CN109755155B - 基板处理装置的反应器 - Google Patents
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Abstract
公开了一种基板处理装置的反应器。本发明涉及的基板处理装置的反应器为用于处理至少一个基板的基板处理装置的反应器(100)，反应器的上部外表面(101)与上部内表面(102)的正截面的曲率半径不同，反应器上部壁的中心部(103)的厚度(D3)薄于边缘部(104)的厚度(D4)。
Description
技术领域
本发明涉及基板处理装置的反应器。更具体地，涉及在确保反应器上部的刚性的同时，减小高度和内部空间的大小，从而能够提高被处理的基板的生产率和效率的基板处理装置的反应器。
背景技术
原子层沉积法是通过交替地供给作为反应气体的源气体和吹扫气体，而在基板上沉积原子层单元的薄膜的技术。原子层沉积法为了克服台阶覆盖性(Step Coverage)的局限性而利用表面反应，因而适合具有高纵横比的精细图案，并且薄膜的电学以及物理特性优秀。
图1以及图2是示出现有的原子层沉积装置的立体图以及上部放大侧视剖视图。
参照图1，现有的原子层沉积装置包括形成腔室11的工艺管10，所述腔室11是用于装载多个基板40并进行沉积工艺的空间。并且，在工艺管10的内部设置有沉积工艺所需的诸如气体供给部20、气体排出部30等的部件。并且，包括晶舟50，该晶舟50包括：支撑部51，与工艺管10密闭结合；突出部53，插入于工艺管10的内部；以及支撑杆55，用于层叠多个基板40。
这种现有的原子层沉积装置通常使用立式的工艺管10作为用于容易承受腔室11内部的压力的理想的方式。然而，由于立式的腔室11的上部空间12，工艺气体的供给和排出消耗大量的时间，引发处理气体的浪费。并且，由于上部空间12所占有的高度D1，装置的整体垂直长度不必要地变长。
其次，参照图2，作为解决由于立式的工艺管10的上部空间而浪费处理气体的问题的方案，提出了平坦地形成上部表面13的工艺管10’。并且，为了加强对真空应力脆弱的上部表面13的边缘部分，在上部表面13配置支撑肋14，以提高刚性。据此，虽然补充了工艺管10’的刚性，但是由于支撑肋14所占有的高度D2，装置的整体垂直高度仍然不必要地变长。
另一方面，如图3所示，现有的原子层沉积装置的工艺管10的横截面的形状呈圆形。并且，气体供给部20和气体排出部30在两端对置。在基板处理过程中，从气体供给部20供给到腔室11内部的基板处理气体可以通过路径1直接流动并排出到气体排出部30，或者通过路径2被工艺管10的内壁反射并排出到气体排出部30。只是，如路径3这种以小的入射角供给到工艺管10的内壁或者如路径4的以大的入射角供给到工艺管10的内壁的基板处理气体，不会直接通过气体排出部30排出，而是反射到腔室11内部并对流以后排出。这是由于路径2、路径3、路径4的入射角与反射角之和p’、p”、p”’全部不同。
当基板处理气体没有如路径3或路径4的直接排出而是反射到腔室11内部时，与基板40反应并且仅在基板40的特定部分进一步实施沉积，因而降低基板40的沉积均匀性。
并且，现有的批处理式原子层沉积装置由于工艺管10的横截面的形状呈圆形，以横截面为基准，仅能够在基板40的周围部分(或者基板装载部50的突出部53)与工艺管10内壁之间的空间31配置气体排出部30。因此，为了缩小腔室11的体积以减少供给到腔室11内部的工艺气体量并节省成本，只能减少包含于气体排出部30的气体排出管(未图示)的数量或者减小气体排出管(未图示)的直径等缩小气体排出部30所占有的空间大小，导致配置在狭小空间31内的气体排出部30的气体排出效率低下。
另一方面，在现有的原子层沉积装置中，作为容易承受腔室11内部的压力的理想的方式，通常使用立式的工艺管10。然而，由于立式的腔室11的上部空间12，工艺气体的供给和排出消耗大量的时间，并且发生工艺气体的浪费。
发明内容
技术问题
本发明为了解决上述的现有技术的各种问题而提出，其目的在于提供一种基板处理装置的反应器，使反应器的上部外表面与上部内表面的正截面的曲率半径不同，并使反应器上部外表面的中心部的厚度薄于边缘部的厚度，以确保反应器的刚性。
另外，本发明的目的在于提供一种基板处理装置的反应器，随着确保反应器的上部空间，增加被处理的基板的数量。
