JP2004186533A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】断熱キャップの断熱性能および安全性を高める。
【解決手段】ウエハ1を処理する処理室12を形成したプロセスチューブ11と、プロセスチューブ11の外部に設置されて処理室12を加熱するヒータユニット15と、複数枚のウエハ1を保持して処理室12に搬入するボート34と、複数段の断熱板29がボート34の下端部に間隔を置いて並べられてなる断熱キャップ24とを備えている酸化・拡散装置10において、複数段の断熱板29のそれぞれは二枚の石英板30、30が重ねて構成され、二枚の石英板30、30の合わせ面には微細な凹凸部31によって微細な隙間32が形成されている。
【効果】二枚の石英板の微細な隙間が断熱板の断熱性能を高めるので、ボートやウエハ群の熱のシールキャップへの伝達を断熱キャップにより効果的に遮断でき、処理室の温度雰囲気がシールキャップに逃げるのを防止できる。
【選択図】 図1
【解決手段】ウエハ1を処理する処理室12を形成したプロセスチューブ11と、プロセスチューブ11の外部に設置されて処理室12を加熱するヒータユニット15と、複数枚のウエハ1を保持して処理室12に搬入するボート34と、複数段の断熱板29がボート34の下端部に間隔を置いて並べられてなる断熱キャップ24とを備えている酸化・拡散装置10において、複数段の断熱板29のそれぞれは二枚の石英板30、30が重ねて構成され、二枚の石英板30、30の合わせ面には微細な凹凸部31によって微細な隙間32が形成されている。
【効果】二枚の石英板の微細な隙間が断熱板の断熱性能を高めるので、ボートやウエハ群の熱のシールキャップへの伝達を断熱キャップにより効果的に遮断でき、処理室の温度雰囲気がシールキャップに逃げるのを防止できる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関し、特に、炉口部における断熱構造の改良に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、ICが作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に酸化処理や拡散処理、アニール処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化処理、平坦化のためのリフロー処理および成膜処理等の熱処理(thermal treatment )を施すのに利用して有効なものに関する。
【0002】
ICの製造方法において、ウエハに金属膜や半導体膜および絶縁膜をデポジションするのにバッチ式縦形ホットウオール形CVD装置が広く使用されている。バッチ式縦形ホットウオール形CVD装置としては、複数枚のウエハを一括して処理する縦形の処理室を形成したプロセスチューブと、このプロセスチューブの外部に設置されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚のウエハを保持して処理室に搬入するボートとを備えており、ボートの基端部には断熱キャップが、その基端部に形成された断熱板支持部に複数枚の断熱板を一枚ずつ間隔を置いて並べて支持させることにより構成されているものがある(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−12474号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、バッチ式縦形ホットウオール形酸化・拡散装置のように処理温度が高温度(1000℃〜1400℃)になると、熱伝達に占める輻射の割合が相対的に大きくなるために、前記した断熱キャップにおいては、断熱性能が不足するという問題点がある。
【0005】
ところで、高い断熱性能を備えた断熱キャップとしては、石英ウールが収納容器に密封されたものが、一般的に知られている。しかし、密封された収納容器は、温度上昇に伴って内部の気体が膨張するために、破裂する懸念がある。そこで、収納容器を予め減圧して密封することにより、温度上昇に伴う気体の膨張に防備することが考えられるが、密封された収納容器の内圧が外圧と同圧になる温度は決まっており、その温度以外では減圧または加圧の状態になるために、減圧密封された収納容器が破裂する懸念は無くならない。また、石英は1000℃以上の環境では軟化してクリープ変形を起こす特性があるために、減圧密封した断熱キャップは高温度環境ではクリープと内圧とによって変形する可能性がきわめて高く、破損する懸念がある。
【0006】
本発明の目的は、高温度下であっても高い断熱性能および安全性を発揮する断熱構造を備えた半導体製造装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体製造装置は、基板を処理する処理室を形成したプロセスチューブと、このプロセスチューブの外側に設置されて前記処理室を加熱するヒータユニットと、前記基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記ボートの基端部に間隔を置いて並べられる複数段の断熱板とを備えている半導体製造装置において、
