JP2007201406A - 成膜装置、成膜方法、プリコート層及びその形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】排気可能になされた処理容器4と、前記処理容器内に設けられて被処理体Wを載置するための載置台24と、前記被処理体を加熱するための加熱手段30と、前記載置台と対向するように前記処理容器の天井部に設けられて成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド部6と、を有して前記被処理体の表面に所定の薄膜を堆積する成膜装置において、前記シャワーヘッド部の表面を、表面処理により輻射率が0.5以上になるように設定する。これにより、シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えるようにする。
【選択図】図1
Description
そして、このような集積回路に関して、最近にあっては、高集積化及び薄膜化の更なる要請により、線幅や膜厚等がより微細化されているが、このように、微細化及び薄膜化しても抵抗率がある程度小さく、異種材料との密着性もよく、しかも比較的低温での成膜も可能なことから、高融点金属を用いた薄膜が多用される傾向にあり、この高融点金属薄膜が用いられる部位としては、配線層、電極層、拡散バリヤ層等が挙げられる。またこの高融点金属薄膜としては、高融点金属自体の薄膜、この金属窒化膜、この金属炭化膜、この金属珪化膜等を挙げることができる。
そして、そのようなクリーニング処理を行うと、上記不要な付着膜が除去されるので容器内の熱的条件が変化することになり、この熱的条件の変化がウエハ温度に影響を及ぼすことを防止するために、実際に製品ウエハに成膜を施す前に、ウエハを処理容器内へ搬入しない状態で、すなわち空状態で成膜用の原料ガスを処理容器内へ流してプリコート層を容器内構造物の表面に付着させる、いわゆるプリコート処理を行うようにしている(特許文献1、2)。
特に、成膜処理を比較的低圧で行う場合には、ウエハへの熱伝導の形態が、ガスによる熱伝導から輻射による熱伝導へ移行してこの輻射による熱伝導が支配的になるため、ウエハ毎の温度変化(膜厚変化)が一層大きくなる、といった問題があった。
また本発明の他の目的は、上記成膜装置を用いて熱効率が良好となるプリコート層を形成することができる成膜方法を提供することにある。
また本発明の更に他の目的は、載置台とこの上に載置される被処理体との間の温度差を小さくでき、しかも載置台の中央部と周辺部との間の温度差を抑制して載置台の熱伸縮応力による破損を防止することができるプリコート層及びその形成方法を提供することにある。
従って、処理毎の被処理体の温度変動を抑制することができるので、被処理体間の膜厚均一性の向上を図ることができ、もって膜厚の再現性を高く維持することができる。
また例えば請求項3に規定するように、前記シャワーヘッド部の母材は、JIS規格のA6061による金属であり、前記アルマイト層の厚さは17μm以上である。
また例えば請求項4に規定するように、前記シャワーヘッド部の母材は、JIS規格のA5052による金属であり、前記アルマイト層の厚さは28μm以上である。
また例えば請求項5に規定するように、前記載置台には、前記加熱手段として抵抗加熱ヒータが内蔵されている。
この場合、例えば請求項7に規定するように、前記薄膜は、金属膜又は金属含有膜であり、前記プリコート層形成工程のプリコート層は、前記被処理体の表面に形成される前記薄膜と同じ材料よりなる。
また例えば請求項9に規定するように、前記薄膜は、金属膜又は金属含有膜であり、前記プリコート層形成工程のプリコート層は、シリコン膜と、該シリコン膜上に形成された前記金属の珪化物との2層構造よりなる。
このように、プリコート層を2層構造に設定することにより、被処理体を加熱するために投入する熱量を少なくでき、その分、加熱効率を向上させることができる。
