JP2000243747A - 基板処理装置 - Google Patents
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 常圧炉で使用されている石英製のガス供給部
を改善して、地震などの衝撃に対して、常圧炉を最小限
の被害で止めるようにする。 【解決手段】 炉体を構成する石英製の反応管４に、反
応ガスを供給する石英製のガス供給管２５が接続され
る。このガス供給管２５に、炉体に震動が生じたとき他
の部位に優先して応力が集中する応力集中部２３を形成
する。応力集中部２３は、反応管４に取り付けた反応管
側ガス供給管７と供給源側ガス供給管８とを接続する配
管クランプ２１の手前となる供給源側ガス供給管８側に
設ける。応力集中部２３としては最も簡易なＶ溝を周方
向に形成するのがよい。
を改善して、地震などの衝撃に対して、常圧炉を最小限
の被害で止めるようにする。 【解決手段】 炉体を構成する石英製の反応管４に、反
応ガスを供給する石英製のガス供給管２５が接続され
る。このガス供給管２５に、炉体に震動が生じたとき他
の部位に優先して応力が集中する応力集中部２３を形成
する。応力集中部２３は、反応管４に取り付けた反応管
側ガス供給管７と供給源側ガス供給管８とを接続する配
管クランプ２１の手前となる供給源側ガス供給管８側に
設ける。応力集中部２３としては最も簡易なＶ溝を周方
向に形成するのがよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は反応管に接続される
ガス供給部を石英で構成した炉を備えた基板処理装置に
係り、特に炉に加わった衝撃がガス供給部を介して反応
管に伝わるのを排除するための装置に関する。
ガス供給部を石英で構成した炉を備えた基板処理装置に
係り、特に炉に加わった衝撃がガス供給部を介して反応
管に伝わるのを排除するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、拡散炉では温度及びプロセス
ガスの関係により、反応管へ通じるガス供給管に石英を
用いている。図５（ａ）に示すように石英製の反応管４
１に反応管側ガス供給管４２が一体的に取り付けられ
る。その反応管側ガス供給管４２に、反応ガス供給源に
連通する石英製の供給源側ガス供給管４３を配管クラン
プ４４によってフランジ同士を締着することで接続して
いる。
ガスの関係により、反応管へ通じるガス供給管に石英を
用いている。図５（ａ）に示すように石英製の反応管４
１に反応管側ガス供給管４２が一体的に取り付けられ
る。その反応管側ガス供給管４２に、反応ガス供給源に
連通する石英製の供給源側ガス供給管４３を配管クラン
プ４４によってフランジ同士を締着することで接続して
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし石英は一般的に
脆い材料であり、地震などの衝撃が加わると破損しやす
いといった欠点がある。拡散炉の反応室の構造上、石英
反応管はほぼ一体型で作られているため、衝撃がこの反
応管に加わった際、破損しやすく、再製作となった場合
には大きな損害となってしまう。具体的には、図５
（ｂ）に示すように、ガス供給管４２、４３は配管クラ
ンプ４４にて反応管４１に強固に固定されているため、
地震などの際は、ガス供給管４２、４３から直接反応管
４１に衝撃が加わり、一番もろい根元の溶接部４５にて
破損してしまう。このため反応管及びガス配管が石英で
構成された炉においては、ガス供給部の改善が望まれて
いる。
脆い材料であり、地震などの衝撃が加わると破損しやす
いといった欠点がある。拡散炉の反応室の構造上、石英
反応管はほぼ一体型で作られているため、衝撃がこの反
応管に加わった際、破損しやすく、再製作となった場合
には大きな損害となってしまう。具体的には、図５
（ｂ）に示すように、ガス供給管４２、４３は配管クラ
ンプ４４にて反応管４１に強固に固定されているため、
地震などの際は、ガス供給管４２、４３から直接反応管
４１に衝撃が加わり、一番もろい根元の溶接部４５にて
破損してしまう。このため反応管及びガス配管が石英で
構成された炉においては、ガス供給部の改善が望まれて
いる。
【０００４】本発明の課題は、反応管に到達する前に衝
撃を吸収させることによって、上述した従来技術の問題
点を解消して、炉のガス供給部を改善することが可能な
基板処理装置を提供することにある。
撃を吸収させることによって、上述した従来技術の問題
点を解消して、炉のガス供給部を改善することが可能な
基板処理装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、基板を処
理する反応管及び反応管に接続され前記基板の処理に必
要なガスを流すガス配管を石英で構成した炉を有する基
板処理装置において、前記ガス配管に応力集中部を設け
たことを特徴とする基板処理装置である。ここで応力集
中部とは、外力がガス配管に加わったとき、その部分に
他の部分よりも応力が優先的に集中して破損しやすくな
っている部分である。凹みや溝あるいは薄肉部などで構
成することができる。
理する反応管及び反応管に接続され前記基板の処理に必
