JP2009194297A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱体 - Google Patents
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 67
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 113
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 42
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 40
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 34
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 0 CCCC=C(C=C)*=NC Chemical compound CCCC=C(C=C)*=NC 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ206を有する。このヒータ206は、環状の側壁断熱材12と、側壁断熱材12に載置される天井断熱材16と、側壁断熱材12の内側に設けられる発熱体14とを有する。ヒータ206の天井断熱材16には、応力緩和部が天井断熱材16の中心側から周縁側に向かって複数設けられている。
【選択図】 図2
Description
図1は本発明の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉202の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
ヒータ206には、急速冷却機構を有しないものと有さないものとがある。図2は急速冷却機構を有するヒータ206を示し、図3は急速冷却機構を有するものを示す。
なお、図2において急速冷却機構を有しないヒータ206の天井断熱材16を複数層で形成してもよい。また、図3において下側層18、中間層20、上側層22のうち少なくとも1つ以上をさらに複数層として形成してもよい。
図5に示すように、排気孔24を含む中央部の温度は炉内側からの熱により1100℃程度まで上昇するが、周縁部は室温に近い。周縁部は側壁断熱材が当っているためである。したがって、中央部は温度上昇により熱膨張しようとするが、周縁部はほとんど膨張しない。図6に示すように、このときの膨脹差により周縁部近傍に引張応力が集中する。また、周縁部で、天井断熱材16の自重を支持していることにより、中央部の自重によるモーメント(応力)が周縁部に集中する。これらの応力が下側層18の引張強度を越えるとクラックが周縁部(特に下面部分)に発生する。尚、上方外壁側と炉内側とを比較しても、炉内側からの熱により下側層18の炉内側は1100℃程度まで上昇するが、上方外壁側は、約400〜600℃となり、温度が低い。これにより、応力は少なからず発生するが、周縁部と中央部との温度差の様な急激な温度勾配はないため、発生する応力も少ないものとなる。そのため、天井断熱材16の炉内側と上方外壁側との間には、周縁部にくらべてクラックが発生しにくいが、好ましくは、天井断熱材を複数層で形成し、層間を接着せずにそれぞれの層を自由に伸縮させることにより、炉内側と上方外壁側との間にクラックが発生することを防ぐことができる。
図3に示すように、天井断熱材16を、例えば下側層18、中間層20及び上側層22に縦分割して形成した場合、天井断熱材16の一部の落下やクラックの発生を防げる。好ましくは、天板断熱材16の下側層18にスリット34bを形成する。尚、スリット34bとは、図10(b)において、天井断熱材16を分割することなく、上面と下面との間を貫通するように切り欠いたものである。これにより、下側層18を一体化することができ、ヒータ206を製造する際の作業性が改善される。より好ましくは、下側層18の下面に上述の溝34aを形成する。これにより、天井断熱材16の上方外壁側からの熱逃げを抑止できる。より好ましくは、下側層18の中心側から途中まで、好ましくは側壁断熱材12の内側面までのS間に形成する。側端部までスリット34b又は溝34aを形成すると、このスリット34b又は溝34aを介してヒータ206内の熱が逃げるのに対し、天井断熱材16の中心側から途中まで34b又は溝34aを形成することにより、熱逃げを防止することができる。これにより、省エネルギー化することができ、周縁部等基板の円周方向での不均一な熱逃げによる温度制御性の悪化、膜厚均一性の悪化を防ぐことができる。尚、スリット34bとして説明したが、下側層18、中間層20及び上側層22を合わせた天井断熱材16全体からみると、スリットは溝と定義することができる。この場合、前述した溝34aとはスリットが層間と連通していることにより層間から熱逃げが起こる点で劣るものの他は同様な効果を奏する。
天井断熱材16を複数層で形成し、炉内側の層を炉内側層17とする。炉内側層17の天井断熱材16の周縁側に環状の凸部、この凸部に対向する側壁断熱材12に環状の凹部を設ける。これにより、天井断熱材16を側壁断熱材12に嵌合しやすくなる。また、載置箇所からの熱逃げを防止することができる。尚、このような構成の場合、炉内側層の中心から途中まで、好ましくは天井断熱材16の炉内側層17の凸部まで応力緩和部34を形成すると良い。