また例えば請求項11に規定するように、前記金属は、タングステン、チタン、タンタル、ハフニウム、ジルコニウムよりなる群の内のいずれか1以上の金属である。
また例えば請求項14に記載したように、前記上層プリコート膜は、前記載置台の上面であって、前記被処理体を直接的に載置する載置領域を除いて形成されている。
また例えば請求項15に記載したように、前記上層プリコート膜の下層には、前記薄膜と同じ膜種よりなる下地プリコート膜が形成されている。
また例えば請求項17に記載したように、前記高輻射率プリコート膜は、シリコン膜、カーボン膜、SiC膜、SiN膜よりなる群の内のいずれか1よりなる。
また例えば請求項18に記載したように、前記薄膜は、金属膜又は金属含有膜よりなる。
また例えば請求項20に記載したように、前記金属は、タングステン、チタン、タンタル、ハフニウム、ジルコニウムよりなる群の内のいずれか1以上の金属である。
この場合、例えば請求項22に記載したように、前記上層プリコート膜を形成する工程は、前記載置台の上面にダミー被処理体を載置した状態で行う。
また例えば請求項23に記載したように、前記高輻射率プリコート膜を形成する工程の前工程で、前記薄膜と同じ膜種よりなる下地プリコート膜を形成する工程を行う。
また例えば請求項24に記載したように、前記各プリコート膜を形成する各工程の直後には、該プリコート膜の表面を窒化する窒化工程を行う。
シャワーヘッド部の表面を、表面処理により輻射率が0.5以上になるように設定するように構成したので、成膜時にシャワーヘッド部に不要な付着膜が堆積しても、被処理体温度の変動量を大幅に抑制することができる。
従って、処理毎の被処理体の温度変動を抑制することができるので、被処理体間の膜厚均一性の向上を図ることができ、もって膜厚の再現性を高く維持することができる。
特に請求項9に係る発明によれば、プリコート層を2層構造に設定するようにしたので、被処理体を加熱するために投入する熱量を少なくでき、その分、加熱効率を向上させることができる。
図1は本発明に係る成膜装置を示す断面構成図、図2はアルマイト層が形成されたシャワーヘッド部を示す拡大断面図である。ここでは薄膜として高融点金属、例えばタングステン或いはタングステンの珪化物(シリサイド)の薄膜を形成する場合を例にとって説明する。
このシャワーヘッド部6と処理容器4の上端開口部との接合部には、例えばOリング等よりなるシール部材12がそれぞれ介在されており、処理容器4内の気密性を維持するようになっている。
そして、この処理容器4の底部18に排気落とし込め空間20が形成されている。具体的には、この容器底部18の中央部には大きな開口が形成されており、この開口に、その下方へ延びる有底円筒体状の円筒区画壁22を連結してその内部に上記排気落とし込め空間20を形成している。そして、この空間20を区画する円筒区画壁22の底部22Aには、これより起立させて例えば円筒体状の支柱25が設けられており、この上端部に保持手段としての載置台24が固定されている。この載置台24上に上記ウエハMを載置して保持(支持)することになる。
<プリコート処理>
まず、処理容器4内がクリーニング処理された直後の場合には、直接的に製品ウエハに対する成膜処理を行わないで、前述したように処理容器4内の輻射率等の熱的条件を安定化させるためにプリコート膜形成工程を行う。このプリコート膜形成工程では、例えば製品ウエハに対する成膜時と同じ、或いは類似したプロセス条件で原料ガスや他の必要なガスを流し、少なくとも載置台24の表面等に、図3に示すようにプリコート層70を形成する。
上述のようにして所望のプリコート層70を形成したならば、次に製品ウエハに対する薄膜の形成を行う薄膜形成工程へ移行する。
この薄膜形成工程では、まず、半導体ウエハMの搬入に先立って、例えば図示しないロードロック室に接続されたこの成膜装置2の処理容器4内は例えば真空引きされており、また、ウエハMを載置する載置台24は加熱手段である抵抗加熱ヒータ30によって所定の温度に昇温されて安定的に維持されている。