前記各段断熱板のそれぞれは複数枚の板体が互いに重ね合わされて構成されていることを特徴とする。
【0008】
前記した手段によれば、断熱板は複数枚の板体が互いに重ね合わされて構成されていることにより、熱伝達の効率が低下するために、断熱性能が高くなる。複数段に並べた断熱板は収納容器に密封する必要がないために、温度上昇による破裂や破損の危険性の発生を必然的に防止することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0010】
本実施の形態において、図1に示されているように、本発明に係る半導体製造装置はバッチ式縦形ホットウオール形酸化・拡散装置(以下、酸化・拡散装置という。)として構成されている。図1に示された酸化・拡散装置10は、中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ11を備えており、プロセスチューブ11は石英(SiO2 )が用いられて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。複数枚のウエハ1を一括して処理する処理室12が円筒中空部によって形成されており、ウエハ1を出し入れするための炉口13がプロセスチューブ11の下端開口によって形成されている。プロセスチューブ11の外側には均熱管14が同心円に被せられており、均熱管14は炭化シリコンが使用されて上端が閉塞し下端が開口したプロセスチューブ11よりも大径の円筒形状に形成されている。均熱管14の外側には処理室12を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するためのヒータユニット15が、均熱管14の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット15は酸化・拡散装置の筐体2に支持されることにより、垂直に据え付けられた状態になっている。
【0011】
プロセスチューブ11は酸化・拡散装置の筐体2に垂直に支持されている。プロセスチューブ11の側壁の一部には排気管17の一端が接続されており、排気管17の他端は排気装置(図示せず)に接続されて処理室12を所定の真空度に排気し得るように構成されている。プロセスチューブ11の側壁の排気管17と別の位置には、原料ガスを処理室12へ導入するためのガス導入ノズル18が挿入されており、ガス導入ノズル18の挿入部はそのガス導入ノズル18の噴出口19が処理室12の上端に位置するように垂直に立ち上げられている。
【0012】
プロセスチューブ11の下方には円盤形状のシールキャップ21が、プロセスチューブ11の中心線の延長線上をエレベータ(図示せず)によって昇降されるように設置されている。シールキャップ21の内部には冷却水の流通する冷却水路22が敷設されており、冷却水路22は耐熱温度が200℃〜300℃の高分子材料を使用されて形成されたシールリング20を、強制的に冷却するように設定されている。シールキャップ21の上には石英によって形成されたベースプレート23が設置されており、ベースプレート23の上面の周辺部はシールリング20をプロセスチューブ11の下側フランジ部の下面に押接させることにより、処理室12を気密封止するように構成されている。
【0013】
ベースプレート23の上にはシールリング20の近傍を低温化するための断熱キャップ24が垂直に立設されている。断熱キャップ24は上下で一対の端板25、26と、両端板25、26間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材27とを備えており、上下の端板25、26および保持部材27は石英によって形成されている。各保持部材27には複数条の保持溝28が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。複数本の保持部材27の同一段の保持溝28のそれぞれには断熱板29が、その外周部を保持溝28間にそれぞれ挿入されることにより、水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列して保持されている。
【0014】