要なガスを流すガス配管を石英で構成した炉を有する基
板処理装置において、前記ガス配管に応力集中部を設け
たことを特徴とする基板処理装置である。ここで応力集
中部とは、外力がガス配管に加わったとき、その部分に
他の部分よりも応力が優先的に集中して破損しやすくな
っている部分である。凹みや溝あるいは薄肉部などで構
成することができる。
【０００６】地震などが発生して基板処理装置に外力が
加わった時、反応管に衝撃が加わる前に、ガス配管の応
力集中部に応力が集中して他の部位よりも優先的に破損
することになる。反応管に衝撃が加わる前にガス配管の
応力集中部が破損するので、反応管を破損から有効に保
護することができる。したがって配管のみの交換で済
み、交換作業も容易で、損害を大幅に低減できる。
加わった時、反応管に衝撃が加わる前に、ガス配管の応
力集中部に応力が集中して他の部位よりも優先的に破損
することになる。反応管に衝撃が加わる前にガス配管の
応力集中部が破損するので、反応管を破損から有効に保
護することができる。したがって配管のみの交換で済
み、交換作業も容易で、損害を大幅に低減できる。
【０００７】第２の発明は、第１の発明において、前記
炉の端部にガスの放散を防ぐスカベンジャを備え、前記
スカベンジャ内のガス配管に前記応力集中部を設けた基
板処理装置である。ここでスカベンジャとは、熱酸化装
置、熱拡散装置、ＣＶＤ装置などにおいて、炉体の端に
位置し、プロセスガスや熱のクリーンベンチ側への放散
を防ぐことを目的とする反応管への接続部分である。応
力集中部の位置はスカベンジャの内側がよい。ガス配管
が破損したとき、装置外へのガス漏れを低減できるから
である。装置外へのガス漏れを低減できるので、ガス配
管破損時のガス対策を改善できる。
炉の端部にガスの放散を防ぐスカベンジャを備え、前記
スカベンジャ内のガス配管に前記応力集中部を設けた基
板処理装置である。ここでスカベンジャとは、熱酸化装
置、熱拡散装置、ＣＶＤ装置などにおいて、炉体の端に
位置し、プロセスガスや熱のクリーンベンチ側への放散
を防ぐことを目的とする反応管への接続部分である。応
力集中部の位置はスカベンジャの内側がよい。ガス配管
が破損したとき、装置外へのガス漏れを低減できるから
である。装置外へのガス漏れを低減できるので、ガス配
管破損時のガス対策を改善できる。
【０００８】第３の発明は、第２の発明において、ガス
配管を配管接続具を介して反応管に接続し、前記配管接
続具を境にして反応管と反対側のガス配管に前記応力集
中部を設けた基板処理装置である。応力集中部を反応管
と反対側のガス配管に設ければ、破損するのは反応管と
反対側のガス配管になり、反応管側に至るガス配管は交
換しなくても良いので、一層交換が容易で経済的にな
る。
配管を配管接続具を介して反応管に接続し、前記配管接
続具を境にして反応管と反対側のガス配管に前記応力集
中部を設けた基板処理装置である。応力集中部を反応管
と反対側のガス配管に設ければ、破損するのは反応管と
反対側のガス配管になり、反応管側に至るガス配管は交
換しなくても良いので、一層交換が容易で経済的にな
る。
【０００９】第４の発明は、第１ないし第３の発明にお
いて、応力集中部をガス配管の径方向に切った溝で形成
した基板処理装置である。溝の向きは径方向でも軸方向
でもよく任意であり、溝深さ方向は径方向とする。また
溝数は単数あるいは複数でもよく、溝は全周に亘って連
続したリング状でも、部分的に形成したものでもよい。
溝形状はＶ溝、Ｕ溝などがよい。ガス配管に溝を切るこ
とにより、その部分で応力集中が容易に起こり易く、割
れ易くなる。
いて、応力集中部をガス配管の径方向に切った溝で形成
した基板処理装置である。溝の向きは径方向でも軸方向
でもよく任意であり、溝深さ方向は径方向とする。また
溝数は単数あるいは複数でもよく、溝は全周に亘って連
続したリング状でも、部分的に形成したものでもよい。
溝形状はＶ溝、Ｕ溝などがよい。ガス配管に溝を切るこ
とにより、その部分で応力集中が容易に起こり易く、割
れ易くなる。
【００１０】第５の発明は、第１ないし第４の発明にお
いて、前記応力集中部をガス配管のうちのガス供給管に
設けた基板処理装置である。本発明において応力集中部
はガス供給管に設けると良い。ガス供給管は排気管と比
べて温度が高く、反応管とガス配管との接続にベローズ
が使用できないためである。
いて、前記応力集中部をガス配管のうちのガス供給管に
設けた基板処理装置である。本発明において応力集中部
はガス供給管に設けると良い。ガス供給管は排気管と比
べて温度が高く、反応管とガス配管との接続にベローズ
が使用できないためである。
【００１１】第１の発明は、第１ないし第５の発明にお
いて、前記炉が拡散炉または酸化炉の常圧炉である基板
処理装置である。拡散炉や酸化炉などの石英管を用いた
常圧炉では、石英製のベローズが作成不可能だから特に
有効である。
いて、前記炉が拡散炉または酸化炉の常圧炉である基板
処理装置である。拡散炉や酸化炉などの石英管を用いた
常圧炉では、石英製のベローズが作成不可能だから特に
有効である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１３】実施形態の基板処理装置は、図１に示すよ
うに、基板としてのウェハを処理する反応管４、及び反
応管４に接続されウェハの処理に必要な反応ガスを流す
ガス配管たるガス供給管２５を、ともに石英で構成した
炉を有する。ガス供給管２５は途中で、配管接続具であ
る配管クランプ２１によって接続されて反応管４に固定
される。このガス供給管２５に応力集中部２３を設け
る。この応力集中部２３は、反応管４に一体的に取り付
けられた反応管側ガス供給管７と、反応ガス供給源側に
通じる供給源側ガス供給管８とを接続する配管クランプ
２１を境にして、反応管４と反対側の供給源側ガス供給
管８に設けてある。応力集中部２３はガス供給管８の周
方向に沿って形成され（図１（ａ））、径方向に切った
溝形状としてある（図１（ｂ））。溝は、ガス供給管３
１と反応管との共振周波数（または共振方向）に対応し
た位置に設けた方がより効果的である。あらゆる振動方
向を考えると、管全周に亘りＶ溝を形成するのがベスト
である。なお、溝はカッタにて削るとよい。最も安価か
つ簡単な方法だからである。
うに、基板としてのウェハを処理する反応管４、及び反
応管４に接続されウェハの処理に必要な反応ガスを流す
ガス配管たるガス供給管２５を、ともに石英で構成した
炉を有する。ガス供給管２５は途中で、配管接続具であ
る配管クランプ２１によって接続されて反応管４に固定
される。このガス供給管２５に応力集中部２３を設け
る。この応力集中部２３は、反応管４に一体的に取り付
けられた反応管側ガス供給管７と、反応ガス供給源側に
通じる供給源側ガス供給管８とを接続する配管クランプ
２１を境にして、反応管４と反対側の供給源側ガス供給
管８に設けてある。応力集中部２３はガス供給管８の周
方向に沿って形成され（図１（ａ））、径方向に切った
溝形状としてある（図１（ｂ））。溝は、ガス供給管３
１と反応管との共振周波数（または共振方向）に対応し
た位置に設けた方がより効果的である。あらゆる振動方
向を考えると、管全周に亘りＶ溝を形成するのがベスト
である。なお、溝はカッタにて削るとよい。最も安価か
つ簡単な方法だからである。
【００１４】このようにガス供給管２５の途中に応力集
中部２３を設けると、ガス供給管２５を伝わってきた地
震などの衝撃による応力が応力集中部２３に集中して、
ここで破損して衝撃の伝達路が断たれる。したがって反
応管４までは衝撃が伝わらず、一番もろい根元の溶接部
を破損することも、反応管４それ自体を破損することも
なく、反応管４を衝撃から有効に保護することができ
る。
中部２３を設けると、ガス供給管２５を伝わってきた地
震などの衝撃による応力が応力集中部２３に集中して、
ここで破損して衝撃の伝達路が断たれる。したがって反
応管４までは衝撃が伝わらず、一番もろい根元の溶接部
を破損することも、反応管４それ自体を破損することも
なく、反応管４を衝撃から有効に保護することができ
る。
【００１５】次に図２を用いて具体的に説明する。図２
は拡散炉または酸化炉からなる縦型の常圧反応炉であ
る。この反応炉２０は、発熱体１を有した筒状のヒータ
２と、ヒータ２の内部に隙間をもって収容された均熱管
３と、均熱管３の内部に隙間をもって収容された石英製
の反応管４と、反応管４内に処理対象のウェハ６を保持
するボート５とを備えている。反応管４には反応ガスを
供給するための石英製のガス供給管２５が接続される。
は拡散炉または酸化炉からなる縦型の常圧反応炉であ
る。この反応炉２０は、発熱体１を有した筒状のヒータ
２と、ヒータ２の内部に隙間をもって収容された均熱管
３と、均熱管３の内部に隙間をもって収容された石英製
の反応管４と、反応管４内に処理対象のウェハ６を保持
するボート５とを備えている。反応管４には反応ガスを
供給するための石英製のガス供給管２５が接続される。
【００１６】このガス供給管２５は、反応管側ガス供給
管７と供給源側ガス供給管８とから構成される。反応管
側ガス供給管７は、反応管４の一方の下部から反応管４
に沿って反応管４の上部まで配設されて、上端が反応管
４の上部に連通され、下端が反応ガス供給源（図示せ
ず）に連通した供給源側ガス供給管８に接続されてい
る。反応管側ガス供給管７と供給源側ガス供給管８との
接続は、ガス供給管７、８のフランジ同士を配管クラン
プ２１で重ねて締め付けることにより行っている。
管７と供給源側ガス供給管８とから構成される。反応管
側ガス供給管７は、反応管４の一方の下部から反応管４
に沿って反応管４の上部まで配設されて、上端が反応管
４の上部に連通され、下端が反応ガス供給源（図示せ
ず）に連通した供給源側ガス供給管８に接続されてい
る。反応管側ガス供給管７と供給源側ガス供給管８との
接続は、ガス供給管７、８のフランジ同士を配管クラン
プ２１で重ねて締め付けることにより行っている。
【００１７】また反応管４の他方の下部には反応管側排
気管９が一体的に取り付けられており、この反応管側排
気管９には配管クランプ２１によって排出側排気管１０
が接続されている。
気管９が一体的に取り付けられており、この反応管側排
気管９には配管クランプ２１によって排出側排気管１０
が接続されている。
【００１８】前記筒状のヒータ２及び均熱管３はヒータ
ベース１３により支持されている。このヒータベース１
