JPH03227013A - 減圧気相成長装置 - Google Patents
減圧気相成長装置Info
- Publication number
- JPH03227013A JPH03227013A JP2347890A JP2347890A JPH03227013A JP H03227013 A JPH03227013 A JP H03227013A JP 2347890 A JP2347890 A JP 2347890A JP 2347890 A JP2347890 A JP 2347890A JP H03227013 A JPH03227013 A JP H03227013A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core tube
- furnace core
- temperature
- semiconductor wafer
- quartz
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- Pending
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
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- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
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- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、減圧気相成長装置（以下減圧ＣＶＤ装置と記
す）に関する。
す）に関する。
従来の減圧ＣＶＤ装置は第３図に示すように、石英炉芯
管１内に石英ボート２が置かれ、石英ボート２の上に半
導体ウェーハ３が並べられている。石英炉芯管１の両端
には、ステンレス製の前部ハツチ４と後部ハツチ５が取
り付けられ、石英炉芯管１内を気密状態に保つことが可
能となっている。半導体ウェーハ３上に薄膜を形成する
際には、石英炉芯管１内は真空ポンプにて排気され、０
．２〜０．６Ｔｏｒｒ程度の減圧状態に保たれている。
管１内に石英ボート２が置かれ、石英ボート２の上に半
導体ウェーハ３が並べられている。石英炉芯管１の両端
には、ステンレス製の前部ハツチ４と後部ハツチ５が取
り付けられ、石英炉芯管１内を気密状態に保つことが可
能となっている。半導体ウェーハ３上に薄膜を形成する
際には、石英炉芯管１内は真空ポンプにて排気され、０
．２〜０．６Ｔｏｒｒ程度の減圧状態に保たれている。
また、石英炉芯管１に巻きつけられた炉芯管ヒータ６に
より、石英炉芯管１の中央部及び半導体ウェーハ３は６
００〜８００℃程度に加熱されているが、石英炉芯管１
の両端に向かうにつれて温度は徐々に低下し、前部ハツ
チ４及び後部ハツチ５の部分はほぼ常温に近い温度とな
っている。この状態で、プロセスガス導入配管７を通じ
てプロセスガスＡ及びＢを石英炉芯管１内へ流す。プロ
セスガスＡ及びＢはまず前部ハツチ４の付近で混合する
が、温度が低いため、この段階ではまだ反応しない、混
合ガスが排気の流れに沿って半導体ウェーハ３に近づく
と、石英炉芯管１の温度が上昇するため、混合ガスも加
熱され半導体ウェーハ３に達する頃適度な温度となり、
反応が起り半導体ウェーハ３上に薄膜が形成される０次
に、後部ハツチ５の付近に達した時点では反応は完全に
終了する。
より、石英炉芯管１の中央部及び半導体ウェーハ３は６
００〜８００℃程度に加熱されているが、石英炉芯管１
の両端に向かうにつれて温度は徐々に低下し、前部ハツ
チ４及び後部ハツチ５の部分はほぼ常温に近い温度とな
っている。この状態で、プロセスガス導入配管７を通じ
てプロセスガスＡ及びＢを石英炉芯管１内へ流す。プロ
セスガスＡ及びＢはまず前部ハツチ４の付近で混合する
が、温度が低いため、この段階ではまだ反応しない、混
合ガスが排気の流れに沿って半導体ウェーハ３に近づく
と、石英炉芯管１の温度が上昇するため、混合ガスも加
熱され半導体ウェーハ３に達する頃適度な温度となり、
反応が起り半導体ウェーハ３上に薄膜が形成される０次
に、後部ハツチ５の付近に達した時点では反応は完全に
終了する。
上述した従来の減圧ＣＶＤ装置では、前部ハツチ４の付
近では、常温に近い温度を有する混合ガスは、石英炉芯
管１の中央部に移動して温度が上昇するのに従い反応に
必要な温度まで徐々に加熱される構造となっているので
、混合ガスの温度コントロールが非常に困難であり、石
英ボート２上の置かれた位置により半導体ウェーハ３に
形成される薄膜の膜厚が異なり不均一になるという欠点
がある。
近では、常温に近い温度を有する混合ガスは、石英炉芯
管１の中央部に移動して温度が上昇するのに従い反応に
必要な温度まで徐々に加熱される構造となっているので
、混合ガスの温度コントロールが非常に困難であり、石
英ボート２上の置かれた位置により半導体ウェーハ３に
形成される薄膜の膜厚が異なり不均一になるという欠点
がある。
本発明の減圧ＣＶＤ装置は、減圧状態の石英炉芯管内に
プロセスガスを導入し、石英炉芯管内に装着された半導
体ウェーハ上に薄膜を形成する減圧ＣＶＤ装置のプロセ
スガス導入配管に設けたプロセスガスを予熱するための
ヒータを備えている。
プロセスガスを導入し、石英炉芯管内に装着された半導
体ウェーハ上に薄膜を形成する減圧ＣＶＤ装置のプロセ
スガス導入配管に設けたプロセスガスを予熱するための
ヒータを備えている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
石英炉芯管１内には石英ボート２が置かれ、石英ボート
２の上に半導体ウェーハ３が並べられている。石英炉芯
管１の両端にはステンレス製の前部ハツチ４及び後部ハ
ツチ５が取り付けられ、石英炉芯管１内を気密状態に保
つことが可能となっている。半導体ウェーハ３上に薄膜
を形成する際には、石英炉芯管１内は真空ポンプにて排
気され、０．２〜Ｑ、 ６Ｔｏｒｒ程度の減圧状態に保
たれている。
２の上に半導体ウェーハ３が並べられている。石英炉芯
管１の両端にはステンレス製の前部ハツチ４及び後部ハ
ツチ５が取り付けられ、石英炉芯管１内を気密状態に保