図2に示されているように、断熱板29は熱伝導率の小さい板体としての石英板30が二枚、互いに重ね合わされてそれぞれ構成されている。二枚の石英板30、30の合わせ面には、サンドブラスト法や溶射法によって加工された微細な凹凸部31が全面にわたってそれぞれ形成されている。熱伝達の対流を無視し得る程度の微細な隙間32が、この二枚の石英板30、30の凹凸部31によって全面にわたって形成されている。二枚の石英板30、30が重ね合わされて構成された断熱板29の熱伝達の熱伝導率は、熱伝導率の極小さい気体の層を形成する微細な隙間32が途中に介在することにより低下する。また、二枚の石英板30、30の接触面積は微細に隙間32が介在することにより小さくなり、接触熱抵抗が大きくなるので、断熱板29の熱伝達の効率は低下する。さらに、石英板30の微細な凹凸部31は熱線を乱反射させて遮蔽することにより、断熱板29の熱伝達の輻射を低下させるので、断熱板29の熱伝達の効率をより一層低下させる。したがって、熱伝導率の小さい二枚の石英板30、30が微細な隙間32を介して重ね合わされて構成された断熱板29の熱伝達の効率はきわめて小さくなり、相対的に断熱板29の断熱性能はきわめて高くなる。つまり、複数段の断熱板29から構成された断熱キャップ24の断熱性能はきわめて高くなる。
【0015】
断熱キャップ24の上には熱膨張差緩和部材33を挟んでボート34が垂直に立設されており、熱膨張差緩和部材33は炭化シリコン(SiC)またはシリコンが使用されて形成され、断熱キャップ24とボート34との熱膨張差を緩和するように構成されている。ボート34は上下で一対の端板35、36と、上下の端板35、36間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材37とを備えており、上下の端板35、36および保持部材37はシリコン(Si)によって形成されている。各保持部材37には保持溝38が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ウエハ1は各保持部材37の同一段の保持溝38間に周辺部を挿入されることにより、ボート34に水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列して保持される。
【0016】
次に、作用を説明する。
【0017】
図1に示されているように、複数枚のウエハ1を整列保持したボート34はシールキャップ21のエレベータによる上昇に伴って処理室12に搬入(ボートローディング)される。この状態で、シールキャップ21はベースプレート23およびシールリング20を介して炉口13をシールした状態になる。
【0018】
処理室12が所定の圧力に排気管17によって調整され、また、処理室12が所定の温度(約1000℃〜1400℃)に全体にわたって均一または所定の温度分布にヒータユニット15によって加熱される。次いで、所定の処理ガスがガス導入ノズル18に供給されて、噴出口19から処理室12に導入される。処理室12に導入された処理ガスは処理室12を流下して排気管17によって排気される。処理ガスは流下しながらウエハ1の表面に接触するため、ウエハ1の表面には所望の処理が施される。
【0019】
予め設定された処理時間が経過すると、炉口13がシールキャップ21が下降されることによって開口されるとともに、ウエハ1群を保持したボート34が炉口13から処理室12の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
【0020】
ところで、以上の熱処理において、耐熱温度が200℃〜300℃のシールリング20の劣化を防止する必要上、シールキャップ21が冷却水路22を流通する冷却水によって強制的に冷却されているために、1000℃〜1400℃の高温度に加熱された処理室12の温度雰囲気はシールキャップ21に逃げる。すなわち、1000℃〜1400℃に加熱されたボート34やウエハ1群の熱は200℃〜300℃に冷却されているシールキャップ21に、熱膨張差緩和部材33、断熱キャップ24およびベースプレート23を経由して伝達される。
【0021】
しかし、本実施の形態においては、断熱キャップ24が二枚の石英板30、30が微細な隙間32を介して重ね合わされて構成された熱伝導率の極小さい断熱板29を複数段並べられて構成されていることにより、ボート34やウエハ1群の熱のシールキャップ21への伝達は断熱キャップ24によって効果的に遮断されるために、1000℃〜1400℃の高温度に加熱された処理室12の温度雰囲気がシールキャップ21に逃げるのを確実に防止することができる。したがって、処理室12の温度雰囲気を所期の設定値に維持することができるとともに、シールリング20の劣化を確実に防止することができる。
【0022】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【0023】
1) 二枚の石英板が微細な隙間を介して重ね合わされて構成された断熱性能の高い断熱板を複数段並べて断熱キャップを構成することにより、ボートやウエハ群の熱のシールキャップへの伝達を断熱キャップによって効果的に遮断することができるので、1000℃〜1400℃の高温度に加熱された処理室の温度雰囲気がシールキャップに逃げるのを確実に防止することができる。
【0024】
2) 処理室の温度雰囲気がシールキャップに逃げるのを効果的に防止することにより、処理室の温度雰囲気を所期の設定値に維持することができるので、ウエハ面内の熱処理精度やウエハ相互間の熱処理精度を高めることができる。
【0025】