そして、このような成膜処理は、処理済みの半導体Mを未処理のウエハと入れ替えて連続的に所定の枚数行われることになる。
この場合、シャワーヘッド部6の表面の輻射率を0.5以上に設定するためには、シャワーヘッド部6の母材としてJIS規格のA6061によるアルミニウム合金を用いた場合にはアルマイト層62の厚さH1を17μm以上に設定し、シャワーヘッド部6の母材としてJIS規格のA5052によるアルミニウム合金を用いた場合にはアルマイト層62の厚さH1を28μm以上に設定する。
次に、輻射率に対するウエハ温度の依存性を評価する実験を行ったので、その評価結果について説明する。
図4は輻射率に対するウエハ温度及びウエハ温度変化量の依存性を示すグラフである。ここでは、シャワーヘッド部にアルマイト層を設けていない従来のシャワーヘッド部を備えた成膜装置で、多数枚のウエハ表面にタングステン膜を形成した時のウエハ温度と輻射率の変化を調べた。また載置台の温度を691℃に設定している。図4において、横軸は輻射率を取っており、左側縦軸にはウエハ温度を取り、右側縦軸にはウエハ温度変化量(輻射率0.1の変化に対するウエハ温度の変化量)を取っている。
そこで、シャワーヘッド部の輻射率を予め大きくしておけば、その後のウエハに対する成膜により輻射率が大きくなっても、ウエハ温度の低下はそれ程大きくならないことが判る。従って、本発明ではこの点に着目して、シャワーヘッド部にアルマイト層62(図2参照)を予め設けて輻射率が0.5以上になるように設定しており、これにより輻射率変化0.1当たりのウエハ温度変化量を18℃以下となるように抑制できることが確認することができた。この場合、輻射率を0.8以上に設定すればウエハ温度の変化量を10℃以下にできるのでより好ましい。このように、ウエハ温度の変化量を18℃以下にすることができるので、ウエハに成膜された膜厚の変化量を大幅に抑制して小さくすることができ、この結果、膜厚の面間均一性を大幅に向上させることができる。
次にシャワーヘッド部6の母材に対する検討を行ったので、その検討結果について説明する。
ここではシャワーヘッド部6を形成する母材として、JIS規格のA5052とA6061で規定されるアルミニウム合金について検討した。図5はアルミニウム母材に対するアルマイト層の厚さと輻射率との関係を示すグラフであり、上述のようにここではJIS規格のA5052とA6061のアルミニウム合金について検討した。
これらのシャワーヘッド部6の材料は単に一例を示したに過ぎず、輻射率0.5以上を実現できるのであれば、どのようなアルミニウム、或いはアルミニウム合金を用いてもよい。
次に、本発明装置を用いて実際にプリコート処理と成膜処理を行って、従来装置による比較例と比較して評価を行ったので、その評価結果について説明する。
上記評価結果は、下記の表1にまとめられており、図6は本発明装置と従来装置による薄膜のシート抵抗の変化を示すグラフである。尚、シート抵抗は膜厚に対応する。
ここでは50枚のウエハに対して連続してタングステン膜を成膜処理しており、その50枚の内のウエハ温度変化量を求めている。またシート抵抗の変化量については25枚の平均値を求めている。図6は、この25枚のウエハのシート抵抗値の変化を示している。尚、図6中では1層構造のプリコート層の場合のデータの記載を省略している。
[従来装置のプリコート条件]
載置台温度:550℃
プロセス圧力:6.7Pa
W(CO)6 に対するArキャリアガス/希釈Arガス=90/700sccm
成膜時間:2400sec
プリコート層の種類:W膜
上記従来装置の場合と同じ
プリコート層の種類:W膜の1層構造
載置台温度:591℃
プロセス圧力:6.7Pa(一定)
1層目(下層膜):ポリシリコン膜の成膜
Ar/SiH4 =600/100sccm
成膜時間:360sec
2層目(上層膜):WSi膜の成膜(下記の1〜4stepを33回繰り返す)
1step:Ar/SiH4 =200/100sccm、時間:5sec