上述と同様に、天井断熱材16の下側層18を複数層で形成し、炉内側の層を炉内側層17とする。上述同様、炉内側層17の下側層18の周縁側に環状の凸部、この凸部に対向する側壁断熱材12に環状の凹部を設けることで、下側層18を側壁断熱材12に嵌合しやすくなり、載置箇所からの熱逃げを防止することができる。さらに、上述同様、炉内側層の中心から途中まで、好ましくは下側層18の炉内側層17の凸部まで応力緩和部34を形成すると良い。
図13は、第1の変形例を示す。この第1の変形例においては、応力緩和部34の天井断熱材16の下面に開口する角部を面取り処理し、テーパ部38が応力緩和部34の長手方向に沿って形成されている。応力緩和部34の下面に開口する部分が90度の角度のままであれば、角の部分が組立作業中の行為により誤って欠けたり、ヒータ使用中の昇降温による熱衝撃で欠ける危険性がある。しかし、テーパ部38を設けることにより、角度を大きく出来るのでこれらの危険性は低くなる。テーパ部38は面取りだけではなく、丸みを付けることでも同様の効果が得られる。なお、このテーパ部38は、応力緩和部34として、溝34aのみならず応力緩和部34がスリット34b、分割ライン34cのいずれである場合にも設けることができる。また、分割ライン34cとは、図14において、天井断熱材16を複数の分割片36に分割(この例では6個の分割片に分割)したものである。
(1)前記溝は、前記天井断熱体の周縁側の幅より中心側の幅が大きい請求項2の基板処理装置。
加熱装置内は熱輻射・熱伝導・熱対流作用により、天井断熱体の周縁側より中心側のほうの温度が高くなるため、周縁側より中心側のほうが断熱体の熱膨張が大きくなる。また、溝部分が大きくなると、その部分から少なからず熱逃げが起こることになる。上記のように構成することにより、熱膨張量に応じた緩和量、熱逃げ量にすることができる。
(2)前記溝は、前記天井断熱体の周縁側から中心側になるに従い幅が大きくなる請求項2の基板処理装置。
加熱装置内は熱輻射・熱伝導・熱対流作用により、天井断熱体の中心側になるに従い温度が高くなるため、中心側に近くなるに従い断熱体の熱膨張が大きくなる。また、溝部分が大きくなると、その部分から少なからず熱逃げが起こることになる。上記のように構成することにより、熱膨張量に応じた緩和量、熱逃げ量にすることができる。
(3)前記溝は、前記天井断熱体の内壁側の幅より前記天井断熱体の外壁側の幅が狭くなっている請求項1又は請求項2の基板処理装置。
加熱装置内は熱輻射・熱伝導・熱対流作用により、天井断熱体の内壁側の方が温度が高くなるため、内壁側の方が断熱体の熱膨張が大きくなる。上記のように構成することにより、熱膨張量に応じた緩和量、熱逃げ量にすることができる。
(4)前記溝は、前記天井断熱体の内壁側から前記天井断熱体の外壁側になるに従い幅が狭くなっている請求項1又は請求項2の基板処理装置。
加熱装置内は熱輻射・熱伝導・熱対流作用により、天井断熱体の内壁側になるに従い温度が高くなるため、内壁側に近くなるに従い断熱体の熱膨張が大きくなる。上記のように構成することにより、熱膨張量に応じた緩和量、熱逃げ量にすることができる。
(5)前記溝を形成する側壁は、前記天井断熱体の内側面が面取り処理されている請求項1の基板処理装置。
(6)前記天井断熱体は、複数に分割されており、前記溝は、前記分割された箇所に設けられている請求項1又は請求項2の基板処理装置。
(7)前記溝は、複数設けられ、其々180度以下の角度を成して設けられている請求項2の半導体製造装置。
中心側に対して周方向に膨張するが、好ましくは、180度以下に少なくとも一箇所に溝がないと、溝の内側の応力を緩和されにくいが、180度以下に少なくとも一箇所溝があると、全域の膨張を吸収できる。
(8)前記溝が、少なくとも3箇所形成されており、それぞれの前記溝が90度より大きく180度未満の角度を成して放射状に設けられている請求項2の半導体製造装置。
(9)前記天板断熱体の中心側には、ヒータユニット内部の雰囲気を排気する排気孔が設けられている請求項1の半導体製造装置。
前記排気孔が設けられる場合、処理室を冷却する際に排気孔から熱せられた雰囲気を排気するため、天井断熱体の中心部が特に温度が上がりやすく、熱膨張量が顕著に大きくなってしまうが、上記請求項1のように構成すると天井断熱体の一部の落下やクラックの発生を防げる。
(10)前記天井断熱体は、複数に分割されており、前記溝は、前記分割された箇所とは別の箇所に設けられている請求項1又は請求項2の基板処理装置。
(11)前記天井断熱体には、スリットが設けられており、前記溝は、前記スリットとは、別の箇所に設けられている請求項1又は請求項2の基板処理装置。
(12)前記溝は2種類以上の長さで設けられている請求項2の基板処理装置。
(13)前記天井断熱体には、前記溝が設けられている箇所の上端側(反対側)に凸部が設けられている請求項1の基板処理装置。
(14)基板処理装置に用いられる加熱装置であって、側壁断熱体と該側壁断熱体に載置され内側面に応力緩和用の溝が複数設けられる天井断熱体とを備える加熱装置。