３の中央開口から前記反応管４の下部が露出している。
その露出部は、炉体の下端に位置して前記ヒータベース
１３に取付けられたスカベンジャ１４により覆われてい
る。このスカベンジャ１４は反応管４と接続され、配管
接続部などから漏れたプロセスガスや熱がクリーンベン
チ側へ拡散しないように、炉口部の周辺を囲っている。
また、スカベンジャ１４には、図には示されていない
が、排気手段が連接されて、内部に溜まったガスを排出
できるようになっている。さらに反応管４を接続支持し
ているスカベンジャ１４の底部にはボート出し入れのた
めの開口が開けられている。
ベース１３により支持されている。このヒータベース１
３の中央開口から前記反応管４の下部が露出している。
その露出部は、炉体の下端に位置して前記ヒータベース
１３に取付けられたスカベンジャ１４により覆われてい
る。このスカベンジャ１４は反応管４と接続され、配管
接続部などから漏れたプロセスガスや熱がクリーンベン
チ側へ拡散しないように、炉口部の周辺を囲っている。
また、スカベンジャ１４には、図には示されていない
が、排気手段が連接されて、内部に溜まったガスを排出
できるようになっている。さらに反応管４を接続支持し
ているスカベンジャ１４の底部にはボート出し入れのた
めの開口が開けられている。
【００１９】ボート５はウェハ６を水平状態で隙間をも
って多段に装填でき、この状態で複数枚のウェハ６を反
応管４内で保持する。ボート５はボートキャップ１１を
介してエレベータキャップ１２上に載置されており、エ
レベータ（図示略）により昇降可能となっている。した
がって、ウェハ６の反応管４への装填および反応管４か
らの取り出しはエレベータの作動により行われる。
って多段に装填でき、この状態で複数枚のウェハ６を反
応管４内で保持する。ボート５はボートキャップ１１を
介してエレベータキャップ１２上に載置されており、エ
レベータ（図示略）により昇降可能となっている。した
がって、ウェハ６の反応管４への装填および反応管４か
らの取り出しはエレベータの作動により行われる。
【００２０】反応管４に装入したウェハ６への薄膜の形
成は、発熱体１を発熱させて均熱管３を介して反応管４
を加熱し、供給源側ガス供給管８および反応管側ガス供
給管７を介して反応管４内に反応ガスを導入するととも
に、反応管側排気管９および排出側排気管１０を介して
反応管４内から排気して、ウェハ６の表面に薄膜を生成
させることにより行われる。そして、成膜されたウェハ
６の取り出しは、ヒータ２による加熱を停止するととも
に排気管９からの排気を続行し、反応管４内の温度を所
定の温度まで低下させた後に、エレベータを作動させて
ボート５を反応管４から引き出すことにより行う。
成は、発熱体１を発熱させて均熱管３を介して反応管４
を加熱し、供給源側ガス供給管８および反応管側ガス供
給管７を介して反応管４内に反応ガスを導入するととも
に、反応管側排気管９および排出側排気管１０を介して
反応管４内から排気して、ウェハ６の表面に薄膜を生成
させることにより行われる。そして、成膜されたウェハ
６の取り出しは、ヒータ２による加熱を停止するととも
に排気管９からの排気を続行し、反応管４内の温度を所
定の温度まで低下させた後に、エレベータを作動させて
ボート５を反応管４から引き出すことにより行う。
【００２１】ところで、上述した反応ガス供給源から延
びた前記供給源側ガス供給管８は、上記スカベンジャ１
４内に挿通されて配管クランプ２１で反応管側ガス供給
管７に接続されている。このスカベンジャ１４内の供給
源側ガス供給管８に、地震などの衝撃を吸収する前述し
た応力集中部２３を設けてある。
びた前記供給源側ガス供給管８は、上記スカベンジャ１
４内に挿通されて配管クランプ２１で反応管側ガス供給
管７に接続されている。このスカベンジャ１４内の供給
源側ガス供給管８に、地震などの衝撃を吸収する前述し
た応力集中部２３を設けてある。
【００２２】地震などが発生して基板処理装置に衝撃が
生じた時、その衝撃がガス供給管２５を経由して反応管
４に伝わろうとするが、反応管４に衝撃が加わる前に、
供給源側ガス供給管８の応力集中部２３に応力が集中す
る。したがって、反応管４が取り付けられている反応管
側ガス供給管７の付根１５までは衝撃が及ばず、他のガ
ス供給管部位よりも優先的に応力集中部２３に応力が集
中する。衝撃を吸収しきれないときはガス供給管２５は
応力集中部２３で破損することになる。ガス供給管８の
応力集中部２３が破損すると、衝撃が反応管４側に伝達
するのが断たれるので、反応管４の破損を有効に防止す
ることができる。したがって比較的短尺なガス供給管８
のみの交換で済むため、反応管４を交換するものと比べ
て損害を大幅に低減できる。
生じた時、その衝撃がガス供給管２５を経由して反応管
４に伝わろうとするが、反応管４に衝撃が加わる前に、
供給源側ガス供給管８の応力集中部２３に応力が集中す
る。したがって、反応管４が取り付けられている反応管
側ガス供給管７の付根１５までは衝撃が及ばず、他のガ
ス供給管部位よりも優先的に応力集中部２３に応力が集
中する。衝撃を吸収しきれないときはガス供給管２５は
応力集中部２３で破損することになる。ガス供給管８の
応力集中部２３が破損すると、衝撃が反応管４側に伝達