2step:パージAr=300sccm、時間:10sec
3step:W(CO)6 に対するArキャリアガス/希釈Arガス=60/240sccm、時間:5sec
4step:パージAr=300sccm、時間:10sec
プリコート層の種類:PolySi膜/WSi膜の2層構造
従来装置及び本発明装置共に同じ条件
ウエハ温度:500℃
プロセス圧力:20Pa
W(CO)6 に対するArキャリアガス/希釈Arガス=90/700sccm
成膜時間:340sec
以上の結果を下記の表1に示す。
また2層構造のプリコート層の場合には、1枚目のウエハ温度500℃から50枚目のウエハ温度488℃まで12℃しか変化しておらず、非常にウエハ温度の変化を抑制できることが確認できた。また、その時の25枚ウエハのシート抵抗値の面間均一性は2.9%と、従来装置の場合と比較して更に大きく抑制でき、良好な結果が得られることが確認できた。この時の従来装置と本発明装置の2層構造プリコート層の場合のシート抵抗の変化状態が図6に示されている。
次に、上記載置台等の内部構造物の表面に形成されるプリコート層の変形例について説明する。
図7は本発明のプリコート層の第1の変形例の形成方法を説明するための工程図、図8は載置台温度が一定の条件下にてタングステンのプリコート時間がウエハ温度と載置台の輻射率に与える影響を示すグラフ、図9は載置台温度が一定の条件下にてタングステンのプリコート時間がヒータ電力と載置台の輻射率に与える影響を示すグラフである。
この際、プリコート層を過度に厚くすると、載置台からウエハ自体への熱輻射が減少し、載置台温度とウエハ温度との差(温度差)が大きくなってしまい、この結果、ヒータに過度の電力を投入しなければならないのでヒータ等の短寿命化を招いてしまう。
この載置台24は、窒化アルミ(AlN)やアルミナ(Al2 O3 )やシリコンカーバイト(SiC)等のセラミック、アルミニウム、アルミニウム合金等により形成されており、ここでは例えばAlNにより形成されているものとする。尚、抵抗加熱ヒータやピン挿通孔等の記載は省略している。以下に説明する事項において、下層とは載置台24に近い側を指し、上層とは載置台24から遠い側を指すものとする。
そして、この下地プリコート膜82の上層には、界面に上記下地プリコート膜82を形成する材料の窒化膜であるタングステン窒化膜(WN)82Aを介して高輻射率プリコート膜84が全面に形成されている。このタングステン窒化膜82Aはバリヤ層としての機能を有している。上記高輻射率プリコート膜84は、ウエハに成膜する膜種、すなわちここではタングステン膜よりも輻射率の高い膜種、例えばここではシリコン膜(Si)により形成されている。この高輻射率プリコート膜84の材料としては、上記載置台24を構成する材料、例えばAlNよりも輻射率が高い材料を選択するのがよい。
まず、図7(A)に示すように、載置台24の表面に、原料ガスとしてW(CO)6 を用いてタングステンを形成することにより、下地プリコート膜82を形成する。
この時のプロセス条件は以下の通りである。
載置台温度:550℃
プロセス圧力:6.7Pa
W(CO)6 に対するArキャリアガス/希釈Arガス=40/320sccm
成膜時間:60sec
この時のプロセス条件は以下の通りである。
載置台温度:600℃
プロセス圧力:133.3Pa
ガス流量:Ar/NH3 =50/310sccm
プロセス時間:60sec
この時のプロセス条件は以下の通りである。
載置台温度:600℃
プロセス圧力:326.6Pa
ガス流量:Ar/SiH4 =600/100sccm
成膜時間:1800sec
この時のプロセス条件は以下の通りである。
載置台温度:600℃
プロセス圧力:133.3Pa
ガス流量:Ar/NH3 =50/310sccm
プロセス時間:60sec
この時のプロセス条件は以下の通りである。
載置台温度:675℃
プロセス圧力:20Pa
W(CO)6 に対するArキャリアガス/希釈ガス=90/700sccm
成膜時間:300sec
更には、載置台24自体の破損等も生ずることがなく、この耐久性を向上させ、長寿命化を図ることができた。
このように、被処理体である半導体ウエハMに堆積させる薄膜よりも輻射率の高い膜種よりなる高輻射率プリコート膜84と、薄膜と同じ膜種よりなる上層プリコート膜86とを適宜組み合わせてプリコート層80を形成するようにしたので、載置台24とこの上に載置される被処理体Wとの間の温度差を小さくでき、しかも載置台24の中央部と周辺部との間の温度差を抑制して載置台24の熱伸縮応力による破損を防止することができる。また成膜処理の再現性も向上させることができる。
<プリコートの第1の目的>
高温のプロセスでは一般的に耐熱性のあるセラミック材料に抵抗加熱ヒータ30を埋め込んだ載置台24が用いられる。セラミック材料は焼結助剤のような不純物を含有しており、高温時にこの不純物が放出され、ウエハを載置する際にウエハ裏面を汚染する可能性がある。また、載置台表面は処理容器4のクリーニングの際にクリーニングガスによる腐食で脆弱となり、ウエハを載置した際にウエハ裏面に大量のパーティクルが付着する。
ところが、例えばW膜などの金属膜のように輻射率が低い材料ではプリコート処理により載置台表面のプリコート膜を厚くして行くと、載置台24の温度を一定に維持しても、ウエハの実温がプリコート膜厚の増加に伴って下がって行く。特にウエハへの成膜条件が1Torr以下の低圧の場合は、載置台24からウエハへの熱伝導は輻射が支配的となり、載置台表面の輻射率の変化でウエハ温度も大きく変化する。本実施例のように載置台24の構成材料(AlN)の輻射率は金属膜より高いので、プリコート膜が薄い間は構成材料の輻射率の影響を受けるが、厚くなるに従って次第に金属固有の低い輻射率に収束する。
そこで、載置台をW膜よりなる金属膜の下地プリコート膜82で一旦被覆した後に、輻射率の高いSiのような非金属材料で少なくとも載置台の基板載置/接触する面を高輻射率プリコート膜84で被覆する。輻射率が載置台の構成材料、例えばAlNより高いSiを用いれば、薄い被覆でも載置台表面の輻射率を本来のAlNのレベルに復帰できる。また、Si膜を十分厚く堆積することにより、AlN以上の輻射率も可能になる。
実施例の載置台24は、抵抗加熱ヒータ30の埋設領域が、例えば内側、外側の2ゾーンになっており、各ゾーンの投入パワー比率を設定することにより、載置台24の温度分布を調整できるようになっている。ところが、ウエハへの成膜処理を重ねるに連れて載置台24のウエハ載置面以外に膜が堆積され、結果的にこの部分の輻射率が低下していく。載置台24の輻射率が部分的に変化すると、載置台24全体の放熱バランスが崩れ、設定したゾーンパワー比率ではウエハの面内均熱性を保持できなくなり、ウエハへの成膜分布が悪化することになる。そこで、載置台24のウエハ載置面以外の部分の輻射率がウエハへの成膜処理により変化しないように、この部分に前もってウエハ成膜と同じ金属膜、例えばW膜を所定の膜厚で堆積させて上層プリコート膜86を形成する必要がある。この所定の膜厚とは前述の載置台24の表面の輻射率が収束(飽和)する膜厚である。
前述のようにウエハを主に加熱するのは載置台24のウエハ載置面(載置領域)からの輻射であるから、この部分の輻射率を変化させず(高く維持したまま)、上記上層プリコート膜86を堆積する。そのためには、ダミーウエハDWを載置したまま金属膜(W膜)のプリコートを実施し、載置台全体の輻射率が収束(飽和)するまでプリコート処理を持続する必要がある。全体の輻射率は投入パワーと一義的な相関関係にあり、これが収束すると輻射率が収束することになる。載置台のウエハ載置面と反対側はプリコート膜が堆積し難く、プリコート膜を載置台全体で所定の膜厚だけ堆積させるためには長時間が必要である。
比較例としては、図7で説明したものと同じ載置台24の全表面に、W膜のみを以下の条件で成膜した。
載置台温度:550℃
