CN109148342A - 基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种不使构造复杂化、就能够防止气体的扩散、进行高效的基板处理的基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置。一种基板保持件，其具有：顶板；底板；以及多根支柱，其以端部与该顶板的外缘部和该底板的外缘部连结的方式设置，该基板保持件能够将基板保持成多层，在该基板保持件中，所述顶板和所述支柱的与所述顶板连结的部分中的位于最外侧的部分形成得比所述底板和所述支柱的与所述底板连结的部分中的位于最外侧的部分小。

Description

基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置。
背景技术
以往以来，公知有一种处理装置，该处理装置具有：保持件，其将被处理基板搭载保持成多层；以及处理容器，其收纳保持件并供给预定的处理气体，对被处理基板实施预定的热处理，在保持件内按照每个被处理基板形成有由隔壁板分隔开的处理空间(参照例如专利文献1)。
在该专利文献1所记载的处理装置中，处理容器是由上端都被封闭、并且一体化的内管部和外管部构成的双层管构造。另外，在内管部内收纳有保持件，在内管部的内表面形成有收纳用于导入处理气体的气体导入管的收纳槽部，通过尽可能缩小内管部的内周面与保持件的外周面之间的间隙，防止气体从各处理空间向相邻的其他处理空间扩散，谋求独立的处理空间的确保。由此，能够对许多张被处理基板的表面进行均匀的成膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-109711号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述的专利文献1所记载的结构中，按照保持成多层的每个被处理基板设置隔壁板，因此，存在如下问题：保持件的构造复杂化，并且一次能够搭载的被处理基板的张数比没有设置隔壁板的情况少，生产率降低。
因此，本发明的目的在于提供一种不使构造复杂化就能够防止气体的扩散、进行高效的基板处理的基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明的一形态的基板保持件具有：顶板；底板；以及多根支柱，其以端部与该顶板的外缘部和该底板的外缘部连结的方式设置，该基板保持件能够将基板保持成多层，在该基板保持件中，基于所述顶板和所述支柱的与所述顶板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径形成得比基于所述底板和所述支柱的与所述底板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径小。
发明的效果
根据本发明，能够防止所供给的气体的扩散，进行高效的基板处理。
附图说明
图1是本实施方式的基板处理装置的一个例子的概略结构图。
图2是用于说明本发明的第1实施方式的晶圆舟皿与现有技术的晶圆舟皿之间的不同点的图。
图3是表示使用以往的晶圆舟皿并对处理容器的内管进行了缩径的情况的示意图。
图4是表示使用第1实施方式的晶圆舟皿并对处理容器的内管进行了缩径的情况的示意图。
图5是用于以接近实际的产品的结构说明以图3进行了说明的干涉产生状态的图。
图6是用于以接近实际的产品的结构说明以图4进行了说明的干涉避免状态的图。
图7是用于说明支柱的加强构造的图。
图8是表示第1实施方式的晶圆舟皿的薄壁部的削减量的一个例子的图。
图9是表示本发明的第2实施方式的晶圆舟皿的一个例子的图。
图10是第2实施方式的晶圆舟皿的基板保持用支柱的剖视图。
图11是表示在第2实施方式中不降低强度的基板保持用支柱的结构的图。
图12是表示第3实施方式的晶圆舟皿的一个例子的结构的图。
图13是表示本发明的第4实施方式的晶圆舟皿的一个例子的结构的图。
图14是表示本发明的第5实施方式的晶圆舟皿的一个例子的结构的图。
图15是表示本发明的第6实施方式的晶圆舟皿的一个例子的结构的图。
图16是表示本发明的第7实施方式的晶圆舟皿的一个例子的结构的图。
图17是使用了第2实施方式的晶圆舟皿的基板处理装置的俯视图。