するのが断たれるので、反応管４の破損を有効に防止す
ることができる。したがって比較的短尺なガス供給管８
のみの交換で済むため、反応管４を交換するものと比べ
て損害を大幅に低減できる。
【００２３】特に応力集中部２３をスカベンジャ１４の
内側に設けると、震動によりガス供給管８が破損したと
き、装置外へのガス漏れを防止でき、ガス供給管破損時
のガス対策を改善することができる。また、通常、ガス
供給源から反応管４までを１本のガス供給管で接続する
わけではなく、途中でガス供給管同士を配管クランプ２
１によって接続する。反応管４に直接取り付けられる反
応管側ガス供給管７はメンテナンスフリーとするため長
尺になるが、反応管４と反対側の供給源側ガス供給管８
はメンテナンスを容易にするため短尺で構成する。した
がって応力集中部２３を反応管４と反対側のガス供給管
側に設ければ、破損するのは短尺のガス供給管８にな
り、長尺な反応管側ガス供給管７は交換しなくても良い
ので、経済的で交換も容易になる。
内側に設けると、震動によりガス供給管８が破損したと
き、装置外へのガス漏れを防止でき、ガス供給管破損時
のガス対策を改善することができる。また、通常、ガス
供給源から反応管４までを１本のガス供給管で接続する
わけではなく、途中でガス供給管同士を配管クランプ２
１によって接続する。反応管４に直接取り付けられる反
応管側ガス供給管７はメンテナンスフリーとするため長
尺になるが、反応管４と反対側の供給源側ガス供給管８
はメンテナンスを容易にするため短尺で構成する。した
がって応力集中部２３を反応管４と反対側のガス供給管
側に設ければ、破損するのは短尺のガス供給管８にな
り、長尺な反応管側ガス供給管７は交換しなくても良い
ので、経済的で交換も容易になる。
【００２４】このように拡散炉の反応室に使用される石
英が脆く破損しやすく、極めて高価であるため、これま
で地震などの衝撃に対して大きな損害を与えることがあ
ったが、これを最小限の被害で止めることができる。
英が脆く破損しやすく、極めて高価であるため、これま
で地震などの衝撃に対して大きな損害を与えることがあ
ったが、これを最小限の被害で止めることができる。
【００２５】図３に応力集中部の具体的な寸法、形状を
示す。図３（ａ）のように、両端にフランジ３２の付い
た供給源側ガス供給管３１は、前述の長尺で真っすぐな
反応管側ガス供給管と比べると短尺で屈曲しており、全
長が１９７．４３ｍｍ、管外径が２８ｍｍ、管内径が２
０ｍｍ、管肉厚が４ｍｍである。応力集中部３３は、屈
曲管の長い方の部分の略中央に形成する。また４ｍｍの
肉厚を持った屈曲管の表面に形成する応力集中部３３の
径方向の深さｄは人為的破損が無い程度の深さとし、１
ｍｍ前後とすることが好ましい。またＶ溝の開き角度θ
は４５°が好ましい（図３（ｂ））。
示す。図３（ａ）のように、両端にフランジ３２の付い
た供給源側ガス供給管３１は、前述の長尺で真っすぐな
反応管側ガス供給管と比べると短尺で屈曲しており、全
長が１９７．４３ｍｍ、管外径が２８ｍｍ、管内径が２
０ｍｍ、管肉厚が４ｍｍである。応力集中部３３は、屈
曲管の長い方の部分の略中央に形成する。また４ｍｍの
肉厚を持った屈曲管の表面に形成する応力集中部３３の
径方向の深さｄは人為的破損が無い程度の深さとし、１
ｍｍ前後とすることが好ましい。またＶ溝の開き角度θ
は４５°が好ましい（図３（ｂ））。
【００２６】また、応力集中部３３は、図４に示すよう
に、全周に亘ったＶ溝を複数本平行に形成しても（図４
（ａ））、あるいは非連続にしたり、さらには溝形成方
向は周方向ではなく軸方向に形成して、これを複数個設
けたり（図４（ｂ））、或は十字形の凹みや※字形の凹
み（図４（ｃ））等任意の形状の凹みを周方向に点在さ
せ、さらにはこれらを組合せるようにしてもよい。
に、全周に亘ったＶ溝を複数本平行に形成しても（図４
（ａ））、あるいは非連続にしたり、さらには溝形成方
向は周方向ではなく軸方向に形成して、これを複数個設
けたり（図４（ｂ））、或は十字形の凹みや※字形の凹
み（図４（ｃ））等任意の形状の凹みを周方向に点在さ
せ、さらにはこれらを組合せるようにしてもよい。
【００２７】上述したように実施の形態ではガス供給管
に応力集中部を形成して、反応管に衝撃が加わる前に、
炉口部のガス供給管にて破損させるようにしたので、従
来行っていた反応管交換が不要となり、短尺なガス供給
管のみの交換で済ませることができる。このため大幅な
経費節減となる。しかも長尺なガス供給管や反応管を交
換するときのように、炉体中心部を分解したり組み立て
たりする必要がないため、装置復旧時間が大幅に短縮さ
れ（装置、工場停止時間の短縮）、ユーザの不利益が最
小限で済む。
に応力集中部を形成して、反応管に衝撃が加わる前に、
炉口部のガス供給管にて破損させるようにしたので、従
来行っていた反応管交換が不要となり、短尺なガス供給
管のみの交換で済ませることができる。このため大幅な
経費節減となる。しかも長尺なガス供給管や反応管を交
換するときのように、炉体中心部を分解したり組み立て
たりする必要がないため、装置復旧時間が大幅に短縮さ
れ（装置、工場停止時間の短縮）、ユーザの不利益が最
小限で済む。