3) 処理室の温度雰囲気がシールキャップに逃げるのを効果的に防止することにより、シールリングの劣化を確実に防止することができるので、シールリングひいては酸化・拡散装置の寿命を延長することができ、ランニングコスト等を低減することができる。
【0026】
4) 二枚の石英板を重ね合わせてなる断熱板を複数段に並べて断熱キャップを形成することにより、断熱性能の高い断熱キャップを密封容器を使用せずに構成することができるので、高温度下での破裂や破損を未然に防止することができ、安全性を高めることができる。
【0027】
5) 二枚の石英板の合わせ面に微細な凹凸部を形成して微細な隙間を構成することにより、微細な凹凸部はサンドブラスト法や溶射法等の不規則の凹凸部を形成する方法によって形成することができるので、断熱性能の高い断熱板を安価に製造することができる。
【0028】
6) 二枚の石英板の合わせ面に微細な凹凸部を形成して微細な隙間を構成することにより、石英板を透過する熱線を乱反射させて熱線の透過を遮蔽することができるので、二枚の石英板を重ね合わせて構成された断熱板の断熱性能をより一層高めることができる。
【0029】
7) ボートと断熱キャップとの間に熱膨張差緩和部材を介設することにより、ボートと断熱キャップとの熱膨張差を吸収することができるので、ボートの断熱キャップに対する位置ずれや脱落等を防止することができる。
【0030】
8) ボートをシリコンによって形成することにより、シリコンウエハとボートとの熱膨張差の発生を回避することができるので、その熱膨張差によるシリコンウエハの損傷やパーティクルの発生を防止することができる。他方、断熱キャップを石英によって形成することにより、コストの増加を抑制しつつ断熱キャップの断熱性能を高めることができる。
【0031】
図3は断熱板の他の実施の形態を示している。本実施の形態に係る断熱板が前記実施の形態と異なる点は、微細な隙間32Aを構成する微細な凹凸部31Aが、断熱板29Aを構成する一方の石英板30Aの合わせ面に切削加工によって規則的に形成されている点である。本実施の形態においても、二枚の石英板30Aと30Aとの合わせ面に微細な隙間32Aが全面にわたって介在するので、断熱板29Aの熱伝達の効率はきわめて小さくなり、その結果、断熱キャップの断熱性能はきわめて大きくなる。
【0032】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0033】
例えば、透明の石英板を使用するに限らず、不透明の石英板を使用してもよい。不透明の石英板を使用した場合には、石英板の熱線をきわめて効果的に遮断することができるので、熱伝達の効率をより一層低下させることができ、断熱キャップの断熱性能をより一層向上させることができる。
【0034】
また、熱伝導率の小さい板体としては、石英板を使用するに限らず、炭化シリコンやシリコン等からなる板体を使用してもよい。さらに、板体の枚数は二枚に限らず、三枚以上に設定してもよい。
【0035】
複数段の断熱板29は断熱キャップ24に設置するに限らず、図4に示されているように、二枚の石英板30、30の外周部をボート34の基端部における複数段の保持溝38のそれぞれに挿入して、ボート34の基端部に直接的に間隔を置いて並べてもよい。
【0036】
前記実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形酸化・拡散装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、横形ホットウオール形酸化・拡散装置やCVD装置、アニール装置およびその他の熱処理装置等の半導体製造装置全般に適用することができる。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体製造装置の断熱性能および安全性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるバッチ式縦形ホットウオール形酸化・拡散装置を示す縦断面図である。
【図2】その断熱板を示しており、(a)は斜視図、(b)は(a)のb部の拡大断面図である。
【図3】他の実施の形態に係る断熱板を示しており、(a)は斜視図、(b)は(a)のb部の拡大断面図である。
【図4】本発明の他の実施の形態であるバッチ式縦形ホットウオール形酸化・拡散装置を示す縦断面図である。
【符号の説明】