附图标记说明
10、处理容器；11、内管；12、外管；20、歧管；30、喷射器；50、盖体；60、保温筒；70、加热器；80、控制部；90、190、290、390、490、590、690、晶圆舟皿；91、191、顶板；91a、92a、191a、192a、圆形部；91b、92b、191b、192b、突出部；92、192、底板；93、94、193、293、393、493、593、693、支柱；695、分支部。
具体实施方式
以下，参照附图，进行用于实施本发明的形态的说明。
[基板处理装置的整体结构]
首先，一边参照图1一边对本实施方式的基板处理装置100进行说明。在图1中示出本实施方式的基板处理装置100的一个例子的概略结构图。
本实施方式的基板处理装置100整体上具有纵长的沿着铅垂方向延伸的形状。基板处理装置100具有纵长且沿着铅垂方向延伸的处理容器10。处理容器10由例如石英形成。处理容器10具有例如圆筒体的内管(内筒)11和呈同心地载置到内管11的外侧的有顶的外管(外筒)12的双层管构造。
处理容器10的下端部被由不锈钢等形成的歧管20气密地保持。歧管20也可以是固定于未图示的基座的结构。
歧管20具有：喷射器30，其向处理容器10内导入处理气体、非活性气体(例如N2气体)等吹扫气体；以及气体排气部40，其对处理容器10内进行排气。此外，在图1中，示出了设置有1个喷射器30的结构，但本实施方式并不限定于这点。也可以是依赖于所使用的气体种类的数量等而具有多个喷射器30的结构。
作为处理气体的种类，并没有特别限定，本领域技术人员能够根据要成膜的膜的种类等适当选择。在例如在半导体晶圆等基板形成氧化硅(SiO2)膜的情况下，作为处理气体的一个例子，可列举出二氯甲硅烷(SiH2Cl2)和一氧化二氮(N2O)。
用于导入前述的各种气体的配管31与喷射器30连接。此外，在配管31设置有用于对气体流量分别进行调整的、未图示的质量流量控制器等流量调整部、未图示的阀等。
另外，在气体排气部40连接有由具有能够对处理容器10内进行减压控制的真空泵43、开度可变阀42等的真空排气路径构成的配管41。
在歧管20的下端部形成有炉口21，在该炉口21设置有由例如不锈钢等形成的圆盘状的盖体50。该盖体50构成为，被设置成能够利用升降机构51进行升降，使炉口21能够气密地密封。
在盖体50上设置有例如石英制的保温筒60。另外，在保温筒60之上载置有例如石英制的晶圆舟皿90，该晶圆舟皿90将例如25张～175张左右的晶圆W以水平状态且以预定的间隔保持成多层。即、晶圆舟皿90作为保持晶圆W的基板保持件发挥功能。
通过使用升降机构51而使盖体50上升，晶圆舟皿90被向处理容器10内输入，在处理后，通过使盖体50下降，晶圆舟皿90被从处理容器10内输出。
晶圆舟皿90具有槽构造，该槽构造沿着长度方向具有多个槽(支承槽)，晶圆W分别以水平状态且沿着上下隔开间隔地装载于槽。载置于晶圆舟皿90的晶圆组构成1个批次，以批次为单位实施各种基板处理。此外，后述晶圆舟皿90的结构的详细情况。
在处理容器10的外侧设置有能够将处理容器10加热成预定的温度的加热器70。加热器70具有例如圆筒形状。
另外，如图1所示，本实施方式的基板处理装置100具有控制部80。控制部80对基板处理装置100的整体进行控制。更详细而言，控制部80按照制程对基板处理装置100内的各种设备的动作进行控制，以便在制程所示的各种处理条件下进行基板处理。另外，控制部80通过对来自设置到热处理装置100内的各种传感器的信号进行接收，把握晶圆W的位置等而进行执行工艺的序列控制。而且，也可以是，控制部80通过对由设置到基板处理装置100内的各种检测器检测的物理的测定值等进行接收，来把握基板处理的状态，进行为了恰当地进行基板处理所需要的反馈控制等。
因而，对于控制部80，既可以构成为具备CPU(Central Processing Unit、中央处理单元)、ROM(只读存储器，Read Only Memory)、RAM(随机存取存储器，Random AccessMemory)等运算部件和存储部件，从存储有程序的存储介质安装进行制程的处理的程序、执行制程的处理那样的微型计算机，也可以构成为ASIC(专用集成电路，ApplicationSpecific Integrated Circuit)那样的电子电路。