另外，本发明的目的在于提供一种基板处理装置的反应器，其提高基板处理气体的排出效率。
另外，本发明的目的在于提供一种基板处理装置的反应器，其使基板处理气体完成与基板的沉积反应以后直接排出，以提高基板的沉积均匀性。
技术方案
为了实现上述目的，本发明的一实施例涉及的基板处理装置的反应器用于处理至少一个基板的基板处理装置，所述反应器的上部外表面与上部内表面的正截面的曲率半径不同，所述反应器上部壁的中心部的厚度薄于边缘部的厚度。
所述反应器的上部外表面平坦。
所述上部外表面的正截面的曲率半径大于所述上部内表面的正截面的曲率半径。
所述上部内表面的曲率半径可以为所述反应器的内径的3～5倍。
所述反应器的内径可以为300mm～400mm。
所述中心部的厚度可以为20mm～60mm。
所述反应器的横截面的形状具有至少两个曲率半径。
所述反应器的横截面的形状为，由曲率半径大于所述基板的直径的至少两个弧相接的形状。
所述反应器的横截面的形状为短轴大于所述基板的直径的椭圆形状。
所述反应器可以包含石英、不锈钢、铝、石墨、碳化硅以及氧化铝中的至少一种。
所述反应器可以包括：基板处理部，为用于处理所述基板的空间；气体供给部，用于将基板处理气体供给到所述基板处理部；以及气体排出部，用于排出被供给到所述基板处理部的所述基板处理气体。
所述气体排出部以与所述气体供给部对置的方式配置于所述基板的周围部分与所述反应器的内壁之间的空间。
所述气体供给部可以包括：至少一个气体供给管，沿着所述气体供给部的长度方向形成；以及多个吐出孔，形成在所述气体供给管的一侧并朝向所述基板。
所述气体排出部可以包括：气体排出管，沿着所述气体排出部的长度方向形成；以及多个排出孔，形成在所述气体排出管的一侧并朝向所述基板。
发明效果
根据如上所述构成的本发明，将反应器的上部外表面与上部内表面的正截面的曲率半径不同地形成，并使反应器上部外表面的中心部的厚度薄于边缘部的厚度，以确保反应器的刚性。
另外，根据本发明，随着确保反应器的上部空间，增加被处理的基板的数量。
另外，根据本发明，提高基板处理气体的排出效率。
另外，根据本发明，使基板处理气体完成与基板的沉积反应以后直接排出，以提高基板的沉积均匀性。
附图说明
图1以及图2是示出现有的原子层沉积装置的立体图以及上部放大侧视剖视图。
图3是示出现有的原子层沉积装置的基板处理气体的流动的横截面图。
图4是示出本发明的一实施例涉及的反应器的立体图。
图5是本发明的一实施例涉及的反应器的上部放大侧视剖视图。
图6是本发明的多个实施例涉及的反应器的横截面图。
图7是示出本发明的一实施例涉及的反应器的应力侧视结果的图。
附图标记
10、10'：工艺管
11：腔室
12：腔室的上部空间
13：工艺管的上部表面
14：支撑肋
40：基板
100：反应器
101：反应器上部外表面
102：反应器上部内表面
103：中心部
104：边缘部
105：反应器内周表面
110：基板处理部
200：气体供给部
210：气体供给管
220：吐出孔
300：气体排出部
310：气体排出管
320：排出孔
400：壳体
450：歧管
500：基板装载部
D1：腔室的上部空间的高度
D2：支撑肋的高度
D3：中心部的厚度
D4：边缘部的厚度
D5：反应器的内径
R1：上部外表面圆弧的半径
R2：上部内表面圆弧的半径
具体实施方式
后述的对于本发明的详细说明将参照附图，该附图以示例的方式示出了可以实施本发明的特定实施例。足够详细地说明这些实施例，以使本领域技术人员能够实施本发明。应该理解，本发明的多个实施例彼此不同，但不必相互排斥。例如，关于一实施例，在这里记载的特定形状、结构以及特性在不脱离本发明的精神和范围的情况下，能够以另一实施例实现。还应理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以改变每个公开的实施例中的个别构成要素的位置或布置。因此，后述的详细说明不是采用限定意义，只要适当地说明，则本发明的范围仅由等同于权利要求所主张的全部范围和所附的权利要求限定。在附图中，相似的附图标记在多个方面表示相同或相似的功能，并且为了方便起见，长度、面积、厚度及其形状可能被夸大表示。
在本说明书中，基板可以被理解为包括半导体基板、用于诸如LED、LCD的显示装置的基板、太阳能电池基板等的含义。