1…ウエハ(基板)、2…筐体、10…酸化・拡散装置(半導体製造装置)、11…プロセスチューブ、12…処理室、13…炉口、14…均熱管、15…ヒータユニット、17…排気管、18…ガス導入ノズル、19…噴出口、20…シールリング、21…シールキャップ、22…冷却水路、23…ベースプレート、24…断熱キャップ、25、26…端板、27…保持部材、28…保持溝、29…断熱板、30…石英板(熱伝導率の小さい板体)、31…微細な凹凸部、32…微細な隙間、33…熱膨張差緩和部材、34…ボート、35、36…端板、37…保持部材、38…保持溝、29A…断熱板、30A…石英板(熱伝導率の小さい板体)、31A…微細な凹凸部、32A…微細な隙間。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関し、特に、炉口部における断熱構造の改良に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、ICが作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に酸化処理や拡散処理、アニール処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化処理、平坦化のためのリフロー処理および成膜処理等の熱処理(thermal treatment )を施すのに利用して有効なものに関する。
【0002】
ICの製造方法において、ウエハに金属膜や半導体膜および絶縁膜をデポジションするのにバッチ式縦形ホットウオール形CVD装置が広く使用されている。バッチ式縦形ホットウオール形CVD装置としては、複数枚のウエハを一括して処理する縦形の処理室を形成したプロセスチューブと、このプロセスチューブの外部に設置されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚のウエハを保持して処理室に搬入するボートとを備えており、ボートの基端部には断熱キャップが、その基端部に形成された断熱板支持部に複数枚の断熱板を一枚ずつ間隔を置いて並べて支持させることにより構成されているものがある(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−12474号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、バッチ式縦形ホットウオール形酸化・拡散装置のように処理温度が高温度(1000℃〜1400℃)になると、熱伝達に占める輻射の割合が相対的に大きくなるために、前記した断熱キャップにおいては、断熱性能が不足するという問題点がある。
【0005】
ところで、高い断熱性能を備えた断熱キャップとしては、石英ウールが収納容器に密封されたものが、一般的に知られている。しかし、密封された収納容器は、温度上昇に伴って内部の気体が膨張するために、破裂する懸念がある。そこで、収納容器を予め減圧して密封することにより、温度上昇に伴う気体の膨張に防備することが考えられるが、密封された収納容器の内圧が外圧と同圧になる温度は決まっており、その温度以外では減圧または加圧の状態になるために、減圧密封された収納容器が破裂する懸念は無くならない。また、石英は1000℃以上の環境では軟化してクリープ変形を起こす特性があるために、減圧密封した断熱キャップは高温度環境ではクリープと内圧とによって変形する可能性がきわめて高く、破損する懸念がある。
【0006】
本発明の目的は、高温度下であっても高い断熱性能および安全性を発揮する断熱構造を備えた半導体製造装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体製造装置は、基板を処理する処理室を形成したプロセスチューブと、このプロセスチューブの外側に設置されて前記処理室を加熱するヒータユニットと、前記基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記ボートの基端部に間隔を置いて並べられる複数段の断熱板とを備えている半導体製造装置において、
前記各段断熱板のそれぞれは複数枚の板体が互いに重ね合わされて構成されていることを特徴とする。
【0008】
前記した手段によれば、断熱板は複数枚の板体が互いに重ね合わされて構成されていることにより、熱伝達の効率が低下するために、断熱性能が高くなる。複数段に並べた断熱板は収納容器に密封する必要がないために、温度上昇による破裂や破損の危険性の発生を必然的に防止することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0010】
本実施の形態において、図1に示されているように、本発明に係る半導体製造装置はバッチ式縦形ホットウオール形酸化・拡散装置(以下、酸化・拡散装置という。)として構成されている。図1に示された酸化・拡散装置10は、中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ11を備えており、プロセスチューブ11は石英(SiO2 )が用いられて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。複数枚のウエハ1を一括して処理する処理室12が円筒中空部によって形成されており、ウエハ1を出し入れするための炉口13がプロセスチューブ11の下端開口によって形成されている。プロセスチューブ11の外側には均熱管14が同心円に被せられており、均熱管14は炭化シリコンが使用されて上端が閉塞し下端が開口したプロセスチューブ11よりも大径の円筒形状に形成されている。均熱管14の外側には処理室12を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するためのヒータユニット15が、均熱管14の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット15は酸化・拡散装置の筐体2に支持されることにより、垂直に据え付けられた状態になっている。
