JPS6320429U - - Google Patents

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JPS6320429U
JPS6320429U JP11271786U JP11271786U JPS6320429U JP S6320429 U JPS6320429 U JP S6320429U JP 11271786 U JP11271786 U JP 11271786U JP 11271786 U JP11271786 U JP 11271786U JP S6320429 U JPS6320429 U JP S6320429U
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core tube
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の減圧酸化CVD装置の一実
施例の断面図、第2図は同上減圧酸化CVD装置
のシリコンウエハ挿入状態を説明するための断面
図、第3図aは従来の減圧酸化CVD装置におけ
る減圧CVD炉の構成を示す図、第3図bは従来
の減圧酸化CVD装置における酸化炉の構成を示
す図である。 1,1a……炉芯管、2……ヒータ、5……排
気トラツプ、6……メカニカルブースタポンプ、
7……ロータリポンプ、9,15,19……N
配管、10……SiH配管、11,12,16
,18……マスフロー、13……ボート、14…
…シリコンウエハ、20,26……ストツプバル
ブ、21……封入管、23……中間開閉弁、24
……ネジ式上下機構、25……回転ハンドル。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (a) シリコンウエハに第1膜の成長時にこのシ
    リコンウエハを挿入して所定の処理を行う第1の
    炉芯管と、 (b) この第1の炉芯管と直線状に配置され上記
    シリコンウエハに第2膜成長時にこのシリコンウ
    エハを挿入して所定の処理を行う第2の炉芯管と
    、 (c) 上記第1膜および第2膜形成時にそれぞれ
    下降して第1の炉芯管と第2の炉芯管を気密状に
    分断しかつ第1膜形成後シリコンウエハを第2の
    炉芯管への移行時に上昇させて第1の炉芯管と第
    2の炉芯管を連結させる中間開閉弁と、 (d) 第1の炉芯管と第2の炉芯管での処理中に
    所定の処理ガスの導入を切り替える単一のポンプ
    手段と、 よりなる減圧酸化CVD装置。
JP1986112717U 1986-07-24 1986-07-24 減圧酸化cvd装置 Expired - Lifetime JPH066507Y2 (ja)

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JPS6320429U true JPS6320429U (ja) 1988-02-10
JPH066507Y2 JPH066507Y2 (ja) 1994-02-16

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58154235A (ja) * 1982-03-09 1983-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 減圧cvd装置
JPS60167318A (ja) * 1984-02-09 1985-08-30 Mitsubishi Electric Corp 光応用半導体製造装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58154235A (ja) * 1982-03-09 1983-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 減圧cvd装置
JPS60167318A (ja) * 1984-02-09 1985-08-30 Mitsubishi Electric Corp 光応用半導体製造装置

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JPH066507Y2 (ja) 1994-02-16

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