JPH10199818A - 半導体製造装置の排気配管 - Google Patents
半導体製造装置の排気配管Info
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- JPH10199818A JPH10199818A JP1582597A JP1582597A JPH10199818A JP H10199818 A JPH10199818 A JP H10199818A JP 1582597 A JP1582597 A JP 1582597A JP 1582597 A JP1582597 A JP 1582597A JP H10199818 A JPH10199818 A JP H10199818A
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- pipe joint
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ベローズ管継手に堆積する反応副生成物を減少
させ、パーティクル発生を抑制し、排気系のメンテナン
ス周期を長くする。 【解決手段】周囲にヒータ２４が設けられ加熱される半
導体製造装置の排気配管に於いて、該排気配管途中には
べローズ管継手２０が設けられ、該べローズ管継手の両
管端部２６，２７長を長くし、前記べローズ管継手の周
りに設けられた前記ヒータと前記両管端部との重合長を
長くすることにより、両管端部にヒータからの熱が充分
に伝達され、ベローズ管継手全体に熱が伝わり、反応副
生成物の堆積が減少し、パーティクルの発生を抑制する
ことができる。
させ、パーティクル発生を抑制し、排気系のメンテナン
ス周期を長くする。 【解決手段】周囲にヒータ２４が設けられ加熱される半
導体製造装置の排気配管に於いて、該排気配管途中には
べローズ管継手２０が設けられ、該べローズ管継手の両
管端部２６，２７長を長くし、前記べローズ管継手の周
りに設けられた前記ヒータと前記両管端部との重合長を
長くすることにより、両管端部にヒータからの熱が充分
に伝達され、ベローズ管継手全体に熱が伝わり、反応副
生成物の堆積が減少し、パーティクルの発生を抑制する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
於ける排気配管に関するものである。
於ける排気配管に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置は気密な反応室を具備
し、該反応室内では高温、減圧下で反応ガスが導入さ
れ、被処理基板に薄膜生成等の処理を行っている。処理
中、処理後のガスは排気系により排気される様になって
いる。
し、該反応室内では高温、減圧下で反応ガスが導入さ
れ、被処理基板に薄膜生成等の処理を行っている。処理
中、処理後のガスは排気系により排気される様になって
いる。
【０００３】図２、図３に於いて従来の半導体製造装置
に於ける排気配管について説明する。
に於ける排気配管について説明する。
【０００４】図中１は反応室を示しており、該反応室１
内へ装入されたウェーハ等被処理基板には薄膜生成、エ
ッチング、不純物拡散等所要の処理がなされる。
内へ装入されたウェーハ等被処理基板には薄膜生成、エ
ッチング、不純物拡散等所要の処理がなされる。
【０００５】前記反応室１にはガス導入系２が設けら
れ、該ガス導入系２により前記反応室１に反応ガスが導
入される様になっており、前記反応室１には排気系３が
設けられ、該排気系３を介して反応ガスが排気される様
になっている。
れ、該ガス導入系２により前記反応室１に反応ガスが導
入される様になっており、前記反応室１には排気系３が
設けられ、該排気系３を介して反応ガスが排気される様
になっている。
【０００６】該排気系３は排気配管４，５，６、ベロー
ズ管継手７、ポンプシステム８から構成される。
ズ管継手７、ポンプシステム８から構成される。
【０００７】前記排気配管４にはクランプ９を介して前
記排気配管５が接続され、該排気配管５にはクランプ９
を介して前記ベローズ管継手７が接続され、該ベローズ
管継手７にはクランプ９を介して前記排気配管６が接続
される。又、該排気配管６にはポンプシステム８が接続
されている。
記排気配管５が接続され、該排気配管５にはクランプ９
を介して前記ベローズ管継手７が接続され、該ベローズ
管継手７にはクランプ９を介して前記排気配管６が接続
される。又、該排気配管６にはポンプシステム８が接続
されている。
【０００８】前記排気配管４，６の端部にはそれぞれフ
ランジ（図示せず）が形成され、該フランジの内側面は
テーパ状となっている。同様に前記排気配管５の両端部
にもテーパ状の面を有するフランジ５ａが形成されてい
る。
ランジ（図示せず）が形成され、該フランジの内側面は
テーパ状となっている。同様に前記排気配管５の両端部
にもテーパ状の面を有するフランジ５ａが形成されてい
る。
【０００９】前記ベローズ管継手７には中央部に伸縮可
能なベローズ１０が形成され、該ベローズ１０を中心と
する一端側に管端部１１、他端側に管端部１２が形成さ
れ、前記ベローズ管継手７は前記ベローズ１０、前記管