【００２８】本発明において応力集中部は排気管側では
なく、実施形態で説明したようにガス供給管側に設ける
と良い。ガス供給管は温度が高く、反応管とガス供給管
との接続にベローズが使用できないためである。なおガ
ス排気管側に設けても有効であるが、排気管は装置本体
外から出た部分に在るため、温度が低く、反応管と排気
管との接続にベローズが使用できる。特にテフロン製ベ
ローズを使用すると有効である。したがって排気管側に
本発明の応力集中部を設けるまでもない。
なく、実施形態で説明したようにガス供給管側に設ける
と良い。ガス供給管は温度が高く、反応管とガス供給管
との接続にベローズが使用できないためである。なおガ
ス排気管側に設けても有効であるが、排気管は装置本体
外から出た部分に在るため、温度が低く、反応管と排気
管との接続にベローズが使用できる。特にテフロン製ベ
ローズを使用すると有効である。したがって排気管側に
本発明の応力集中部を設けるまでもない。
【００２９】実施の形態では本発明を拡散炉や酸化炉な
どの常圧炉に適用している。これは拡散炉や酸化炉など
の常圧炉では、腐食性ガスを用いるため（例えば、酸化
炉の場合は水蒸気を使用）、金属配管では腐食するので
石英管を用いている。石英管を用いた場合にも、震動対
策にベローズを使用できればよいが、石英製のベローズ
は作成不可能である。よって本発明は、ガス配管などが
石英で構成された拡散、酸化炉のような常圧炉に特に有
効である。これに対して減圧炉は、金属配管に金属ベロ
ーズを使用することで震動に対処することが可能だか
ら、本発明を適用するメリットは少ない。
どの常圧炉に適用している。これは拡散炉や酸化炉など
の常圧炉では、腐食性ガスを用いるため（例えば、酸化
炉の場合は水蒸気を使用）、金属配管では腐食するので
石英管を用いている。石英管を用いた場合にも、震動対
策にベローズを使用できればよいが、石英製のベローズ
は作成不可能である。よって本発明は、ガス配管などが
石英で構成された拡散、酸化炉のような常圧炉に特に有
効である。これに対して減圧炉は、金属配管に金属ベロ
ーズを使用することで震動に対処することが可能だか
ら、本発明を適用するメリットは少ない。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ガス配管に応力集中部
を設けて、反応管に衝撃が加わる前にガス配管にて破損
させるようにしたので、反応管の破損を有効に防止で
き、破損時にはガス配管の交換で済ますことができる。
したがって、交換作業が容易で経済的である。
を設けて、反応管に衝撃が加わる前にガス配管にて破損
させるようにしたので、反応管の破損を有効に防止で
き、破損時にはガス配管の交換で済ますことができる。
したがって、交換作業が容易で経済的である。
【図１】実施形態による基板処理装置の要部を示し、
（ａ）は縦形炉における石英ガス供給部の説明図、
（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
（ａ）は縦形炉における石英ガス供給部の説明図、
（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
【図２】実施形態による縦形炉を示す断面図である。
【図３】実施形態の具体的なガス配管の説明図であり、
（ａ）は断面図、（ｂ）はＣ部の拡大図である。
（ａ）は断面図、（ｂ）はＣ部の拡大図である。
【図４】実施形態のガス配管に形成する応力集中部の各
種形状を示し、（ａ）は複数本、（ｂ）は軸方向、
（ｃ）は※形状に形成したものである。
種形状を示し、（ａ）は複数本、（ｂ）は軸方向、
（ｃ）は※形状に形成したものである。
【図５】従来例による基板処理装置の要部を示し、
（ａ）は縦形炉における石英ガス供給部の接続方法を示
す説明図、（ｂ）は接続後の石英ガス供給部の拡大図で
ある。
（ａ）は縦形炉における石英ガス供給部の接続方法を示
す説明図、（ｂ）は接続後の石英ガス供給部の拡大図で
ある。
４ 反応管 ７ 反応管側ガス供給管 ８ 供給源側ガス供給管 ２１ 配管クランプ ２３ 応力集中部 ２５ ガス供給部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 慎也 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 遠目塚 幸二 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 AA20 AE29 BB08 BB10 DP19 EC02 EC08
Claims (6)
- 【請求項１】反応管に接続されるガス配管を石英で構成
した炉を備えた基板処理装置において、 前記ガス配管に応力集中部を設けたことを特徴とする基
板処理装置。 - 【請求項２】前記炉の端部にガスの放散を防ぐスカベン
ジャを備え、 前記スカベンジャ内のガス配管に前記応力集中部を設け
た請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３】ガス配管を配管接続具を介して反応管に接
続し、 前記配管接続具を境にして反応管と反対側のガス配管に
前記応力集中部を設けた請求項１または２に記載の基板