另外，在本说明书中，在本说明书中，基板处理工艺是指沉积工艺，优选地是使用原子层沉积法的沉积工艺，但是不限于此，可以理解为包括使用化学气相沉积法的车技工艺、热处理工艺等的含义。只是，以下假设为是使用原子层沉积法的沉积工艺并进行说明。
图4是示出本发明的一实施例涉及的反应器的立体图。
参照图4，本实施例涉及的基板处理装置可以包括反应器(reactor)100、壳体400以及基板装载部500。
反应器100用作工艺管，反应器100中收纳有层叠着多个基板40的基板装载部500，并且提供基板处理部110，该基板处理部110是能够实施沉积膜形成工艺等基板处理工艺的腔室空间。
反应器100的材质可以是石英(Quartz)、不锈钢(SUS)、铝(Aluminium)、石墨(Graphite)、碳化硅(Silicon carbide)以及氧化铝(Aluminium oxide)中的至少一种。
反应器可以100包括：基板处理部110，作为处理基板40的腔室空间；气体供给部200，用于将基板处理气体供应到基板处理部110；以及气体排出部300，用于排出被供给到基板处理处理部110的基板处理气体。
气体供给部200可以包括沿着气体供给部200的长度方向(即，垂直方向)形成的至少一个气体供给管210。其中，气体供给管210无需一定具备图4所示的管的形状，只要可以用作从外部接收基板处理气体并且供给到基板处理部110的内部的通道，就可以具有中孔等其他形状。但是，优选为呈管状，以便精密控制基板处理气体的供给量。另外，在图4中示出为由一个气体供给管210构成气体供给部，但是能够适当地改变气体供给管210的数量。
气体供给管210的一侧可以形成有朝向位于基板处理部110的基板的多个吐出孔220。
气体排出部300可以包括沿着气体排出部300的长度方向(即，垂直方向)形成的至少一个气体排出管310。其中，气体排出管310无需一定具备图4所示的管的形状，只要可以用作将基板处理部110内部的基板处理气体排出到外部的通道，就可以具有中孔等其他形状。但是，优选为呈直径大于气体供给管210的管状，以便顺利地排出基板处理气体。另一方面，气体排出部300也可以无需具备气体排出管310，可以由包括用于排出基板处理气体的中孔的排出流路(未图示)构成，通过将泵与流路的端部连接，以抽吸排出基板处理气体。另外，在图4中示出为由一个气体排出管310构成气体供给部，但是能够适当地改变气体排出管310的数量。
在气体排出管310的一侧可以形成有朝向位于基板处理部110的基板的多个排出孔320。
当基板装载部500与歧管(Manifold)450结合并且多个基板40收纳于基板处理部110内时，吐出孔220以及排出孔320优选为分别位于被基板支撑部530支撑的相邻的基板40与基板40之间的间隙，以便将基板处理气体均匀地供给到基板40，并且容易地将基板处理气体吸入并排出到外部。
壳体400的下表面开放，可以具有与反应器100相同的形状，以便能够包围反应器10，并且，壳体400的上表面侧可以设置成被诸如洁净室等的处理室(未图示)的上表面支撑。壳体400的最外表面可以由不锈钢、铝等饰面，内表面可以设置有由弯曲部(作为一例，“∪”或“∩”形状)连续连接形成的加热器(未图示)。
基板装载部500设置成通过公知的电梯系统(未图示)可升降，可以包括主支撑部510、辅助支撑部520以及基板支撑部530。
主支撑部510可以大致呈圆柱状，安置于所述处理室的底部等，上表面可以与结合在壳体400的下端部侧的歧管450密闭结合。
辅助支撑部520大致呈圆柱形，设置于主支撑部510的上表面，能够插入于反应器100的基板处理部110内。辅助支撑部520可以设置成能够与电机(未图示)联动并旋转，以便基板40在基板处理工艺中旋转，从而确保半导体制造工艺的均匀性。另外，在辅助支撑部520内部可以设置有用于在基板处理工序中从基板40的下侧加热的辅助加热器(未图示)，以确保工艺的可靠性。装载保管于基板装载部500上的基板40可以在基板处理工艺以前被所述辅助加热器预热。
多个基板支撑部530可以设置成沿着辅助支撑部520的边缘部侧彼此隔开间距。在朝向辅助支撑部520的中心轴的基板支撑部530的内表面可以分别形成有彼此对应的多个支撑槽。在所述支撑槽内插入支撑有基板40的边缘部侧，因此多个基板40以上下层叠的形式装载保管于基板装载部500。