【0011】
プロセスチューブ11は酸化・拡散装置の筐体2に垂直に支持されている。プロセスチューブ11の側壁の一部には排気管17の一端が接続されており、排気管17の他端は排気装置(図示せず)に接続されて処理室12を所定の真空度に排気し得るように構成されている。プロセスチューブ11の側壁の排気管17と別の位置には、原料ガスを処理室12へ導入するためのガス導入ノズル18が挿入されており、ガス導入ノズル18の挿入部はそのガス導入ノズル18の噴出口19が処理室12の上端に位置するように垂直に立ち上げられている。
【0012】
プロセスチューブ11の下方には円盤形状のシールキャップ21が、プロセスチューブ11の中心線の延長線上をエレベータ(図示せず)によって昇降されるように設置されている。シールキャップ21の内部には冷却水の流通する冷却水路22が敷設されており、冷却水路22は耐熱温度が200℃〜300℃の高分子材料を使用されて形成されたシールリング20を、強制的に冷却するように設定されている。シールキャップ21の上には石英によって形成されたベースプレート23が設置されており、ベースプレート23の上面の周辺部はシールリング20をプロセスチューブ11の下側フランジ部の下面に押接させることにより、処理室12を気密封止するように構成されている。
【0013】
ベースプレート23の上にはシールリング20の近傍を低温化するための断熱キャップ24が垂直に立設されている。断熱キャップ24は上下で一対の端板25、26と、両端板25、26間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材27とを備えており、上下の端板25、26および保持部材27は石英によって形成されている。各保持部材27には複数条の保持溝28が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。複数本の保持部材27の同一段の保持溝28のそれぞれには断熱板29が、その外周部を保持溝28間にそれぞれ挿入されることにより、水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列して保持されている。
【0014】
図2に示されているように、断熱板29は熱伝導率の小さい板体としての石英板30が二枚、互いに重ね合わされてそれぞれ構成されている。二枚の石英板30、30の合わせ面には、サンドブラスト法や溶射法によって加工された微細な凹凸部31が全面にわたってそれぞれ形成されている。熱伝達の対流を無視し得る程度の微細な隙間32が、この二枚の石英板30、30の凹凸部31によって全面にわたって形成されている。二枚の石英板30、30が重ね合わされて構成された断熱板29の熱伝達の熱伝導率は、熱伝導率の極小さい気体の層を形成する微細な隙間32が途中に介在することにより低下する。また、二枚の石英板30、30の接触面積は微細に隙間32が介在することにより小さくなり、接触熱抵抗が大きくなるので、断熱板29の熱伝達の効率は低下する。さらに、石英板30の微細な凹凸部31は熱線を乱反射させて遮蔽することにより、断熱板29の熱伝達の輻射を低下させるので、断熱板29の熱伝達の効率をより一層低下させる。したがって、熱伝導率の小さい二枚の石英板30、30が微細な隙間32を介して重ね合わされて構成された断熱板29の熱伝達の効率はきわめて小さくなり、相対的に断熱板29の断熱性能はきわめて高くなる。つまり、複数段の断熱板29から構成された断熱キャップ24の断熱性能はきわめて高くなる。
【0015】
断熱キャップ24の上には熱膨張差緩和部材33を挟んでボート34が垂直に立設されており、熱膨張差緩和部材33は炭化シリコン(SiC)またはシリコンが使用されて形成され、断熱キャップ24とボート34との熱膨張差を緩和するように構成されている。ボート34は上下で一対の端板35、36と、上下の端板35、36間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材37とを備えており、上下の端板35、36および保持部材37はシリコン(Si)によって形成されている。各保持部材37には保持溝38が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ウエハ1は各保持部材37の同一段の保持溝38間に周辺部を挿入されることにより、ボート34に水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列して保持される。
【0016】