[第1实施方式]
接着，对本发明的第1实施方式的基板保持件和基板处理装置进行说明。
图2是表示本发明的第1实施方式的晶圆舟皿的图。图2的(a)是第1实施方式的晶圆舟皿90的俯视图，图2的(b)是第1实施方式的晶圆舟皿90的主视图。另外，图2的(c)是以图2的(b)的D-D截面剖切而从上观察的剖切俯视图。
如图2的(a)～(c)所示，基板保持件90具有顶板91、底板92、基板保持用支柱93以及辅助支柱94。其中的、辅助支柱94不是必须的，根据需要设置。
如图2的(b)所示，在最上部配置有顶板91，在最下部配置有底板92。另外，设置有两端被连结固定到顶板91和底板92的基板保持用支柱93和辅助支柱94。在图2的(b)中，基板保持用支柱93和辅助支柱94设置于顶板91与底板92之间，并以将顶板91和底板92连结支承的方式设置。
基板保持用支柱93是用于将晶圆W等基板保持成多层的部件，具有沿着铅垂方向形成有多个的爪93a。在相邻的爪93a彼此之间形成有槽93b，成为能够将晶圆W水平地保持于槽93b内(或爪93a上)的结构。如此，基板保持用支柱93具有能够将晶圆W以水平状态呈多层保持于槽93b内的结构。此外，为了保持晶圆W，需要以至少3点支承晶圆W，因此，需要至少3根基板保持用支柱93。
在图2的(a)、(b)中示出有3根基板保持用支柱93和两根辅助支柱94。基板保持用支柱93是3根以上即可，也可以根据需要增加到4根、5根。例如，在图2中，也能够将辅助支柱94全部设为基板保持用支柱93，来设置5根基板保持用支柱93。另一方面，根据需要设置辅助支柱94即可，只要不需要，就也可以没有。另外，反而也能够设置很多辅助支柱94，例如也能够设置3根以上的辅助支柱94。在图2中，列举设置3根基板保持用支柱93、并且在相邻的基板保持用支柱93彼此之间设置有两根辅助支柱94的例子来进行说明。此外，以下，也可以将基板保持用支柱93和辅助支柱94这两者合在一起称为支柱93、94。
顶板91设置于晶圆舟皿90的最上部，形成顶面。如图2的(a)所示，顶板91具有圆形部91a和突出部91b。圆形部91a是以C1为中心呈圆形的部分。突出部91b是从圆形部91a向径向外侧突出来的部分，基板保持用支柱93和辅助支柱94设置于该部分。因而，突出部91b作为支柱设置部发挥功能。
如图2的(a)所示，突出部91b成为位于顶板91的最外侧的部分。在基板处理装置100中，一般而言，一边使晶圆舟皿90旋转一边进行基板处理，因此，如以虚线所示那样，突出部91b的最外侧的部分限定晶圆舟皿90的回转半径R。如图2的(a)所示，5个突出部91b的突出量设定成相等，5个突出部91b分别限定晶圆舟皿90的顶板91侧的回转半径R。
如图2的(b)所示，在本实施方式中，顶板91的突出部91b的最外侧的部分与支柱93、94的最外侧的部分以外形一致的方式形成。因而，顶板91的回转半径R与连接到顶板91的支柱93、94的回转半径R相同。另一方面，在支柱93、94设置到比顶板91靠外侧的位置的情况下，例如在以与顶板91的外侧面和底板92的外侧面接触的方式设置有支柱93、94的情况下，支柱93、94的外周面成为晶圆舟皿90的最外侧的面，限定晶圆舟皿90的回转半径R。另外，相反，在支柱93、94设置于顶板91的稍稍内侧的情况下，顶板91的突出部91b成为晶圆舟皿90的最外侧的部分，限定晶圆舟皿90的回转半径R。
在本实施方式中，以下，对顶板91的突出部91b与支柱93、94的最外侧的面对齐的情况进行说明，但也能够适用于支柱93、94从顶板91超出的构造的晶圆舟皿90。
如图2的(c)所示，若以图2的(b)的D-D截面剖切而俯视底板92，则与顶板91同样地，设置有圆形部92a和从圆形部92向径向外侧突出的突出部92b。并且，成为在突出部92b设置支柱93、94的结构。此外，也如图2的(b)所示，突出部92b的最外侧的外形与连结固定于底板92的支柱93、94的外形设置成一致。另外，在底板92的中心区域形成有开口92c，在这点与顶板91不同。开口92c是为了在将晶圆舟皿90载置于保温筒60之上之际进行与载置台之间的卡合而设置的，并不是必须的，根据需要设置为佳。
