JPS6320429U - - Google Patents

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JPS6320429U
JPS6320429U JP11271786U JP11271786U JPS6320429U JP S6320429 U JPS6320429 U JP S6320429U JP 11271786 U JP11271786 U JP 11271786U JP 11271786 U JP11271786 U JP 11271786U JP S6320429 U JPS6320429 U JP S6320429U
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furnace core
core tube
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film
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の減圧酸化ＣＶＤ装置の一実
施例の断面図、第２図は同上減圧酸化ＣＶＤ装置
のシリコンウエハ挿入状態を説明するための断面
図、第３図ａは従来の減圧酸化ＣＶＤ装置におけ
る減圧ＣＶＤ炉の構成を示す図、第３図ｂは従来
の減圧酸化ＣＶＤ装置における酸化炉の構成を示
す図である。 １，１ａ……炉芯管、２……ヒータ、５……排
気トラツプ、６……メカニカルブースタポンプ、
７……ロータリポンプ、９，１５，１９……Ｎ２
配管、１０……ＳｉＨ４配管、１１，１２，１６
，１８……マスフロー、１３……ボート、１４…
…シリコンウエハ、２０，２６……ストツプバル
ブ、２１……封入管、２３……中間開閉弁、２４
……ネジ式上下機構、２５……回転ハンドル。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (a) シリコンウエハに第１膜の成長時にこのシ
    リコンウエハを挿入して所定の処理を行う第１の
    炉芯管と、 (b) この第１の炉芯管と直線状に配置され上記
    シリコンウエハに第２膜成長時にこのシリコンウ
    エハを挿入して所定の処理を行う第２の炉芯管と
    、 (c) 上記第１膜および第２膜形成時にそれぞれ
    下降して第１の炉芯管と第２の炉芯管を気密状に
    分断しかつ第１膜形成後シリコンウエハを第２の
    炉芯管への移行時に上昇させて第１の炉芯管と第
    ２の炉芯管を連結させる中間開閉弁と、 (d) 第１の炉芯管と第２の炉芯管での処理中に
    所定の処理ガスの導入を切り替える単一のポンプ
    手段と、 よりなる減圧酸化ＣＶＤ装置。
JP1986112717U 1986-07-24 1986-07-24 減圧酸化ｃｖｄ装置 Expired - Lifetime JPH066507Y2 (ja)

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JP1986112717U JPH066507Y2 (ja) 1986-07-24 1986-07-24 減圧酸化ｃｖｄ装置

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JPS6320429U true JPS6320429U (ja) 1988-02-10
JPH066507Y2 JPH066507Y2 (ja) 1994-02-16

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58154235A (ja) * 1982-03-09 1983-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 減圧ｃｖｄ装置
JPS60167318A (ja) * 1984-02-09 1985-08-30 Mitsubishi Electric Corp 光応用半導体製造装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58154235A (ja) * 1982-03-09 1983-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 減圧ｃｖｄ装置
JPS60167318A (ja) * 1984-02-09 1985-08-30 Mitsubishi Electric Corp 光応用半導体製造装置

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JPH066507Y2 (ja) 1994-02-16

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