端部１１，１２との３部分で構成される。前記管端部１
１，１２の端部には、それぞれテーパ状の面を有するフ
ランジ７ａが形成されている。前記管端部１１，１２は
厚肉で、図中ｌ1,ｌ3で示す様に短く、前記ベローズ１
０は薄肉で長く、前記ベローズ継手７全長のうち前記ベ
ローズ１０の長さｌ2は１／２以上を占めている。
能なベローズ１０が形成され、該ベローズ１０を中心と
する一端側に管端部１１、他端側に管端部１２が形成さ
れ、前記ベローズ管継手７は前記ベローズ１０、前記管
端部１１，１２との３部分で構成される。前記管端部１
１，１２の端部には、それぞれテーパ状の面を有するフ
ランジ７ａが形成されている。前記管端部１１，１２は
厚肉で、図中ｌ1,ｌ3で示す様に短く、前記ベローズ１
０は薄肉で長く、前記ベローズ継手７全長のうち前記ベ
ローズ１０の長さｌ2は１／２以上を占めている。
【００１０】前記クランプ９は２分割構造をしており、
前記排気配管４，５，６のそれぞれのフランジ及び前記
ベローズ管継手７のフランジ７ａのテーパ状面と同じ傾
斜角を有する台形状の凹溝９ａを有している。
前記排気配管４，５，６のそれぞれのフランジ及び前記
ベローズ管継手７のフランジ７ａのテーパ状面と同じ傾
斜角を有する台形状の凹溝９ａを有している。
【００１１】図３で示す様に前記排気配管５と前記ベロ
ーズ管継手７との間にＯリング１７を介在させ、前記フ
ランジ５ａと前記フランジ７ａとに前記クランプ９の凹
溝９ａを嵌め、前記排気配管５と前記ベローズ継手７と
を接続する。
ーズ管継手７との間にＯリング１７を介在させ、前記フ
ランジ５ａと前記フランジ７ａとに前記クランプ９の凹
溝９ａを嵌め、前記排気配管５と前記ベローズ継手７と
を接続する。
【００１２】前記排気配管４と前記排気配管５、前記ベ
ローズ管継手７と前記排気配管６も前述した様に接続す
る。
ローズ管継手７と前記排気配管６も前述した様に接続す
る。
【００１３】前記排気配管４，５，６，前記ベローズ管
継手７の周囲はぞれぞれヒータ１３，１４，１５，１６
で囲繞されている。
継手７の周囲はぞれぞれヒータ１３，１４，１５，１６
で囲繞されている。
【００１４】前記反応室１内に被処理基板を装入し、前
記反応室１内を図示しない真空源により真空引きし、更
に図示しないヒータにより加熱する。前記ガス導入系２
より反応ガスを導入し、処理を開始する。処理中反応室
内は高温に保持され、排気されるガスも高温となってい
るのでガスが急冷されない様に、処理中、処理後の前記
排気系３は前記ヒータ１３，１４，１５，１６によりゾ
ーンごとに加熱されており、処理後のガスは前記排気系
３を介して排気される。
記反応室１内を図示しない真空源により真空引きし、更
に図示しないヒータにより加熱する。前記ガス導入系２
より反応ガスを導入し、処理を開始する。処理中反応室
内は高温に保持され、排気されるガスも高温となってい
るのでガスが急冷されない様に、処理中、処理後の前記
排気系３は前記ヒータ１３，１４，１５，１６によりゾ
ーンごとに加熱されており、処理後のガスは前記排気系
３を介して排気される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら上記した従来
の半導体製造装置の排気系３では、排気中ベローズ管継
手７はヒータ１６により加熱されているが、ベローズ管
継手７の管端部１１，１２はベローズ１０に比べて短
く、又クランプ９が存在する為ヒータ１６との重合長を
充分にとることができない。この為、管端部１１，１２
の温度はベローズ１０からの熱伝達量に左右される。と
ころが、ベローズ１０が薄肉であり、熱容量が小さいの
に対して、管端部１１，１２は厚肉であり、熱容量が大
きくなっており、ベローズ１０からの熱は管端部１１，
１２に充分に伝わらない。
の半導体製造装置の排気系３では、排気中ベローズ管継
手７はヒータ１６により加熱されているが、ベローズ管
継手７の管端部１１，１２はベローズ１０に比べて短
く、又クランプ９が存在する為ヒータ１６との重合長を
充分にとることができない。この為、管端部１１，１２
の温度はベローズ１０からの熱伝達量に左右される。と
ころが、ベローズ１０が薄肉であり、熱容量が小さいの
に対して、管端部１１，１２は厚肉であり、熱容量が大
きくなっており、ベローズ１０からの熱は管端部１１，
１２に充分に伝わらない。
【００１６】従って、管端部１１，１２は他部分に比べ
て温度が低く、ガスが通過した場合には反応副生成物１
８が堆積することがあり、堆積した反応副生成物はパー
ティクル発生の原因となる等の不具合があった。
て温度が低く、ガスが通過した場合には反応副生成物１
８が堆積することがあり、堆積した反応副生成物はパー
ティクル発生の原因となる等の不具合があった。
【００１７】本発明は上記実情に鑑みなしたものであっ
て、ベローズ管継手に堆積する反応副生成物を減少さ
せ、パーティクル発生を抑制し、排気系のメンテナンス
周期を長くしようとするものである。
て、ベローズ管継手に堆積する反応副生成物を減少さ
せ、パーティクル発生を抑制し、排気系のメンテナンス
周期を長くしようとするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、周囲にヒータ
