分の前記支柱よりも周方向に沿った幅が広く形成されている請求項5乃至9のいずれか一項に記載の基板保持具。
- 前記薄肉部は、前記薄肉部以外の部分の前記支柱と断面積が等しくなるように幅広に形成されている請求項10に記載の基板保持具。
- 前記薄肉部以外の部分の前記支柱の断面形状は円形であり、前記薄肉部は円の外側を削った形状となっている請求項5乃至11のいずれか一項に記載の基板保持具。
- 前記薄肉部以外の部分の前記支柱の断面形状は所定の下底と所定の高さを有する台形であり、前記薄肉部は前記所定の下底よりも幅が広く前記所定の高さよりも低い高さを有する台形である請求項5乃至11のいずれか一項に記載の基板保持具。
- 前記複数本の支柱は、基板を水平に載置可能な溝が鉛直方向に沿って複数形成され、複数の基板を多段に保持可能な溝構造を有する基板保持用支柱を少なくとも3本有する請求項1乃至13のいずれか一項に記載の基板保持具。
- 前記複数の支柱は、前記溝構造を有しない補強用支柱を更に有する請求項14に記載の基板保持具。
- 前記天板と前記基板保持用支柱とを連結する補強用ブランチを更に有する請求項14又は15に記載の基板保持具。
- 前記天板、前記底板及び前記支柱は石英からなる請求項1乃至16のいずれか一項に記載の基板保持具。
- 請求項1乃至17のいずれか一項に記載の基板保持具と、
該基板保持具を収容可能な縦長の処理容器と、
該処理容器内に設けられ、前記基板保持具の周囲を囲む円筒形の側面を含むインナーチューブと、
該インナーチューブ内で前記基板保持具に処理ガスを供給可能なインジェクタと、
前記処理容器の外側に設けられ、前記処理容器を加熱可能なヒータと、を有する基板処理装置。 - 前記インナーチューブの前記側面と前記基板保持具の外形との間隔は、互いに接触しない範囲で最小に設定されている請求項18に記載の基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017119435A JP6846993B2 (ja) | 2017-06-19 | 2017-06-19 | 基板保持具及びこれを用いた基板処理装置 |
KR1020180065826A KR102350502B1 (ko) | 2017-06-19 | 2018-06-08 | 기판 보유 지지구 및 이것을 사용한 기판 처리 장치 |
CN201810631924.XA CN109148342B (zh) | 2017-06-19 | 2018-06-19 | 基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017119435A JP6846993B2 (ja) | 2017-06-19 | 2017-06-19 | 基板保持具及びこれを用いた基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019004096A JP2019004096A (ja) | 2019-01-10 |
JP6846993B2 true JP6846993B2 (ja) | 2021-03-24 |
Family
ID=64802100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017119435A Active JP6846993B2 (ja) | 2017-06-19 | 2017-06-19 | 基板保持具及びこれを用いた基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6846993B2 (ja) |
KR (1) | KR102350502B1 (ja) |
CN (1) | CN109148342B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7245071B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2023-03-23 | 株式会社ジェイテクトサーモシステム | 基板支持装置 |
EP4101826A4 (en) | 2020-02-07 | 2024-03-06 | Kyocera Corp | WAFER BOAT |
CN113327884B (zh) * | 2020-02-29 | 2023-10-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000020923A (ko) * | 1998-09-24 | 2000-04-15 | 김덕중 | 웨이퍼 로딩용 보트 |
KR20010045803A (ko) * | 1999-11-08 | 2001-06-05 | 윤종용 | 웨이퍼 이송기의 보트 충돌 방지 장치 |
WO2004049430A1 (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-10 | Disco Corporation | 複数枚の半導体ウエーハを収容するためのカセット |
KR100891259B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2009-04-01 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 기판 보관 유지 장비, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2007035775A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US7748542B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-07-06 | Applied Materials, Inc. | Batch deposition tool and compressed boat |
JP4426518B2 (ja) | 2005-10-11 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP4745209B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2011-08-10 | 信越ポリマー株式会社 | 基板用キャリア |
JP5857776B2 (ja) * | 2011-04-08 | 2016-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持具及び縦型熱処理装置並びに縦型熱処理装置の運転方法 |
JP5358651B2 (ja) * | 2011-11-09 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
JP2015070046A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板保持具 |
JP5708843B2 (ja) * | 2014-02-18 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 支持体構造及び処理装置 |
JP6468901B2 (ja) * | 2015-03-19 | 2019-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN106409718A (zh) * | 2015-07-30 | 2017-02-15 | 东京毅力科创株式会社 | 立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法 |
JP6464990B2 (ja) * | 2015-10-21 | 2019-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
-
2017
- 2017-06-19 JP JP2017119435A patent/JP6846993B2/ja active Active
-
2018
- 2018-06-08 KR KR1020180065826A patent/KR102350502B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-19 CN CN201810631924.XA patent/CN109148342B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109148342A (zh) | 2019-01-04 |
KR20180138141A (ko) | 2018-12-28 |
CN109148342B (zh) | 2023-05-12 |
KR102350502B1 (ko) | 2022-01-14 |
JP2019004096A (ja) | 2019-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102207673B1 (ko) | 성막 장치, 성막 방법 및 단열 부재 | |
JP6846993B2 (ja) | 基板保持具及びこれを用いた基板処理装置 | |
KR101814478B1 (ko) | 지지체 구조, 처리 용기 구조 및 처리 장치 | |
US10961625B2 (en) | Substrate processing apparatus, reaction tube and method of manufacturing semiconductor device | |
US10364494B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP6867159B2 (ja) | 縁部クリティカルディメンジョンの均一性制御用のプロセスキット | |
KR102074668B1 (ko) | 기판 처리 장치, 석영 반응관, 클리닝 방법 및 프로그램 | |
US20190284696A1 (en) | Substrate processing apparatus and ceiling heater | |
JP2008172205A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応容器 | |
JP4990594B2 (ja) | ガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
US10340151B2 (en) | Substrate processing apparatus, heating apparatus, ceiling heat insulator, and method of manufacturing semiconductor device | |
CN104681467A (zh) | 支承体构造及处理装置 | |
US11542601B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
TW201921493A (zh) | 保護板、基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 | |
JP2020017757A (ja) | 基板処理装置、反応容器および半導体装置の製造方法 | |
CN100399517C (zh) | 气相生长装置 | |
JP2009194297A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱体 | |
US11098404B2 (en) | Multi-station chamber lid with precise temperature and flow control | |
US9558940B2 (en) | Method and apparatus for forming silicon film | |
JP5278376B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
JP2008166321A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
US20160230282A1 (en) | Heater member and substrate processing apparatus having the same | |
KR20130133672A (ko) | 실리콘막의 형성 방법 및 그의 형성 장치 | |
KR20220133261A (ko) | 샤워 헤드 및 기판 처리 장치 | |
JP6472356B2 (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210302 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6846993 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |