JP4652408B2 - 基板処理装置、反応管、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置、反応管、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4652408B2 JP4652408B2 JP2007528432A JP2007528432A JP4652408B2 JP 4652408 B2 JP4652408 B2 JP 4652408B2 JP 2007528432 A JP2007528432 A JP 2007528432A JP 2007528432 A JP2007528432 A JP 2007528432A JP 4652408 B2 JP4652408 B2 JP 4652408B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner tube
- buffer member
- tube
- support portion
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 56
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 12
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
炉口部に金属部品が従来より長く使用されてきた理由は、石英材料が欠けやすく耐久性に問題があるからである。
反応管内で基板を処理する基板処理装置であって、
前記反応管は、アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、前記インナーチューブを支持する支持部とを有し、
前記インナーチューブと前記支持部は石英または炭化珪素からなり、前記支持部と前記インナーチューブとの間に緩衝部材を設けた基板処理装置が提供される。
アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、前記インナーチューブを支持する支持部とを有し、
前記インナーチューブと前記支持部は石英または炭化珪素からなり、前記支持部と前記インナーチューブとの間に緩衝部材を設けてなる反応管が提供される。
アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、前記インナーチューブを支持する支持部と、を有し、前記インナーチューブと前記支持部は石英または炭化珪素からなり、前記支持部と前記インナーチューブとの間に緩衝部材を設けてなる反応管内に基板を搬入する工程と、
前記反応管内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
前記反応管内から処理後の基板を搬出する工程と、を有する基板処理方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、
前記インナーチューブを支持する支持部と、を有し、前記インナーチューブと前記支持部は石英または炭化珪素からなり、前記支持部と前記インナーチューブとの間に緩衝部材を設けてなる反応管内に基板を搬入する工程と、
前記反応管内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
前記反応管内から処理後の基板を搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
反応管内で基板を処理する基板処理装置であって、
前記反応管は、アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、前記インナーチューブを支持する支持部とを有し、
前記インナーチューブと前記支持部は石英または炭化珪素からなり、前記支持部と前記インナーチューブとの間に緩衝部材を設けた基板処理装置が提供される。
反応管内で基板を処理する基板処理装置であって、
前記反応管は、アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、前記インナーチューブを支持する支持部とを有し、
前記支持部と前記インナーチューブとの間に、それらを構成する物質が変形または破損する力よりも小さな力で変形または破損する物質からなる緩衝部材を設けた基板処理装置が提供される。
アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、前記インナーチューブを支持する支持部と、を有し、前記インナーチューブと前記支持部は石英または炭化珪素からなり、前記支持部と前記インナーチューブとの間に緩衝部材を設けてなる反応管内に基板を搬入する工程と、
前記反応管内に成膜ガスを供給してCVD法により基板上に膜を形成する工程と、
前記反応管内から膜形成後の基板を搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の好ましい実施例では、従来のアウターチューブ205とインレットフランジ(マニホールド)209とを一体としすべて石英製とした。
さらに、インナーチューブ204とアウターチューブ205のインナーチューブを支持する部分271との間に緩衝部材272を設け、石英部材同士が接触しないようにした。
図1は、本発明の実施例1の減圧縦型CVD装置を説明するための概略縦断面図であり、図2は、実施例1の減圧縦型CVD装置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。なお、図中、反応炉を構成する各部材の大きさ、形状、厚さ等は、これらをより明確に表すために誇張して示している。他の実施例についても同様である。
空のボート217、すなわちウエハ200を装填していないボート217が、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201に搬入(ボートローディング)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介してアウターチューブ205の下端をシールした状態となる。
図5A〜5Cは、本発明の実施例2の減圧縦型CVD装置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。図5Aは実施例2の第1例を、図5Bは実施例2の第2例を、図5Cは実施例2の第3例を示している。
図6A、6Bは、本発明の実施例3の減圧縦型CVD装置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。図6Aは実施例3の第1例を、図6Bは実施例3の第2例を示している。
図7は、本発明の実施例4の減圧縦型CVD装置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。
図8は、本発明の実施例5の減圧縦型CVD装置を説明するための部分拡大概略縦断面図である。
その結果、本発明は、半導体シリコンウエハを処理する基板処理装置および半導体装置の製造方法に特に好適に利用できる。
Claims (18)
- 反応管内で基板を処理する基板処理装置であって、
前記反応管は、アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、前記インナーチューブを支持する支持部とを有し、
前記インナーチューブと前記支持部は石英または炭化珪素からなり、前記支持部と前記インナーチューブとの間に緩衝部材を設けた基板処理装置。 - 前記緩衝部材は、石英が変形または破損する力よりも小さな力で変形または破損する物質からなる請求項1記載の基板処理装置。
- 前記緩衝部材は、石英よりも硬度の小さい物質からなる請求項2記載の基板処理装置。
- 前記緩衝部材は、カーボンを含む物質またはシリコンを含む物質からなる請求項3記載の基板処理装置。
- 前記緩衝部材は、黒鉛、ガラス状炭素、表面をガラス状炭素で覆った黒鉛からなる群から選択される少なくとも一つの物質からなる請求項4記載の基板処理装置。
- 前記緩衝部材は、石英よりも硬度の小さい物質の表面にSi、SiO2、Si3N4、SiC からなる群から選択される少なくとも一つの物質をコートした部材からなる請求項4記載の基板処理装置。
- 前記緩衝部材は、カーボンを含む物質の表面にSi、SiO2、Si3N4、SiC からなる群から選択される少なくとも一つの物質をコートした部材からなる請求項4記載の基板処理装置。
- 前記緩衝部材は、単結晶シリコンからなる請求項2記載の基板処理装置。
- 前記アウターチューブと前記支持部は石英からなり、前記支持部は前記アウターチューブの内壁に溶接されてなる請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記インナーチューブと前記アウターチューブと前記支持部は石英からなる請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記緩衝部材、前記支持部、または前記インナーチューブのうち少なくとも何れか一つには、前記緩衝部材または前記インナーチューブの水平方向への動きを規制する段差部が設けられる請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記段差部は前記緩衝部材に設けられる請求項11記載の基板処理装置。
- 前記段差部は、前記緩衝部材と、前記支持部に設けられる請求項11記載の基板処理装置。
- 前記段差部は、前記インナーチューブと、前記支持部に設けられる請求項11記載の基板処理装置。
- 前記段差部は、前記緩衝部材と、前記インナーチューブに設けられる請求項11記載の基板処理装置。
- アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、前記インナーチューブを支持する支持部とを有し、
前記インナーチューブと前記支持部は石英または炭化珪素からなり、前記支持部と前記インナーチューブとの間に緩衝部材を設けてなる反応管。 - アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、前記インナーチューブを支持する支持部と、を有し、前記インナーチューブと前記支持部は石英または炭化珪素からなり、前記支持部と前記インナーチューブとの間に緩衝部材を設けてなる反応管内に基板を搬入する工程と、
前記反応管内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
前記反応管内から処理後の基板を搬出する工程と、
を有する基板処理方法。 - アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、前記インナーチューブを支持する支持部と、を有し、前記インナーチューブと前記支持部は石英または炭化珪素からなり、前記支持部と前記インナーチューブとの間に緩衝部材を設けてなる反応管内に基板を搬入する工程と、
前記反応管内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
前記反応管内から処理後の基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005215788 | 2005-07-26 | ||
JP2005215788 | 2005-07-26 | ||
JP2006069454 | 2006-03-14 | ||
JP2006069454 | 2006-03-14 | ||
PCT/JP2006/314422 WO2007013355A1 (ja) | 2005-07-26 | 2006-07-20 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007013355A1 JPWO2007013355A1 (ja) | 2009-02-05 |
JP4652408B2 true JP4652408B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=37683256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007528432A Expired - Fee Related JP4652408B2 (ja) | 2005-07-26 | 2006-07-20 | 基板処理装置、反応管、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8246749B2 (ja) |
JP (1) | JP4652408B2 (ja) |
WO (1) | WO2007013355A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007013355A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5792390B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2015-10-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP5933399B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2016-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US10998205B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
KR102680412B1 (ko) * | 2018-11-27 | 2024-07-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 처리 장치 및 반도체 처리 시스템 |
KR20220064014A (ko) * | 2020-11-11 | 2022-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 터치 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01241819A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の熱処理装置 |
JP2001267255A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Nec Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
JP2002280371A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2002343782A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2004221150A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2004319979A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体熱処理装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4526534A (en) * | 1983-06-01 | 1985-07-02 | Quartz Engineering & Materials, Inc. | Cantilever diffusion tube apparatus and method |
US5441570A (en) * | 1993-06-22 | 1995-08-15 | Jein Technics Co., Ltd. | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
US5484484A (en) * | 1993-07-03 | 1996-01-16 | Tokyo Electron Kabushiki | Thermal processing method and apparatus therefor |
JPH0786174A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP3449636B2 (ja) | 1993-11-12 | 2003-09-22 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
JP3982844B2 (ja) * | 1995-01-12 | 2007-09-26 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
TW506620U (en) * | 1996-03-15 | 2002-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | Low pressure CVD apparatus |