基板装载部500在升降时与歧管450的下端表面可拆卸地结合，所述歧管的上端表面与反应器100的下端表面以及气体供给部200和气体排出部300的下端表面结合。气体供给部200的气体供给管210插入于歧管450的气体供给连通孔(未图示)并且与外部的气体供给装置连通，气体排出部300的气体排出管310插入于歧管450的气体排出连通孔(未图示)并且与外部的气体排出装置连通。
当基板装载部500上升使基板装载部500的主支撑部510的上表面与歧管450的下端表面侧结合时，基板40装载于反应器100的基板处理部110并且基板处理部110被密闭。为了稳定的密封，可以在歧管450与基板装载部500的主支撑部510之间设置密封部件(未图示)。
图5是本发明的一实施例涉及的反应器100的上部放大侧视剖视图。
本发明的反应器100的上部外表面101与上部内表面102的正截面的曲率半径不同，反应器上部壁的中心部103的厚度D3薄于边缘部104的厚度D4。
参照图5，反应器100的上部外表面101与上部内表面102的正截面的曲率半径可以不同。优选地，上部外表面101的正截面的曲率半径可以大于上部内表面102的正截面的曲率半径。曲率半径是指圆弧的半径R1、R2，可以理解为曲率半径越大(圆弧的半径越大)，圆弧越接近直线，而曲率半径越小(圆弧的半径越小)，圆弧的弯曲程度越大，接近圆。换而言之，用于构成上部外表面101的正截面的圆弧的半径R1大于用于构成上部内表面102的正截面的圆弧的半径R2。
反应器100的上部外表面101可以平坦。可以将上部外表面101平坦理解为曲率半径接近无穷大。换而言之，构成上部外表面101的正截面的圆弧的半径R1可以实质上接近无穷大。如图5所示，随着反应器100的上部外表面101呈平坦状，而上部内表面102呈弯曲状，上部外表面101与上部内表面102的正截面的曲率半径可以不同，并且上部外表面101的正截面的曲率半径大于上部内表面102的正截面的曲率半径。
反应器100上部壁的中心部103的厚度可以薄于边缘部104的厚度。换而言之，反应器100上部壁可以具有从中心部103到边缘部104厚度D4逐渐变大的形状。作为一例，用于保持反应器100的刚性的中心部103的厚度可以是20mm至60mm。由于反应器100的上部壁的边缘部(边缘部分)104形成得厚，在反应器100内部空间110的真空应力或高压力环境下，反应器100的上部壁能够发挥耐久性。
当上部外表面101的曲率半径极大时(或者，实际上呈平坦状时)，上部内表面102的曲率半径有必要根据反应器100的大小而适当地设定。当上部内表面102的曲率半径设定得大时(或者，接近平坦的形状时)，反应器100的上部壁在所有部分上形成为厚度恒定，与上部表面13平坦的形状(参照图2)相似，发生上部表面13的边缘部分刚性下降的问题。相反，当上部内表面102的曲率半径设定得小时(或者圆弧的弯曲程度大时)，反应器100的上部形成为接近穹顶(dome)形状，因而与立式工艺管10(参照图1)相似，发生上部空间12过大的问题。
考虑到这一点，上部内表面102的曲率半径优选地具有反应器100的内径D5的2至5倍的值。反应器100的内径D5可以具有300mm至550mm的尺寸。因此，上部内表面102的曲率半径可以具有圆弧半径R2为600mm至2750mm的尺寸。作为一例，将反应器100的内径设定为340mm时，上部内表面102的曲率半径优选地具有圆弧半径R2为1020mm至1700mm的尺寸。
即使上部内表面102具有弯曲的形状，上部内表面102的拐角部分与反应器100的内周表面105相接的部分106也可以不弯曲地连接。考虑到这一点，优选的是，上部内表面102的边缘部分与反应器100的内周表面105相接的部分106被倒圆。
如上所述，本发明使上部外表面101与上部内表面102的曲率半径形成得不同的同时，使上部内表面102的曲率半径形成得小，使其进一步弯曲，从而与立式工艺管10(参照图1)相比，进一步确保工艺所需的反应器100的内部空间110。因此，可以进一步降低装置的整体垂直长度，或者即使是具有相同的垂直长度的装置，也可以增加被处理的基板40的数量。
另外，随着将反应器100的上部壁的中心部103的厚度D3形成为大于边缘部104的厚度D4，能够加强应力可能集中的上部壁的边缘部分。因此，能够提供刚性比上部表面平坦的工艺管10’(参照图2)更大的反应器100。
图6是本发明的多个实施例涉及的反应器100a～100d的横截面图。