在此，再次参照图2的(a)，若参照突出部91b的放大图，则可知：构成为突出部91b的外形的一部分被切削而外形变小。这是对支柱93、94的外形进行切削而使其缩小、用于缩小晶圆舟皿90的回转半径R的结构。在第1实施方式的晶圆舟皿90中，构成为对至少顶板11和顶板附近的全部的支柱93、94实施这样的切削外侧的加工，顶板91侧的晶圆舟皿90的回转半径比底板92侧的回转半径小。
以下，说明进行这样的加工的理由。
近年来，形成于晶圆W的图案复杂化，对NAND等形成有也称为3维构造的图案的晶圆W进行成膜等基板处理的要求正在增大。这样的复杂化的图案的表面积变大，因此，需要使处理气体到达更深的部分来进行基板处理。在以图1进行了说明的基板处理装置100中，若内管11与晶圆舟皿90之间的分开距离较大，则存在如下担心：所供给的处理气体从内管11与晶圆舟皿90之间的间隔向上方排出，也有可能无法充分地到达晶圆W，存在缩窄内管11与晶圆舟皿90之间的间隔的要求。
然而，现状是，内管11与晶圆舟皿90之间的间隔设定得相当窄，设定成例如1cm左右或比1cm小的水平的间隙的情况较多。若使内管11的内径比现状更小，则支柱93、94与内管11有可能在晶圆舟皿90的上端、也就是说顶板91附近接触。在当前的基板处理装置中，将认为加工上和组装上需要的最小公差累积，在公差的累积最大的支柱93、94的外周的最上位置处算出来。该累积公差在呈圆柱状且以同径呈直线地延伸的支柱93、94中设定成接近极限的间隔。因而，在这样的状态下，在这样的构造中，若对内管11进行缩径，则降低公差的极限，内管11的内周面与晶圆舟皿90的外周面就有可能接触。
因此，在本实施方式的晶圆舟皿90中，设为如下的结构：对至少顶板91的附近的上端附近的支柱93、94的外侧进行切削、能够使内管11稍微缩径。
图3是表示使用以往的晶圆舟皿1090并对处理容器10的内管11进行了缩径的情况的示意图。如图3所示，在以往的晶圆舟皿1090中，在累积公差最大的支柱1093的上端的外周部处，就有可能与内管11接触、干涉。
图4是表示使用第1实施方式的晶圆舟皿90并对处理容器10的内管11进行了缩径的情况的示意图。如图4所示，通过对晶圆舟皿90的支柱93、94的上端的外周面进行切削、进行锥形加工，能够避免晶圆舟皿90与内管11之间的接触。
图5是用于以更接近实际的产品的结构说明以图3进行了说明的以往的晶圆舟皿中的干涉产生状态的图。如图5所示那样，使用支柱1093的粗细恒定且高度为H的以往的晶圆舟皿1090并对内管11进行缩径，若由于累积公差，晶圆舟皿1090倾斜角度α，则支柱1093的上端的外周面与内管11的内周面就接触，产生干涉。
图6是用于以更接近实际的产品的结构说明以图4进行了说明的第1实施方式的晶圆舟皿的干涉避免状态的图。如图6的(a)所示那样，在以与图5相同的方式对内管11进行了缩径的状态下，若直接以高度H、使用对支柱93(或94)的上端的外周面进行了锥形加工的本实施方式的晶圆舟皿90，则晶圆舟皿90即使倾斜角度α，晶圆舟皿90的支柱93(或94)的上端的外周面与内管11的内周面也能够保持间隙，能够避免干涉。
图6的(b)是图6的(a)的晶圆舟皿90的上端的外周面的放大图。如图6的(b)所示，对支柱93(或94)的最上部的外周面在长度L的范围内进行锥形加工，形成锥面，从而能够与内管11之间确保间隙d，能够避免晶圆舟皿90与内管11之间的干涉。
此外，在例如将晶圆舟皿90的高度H设为1m左右时，只要在1m的1/10左右的10cm左右的长度L的范围内对支柱93、94的最上部的外周面进行锥形加工，就能够确保1mm左右的间隙d。
在此，在对晶圆舟皿90的支柱93、94的外周面进行切削、实施了锥形加工的情况下，支柱93、94的壁厚变薄，因此，也存在产生支柱93、94的强度降低的担心的情况。
因此，在担心那样的支柱93、94的强度降低的情况下，想到如下应对方法：将对外侧进行切削而设为薄壁的量沿着周向附加而使支柱93、94的截面积不变化，不使支柱93、94的强度降低。
图7是用于说明支柱93、94的加强构造的图。图7的(a)是表示以往的晶圆舟皿1090的基板支承用支柱1093的一个例子的剖视图。图7的(b)是表示第1实施方式的晶圆舟皿90的基板支承用支柱93的一个例子的剖视图。
如图7的(a)所示那样，以往的晶圆舟皿1090的基板支承用支柱1093是圆柱形状，因此，具有圆形的截面形状。