次に、作用を説明する。
【0017】
図1に示されているように、複数枚のウエハ1を整列保持したボート34はシールキャップ21のエレベータによる上昇に伴って処理室12に搬入(ボートローディング)される。この状態で、シールキャップ21はベースプレート23およびシールリング20を介して炉口13をシールした状態になる。
【0018】
処理室12が所定の圧力に排気管17によって調整され、また、処理室12が所定の温度(約1000℃〜1400℃)に全体にわたって均一または所定の温度分布にヒータユニット15によって加熱される。次いで、所定の処理ガスがガス導入ノズル18に供給されて、噴出口19から処理室12に導入される。処理室12に導入された処理ガスは処理室12を流下して排気管17によって排気される。処理ガスは流下しながらウエハ1の表面に接触するため、ウエハ1の表面には所望の処理が施される。
【0019】
予め設定された処理時間が経過すると、炉口13がシールキャップ21が下降されることによって開口されるとともに、ウエハ1群を保持したボート34が炉口13から処理室12の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
【0020】
ところで、以上の熱処理において、耐熱温度が200℃〜300℃のシールリング20の劣化を防止する必要上、シールキャップ21が冷却水路22を流通する冷却水によって強制的に冷却されているために、1000℃〜1400℃の高温度に加熱された処理室12の温度雰囲気はシールキャップ21に逃げる。すなわち、1000℃〜1400℃に加熱されたボート34やウエハ1群の熱は200℃〜300℃に冷却されているシールキャップ21に、熱膨張差緩和部材33、断熱キャップ24およびベースプレート23を経由して伝達される。
【0021】
しかし、本実施の形態においては、断熱キャップ24が二枚の石英板30、30が微細な隙間32を介して重ね合わされて構成された熱伝導率の極小さい断熱板29を複数段並べられて構成されていることにより、ボート34やウエハ1群の熱のシールキャップ21への伝達は断熱キャップ24によって効果的に遮断されるために、1000℃〜1400℃の高温度に加熱された処理室12の温度雰囲気がシールキャップ21に逃げるのを確実に防止することができる。したがって、処理室12の温度雰囲気を所期の設定値に維持することができるとともに、シールリング20の劣化を確実に防止することができる。
【0022】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【0023】
1) 二枚の石英板が微細な隙間を介して重ね合わされて構成された断熱性能の高い断熱板を複数段並べて断熱キャップを構成することにより、ボートやウエハ群の熱のシールキャップへの伝達を断熱キャップによって効果的に遮断することができるので、1000℃〜1400℃の高温度に加熱された処理室の温度雰囲気がシールキャップに逃げるのを確実に防止することができる。
【0024】
2) 処理室の温度雰囲気がシールキャップに逃げるのを効果的に防止することにより、処理室の温度雰囲気を所期の設定値に維持することができるので、ウエハ面内の熱処理精度やウエハ相互間の熱処理精度を高めることができる。
【0025】
3) 処理室の温度雰囲気がシールキャップに逃げるのを効果的に防止することにより、シールリングの劣化を確実に防止することができるので、シールリングひいては酸化・拡散装置の寿命を延長することができ、ランニングコスト等を低減することができる。
【0026】
4) 二枚の石英板を重ね合わせてなる断熱板を複数段に並べて断熱キャップを形成することにより、断熱性能の高い断熱キャップを密封容器を使用せずに構成することができるので、高温度下での破裂や破損を未然に防止することができ、安全性を高めることができる。
【0027】
5) 二枚の石英板の合わせ面に微細な凹凸部を形成して微細な隙間を構成することにより、微細な凹凸部はサンドブラスト法や溶射法等の不規則の凹凸部を形成する方法によって形成することができるので、断熱性能の高い断熱板を安価に製造することができる。
【0028】
6) 二枚の石英板の合わせ面に微細な凹凸部を形成して微細な隙間を構成することにより、石英板を透過する熱線を乱反射させて熱線の透過を遮蔽することができるので、二枚の石英板を重ね合わせて構成された断熱板の断熱性能をより一層高めることができる。
【0029】
7) ボートと断熱キャップとの間に熱膨張差緩和部材を介設することにより、ボートと断熱キャップとの熱膨張差を吸収することができるので、ボートの断熱キャップに対する位置ずれや脱落等を防止することができる。
【0030】
8) ボートをシリコンによって形成することにより、シリコンウエハとボートとの熱膨張差の発生を回避することができるので、その熱膨張差によるシリコンウエハの損傷やパーティクルの発生を防止することができる。他方、断熱キャップを石英によって形成することにより、コストの増加を抑制しつつ断熱キャップの断熱性能を高めることができる。