另一方面，反应器100的横截面的形状可以具有至少两个曲率半径。反应器100的横截面的形状具有至少两个曲率半径是指分别具有不同曲率的多个弧连续连接以形成反应器100的横截面的形状。并且，反应器100的横截面的形状可以是由曲率半径大于基板40的直径的至少两个弧相接的形状。并且，反应器100的横截面的形状可以是短轴大于基板40的直径的椭圆形状。
参照图6的(a)，反应器100a的横截面形状可以是曲率半径大于基板40的直径的两个弧L1、L2在点c1和点c2相接的形状。
反应器100a与图3所示的横截面的形状为圆形的现有的工艺管10不同，即使从气体供给部200供给的气体以任何入射角供给到反应器100a内壁，也可以被反应器100a的内壁反射，并且如路径a或路径b朝向气体排出部300。这是由于从气体供给部200供给的气体入射到反应器100a内壁的入射角与从反应器100a内壁反射的反射角之和恒定而变得可能。换而言之，路径a的入射角与反射角之和p1以及路径b的入射角与反射角之和p2实质上相同。
参照图6的(b)，反应器100b的横截面的形状可以是短轴大于基板40的直径的椭圆形状。以图6的(b)为基准，椭圆的短轴s是反应器100b的纵向长度，椭圆的长轴l相当于反应器100b的横向长度，因此椭圆的长轴必然大于基板40的直径以及椭圆的短轴。也可以将椭圆形状解释为是由分别具有不同曲率半径的无穷多个数量的弧连续连接而成。
在反应器100b中，即使从气体供给部200供给的气体以任何入射角供给到反应器100b内壁，也可以被反应器100b的内壁反射，并且如路径c或路径d那样朝向气体排出部300。这是由于从气体供给部200供给的气体入射到反应器100b内壁的入射角与从反应器100b内壁反射的反射角之和恒定。换而言之，路径c的入射角与反射角之和p3以及路径d的入射角与反射角之和p4实质上相同。
参照图6的(c)，反应器100c的横截面的形状与仅在图6的(a)或图6的(b)将两侧端部形成为直线形状L4相同。即，除了两侧端部的直线形状L4以外的部分L3可以具有曲率半径大于基板40的直径的两个弧或椭圆的形状。
在反应器100c中，也可以是路径e的入射角与反射角之和p5与路径f的入射角与反射角之和p6实质上相同，即使从气体供给部200供给的气体以任何入射角供给到反应器100c内壁，也可以被反应器100c的内壁反射，并且如路径e或路径f那样朝向气体排出部300。
参照图6的(d)，反应器100d的横截面的形状与在图6的(a)或图6的(b)将两侧端部形成为弧形状L6相同。即，两侧端部的弧L6以及除了所述弧L6以外的部分L5可以具有曲率半径大于基板40的直径的四个弧或椭圆的形状。当然，四个弧L5、L6的曲率可以全部相同，也可以具有全部不同的曲率。
在反应器100d中，也可以是路径g的入射角与反射角之和p7与路径h的入射角与反射角之和p8实质上相同，即使从气体供给部200供给的气体以任何入射角供给到反应器100d内壁，也可以被反应器100d的内壁反射，并且如路径g或路径h那样朝向气体排出部300。
如上所述，之所以图6所示的被供给的气体在反应器100a～100d中的入射角与反射角之和恒定，是因为反应器100a～100d的横截面的形状是椭圆或接近椭圆的形状，并且气体供给部200和气体排出部300配置成接近椭圆的焦点位置，从而可以直接应用或近似地应用由椭圆的两个焦点与椭圆的特定点形成的角度恒定的椭圆特征。
如上所述，在本发明的反应器100中，从气体供给部200供给的气体不会在基板处理部110内继续对流并停滞，而是能够在完成与基板40的沉积反应后直接通过气体排出部排出，因而提高基板处理气体的排出效率。
并且，从气体供给部200供给的气体不会在基板处理部110内继续对流并停滞，而是能够在完成与基板40的沉积反应后直接通过气体排出部排出，因而能够在基板40整体上以均匀厚度沉积，而不是仅在基板40的特定部分进一步沉积。
另一方面，与如图3所示的横截面形状为圆形的现有工艺管10不同，本发明中能够配置气体排出部300的空间更加宽广。以横截面为基准，现有的工艺管10可以将气体排出部30配置于基板40的周围部分与工艺管10内壁之间的空间31内，而本发明的反应器100可以将气体排出部300配置于基板40的周围部分(或基板装载部500的辅助支撑部520)与反应器100的内壁之间的空间301内，且该气体排出部300与气体供给部200对置。空间301是横向长度大于空间31的宽广空间，与现有的气体排出部30(参照图2)相比，可以增加气体排出管310的数量，也可以加大气体排出管310的直径。因此，进一步提高基板处理气体的排出效率。