另一方面，如图7的(b)所示那样，本实施方式的晶圆舟皿90的基板支承用支柱93对径向上的外侧进行切削而减薄壁厚，形成薄壁部93c，但只要将切削掉的消除截面93d沿着周向附加，新形成附加截面93e，截面积就不变化，因此，能够维持强度。在如此地形成薄壁部93c而担心基板支承用支柱93的强度不足的情况下，通过将消除截面93d的量沿着周向附加而追加形成附加截面93e，从而能够维持强度。
此外，在图7中，对将消除截面93d和附加截面93e的量设为相同、暂且维持截面积的情况进行了说明，但只要强度充分，就也可以设为如下结构：不将消除截面93d的面积量全部设为附加截面93e，稍微沿着周向进行强度加强，能够根据用途设为各种结构。
此外，在图7中，列举基板支承用支柱1093、93为例进行了说明，但自不待言，也能够同样地适用于辅助支柱94。
图8是表示第1实施方式的晶圆舟皿90的薄壁部的削减量的一个例子的图。图8的(a)是表示以往的晶圆舟皿1090的基板保持用支柱1093的壁厚的一个例子的图，图8的(b)是表示第1实施方式的晶圆舟皿90的基板支承用支柱93的薄壁部93c的壁厚的一个例子的图。
如图8的(a)、(b)所示那样，以往具有9mm的壁厚的基板保持用支柱1093在本实施方式中能够削减4mm的壁厚，设为5mm的壁厚。由此，能够使晶圆舟皿90的最上部的外形在左右两侧也缩小8mm，由此，也能够使内管11的直径缩径。
此外，在第1实施方式中，列举仅对晶圆舟皿90的最上部实施锥形加工、形成薄壁部93c的例子来进行了说明，但只要具有锥形状且包括最上部在内，也可以从任一部分起实施锥形加工，也可以是，例如从底板92的正上方形成锥形加工。只要能够在晶圆舟皿90与内管11之间有可能干涉的最上部形成充分的间隙，就能够将薄壁部93c的锥形形状设为各种结构。
[第2实施方式]
图9是表示本发明的第2实施方式的晶圆舟皿190的一个例子的图。图9的(a)是第2实施方式的晶圆舟皿190的俯视图，图9的(b)是第2实施方式的晶圆舟皿90的侧剖视图。另外，图9的(c)是以图9的(b)的D-D截面剖切而从上观察的剖切俯视图。
如图9的(a)～(c)所示，基板保持件190具有顶板191、底板192以及基板保持用支柱193。在图9中示出有不设置辅助支柱、设置有4根基板保持用支柱193的例子。
如图9的(b)所示，在最上部配置有顶板191，在最下部配置有底板192，以两端连结固定在顶板191和底板192的方式设置有基板保持用支柱193。与第1实施方式同样地，在图9的(b)中，基板保持用支柱193也设置于顶板191与底板192之间，以支承顶板191和底板192的方式设置。然而，如上述那样，基板保持用支柱193也可以是与顶板191的外侧面以及底板192的外侧面连结、超出到顶板191以及底板192的外侧的形状。
基板保持用支柱193是用于将晶圆W等基板呈多层保持的部件，具有沿着铅垂方向形成有多个的爪193a。在如下这点与第1实施方式相同：成为相邻的爪193a彼此之间形成槽193b、能够将晶圆W水平地保持于槽93b内(或爪93a上)的结构。
在图9的(a)、(b)中，仅设置有4根基板保持用支柱193，没有设置辅助支柱。辅助支柱不是必须的，因此，也可以是这样的结构。
如图9的(a)所示，顶板191具有圆形部191a和突出部191b，但如放大图所示，突出部191b具有与梯形近似的形状这点与第1实施方式不同。与第1实施方式同样地，圆形部191a是以C2为中心呈圆形的部分。突出部191b是从圆形部191a突出到径向外侧的部分，在该部分设置有基板保持用支柱193。即、突出部191b作为支柱设置部发挥功能。
如图9的(a)所示，突出部191b成为位于顶板191的最外侧的部分，限定顶板191的回转半径R。如图9的(a)所示，以4个突出部191b的突出量相等的方式设定，4个突出部191b分别限定晶圆舟皿190的顶板191侧的回转半径R。
如图9的(b)所示，在本实施方式中，顶板191的突出部191b的最外侧的部分和基板支承用支柱193的最外侧的部分以外形一致的方式形成。因而，顶板191的回转半径R与连接到顶板191的基板保持用支柱193的回转半径R相同。然而，如上述那样，本实施方式也能够适用于基板保持用支柱193超出了顶板191的情况。