【0031】
図3は断熱板の他の実施の形態を示している。本実施の形態に係る断熱板が前記実施の形態と異なる点は、微細な隙間32Aを構成する微細な凹凸部31Aが、断熱板29Aを構成する一方の石英板30Aの合わせ面に切削加工によって規則的に形成されている点である。本実施の形態においても、二枚の石英板30Aと30Aとの合わせ面に微細な隙間32Aが全面にわたって介在するので、断熱板29Aの熱伝達の効率はきわめて小さくなり、その結果、断熱キャップの断熱性能はきわめて大きくなる。
【0032】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0033】
例えば、透明の石英板を使用するに限らず、不透明の石英板を使用してもよい。不透明の石英板を使用した場合には、石英板の熱線をきわめて効果的に遮断することができるので、熱伝達の効率をより一層低下させることができ、断熱キャップの断熱性能をより一層向上させることができる。
【0034】
また、熱伝導率の小さい板体としては、石英板を使用するに限らず、炭化シリコンやシリコン等からなる板体を使用してもよい。さらに、板体の枚数は二枚に限らず、三枚以上に設定してもよい。
【0035】
複数段の断熱板29は断熱キャップ24に設置するに限らず、図4に示されているように、二枚の石英板30、30の外周部をボート34の基端部における複数段の保持溝38のそれぞれに挿入して、ボート34の基端部に直接的に間隔を置いて並べてもよい。
【0036】
前記実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形酸化・拡散装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、横形ホットウオール形酸化・拡散装置やCVD装置、アニール装置およびその他の熱処理装置等の半導体製造装置全般に適用することができる。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体製造装置の断熱性能および安全性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるバッチ式縦形ホットウオール形酸化・拡散装置を示す縦断面図である。
【図2】その断熱板を示しており、(a)は斜視図、(b)は(a)のb部の拡大断面図である。
【図3】他の実施の形態に係る断熱板を示しており、(a)は斜視図、(b)は(a)のb部の拡大断面図である。
【図4】本発明の他の実施の形態であるバッチ式縦形ホットウオール形酸化・拡散装置を示す縦断面図である。
【符号の説明】
1…ウエハ(基板)、2…筐体、10…酸化・拡散装置(半導体製造装置)、11…プロセスチューブ、12…処理室、13…炉口、14…均熱管、15…ヒータユニット、17…排気管、18…ガス導入ノズル、19…噴出口、20…シールリング、21…シールキャップ、22…冷却水路、23…ベースプレート、24…断熱キャップ、25、26…端板、27…保持部材、28…保持溝、29…断熱板、30…石英板(熱伝導率の小さい板体)、31…微細な凹凸部、32…微細な隙間、33…熱膨張差緩和部材、34…ボート、35、36…端板、37…保持部材、38…保持溝、29A…断熱板、30A…石英板(熱伝導率の小さい板体)、31A…微細な凹凸部、32A…微細な隙間。
Claims (1)
- 基板を処理する処理室を形成したプロセスチューブと、このプロセスチューブの外側に設置されて前記処理室を加熱するヒータユニットと、前記基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記ボートの基端部に間隔を置いて並べられる複数段の断熱板とを備えている半導体製造装置において、
前記各段の断熱板のそれぞれは複数枚の板体が互いに重ね合わされて構成されていることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
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JP2002353400A JP2004186533A (ja) | 2002-12-05 | 2002-12-05 | 半導体製造装置 |
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JP2006261317A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置及び基板の製造方法 |
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- 2002-12-05 JP JP2002353400A patent/JP2004186533A/ja active Pending
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