(15)基板を処理する反応容器と、該反応容器の外周を囲う、少なくとも側壁断熱体と、該側壁に載置され、周縁側の幅より中心側の幅を広くした応力緩和部が設けられる天井断熱体と、前記側壁断熱体の内側に設けられる発熱体と、で構成される加熱装置とを備える基板処理装置。
(16)基板を処理する反応容器と、該反応容器の外周を囲う、少なくとも側壁断熱体と該側壁に載置され、内壁側の幅より外壁側の幅を狭くした応力緩和部が設けられる天井断熱体と、前記側壁断熱体の内側に設けられる発熱体と、で構成される加熱装置とを備える基板処理装置。
(17)前記面取り処理は、テーパ状もしくは曲面形状に処理されている前記(5)の基板処理装置。
(18)基板を処理する反応容器の外周に設けられる加熱装置の、側壁断熱体に載置される天井断熱体の内側面に複数設けられる応力緩和用の溝が発生する応力を緩和しつつ前記側壁断熱体の内側に設けられる発熱体が前記反応容器内の基板を加熱処理する半導体装置の製造方法。
206 加熱装置(ヒータ)
12 側壁断熱材
14 発熱体
16 天井断熱材
18 下側層
20 中間層
22 上側層
24 排気孔
32 クラック
34 応力緩和部
34a 溝
34b スリット
34c 分割ライン
Claims (5)
- 基板を処理する反応容器と、
該反応容器の外側を囲う、少なくとも、側壁断熱体と、該側壁断熱体に載置され、応力緩和用の溝が複数設けられている天井断熱体と、前記側壁断熱体の内側に設けられる発熱体と、を有する加熱装置とを備える基板処理装置。 - 前記溝は、前記天井断熱体の中心側から周縁側に向かって設けられている請求項1記載の基板処理装置。
- 前記溝は、前記天井断熱体の中心側から周縁部に至る途中まで形成されている請求項1又は2記載の基板処理装置。
- 反応容器の外側を囲う、少なくとも、側壁断熱体と、該側壁断熱体に載置される天井断熱体に複数設けられている溝が前記天井断熱体に発生する応力を緩和しつつ前記発熱体が前記反応容器内の基板を加熱処理する半導体装置の製造方法。
- 基板処理装置に用いられる加熱装置における側壁断熱体に載置される天井断熱体であって、応力緩和用の溝が複数設けられている天井断熱体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008035889A JP5031611B2 (ja) | 2008-02-18 | 2008-02-18 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱体 |
KR1020090003436A KR101072356B1 (ko) | 2008-02-18 | 2009-01-15 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 천정 단열체 |
TW102117509A TWI466216B (zh) | 2008-02-18 | 2009-01-20 | 基板處理裝置,半導體裝置之製造方法及頂板斷熱體 |
TW098101981A TWI458033B (zh) | 2008-02-18 | 2009-01-20 | 基板處理裝置,半導體裝置之製造方法及頂板斷熱體 |
US12/367,751 US8535444B2 (en) | 2008-02-18 | 2009-02-09 | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and ceiling insulating part |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008035889A JP5031611B2 (ja) | 2008-02-18 | 2008-02-18 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012120457A Division JP5593474B2 (ja) | 2012-05-28 | 2012-05-28 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、天井断熱体及び加熱装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009194297A true JP2009194297A (ja) | 2009-08-27 |
JP5031611B2 JP5031611B2 (ja) | 2012-09-19 |
Family
ID=40955525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008035889A Active JP5031611B2 (ja) | 2008-02-18 | 2008-02-18 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8535444B2 (ja) |
JP (1) | JP5031611B2 (ja) |
KR (1) | KR101072356B1 (ja) |
TW (2) | TWI466216B (ja) |