另外，如图9的(c)所示，若以图9的(b)的D-D截面剖切而俯视底板192，则与顶板191同样地，设置有圆形部192a和从圆形部192突出到径向外侧的突出部192b。突出部192b具有与梯形近似的形状这点与半圆形的第1实施方式不同。成为在突出部192b设置有基板保持用支柱193的结构这点与第1实施方式相同。突出部192b的最外侧的外形和与底板192连结固定的基板保持用支柱193的外形一致地设置。另外，在底板192的中心区域形成有开口192c。开口192c是为了在将晶圆舟皿190载置于保温筒60之上之际进行与在保温筒60的上表面形成的载置台之间的卡合而设置的，并不是必须的，根据需要设置为佳。对于爪193a的形状，相对于在第1实施方式中是半圆形的情况，成为与三角形近似的形状。如此，爪193a的形状也与突出部192b同样地，能够根据用途设为各种形状。
在此，再次参照图9的(a)，若参照突出部191b的放大图，则可知：构成为突出部191b的外形的一部分被切削而外形变小。其是为了对基板保持用支柱193的外形进行切削而使该外形缩小，是用于缩小晶圆舟皿190的回转半径R的结构。在第2实施方式的晶圆舟皿190中，构成为：对至少顶板11和顶板附近的全部的基板保持用支柱193实施这样的切削外侧的加工，顶板191侧的晶圆舟皿190的回转半径R比底板192侧的回转半径小。
图10是第2实施方式的晶圆舟皿190的基板保持用支柱193的剖视图。如图10所示那样，在具有梯形的截面形状的支柱193中，也通过在外侧设置锥形形状，使晶圆舟皿190的外形缩小，由此，能够不产生内干涉地进行内管11的缩径。此外，如在图9的(c)中进行了说明那样，爪193a具有三角形状。
图11是表示在第2实施方式中不使强度降低的基板保持用支柱193的结构的图。图11的(a)是表示以往的梯形形状的基板保持用支柱1193的截面形状的图。图11的(b)是表示第2实施方式的基板保持用支柱193的截面形状的一个例子的图。
在图11的(a)中，是底边b1、高度h1的梯形的截面形状，但在图11的(b)中，成为底边b2、高度h2的截面形状。在此，h2＜h1，在径向上被薄壁化。另一方面，在周向(宽度方向)上，b1＜b2，通过使宽度变宽，使图11的(a)中的基板保持用支柱193的截面积和图11的(b)中的基板保持用支柱193的截面积相同，不使强度降低。如此，即使是使用了梯形形状的基板保持用支柱193的情况下，通过使切削后的支柱沿着宽度方向增加，也能够防止强度的降低。
另外，增加的程度不必一定要设为与切削量相同，只要使宽度变宽需要的量就足够
如此，在使用了具有梯形形状的截面的基板保持用支柱193的晶圆舟皿193中，也能够不使支柱的强度降低地缩小外形。
此外，在第2实施方式中，列举全部设为基板保持用支柱193而构成的例子来进行了说明，但也可以根据需要设置辅助支柱，在该情况下，通过对上端部的外周面进行切削而设为锥形形状，也能够获得同样的效果。
[第3实施方式]
图12是表示第3实施方式的晶圆舟皿290的一个例子的结构的图。第3实施方式的晶圆舟皿290的支柱293的上端部的外周面不进行锥形加工，而是进行台阶加工，具有台阶形状。在该情况下，也如图12所示那样，能够使与内管11之间的间隙增加，能够防止干涉。如此，也可以设为如下结构：对晶圆舟皿290的支柱293的最上部外侧实施台阶加工，利用台阶形状来避免与内管11的接触。
第3实施方式的晶圆舟皿290能够适用于第1实施方式以及第2实施方式的晶圆舟皿90、190这两者，无论支柱93、94、193的形状如何，都能够适用。
[第4实施方式]
图13是表示本发明的第4实施方式的晶圆舟皿390的一个例子的结构的图。第4实施方式的晶圆舟皿390的支柱393的周向的形状与第1实施方式～第3实施方式的晶圆舟皿90、190、290的支柱的周向的形状不同。在第1实施方式和第2实施方式中，对将在支柱93、94、193的径向上切削掉的量附加于周向上而宽幅地构成来确保强度的结构进行了说明，但也可以设为如下结构：那样的使宽度变宽的形状在周向上逐渐变宽。在图13中，示出晶圆舟皿390的支柱393的宽度(周向的大小)从下方朝向顶板391逐渐变宽的结构。也可以是，例如采用这样的结构，来确保支柱93、94、190、290的强度。
