JPS6227570A - 減圧気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は減圧気相成長装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の減圧気相成長装置はガスを熱対流方向と垂直又は
逆方向に排気するものであり、以下図面を用いて詳細に
説明する。

第２図は熱対流方向と逆方向に排気する減圧気相成長装
置である。第２図において、ガスミキサー１にて所定流
量のソースガスとキャリヤーガスが炉芯管５に導入され
、抵抗加熱ヒーター２にてソースがスが加熱分解され、
Ｓ！ラウェース４に生成物が堆積する。又余ったソース
ガスは熱対流方向と逆方向にメーンバルブ６、メカニカ
ルブースターポンプ７、ロータリーボンｆ８を経て排気
される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

第２図のような装置において、ソースガスとしてシラン
、キャリヤーガスとして窒素を用いて６００±１℃の均
一な温度においてポリシリコン成長を行うと、第３図の
破線で示す様な膜厚分布を示す。第３図において、横軸
はＳｔウェノ・−ス４を支持する石英ｓ４　　）　３の
ガス入口側からの距離であり、縦軸は成長したポリシリ
コン膜厚を示す。第３図の破線１０の膜厚分布から膜厚
が均一な領域が少ないということがわかる。又、従来よ
り広く用いられている熱対流方向に垂直方向に排気され
る減圧気相成長装置の場合は第３図の一点鎖線１１に示
す如くこれも又膜厚分布が悪い。これを補正するため通
常は排気側の温度を上げて膜厚分布を均一化している。

しかし、この方法では低温側と高温側とのポリシリコン
のグレインサイズ等が変わυ、膜質に違いが発生する。

このため、これを用いて作られる半導体装置等に特性や
質のばらつきが発生するという欠点があった。

本発明の目的は均一な膜質を保持したうえで均一な膜厚
分布を有する減圧気相成長装置を提供することにある。

〔問題点を解決するだめの手段〕

本発明は減圧気相成長装置の炉芯管にガスの排気管を熱
対流方向と同一方向に向けて接続したことを特徴とする
減圧気相成長装置である。

〔実施例〕

次に図面を用いて本発明の一実施例を詳細に説明する。

第１図は本発明の一実施例である。本発明の減圧気相成
長装置はガスミキサー１と、抵抗加熱ヒーター２と、ウ
ェハース支持石英セード３と、炉芯管５と、メーンバル
ブ６と、メカニカルブースターポンプ７と、ロータリー
ポンｆ８とから成り、ガスの排気管１０を熱対流方向９
と同一方向に接続したものである。本発明による一すシ
リコン成長をシラン、ソースガスと窒素キャリヤーガス
を用いて６００±１℃の均一温度で成長した時の膜厚分
布を第３図実線１２で示す。第３図実線１２かられかる
ようにボート３上のウェハース４の大部分（約８割）が
均一な膜厚分布を持りている。

〔発明の効果〕

以上に説明したように本発明はガスを熱対流方向と同一
方向に排気することにより、膜質を均一に保ちつつ、膜
厚分布が均一な減圧気相成長を行うことができる効果を
有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は従来
の減圧気相成長装置を示す構成図、第３図は？−トめガ
ス入口側からの距離に対するポリシリコン膜厚を示す図
である。 １・・・ガスミキサー、２・・・抵抗加熱ヒーター、３
・・・ウェハース支持石英？　−ト、　４・・・ウェハ
ース、５・・・炉芯管、６・・・メーンパルブ、７・・
・メカニカルブースターポンプ、８・・・ロータリーポ
ンプ、９・・・熱対流方向。 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）減圧気相成長装置の炉芯管に、ガスの排気管を熱
   対流方向と同一方向に接続したことを特徴とする減圧気
   相成長装置。