処理装置。 - 【請求項４】応力集中部をガス配管の径方向に切った溝
で形成した請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処
理装置。 - 【請求項５】前記応力集中部をガス配管のうちのガス供
給管に設けた請求項１ないし４のいずれかに記載の基板
処理装置。 - 【請求項６】前記炉は、拡散炉または酸化炉の常圧炉で
ある請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039857A JP2000243747A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 基板処理装置 |
| US09/502,219 US6251189B1 (en) | 1999-02-18 | 2000-02-11 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR1020000007465A KR100334616B1 (ko) | 1999-02-18 | 2000-02-17 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| TW089102685A TW454292B (en) | 1999-02-18 | 2000-02-17 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039857A JP2000243747A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243747A true JP2000243747A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12564655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11039857A Pending JP2000243747A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6251189B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000243747A (ja) |
| KR (1) | KR100334616B1 (ja) |
| TW (1) | TW454292B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093795A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
| JP2011176178A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置および半導体装置の製造方法 |
| KR101370055B1 (ko) * | 2012-04-06 | 2014-03-05 | 삼성중공업 주식회사 | 배관 |
| JP2016540930A (ja) * | 2013-10-30 | 2016-12-28 | ジテンダラ クマー バーカーＢＡＲＴＨＡＫＵＲ， Ｊｉｔｅｎｄｒａ Ｋｕｍａｒ | セーフパイプシステム等の安全装置を備える爆発システム用の収束型発熱エンジン |
| CN113088935A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种固定底座、lpcvd炉管及lpcvd设备 |
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| US6538237B1 (en) * | 2002-01-08 | 2003-03-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus for holding a quartz furnace |
| WO2007013355A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4930438B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2012-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 反応管及び熱処理装置 |
| EP2576859B1 (en) * | 2010-06-04 | 2014-12-24 | Oerlikon Advanced Technologies AG | Vacuum processing device |
| USD742339S1 (en) * | 2014-03-12 | 2015-11-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Reaction tube |
| USD748594S1 (en) * | 2014-03-12 | 2016-02-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Reaction tube |