认为图13的结构易于适用于如锥形形状那样壁厚逐渐变薄的结构，认为易于适合于第1实施方式和第2实施方式的结构。但是，径向的结构和周向的结构能够独立地构成，因此，自不待言，也能够同样地适用于第3实施方式。
[第5实施方式]
图14是表示本发明的第5实施方式的晶圆舟皿490的一个例子的结构的图。第5实施方式的晶圆舟皿490的支柱493的周向的形状与第1实施方式～第4实施方式的晶圆舟皿90、190、290、390的支柱的周向的形状不同。在第1实施方式和第2实施方式中，对将在支柱93、94、193的径向上切削掉的量附加于周向上而宽幅地构成来确保强度的结构进行了说明，但也可以设为如下结构：那样的使宽度变宽的形状沿着周向阶段性地呈台阶状变宽。在图14中，示出晶圆舟皿490的支柱493的宽度(周向的大小)朝向顶板491阶段性地变宽的结构。也可以是，采用例如这样的结构成，来确保支柱93、94、190、290的强度。
认为图14的结构易于适用于如台阶形状那样壁厚阶段性地变薄的结构，认为易于适合于第3实施方式的结构。但是，径向的结构和周向的结构能够独立地构成，因此，自不待言，也能够同样地适用于第1和第2实施方式。
[第6实施方式]
图15是表示本发明的第6实施方式的晶圆舟皿590的一个例子的结构的图。第6实施方式的晶圆舟皿590在除了具备基板保持用支柱593之外、还具备辅助支柱594这点与第2实施方式～第5实施方式的晶圆舟皿190、290、390、490不同。在第1、第2、第4、第5实施方式中，对将在支柱93、94、193、393、493的径向上切削掉的量附加于周向上而宽幅地构成来确保强度的结构进行了说明，但也可以设为如下结构：不采用那样的使宽度变宽来确保强度的形状，追加辅助支柱。也可以设为如下结构：例如采用具有在第1实施方式～第3实施方式中进行了说明的薄壁部、减薄径向的壁厚的结构的支柱93、94、193、293，并且，为了弥补支柱93、94、193、293的支柱的强度的降低，设置辅助支柱594。
在第1实施方式的晶圆舟皿90中，设置有辅助支柱94，但在第2实施方式～第5实施方式的晶圆舟皿190、290、390、490中，主要对没有设置辅助支柱594、而使支柱193、293、390、490的宽度增加来维持强度的方法进行了说明。然而，也可以设为如下结构：设为切削后的支柱保持原样的结构，通过设置辅助支柱594，来维持强度。设置辅助支柱594的结构已经确定，因此，能够容易地提高晶圆舟皿590的支柱593、594的整体的强度。
[第7实施方式]
图16是表示本发明的第7实施方式的晶圆舟皿690的一个例子的结构的图。第7实施方式的晶圆舟皿690在具备分支部695这点与第1实施方式～第6实施方式的晶圆舟皿190、290、390、490、590不同。在第1、第2、第4以及第5实施方式中，对将在支柱93、94、193、393、493的径向上切削掉的量附加于周向上而宽幅地构成来确保强度的结构进行了说明，也可以是，不采用那样的使宽度变宽来确保强度的形状，设为追加将薄壁化后的支柱693和顶板691连结的分支部695的结构。也可以是设为如下结构：采用例如具有在第1实施方式～第3实施方式中进行了说明的薄壁部、减薄径向的壁厚的结构的支柱93、94、193、293，并且，为了弥补支柱93、94、193、293的支柱的强度的降低，设置分支部695。通过设置分支部695，能够使支柱693的薄壁部与顶板691连结，能够以简单的结构维持支柱693的强度。
[基板处理装置]
图17是使用了第2实施方式的晶圆舟皿190的基板处理装置的俯视图。如在第1实施方式～第7实施方式中进行了说明那样，通过对基板保持用支柱193的外周面进行切削，缩小舟皿回转直径，能够对内管11的内径进行缩径。通过采用这样的结构，能够将内管11的内径缩小2mm～8mm左右，能够缩小晶圆舟皿190与内管11之间的间隙d，能够将处理气体不逃逸地向晶圆W供给，能够提高处理效率。
以上，详细说明了本发明的优选的实施方式，但本发明并不限制于上述的实施方式，在不脱离本发明的范围内，能够对上述的实施方式施加各种变形和置换。

Claims (19)

1.一种基板保持件，其具有：顶板；底板；以及多根支柱，其以端部与该顶板的外缘部和该底板的外缘部连结的方式设置，该基板保持件能够将基板保持成多层，在该基板保持件中，