图7是示出本发明的一实施例涉及的反应器100的应力侧视结果的图。
图7的(a)示出在如图2所示的上部表面配置有支撑肋14的工艺管10’整体被施加应力的程度，图7的(b)是上部表面13部分被施加应力的程度的放大图。图7的(c)是本发明的反应器100整体被施加应力的程度，图7的(d)是在反应器100的上部壁，尤其是边缘部104被施加应力的程度的放大图。
在图7的(b)中，确认上部表面13的边缘部分被施加的最大应力的大小为11.48MPa。相反，在图7的(d)中，确认被施加于边缘部104的最大应力的大小为8.85MPa。因此，能够确认本发明的反应器100防止应力集中于边缘部104，从而与现有的工艺管10’相比，确保耐久性。
虽然本发明示出并说明如上所述的优选的实施例，但是不限于上述实施例，在不脱离本发明的精神的范围内，本领域技术人员可以进行各种变形和变更。这种变形例以及变更例应被视为落入本发明和所附权利要求的范围内。
Claims (12)
1.一种基板处理装置的反应器，用于处理至少一个基板，其特征在于，
所述反应器的上部外表面平坦，所述上部外表面的正截面的曲率半径大于所述上部内表面的正截面的曲率半径，所述反应器上部壁的中心部的厚度薄于边缘部的厚度，
所述上部内表面的曲率半径为所述反应器的内径的2～5倍。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置的反应器，其特征在于，
所述反应器的内径为300mm～550mm。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置的反应器，其特征在于，
所述中心部的厚度为20mm～60mm。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置的反应器，其特征在于，
所述上部内表面的拐角与上部反应器的内周表面相接的部分被倒圆。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置的反应器，其特征在于，
所述反应器的横截面的形状具有至少两个曲率半径。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置的反应器，其特征在于，
所述反应器的横截面的形状为，由曲率半径大于所述基板的直径的至少两个弧相接的形状。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置的反应器，其特征在于，
所述反应器的横截面的形状为短轴大于所述基板的直径的椭圆形状。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置的反应器，其特征在于，
所述反应器包含石英、不锈钢、铝、石墨、碳化硅以及氧化铝中的至少一种。
9.根据权利要求5至7中的任一项所述的基板处理装置的反应器，其特征在于，
所述反应器包括：
基板处理部，为用于处理所述基板的空间；
气体供给部，用于将基板处理气体供给到所述基板处理部；以及
气体排出部，用于排出被供给到所述基板处理部的所述基板处理气体。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置的反应器，其特征在于，
所述气体排出部以与所述气体供给部对置的方式配置于所述基板的周围部分与所述反应器的内壁之间的空间。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置的反应器，其特征在于，
所述气体供给部包括：
至少一个气体供给管，沿着所述气体供给部的长度方向形成；以及
多个吐出孔，形成在所述气体供给管的一侧并朝向所述基板。
12.根据权利要求9所述的基板处理装置的反应器，其特征在于，
所述气体排出部包括：
气体排出管，沿着所述气体排出部的长度方向形成；以及
多个排出孔，形成在所述气体排出管的一侧并朝向所述基板。
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