つことが可能となっている。半導体ウェーハ３上に薄膜
を形成する際には、石英炉芯管１内は真空ポンプにて排
気され、０．２〜Ｑ、 ６Ｔｏｒｒ程度の減圧状態に保
たれている。
石英炉芯管１に巻きつけられな炉芯管ヒータ６により、
石英炉芯管１の中央部及び半導体ウェーハ３は６００〜
８００℃程度に加熱されている。
石英炉芯管１の中央部及び半導体ウェーハ３は６００〜
８００℃程度に加熱されている。
プロセスガス導入配管７のまわりに予熱し−タ８を巻き
、プロセスガスを６００℃程度に予熱する。この温度は
、プロセスガスＡ及びＢが、前部ハツチ４付近で混合し
ても反応しない温度を設定する。その後、混合ガスが排
気の流れに沿って半導体ウェーハ３に近づくと、石英炉
芯管１の温度上昇に伴い混合ガスも加熱されるが、混合
ガスは予熱されているので即時に反応に必要な温度とす
ることができる。
、プロセスガスを６００℃程度に予熱する。この温度は
、プロセスガスＡ及びＢが、前部ハツチ４付近で混合し
ても反応しない温度を設定する。その後、混合ガスが排
気の流れに沿って半導体ウェーハ３に近づくと、石英炉
芯管１の温度上昇に伴い混合ガスも加熱されるが、混合
ガスは予熱されているので即時に反応に必要な温度とす
ることができる。
また、プロセスガスの予熱温度を変えることにより、混
合ガスの温度コントロールが容易に行なえるため、石英
ボート２上の半導体ウェーハ３に形成される薄膜の膜厚
が均一となる様な条件の設定も容易となる。
合ガスの温度コントロールが容易に行なえるため、石英
ボート２上の半導体ウェーハ３に形成される薄膜の膜厚
が均一となる様な条件の設定も容易となる。
第２図は、本発明の第２の実施例を示す断面図である。
第２図に示すように、後部ハツチ５の部分にも予熱ヒー
タ８を巻いたプロセスガス導入配管７を取り付け、真空
ポンプへの排気は石英炉芯管ｌの中央部より行う以外は
第１の実施例と同じ構成を有している。
タ８を巻いたプロセスガス導入配管７を取り付け、真空
ポンプへの排気は石英炉芯管ｌの中央部より行う以外は
第１の実施例と同じ構成を有している。
この実施例では、石英ボート２上の半導体ウェーハ３を
置く距離、すなわち混合ガスの反応が進行する距離を１
／２にすることと同様な効果がある。そのため、混合ガ
スの温度コントロールが更に容易となり、より膜厚の均
一な薄膜を形成することが可能となる。
置く距離、すなわち混合ガスの反応が進行する距離を１
／２にすることと同様な効果がある。そのため、混合ガ
スの温度コントロールが更に容易となり、より膜厚の均
一な薄膜を形成することが可能となる。
以上説明したように本発明は、プロセスガスを予熱する
ヒータをプロセスガス導入配管に設けたことにより、均
一な膜厚の薄膜を半導体ウェーハ上に形成できる減圧Ｃ
ＶＤ装置を提供できるという効果を有する。
ヒータをプロセスガス導入配管に設けたことにより、均
一な膜厚の薄膜を半導体ウェーハ上に形成できる減圧Ｃ
ＶＤ装置を提供できるという効果を有する。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例を示
す断面図、第３図は従来の減圧ＣＶＤ装置の一例を示す
断面図である。 ｌ・・・石英炉芯管、２・・・石英ボート、３・・・半
導体ウェーハ、４・・・前部ハツチ、５・・・後部ハツ
チ、６・・・炉芯管ヒータ、７・・・プロセスガス導入
配管、８１：６知２て讐 ２：、Ｅ笑ボート ３：牛導体ワエーハ ４；前）１［Ｓハい／＋ ５：テ女部ハ・・７子 ６：かに管ヒータ ■＝プロセス万′ス導久西己管 ８：予熱し−タ
す断面図、第３図は従来の減圧ＣＶＤ装置の一例を示す
断面図である。 ｌ・・・石英炉芯管、２・・・石英ボート、３・・・半
導体ウェーハ、４・・・前部ハツチ、５・・・後部ハツ
チ、６・・・炉芯管ヒータ、７・・・プロセスガス導入
配管、８１：６知２て讐 ２：、Ｅ笑ボート ３：牛導体ワエーハ ４；前）１［Ｓハい／＋ ５：テ女部ハ・・７子 ６：かに管ヒータ ■＝プロセス万′ス導久西己管 ８：予熱し−タ
Claims (1)
- 減圧状態の石英炉芯管内にプロセスガスを導入して前
記石英炉芯管内に装着した半導体ウェーハ上に薄膜を形
成する減圧気相成長装置において、プロセスガス導入配
管に設けたプロセスガスを予熱するためのヒータを備え
たことを特徴とする減圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2347890A JPH03227013A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2347890A JPH03227013A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 減圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03227013A true JPH03227013A (ja) | 1991-10-08 |
Family
ID=12111637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2347890A Pending JPH03227013A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03227013A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07147239A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Nec Corp | 減圧成膜装置 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2347890A patent/JPH03227013A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07147239A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-06 | Nec Corp | 減圧成膜装置 |
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