が設けられ加熱される半導体製造装置の排気配管に於い
て、該排気配管途中にはべローズ管継手が設けられ、該
べローズ管継手の両管端部長を長くし、前記べローズ管
継手の周りに設けられた前記ヒータと前記両管端部との
重合長を長くした半導体製造装置の排気配管に係るもの
であり、ベローズ管継手の両管端部とヒータとの重合長
を長くしたことにより、両管端部にヒータからの熱が充
分に伝達され、ベローズ管継手全体に熱が伝わり、反応
副生成物の堆積が減少し、パーティクルの発生を抑制す
ることができる。
が設けられ加熱される半導体製造装置の排気配管に於い
て、該排気配管途中にはべローズ管継手が設けられ、該
べローズ管継手の両管端部長を長くし、前記べローズ管
継手の周りに設けられた前記ヒータと前記両管端部との
重合長を長くした半導体製造装置の排気配管に係るもの
であり、ベローズ管継手の両管端部とヒータとの重合長
を長くしたことにより、両管端部にヒータからの熱が充
分に伝達され、ベローズ管継手全体に熱が伝わり、反応
副生成物の堆積が減少し、パーティクルの発生を抑制す
ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２０】本実施の形態に於ける半導体製造装置は前
述した半導体製造装置と略同様に構成されるので説明を
省略し、以下本実施の形態の要部についてのみ説明す
る。
述した半導体製造装置と略同様に構成されるので説明を
省略し、以下本実施の形態の要部についてのみ説明す
る。
【００２１】図１は半導体製造装置に於ける排気系のベ
ローズ管継手２０の断面拡大図であり、該ベローズ管継
手２０はＯリング２１を介在させつつクランプ２２を介
して排気配管２３と接続され、前記ベローズ管継手２０
の周囲はヒータ２４で囲繞されている。
ローズ管継手２０の断面拡大図であり、該ベローズ管継
手２０はＯリング２１を介在させつつクランプ２２を介
して排気配管２３と接続され、前記ベローズ管継手２０
の周囲はヒータ２４で囲繞されている。
【００２２】前記ベローズ管継手２０の中央部に伸縮可
能なベローズ２５が形成され、該ベローズ２５を中心と
する一端側に管端部２６、他端側に管端部２７が形成さ
れ、前記ベローズ管継手２０は前記ベローズ２５、前記
管端部２６，２７との３部分で構成される。前記管端部
２６，２７の端部には、それぞれテーパ状の面を有する
フランジ２０ａが形成されている。前記管端部２６，２
７は前記ベローズ２５と比較して厚肉であり、ヒータと
重合するのに充分な長さを有している。具体例としては
前記管端部２６，２７の長さｌ1，ｌ3をそれぞれ３０mm
以上とし、直径を９０〜１００mm、板厚を３〜４mmとす
る。
能なベローズ２５が形成され、該ベローズ２５を中心と
する一端側に管端部２６、他端側に管端部２７が形成さ
れ、前記ベローズ管継手２０は前記ベローズ２５、前記
管端部２６，２７との３部分で構成される。前記管端部
２６，２７の端部には、それぞれテーパ状の面を有する
フランジ２０ａが形成されている。前記管端部２６，２
７は前記ベローズ２５と比較して厚肉であり、ヒータと
重合するのに充分な長さを有している。具体例としては
前記管端部２６，２７の長さｌ1，ｌ3をそれぞれ３０mm
以上とし、直径を９０〜１００mm、板厚を３〜４mmとす
る。
【００２３】前記クランプ２２は２分割構造をしてお
り、前記ベローズ管継手２０のフランジ２０ａのテーパ
状面と同じ傾斜角を有する台形状の凹溝２２ａを有して
いる。
り、前記ベローズ管継手２０のフランジ２０ａのテーパ
状面と同じ傾斜角を有する台形状の凹溝２２ａを有して
いる。
【００２４】前記排気配管２３の一端部にもフランジ２
３ａが形成され、該フランジ２３ａと前記ベローズ管継
手２０の一端のフランジ２０ａとが前記クランプの凹溝
２２ａに嵌まり、前記ベローズ管継手２０と前記排気配
管２３との間にはＯリング２１が設けられ、シールされ
ている。又、特に図示しないが前記ベローズ管継手２０
の他端もクランプを介して排気配管と接続されている。
３ａが形成され、該フランジ２３ａと前記ベローズ管継
手２０の一端のフランジ２０ａとが前記クランプの凹溝
２２ａに嵌まり、前記ベローズ管継手２０と前記排気配
管２３との間にはＯリング２１が設けられ、シールされ
ている。又、特に図示しないが前記ベローズ管継手２０
の他端もクランプを介して排気配管と接続されている。
【００２５】前記半導体製造装置内での処理は前述した
従来の半導体製造装置での処理と同様に処理中、処理後
に不要なガスを排気する際は前記ベローズ管継手２０は
前記ヒータ２４により加熱されている。
従来の半導体製造装置での処理と同様に処理中、処理後
に不要なガスを排気する際は前記ベローズ管継手２０は
前記ヒータ２４により加熱されている。
【００２６】前記ベローズ管継手２０の管端部２６，２
７が充分に長い為前記管端部２６，２７と前記ヒータ２
４との重合する部分が長く、前記管端部２６，２７が直
接前記ヒータ２４によって加熱される。従って、前記ベ
ローズ管継手２０全体に熱が伝わる為前記ベローズ管継
手２０全体を所定温度以上に維持でき、反応副生成物の
