JPS6068619A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS6068619A JPS6068619A JP17725383A JP17725383A JPS6068619A JP S6068619 A JPS6068619 A JP S6068619A JP 17725383 A JP17725383 A JP 17725383A JP 17725383 A JP17725383 A JP 17725383A JP S6068619 A JPS6068619 A JP S6068619A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はプラズマ放電現象を化学気相成長（Ｃｈｅｒｎ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶ
Ｄ）技術に応用したプラズマＣＶＤ装置に係り、特に生
成膜の膜質向上を帽９たホットウォール形の装置構成に
関する。
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶ
Ｄ）技術に応用したプラズマＣＶＤ装置に係り、特に生
成膜の膜質向上を帽９たホットウォール形の装置構成に
関する。
（ｂ） 技術の背景
従来の常圧又は減圧ＣＶＤ技術で得られているシリコン
窒化膜（Ｃ１ｓＮ４ ）は高温（６８０℃〜１０００℃
）処理であるため大きな膜中ストレスを持つから約２０
００Ｘの膜厚が限度でありた。
窒化膜（Ｃ１ｓＮ４ ）は高温（６８０℃〜１０００℃
）処理であるため大きな膜中ストレスを持つから約２０
００Ｘの膜厚が限度でありた。
これに対してプラズマＣＶＤ法はプラズマ中での化学反
応を利用するため２００〜３５０℃の生成温度で処理が
可能となるため０５〜１０μもの膜厚で成膜させること
が可能である。
応を利用するため２００〜３５０℃の生成温度で処理が
可能となるため０５〜１０μもの膜厚で成膜させること
が可能である。
しかもナトリウム（Ｎａ）等のアｌレカリ金属に対する
ブロック性及び耐湿性を維持できることから特にモール
ドパッケイジングに於けるデノくイスの信頼性を向上さ
せる最終的な不活性保嶺膜に有効である。また装置には
電極、反応炉等の形状及び試料の配設による違いにより
装置構成の異なる平行平板電極形、円筒電極形、ホ、ト
オウー７Ｌ、形等のプラズマＣＶＤ装置がある （０） 従来技術と問題点 第１図はホットウォール形プラズマＣＶＤ装置の従来例
を示す構成図である。
ブロック性及び耐湿性を維持できることから特にモール
ドパッケイジングに於けるデノくイスの信頼性を向上さ
せる最終的な不活性保嶺膜に有効である。また装置には
電極、反応炉等の形状及び試料の配設による違いにより
装置構成の異なる平行平板電極形、円筒電極形、ホ、ト
オウー７Ｌ、形等のプラズマＣＶＤ装置がある （０） 従来技術と問題点 第１図はホットウォール形プラズマＣＶＤ装置の従来例
を示す構成図である。
図において反応管２の外側に加熱ヒータ３を配置したホ
ットウォール（ｎｏ ｔ −ｗａ ｌ ｌ ）減圧方式
のプラズマＣＶＤ装置１であって反応管２内に高周波電
極４，５が互に平行する位置に配置される。
ットウォール（ｎｏ ｔ −ｗａ ｌ ｌ ）減圧方式
のプラズマＣＶＤ装置１であって反応管２内に高周波電
極４，５が互に平行する位置に配置される。
この電極４． ５に外部の高周波電源６がコネクタ７．
８を介して接続されこの電極間にプラズマが発生する。
８を介して接続されこの電極間にプラズマが発生する。
被処理試料（半導体ウエノ・９）は平行する電極４．５
間に垂直に並設した絶縁体の基板ホルダー１０に図のよ
うに取付けられて電極４，５とともに反応管２内に配置
され、電極４，５の先端はコネクタ７．８に挿着する。
間に垂直に並設した絶縁体の基板ホルダー１０に図のよ
うに取付けられて電極４，５とともに反応管２内に配置
され、電極４，５の先端はコネクタ７．８に挿着する。
エンドギャップ１１を閉じて反応管２内を密閉し、ヒー
タ加熱により反応管内部及び配設した半導体ウエノ・９
を一定温度（２００〜３５０°Ｃ）に加熱し反応管２の
終端に備えた排気口１２より一定圧に（０，７〜ｘ、
０１ａｒｔ）減圧排気する。減圧排気した反応管２内に
反応ガスを導入口１３より導入することにより反応ガス
はガス導入口１３より排気口１２に拡散され、プラズマ
中で電気エネルギーにより反応ガスは活性化し、ウェハ
上で反応（ラジカル反応）シ、所望の薄膜を形成する。
タ加熱により反応管内部及び配設した半導体ウエノ・９
を一定温度（２００〜３５０°Ｃ）に加熱し反応管２の
終端に備えた排気口１２より一定圧に（０，７〜ｘ、
０１ａｒｔ）減圧排気する。減圧排気した反応管２内に
反応ガスを導入口１３より導入することにより反応ガス
はガス導入口１３より排気口１２に拡散され、プラズマ
中で電気エネルギーにより反応ガスは活性化し、ウェハ
上で反応（ラジカル反応）シ、所望の薄膜を形成する。
このため熱的エネルギーによって反応を促進している通
常のＣＶＤ法に比し低温が可能となる。
常のＣＶＤ法に比し低温が可能となる。
しかしこのように構成されるプラズマＣＶＤ装置では半
導体ウェハの大口径に伴い電極も大型化し、相対的な重
量増加により装置構成上の限度がある。また外部電源と
のコンタクトがとりにくい。
導体ウェハの大口径に伴い電極も大型化し、相対的な重
量増加により装置構成上の限度がある。また外部電源と
のコンタクトがとりにくい。
即ちコネクタ７．８には薄膜成長時同質の化合°物が被
着形成し、絶縁膜が形成されコンタクトが不安定となる
。また繰返される電極挿着に際してこの汚染膜が剥離し
、微粉末となって飛散し、反応管内を浮遊する。これ等
微粉末は減圧排気時に吸引除去されるが一部は残留し、
半導体ウェハ９に異物（フレーク）として付着する。こ
れがため膜質を著しく低下させ半導体特性に影響を与え
ることがある。
着形成し、絶縁膜が形成されコンタクトが不安定となる
。また繰返される電極挿着に際してこの汚染膜が剥離し
、微粉末となって飛散し、反応管内を浮遊する。これ等
微粉末は減圧排気時に吸引除去されるが一部は残留し、
半導体ウェハ９に異物（フレーク）として付着する。こ
れがため膜質を著しく低下させ半導体特性に影響を与え
ることがある。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記の点に鑑み、装置全体を縦形とし、内部電
極と外部電源とを一体的に接続する装置構成を提供し、
生成膜の膜質を向上させて良質の薄膜層を得ることを目
的とする。
極と外部電源とを一体的に接続する装置構成を提供し、
生成膜の膜質を向上させて良質の薄膜層を得ることを目
的とする。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は本発明によれば電極間に高周波電圧を印加し
て誘発したプラズマ中に反応ガスを導入して活性化し、
試料上に薄膜を成長させるプラズマＣＶＤ装置であって
該装置の反応管内に沿って配置される電極間に該試料を
載置する絶縁体の棚を設け、該電極をエンドキャップに
固定して該装置全体を縦形となし、下方より被処理試料
の出し入れを行なうように構成することによって達せら
れる。
て誘発したプラズマ中に反応ガスを導入して活性化し、
試料上に薄膜を成長させるプラズマＣＶＤ装置であって
該装置の反応管内に沿って配置される電極間に該試料を
載置する絶縁体の棚を設け、該電極をエンドキャップに
固定して該装置全体を縦形となし、下方より被処理試料
の出し入れを行なうように構成することによって達せら
れる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。
第２図は本発明の一実施例である縦形構成としたプラズ
マＣＶＩ）装置を示す構成図である。
マＣＶＩ）装置を示す構成図である。
対向する電極２４．２５をエンドキャップ３１に固定し
外部の高周波電源２６に接続し、一対的に構成する。こ
のエンドキャップ３１にモータ（図示せず）を連結しモ
ータ駆動にょシ反応管２２の開閉を行なうようにしたも
のである。
外部の高周波電源２６に接続し、一対的に構成する。こ
のエンドキャップ３１にモータ（図示せず）を連結しモ
ータ駆動にょシ反応管２２の開閉を行なうようにしたも
のである。
被膜処理面を上面とした試料（半導体ウェア２９）を絶
縁体の基板ホルダー３０に載置し電極２４゜２５及び載
置した試製を反応管２２内に収容しエンドキャップ３１
を閉じて密閉する１、ヒータ２３の加熱により基板温度
を一定に保ち、排気口より一定圧に減圧排気し反応ガス
を導入すことによシ所望の薄膜を形成させる。
縁体の基板ホルダー３０に載置し電極２４゜２５及び載
置した試製を反応管２２内に収容しエンドキャップ３１
を閉じて密閉する１、ヒータ２３の加熱により基板温度
を一定に保ち、排気口より一定圧に減圧排気し反応ガス
を導入すことによシ所望の薄膜を形成させる。
このように電極２４．２５とエンドキャップ３１を１体
的に構成し、装置全体を縦形とすることにより従来の電
極接合部における接触不良はなくなり汚染された微粉末
の発生もなくなる。また電極及び試料の出し入れに際し
、従来のような反応管内壁とふれることがないため内壁
に付着した汚染膜の剥離を大幅に減少させることができ
、汚染源となる微粉末の発生が抑制されることにより異
物付着のない良質の膜質が得られる。
的に構成し、装置全体を縦形とすることにより従来の電
極接合部における接触不良はなくなり汚染された微粉末
の発生もなくなる。また電極及び試料の出し入れに際し
、従来のような反応管内壁とふれることがないため内壁
に付着した汚染膜の剥離を大幅に減少させることができ
、汚染源となる微粉末の発生が抑制されることにより異
物付着のない良質の膜質が得られる。
（ｇ） 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明に示す装置構成とする
ことにより汚染されることなく良質の膜質が得られ、半
導体特性を安定させるに有効である。また半導体ウェハ
の大型化に対応できる装置構成とすることが可能である
。
ことにより汚染されることなく良質の膜質が得られ、半
導体特性を安定させるに有効である。また半導体ウェハ
の大型化に対応できる装置構成とすることが可能である
。
第１図はホットウォール形プラズマＣＶＤ装置の従来例
を示す構成図、第２図は不発明の一実施例である縦形構
成としたプラズマＣＶＤ装置を示す構成図である。 図中１・・・プラズマＣＶＤ装置、２．２２・・・反応
管、３．２３・・・ヒータ、４． ５． ２４． ２５
・・・電極、６．２６・・・外部電源、７，８・・・コ
ネクタ、９．２９・・・半導体ウェハ、１０．３０・・
・基板ボルダ−１１１，３１・・・エンドキャップ、１
２・排気口、１３・・・ガス導入口。
を示す構成図、第２図は不発明の一実施例である縦形構
成としたプラズマＣＶＤ装置を示す構成図である。 図中１・・・プラズマＣＶＤ装置、２．２２・・・反応
管、３．２３・・・ヒータ、４． ５． ２４． ２５
・・・電極、６．２６・・・外部電源、７，８・・・コ
ネクタ、９．２９・・・半導体ウェハ、１０．３０・・
・基板ボルダ−１１１，３１・・・エンドキャップ、１
２・排気口、１３・・・ガス導入口。
Claims (1)
- 電極間に高周波電圧を印加して誘起したプラズマ中に反
応ガスを導入して活性化し試料上に薄膜を戴置させるプ
ラズマＣＶＤ装置であって、該装置の反応管内に沿って
配置される′市４夕間に該試料を載置する絶縁体の棚を
設け、該電極をエンドギャップに固定して該装置全体を
縦型となし下方より被処理試料の出し入れを行方うよう
に構成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17725383A JPS6068619A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17725383A JPS6068619A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068619A true JPS6068619A (ja) | 1985-04-19 |
Family
ID=16027838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17725383A Pending JPS6068619A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068619A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5133986A (en) * | 1990-10-05 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Plasma enhanced chemical vapor processing system using hollow cathode effect |
| US5515986A (en) * | 1993-05-03 | 1996-05-14 | Balzers Aktiengesellschaft | Plasma treatment apparatus and method for operating same |
| US6296735B1 (en) | 1993-05-03 | 2001-10-02 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma treatment apparatus and method for operation same |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP17725383A patent/JPS6068619A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5133986A (en) * | 1990-10-05 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Plasma enhanced chemical vapor processing system using hollow cathode effect |
| US5515986A (en) * | 1993-05-03 | 1996-05-14 | Balzers Aktiengesellschaft | Plasma treatment apparatus and method for operating same |
| US6296735B1 (en) | 1993-05-03 | 2001-10-02 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma treatment apparatus and method for operation same |
| US6673255B2 (en) | 1993-05-03 | 2004-01-06 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma treatment apparatus and method for operating same |
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