プロセス圧力:6.7Pa
W(CO)6 に対するArキャリアガス/希釈Arガス=40/320sccm
成膜時間:2400sec
この場合、載置台温度を、製品ウエハへのW膜成膜時の載置台温度と同じ675℃に設定したが、ウエハの実温度は372℃までしか上昇せず、所定のウエハ温度500℃を達成することができなかった。
また、上記実施例(変形例を含む)では、ウエハ上にタングステン膜よりなる金属膜を形成する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、タングステン膜を含む金属含有膜、例えば窒化物膜、炭化物膜、珪化物膜、或いはこれらの混合物膜を形成する場合にも、本発明を適用することができる。
また半導体ウエハに形成する薄膜が、金属膜や金属含有膜でない場合、例えばシリコン膜やシリコン酸化膜等の場合にも、本発明を適用できるのは勿論である。
更に本実施例では、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、LCD基板、ガラス基板、セラミック基板等にも適用できるのは勿論である。
4 処理容器
6 シャワーヘッド部(ガス導入手段)
8 ガス噴射面
24 載置台(保持手段)
28 真空排気系
30 抵抗加熱ヒータ(加熱手段)
62 アルマイト層
64 制御手段
66 記憶媒体
70 プリコート層
70A 下層膜
70B 上層膜
80 プリコート層
82 下地プリコート膜(W)
82A 窒化膜(WN)
84 高輻射率プリコート膜(Si)
84A 窒化膜(SiN)
86 上層プリコート膜(W)
96 載置領域
M 半導体ウエハ(被処理体)
DM ダミーウエハ(ダミー被処理体)
Claims (24)
- 排気可能になされた処理容器と、
前記処理容器内に設けられて被処理体を載置するための載置台と、
前記被処理体を加熱するための加熱手段と、
前記載置台と対向するように前記処理容器の天井部に設けられて成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド部と、を有して前記被処理体の表面に所定の薄膜を堆積する成膜装置において、
前記シャワーヘッド部の表面を、表面処理により輻射率が0.5以上になるように設定するように構成したことを特徴とする成膜装置。 - 前記シャワーヘッド部は、アルミニウム又はアルミニウム合金よりなり、前記シャワーヘッド部の表面には、前記表面処理により形成されたアルマイト層が設けられていることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記シャワーヘッド部の母材は、JIS規格のA6061による金属であり、前記アルマイト層の厚さは17μm以上であることを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
- 前記シャワーヘッド部の母材は、JIS規格のA5052による金属であり、前記アルマイト層の厚さは28μm以上であることを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
- 前記載置台には、前記加熱手段として抵抗加熱ヒータが内蔵されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の成膜装置。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の成膜装置を用いて被処理体の表面に所定の薄膜を堆積するに際して、
前記処理容器内に前記被処理体を搬入しない空状態で前記処理容器内へ所定のガスを流すことにより少なくとも載置台の表面にプリコート層を形成するプリコート層形成工程と、
前記プリコート層形成工程の後に前記処理容器内へ前記被処理体を搬入して前記被処理体に前記薄膜を形成する薄膜形成工程を行うようにしたことを特徴とする成膜方法。 - 前記薄膜は、金属膜又は金属含有膜であり、前記プリコート層形成工程のプリコート層は、前記被処理体の表面に形成される前記薄膜と同じ材料よりなることを特徴とする請求項6記載の成膜方法。