基于所述顶板以及所述支柱的与所述顶板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径形成得比基于所述底板以及所述支柱的与所述底板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径小。
2.根据权利要求1所述的基板保持件，其中，
所述支柱以外形与所述顶板的外形和所述底板的外形一致的方式与所述顶板的主面的外周端和所述底板的主面的外周端连结。
3.根据权利要求2所述的基板保持件，其中，
所述顶板和所述底板具有圆形部分和从该圆形部分向径向外侧突出而伸出来的支柱设置部。
4.根据权利要求3所述的基板保持件，其中，
与所述顶板连接的所述支柱的顶部的所述径向上的壁厚比与所述底板连接的所述支柱的基部的所述径向上的壁厚薄，所述顶板的外形形成得比所述底板的外形小所述顶部的所述壁厚与所述基部的所述壁厚之差的量。
5.根据权利要求4所述的基板保持件，其中，
所述支柱在所述顶部附近的预定上部区域中具有壁厚在所述径向上变薄而成的薄壁部。
6.根据权利要求5所述的基板保持件，其中，
所述薄壁部具有越接近所述顶部、所述径向上的壁厚越薄的形状。
7.根据权利要求6所述的基板保持件，其中，
所述薄壁部具有越接近所述顶部、所述径向上的壁厚逐渐变薄的锥形形状。
8.根据权利要求6所述的基板保持件，其中，
所述薄壁部具有越接近所述顶部、所述径向上的壁厚阶段性地变薄的台阶形状。
9.根据权利要求5～8中任一项所述的基板保持件，其中，
所述预定上部区域形成于所述基板保持件的全长的1/10以下的区域。
10.根据权利要求5～9中任一项所述的基板保持件，其中，
所述薄壁部的沿着周向的宽度形成得比所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的沿着周向的宽度宽。
11.根据权利要求10所述的基板保持件，其中，
所述薄壁部以截面积与所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的截面积相等的方式宽幅地形成。
12.根据权利要求5～11中任一项所述的基板保持件，其中，
所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的截面形状是圆形，所述薄壁部成为对圆的外侧进行切削而成的形状。
13.根据权利要求5～11中任一项所述的基板保持件，其中，
所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的截面形状是具有预定的底边和预定的高度的梯形，所述薄壁部是底边比所述预定的底边宽、且高度比所述预定的高度低的梯形。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的基板保持件，其中，
所述多根支柱沿着铅垂方向形成有多个能够水平地载置基板的槽，所述多根支柱具有至少3根基板保持用支柱，该基板保持用支柱具有能够将多个基板保持成多层的槽构造。
15.根据权利要求14所述的基板保持件，其中，
所述多根支柱还具有加强用支柱，该加强用支柱不具有所述槽构造。
16.根据权利要求14或15所述的基板保持件，其中，
该基板保持件还具有将所述顶板和所述基板保持用支柱连结的加强用分支部。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的基板保持件，其中，
所述顶板、所述底板以及所述支柱由石英形成。
18.一种基板处理装置，其具有：
权利要求1～17中任一项所述的基板保持件；
纵长的处理容器，其能够收纳该基板保持件；
内管，其设置于该处理容器内，包括包围所述基板保持件的周围的圆筒形的侧面；
喷射器，其在该内管内能够向所述基板保持件供给处理气体；以及
加热器，其设置于所述处理容器的外侧，能够对所述处理容器进行加热。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，
所述内管的所述侧面与所述基板保持件的外形之间的间隔在不相互接触的范围内设定成最小。
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