堆積が減少し、パーティクルの発生を抑制することがで
き、排気系のメンテナンス周期を延ばすことができる。
７が充分に長い為前記管端部２６，２７と前記ヒータ２
４との重合する部分が長く、前記管端部２６，２７が直
接前記ヒータ２４によって加熱される。従って、前記ベ
ローズ管継手２０全体に熱が伝わる為前記ベローズ管継
手２０全体を所定温度以上に維持でき、反応副生成物の
堆積が減少し、パーティクルの発生を抑制することがで
き、排気系のメンテナンス周期を延ばすことができる。
【００２７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ベロー
ズ管継手２０の両管端部長を長くしたことにより、両管
端部とヒータとの重合部分が長くなりヒータからの熱が
直接両管端部に伝わる。従って、ベローズ管継手２０全
体に熱が伝達され、反応副生成物の堆積が減少し、パー
ティクルの発生を抑制する。又、パーティクルの発生が
抑制されると排気系のメンテナンス周期を延ばすことが
でき、装置のダウンタイムを減少できる等の優れた効果
を発揮する。
ズ管継手２０の両管端部長を長くしたことにより、両管
端部とヒータとの重合部分が長くなりヒータからの熱が
直接両管端部に伝わる。従って、ベローズ管継手２０全
体に熱が伝達され、反応副生成物の堆積が減少し、パー
ティクルの発生を抑制する。又、パーティクルの発生が
抑制されると排気系のメンテナンス周期を延ばすことが
でき、装置のダウンタイムを減少できる等の優れた効果
を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示し、図２のＡ部断面拡
大相当図である。
大相当図である。
【図２】従来例を示す概略説明図である。
【図３】図２のＡ部断面拡大相当図である。
２０ ベローズ管継手 ２０ａ フランジ ２１ Ｏリング ２２ クランプ ２２ａ 凹溝 ２３ 排気配管 ２４ ヒータ ２５ ベローズ ２６ 管端部 ２７ 管端部
Claims (1)
- 【請求項１】 周囲にヒータが設けられ加熱される半導
体製造装置の排気配管に於いて、該排気配管途中にはべ
ローズ管継手が設けられ、該べローズ管継手の両管端部
長を長くし、前記べローズ管継手の周りに設けられた前
記ヒータと前記両管端部との重合長を長くしたことを特
徴とする半導体製造装置の排気配管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1582597A JPH10199818A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | 半導体製造装置の排気配管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1582597A JPH10199818A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | 半導体製造装置の排気配管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199818A true JPH10199818A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11899639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1582597A Pending JPH10199818A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | 半導体製造装置の排気配管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10199818A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100860593B1 (ko) | 2008-04-15 | 2008-09-26 | 주식회사 브이씨알 | 히팅기능을 보유한 이중 주름관 및 그 제조방법 |
| JP2020519035A (ja) * | 2017-06-27 | 2020-06-25 | ジェイ−ソリューション カンパニー リミテッド | 設置容易な半導体及びｌｃｄ製造工程の排気ガス加熱用三重配管加熱装置 |
-
1997
- 1997-01-13 JP JP1582597A patent/JPH10199818A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100860593B1 (ko) | 2008-04-15 | 2008-09-26 | 주식회사 브이씨알 | 히팅기능을 보유한 이중 주름관 및 그 제조방법 |
| JP2020519035A (ja) * | 2017-06-27 | 2020-06-25 | ジェイ−ソリューション カンパニー リミテッド | 設置容易な半導体及びｌｃｄ製造工程の排気ガス加熱用三重配管加熱装置 |
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