- 前記薄膜は、金属膜又は金属含有膜であり、前記プリコート層形成工程のプリコート層は、前記金属の珪化物よりなることを特徴とする請求項6記載の成膜方法。
- 前記薄膜は、金属膜又は金属含有膜であり、前記プリコート層形成工程のプリコート層は、シリコン膜と、該シリコン膜上に形成された前記金属の珪化物との2層構造よりなることを特徴とする請求項6記載の成膜方法。
- 前記金属含有膜は、前記金属の窒化物、炭化物、珪化物、或いはこれらの2以上の物質の混合物よりなることを特徴とする請求項7乃至9のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記金属は、タングステン、チタン、タンタル、ハフニウム、ジルコニウムよりなる群の内のいずれか1以上の金属であることを特徴とする請求項6乃至10のいずれかに記載の成膜方法。
- 被処理体の表面に所定の薄膜を堆積するために排気可能になされた処理容器内にて前記被処理体を載置する載置台の表面を覆うプリコート層において、
前記薄膜よりも輻射率の高い膜種よりなる高輻射率プリコート膜と、
前記高輻射率プリコート膜の上層に形成されて前記薄膜と同じ膜種よりなる上層プリコート膜と、
よりなることを特徴とするプリコート層。 - 前記高輻射率プリコート膜は、前記載置台を構成する材料よりも輻射率が高い材料で形成されることを特徴とする請求項12記載のプリコート層。
- 前記上層プリコート膜は、前記載置台の上面であって、前記被処理体を直接的に載置する載置領域を除いて形成されていることを特徴とする請求項12又は13記載のプリコート層。
- 前記上層プリコート膜の下層には、前記薄膜と同じ膜種よりなる下地プリコート膜が形成されていることを特徴とする請求項12乃至14のいずれかに記載のプリコート層。
- 前記各プリコート膜間の界面には、該界面における下層のプリコート膜を形成する材料の窒化膜が形成されていることを特徴とする請求項12乃至15のいずれかに記載のプリコート層。
- 前記高輻射率プリコート膜は、シリコン膜、SiC膜、SiN膜よりなる群の内のいずれか1よりなることを特徴とする請求項12乃至16のいずれかに記載のプリコート層。
- 前記薄膜は、金属膜又は金属含有膜よりなることを特徴とする請求項12乃至17のいずれかに記載のプリコート層。
- 前記金属含有膜は、前記金属膜を形成する金属の窒化物、炭化物、珪化物よりなる群から選択される1よりなることを特徴とする請求項12乃至18のいずれかに記載のプリコート層。
- 前記金属は、タングステン、チタン、タンタル、ハフニウム、ジルコニウムよりなる群の内のいずれか1以上の金属であることを特徴とする請求項19記載のプリコート層。
- 被処理体の表面に所定の薄膜を堆積するために排気可能になされた処理容器内にて前記被処理体を載置する載置台の表面を覆うプリコート層の形成方法において、
前記薄膜よりも輻射率の高い膜種よりなる高輻射率プリコート膜を形成する工程と、
前記高輻射率プリコート膜の上層に前記薄膜と同じ膜種よりなる上層プリコート膜を形成する工程と、
よりなることを特徴とするプリコート層の形成方法。 - 前記上層プリコート膜を形成する工程は、前記載置台の上面にダミー被処理体を載置した状態で行うことを特徴とする請求項21記載のプリコート層の形成方法。
- 前記高輻射率プリコート膜を形成する工程の前工程で、前記薄膜と同じ膜種よりなる下地プリコート膜を形成する工程を行うことを特徴とする請求項21又は22記載のプリコート層の形成方法。
- 前記各プリコート膜を形成する各工程の直後には、
該プリコート膜の表面を窒化する窒化工程を行うことを特徴とする請求項21乃至23のいずれかに記載のプリコート層の形成方法。
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