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USD818961S1 (en) * | 2016-02-10 | 2018-05-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Insulation unit cover of semiconductor manufacturing apparatus |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9181097B2 (en) * | 2009-02-19 | 2015-11-10 | Sundew Technologies, Llc | Apparatus and methods for safely providing hazardous reactants |
JP4564570B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2010-10-20 | 三井造船株式会社 | 原子層堆積装置 |
US9129778B2 (en) * | 2011-03-18 | 2015-09-08 | Lam Research Corporation | Fluid distribution members and/or assemblies |
JP6255267B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2017-12-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、加熱装置、天井断熱体及び半導体装置の製造方法 |
SG11202007857XA (en) * | 2018-02-09 | 2020-09-29 | Applied Materials Inc | Semiconductor processing apparatus having improved temperature control |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3636378B2 (ja) * | 1994-08-10 | 2005-04-06 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
JP2002139281A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Murata Mfg Co Ltd | 熱処理炉 |
GB0128913D0 (en) * | 2001-12-03 | 2002-01-23 | Applied Materials Inc | Improvements in ion sources for ion implantation apparatus |
JP4416521B2 (ja) | 2004-01-23 | 2010-02-17 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
JP4907937B2 (ja) | 2005-09-26 | 2012-04-04 | 株式会社日立国際電気 | 断熱壁体、発熱体の保持構造体、加熱装置および基板処理装置 |
-
2008
- 2008-02-18 JP JP2008035889A patent/JP5031611B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-15 KR KR1020090003436A patent/KR101072356B1/ko active IP Right Grant
- 2009-01-20 TW TW102117509A patent/TWI466216B/zh active
- 2009-01-20 TW TW098101981A patent/TWI458033B/zh active
- 2009-02-09 US US12/367,751 patent/US8535444B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090089250A (ko) | 2009-08-21 |
US8535444B2 (en) | 2013-09-17 |
TWI466216B (zh) | 2014-12-21 |
TWI458033B (zh) | 2014-10-21 |
TW201334105A (zh) | 2013-08-16 |
TW200945474A (en) | 2009-11-01 |
KR101072356B1 (ko) | 2011-10-11 |
JP5031611B2 (ja) | 2012-09-19 |
US20090209113A1 (en) | 2009-08-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120613 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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