| JP1546512S (ja) * | 2015-09-04 | 2016-03-22 | ||
| JP1548462S (ja) * | 2015-09-04 | 2016-04-25 | ||
| KR102043876B1 (ko) | 2016-02-09 | 2019-11-12 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| USD813181S1 (en) * | 2016-07-26 | 2018-03-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Cover of seal cap for reaction chamber of semiconductor |
| JP1605460S (ja) * | 2017-08-09 | 2021-05-31 | ||
| JP1605461S (ja) * | 2017-08-10 | 2021-05-31 | ||
| JP1605982S (ja) * | 2017-12-27 | 2021-05-31 | ||
| JP1644260S (ja) * | 2019-03-20 | 2019-10-28 | ||
| USD931823S1 (en) * | 2020-01-29 | 2021-09-28 | Kokusai Electric Corporation | Reaction tube |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2621930B1 (fr) * | 1987-10-15 | 1990-02-02 | Solems Sa | Procede et appareil pour la production par plasma de couches minces a usage electronique et/ou optoelectronique |
| JPH0720044B2 (ja) * | 1989-09-14 | 1995-03-06 | 日本電気株式会社 | 可変タップ制御信号発生回路 |
| JPH065531A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 熱処理装置の配管連結装置 |
| US5484484A (en) * | 1993-07-03 | 1996-01-16 | Tokyo Electron Kabushiki | Thermal processing method and apparatus therefor |
| JP3256037B2 (ja) * | 1993-07-07 | 2002-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP3982844B2 (ja) * | 1995-01-12 | 2007-09-26 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
| JP3159042B2 (ja) | 1996-03-07 | 2001-04-23 | 株式会社大林組 | プレキャストコンクリートカーテンウォールの取付構造 |
| KR200153146Y1 (ko) * | 1996-04-12 | 1999-08-02 | 윤종용 | 반도체 제조용 확산설비의 배기장치 |
-
1999
- 1999-02-18 JP JP11039857A patent/JP2000243747A/ja active Pending
-
2000
- 2000-02-11 US US09/502,219 patent/US6251189B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-17 TW TW089102685A patent/TW454292B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-02-17 KR KR1020000007465A patent/KR100334616B1/ko not_active IP Right Cessation
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| JP2002093795A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
| JP4493823B2 (ja) * | 2000-09-20 | 2010-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000062561A (ko) | 2000-10-25 |
| TW454292B (en) | 2001-09-11 |
| KR100334616B1 (ko) | 2002-05-03 |
| US6251189B1 (en) | 2001-06-26 |
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