JP3556804B2 (ja) * | 1997-05-20 | 2004-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP4364962B2 (ja) | 1999-01-21 | 2009-11-18 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP3579278B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2004-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及びシール装置 |
JP2000243747A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
KR100345304B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2002-07-25 | 한국전자통신연구원 | 수직형 초고진공 화학증착장치 |
US7383008B2 (en) * | 2003-01-28 | 2008-06-03 | Seiko Epson Corporation | Fixing rubber roller, fixing device and image forming apparatus incorporating the same |
US8057599B2 (en) * | 2003-02-21 | 2011-11-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
KR101052448B1 (ko) * | 2003-03-28 | 2011-07-28 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 반도체 열처리 장치 |
WO2007013355A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US20100162952A1 (en) * | 2005-09-27 | 2010-07-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
JP5188326B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-04-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置 |
-
2006
- 2006-07-20 WO PCT/JP2006/314422 patent/WO2007013355A1/ja active Application Filing
- 2006-07-20 US US11/989,488 patent/US8246749B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-20 JP JP2007528432A patent/JP4652408B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01241819A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の熱処理装置 |
JP2001267255A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Nec Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
JP2002280371A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2002343782A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2004221150A (ja) * | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2004319979A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体熱処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090311873A1 (en) | 2009-12-17 |
US8246749B2 (en) | 2012-08-21 |
WO2007013355A1 (ja) | 2007-02-01 |
JPWO2007013355A1 (ja) | 2009-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8851886B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
US8529701B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
TWI399809B (zh) | 半導體裝置之製造方法、潔淨方法及基板處理裝置 | |
US7575431B2 (en) | Vertical heat processing apparatus and method for using the same | |
JP4759073B2 (ja) | 基板支持体、基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 | |
US9816183B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US11104995B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
WO2012029661A1 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP4652408B2 (ja) | 基板処理装置、反応管、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008235830A (ja) | 気相成長装置 | |
JPH09275076A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置およびそのクリーニング方法 | |
JP2009135228A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
JP6257008B2 (ja) | 基板処理装置および反応管 | |
JP2007146252A (ja) | 熱処理方法、熱処理装置及び記憶媒体 | |
TW201843755A (zh) | 氣體供應裝置、氣體供應方法及成膜方法 | |
KR20200121771A (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2012080035A (ja) | 基板処理装置及び基板製造方法 | |
US20090061651A1 (en) | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
US20010052324A1 (en) | Device for producing and processing semiconductor substrates | |
JP2002302770A (ja) | 基板処理装置 | |
US11373876B2 (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
US7211514B2 (en) | Heat-processing method for semiconductor process under a vacuum pressure | |
JP2007073628A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
JP4404666B2 (ja) | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5571157B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100210 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101130 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4652408 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |