JPS6320429U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6320429U JPS6320429U JP11271786U JP11271786U JPS6320429U JP S6320429 U JPS6320429 U JP S6320429U JP 11271786 U JP11271786 U JP 11271786U JP 11271786 U JP11271786 U JP 11271786U JP S6320429 U JPS6320429 U JP S6320429U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- furnace core
- core tube
- silicon wafer
- film
- predetermined process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Description
第1図はこの考案の減圧酸化CVD装置の一実
施例の断面図、第2図は同上減圧酸化CVD装置
のシリコンウエハ挿入状態を説明するための断面
図、第3図aは従来の減圧酸化CVD装置におけ
る減圧CVD炉の構成を示す図、第3図bは従来
の減圧酸化CVD装置における酸化炉の構成を示
す図である。 1,1a……炉芯管、2……ヒータ、5……排
気トラツプ、6……メカニカルブースタポンプ、
7……ロータリポンプ、9,15,19……N2
配管、10……SiH4配管、11,12,16
,18……マスフロー、13……ボート、14…
…シリコンウエハ、20,26……ストツプバル
ブ、21……封入管、23……中間開閉弁、24
……ネジ式上下機構、25……回転ハンドル。
施例の断面図、第2図は同上減圧酸化CVD装置
のシリコンウエハ挿入状態を説明するための断面
図、第3図aは従来の減圧酸化CVD装置におけ
る減圧CVD炉の構成を示す図、第3図bは従来
の減圧酸化CVD装置における酸化炉の構成を示
す図である。 1,1a……炉芯管、2……ヒータ、5……排
気トラツプ、6……メカニカルブースタポンプ、
7……ロータリポンプ、9,15,19……N2
配管、10……SiH4配管、11,12,16
,18……マスフロー、13……ボート、14…
…シリコンウエハ、20,26……ストツプバル
ブ、21……封入管、23……中間開閉弁、24
……ネジ式上下機構、25……回転ハンドル。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (a) シリコンウエハに第1膜の成長時にこのシ
リコンウエハを挿入して所定の処理を行う第1の
炉芯管と、 (b) この第1の炉芯管と直線状に配置され上記
シリコンウエハに第2膜成長時にこのシリコンウ
エハを挿入して所定の処理を行う第2の炉芯管と
、 (c) 上記第1膜および第2膜形成時にそれぞれ
下降して第1の炉芯管と第2の炉芯管を気密状に
分断しかつ第1膜形成後シリコンウエハを第2の
炉芯管への移行時に上昇させて第1の炉芯管と第
2の炉芯管を連結させる中間開閉弁と、 (d) 第1の炉芯管と第2の炉芯管での処理中に
所定の処理ガスの導入を切り替える単一のポンプ
手段と、 よりなる減圧酸化CVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986112717U JPH066507Y2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 減圧酸化cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986112717U JPH066507Y2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 減圧酸化cvd装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6320429U true JPS6320429U (ja) | 1988-02-10 |
JPH066507Y2 JPH066507Y2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=30993849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1986112717U Expired - Lifetime JPH066507Y2 (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 減圧酸化cvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH066507Y2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58154235A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 減圧cvd装置 |
JPS60167318A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光応用半導体製造装置 |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP1986112717U patent/JPH066507Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58154235A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 減圧cvd装置 |
JPS60167318A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光応用半導体製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH066507Y2 (ja) | 1994-02-16 |
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