JPH0126105Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0126105Y2 JPH0126105Y2 JP1984023012U JP2301284U JPH0126105Y2 JP H0126105 Y2 JPH0126105 Y2 JP H0126105Y2 JP 1984023012 U JP1984023012 U JP 1984023012U JP 2301284 U JP2301284 U JP 2301284U JP H0126105 Y2 JPH0126105 Y2 JP H0126105Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- reaction tube
- rear door
- pressure cvd
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Description
【考案の詳細な説明】
（技術分野）
本考案は半導体製造におけるシリコン窒化膜生
成用減圧CVD装置に関するものである。
成用減圧CVD装置に関するものである。
（従来技術）
従来、半導体製造工程において、シリコン窒化
膜の生成に第１図に示すような拡散炉形式のホツ
トウオール（Hot Wall）型減圧CVD装置が広く
使用されている。このような円筒形石英反応管１
を用い両端を前部扉２、後部扉３で閉鎖する形式
のものは、石英反応管１の形も簡素なものであ
り、石英反応管の出し入れも容易で保守性に優れ
ている。なお４はヒータ、５は真空ポンプ、６は
反応ガス、７はシリコンウエハを示す。しかし扉
２，３は一般に金属製で石英反応管１との密着は
シリコン製Ｏリング８で行われるため、扉自体を
強制的に冷却しなければ、シリコン窒化膜の生成
温度（700℃〜800℃）における条件下では、扉
２，３の熱膨張或いはＯリング８の耐熱性等の影
響で扉２，３と石英反応管１の密着性が悪くな
る。
膜の生成に第１図に示すような拡散炉形式のホツ
トウオール（Hot Wall）型減圧CVD装置が広く
使用されている。このような円筒形石英反応管１
を用い両端を前部扉２、後部扉３で閉鎖する形式
のものは、石英反応管１の形も簡素なものであ
り、石英反応管の出し入れも容易で保守性に優れ
ている。なお４はヒータ、５は真空ポンプ、６は
反応ガス、７はシリコンウエハを示す。しかし扉
２，３は一般に金属製で石英反応管１との密着は
シリコン製Ｏリング８で行われるため、扉自体を
強制的に冷却しなければ、シリコン窒化膜の生成
温度（700℃〜800℃）における条件下では、扉
２，３の熱膨張或いはＯリング８の耐熱性等の影
響で扉２，３と石英反応管１の密着性が悪くな
る。
したがつて扉２，３部分の強制冷却は必要不可
欠となるが、このためSiH2Cl2−NH3系の反応に
よるシリコン窒化膜の形成時に低温部（約330℃
以下）で生成するNH4Cl（塩化アンモニウム）が
扉２，３の内側、特に後部扉３側に生成付着し、
反応炉内の汚染の原因となつた。即ち、生成され
る粉状のNH4Clが舞い上り、ウエハ表面に付着
すると、窒化膜のフオトリソ工程において
NH4Clはエツチングされず、付着物として残り、
そのチツプは不良品となつてしまうという欠点が
あつた。
欠となるが、このためSiH2Cl2−NH3系の反応に
よるシリコン窒化膜の形成時に低温部（約330℃
以下）で生成するNH4Cl（塩化アンモニウム）が
扉２，３の内側、特に後部扉３側に生成付着し、
反応炉内の汚染の原因となつた。即ち、生成され
る粉状のNH4Clが舞い上り、ウエハ表面に付着
すると、窒化膜のフオトリソ工程において
NH4Clはエツチングされず、付着物として残り、
そのチツプは不良品となつてしまうという欠点が
あつた。
（考案の目的）
本考案は、以上のような従来の欠点を除去する
もので、上記した生成物の付着を解消する装置を
提供することを目的とするものである。
もので、上記した生成物の付着を解消する装置を
提供することを目的とするものである。
（考案の構成）
本考案は、上記目的のため反応炉の後部扉内側
面との間に空間を保持すると共に該後部扉内側面
が反応炉内に露出しないよう石英断熱カバーを設
けるようにしたものである。
面との間に空間を保持すると共に該後部扉内側面
が反応炉内に露出しないよう石英断熱カバーを設
けるようにしたものである。
（実施例）
第２図は本考案減圧CVD装置の一実施例を示
す断面図である。なお第１図と同じ機能部分には
同一の参照符号を付した。図に示すように石英反
応炉の後部扉３を強制冷却した時、後部扉３の内
側表面に低温で生成付着するNH4Clを解消する
ため、該後部扉内側面との間に空間を保持すると
共に、石英反応管１の形状に合わせ筒状とした石
英断熱カバー８を設けるようにしたものである。
勿論排気のための孔を有し反応管１に嵌合せしめ
る。
す断面図である。なお第１図と同じ機能部分には
同一の参照符号を付した。図に示すように石英反
応炉の後部扉３を強制冷却した時、後部扉３の内
側表面に低温で生成付着するNH4Clを解消する
ため、該後部扉内側面との間に空間を保持すると
共に、石英反応管１の形状に合わせ筒状とした石
英断熱カバー８を設けるようにしたものである。
勿論排気のための孔を有し反応管１に嵌合せしめ
る。
このようにすると、後部扉３の内側の表面温度
の低下を防止できるので後部扉３の内側に
NH4Clが生成付着することを防止することがで
きる。
の低下を防止できるので後部扉３の内側に
NH4Clが生成付着することを防止することがで
きる。
（考案の効果）
以上詳細に説明したように本考案は反応炉の後
部扉内側面との間に空間を設けると共に内側に石
英断熱カバーを用いたので、後部扉を外部より強
制冷却しても後部扉内側表面内は冷却されず、し
たがつて生成物の付着の発生が防止される効果が
ある。
部扉内側面との間に空間を設けると共に内側に石
英断熱カバーを用いたので、後部扉を外部より強
制冷却しても後部扉内側表面内は冷却されず、し
たがつて生成物の付着の発生が防止される効果が
ある。
第１図は従来の減圧CVD装置の断面図、第２
図は本考案減圧CVD装置の一実施例を示す断面
図である。 １……石英反応管、２……前部扉、３……後部
扉、４……ヒータ、５……真空ポンプ、６……反
応ガス、７……シリコンウエハ、８……Ｏリン
グ、９……石英断熱カバー。
図は本考案減圧CVD装置の一実施例を示す断面
図である。 １……石英反応管、２……前部扉、３……後部
扉、４……ヒータ、５……真空ポンプ、６……反
応ガス、７……シリコンウエハ、８……Ｏリン
グ、９……石英断熱カバー。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 両端部を開口する石英反応管と、 該石英反応管の端部にＯリングを介して冠着さ
れ反応ガス供給手段及び冷却手段を有する前部扉
と、 該石英反応管の他の端部にＯリングを介して冠
着され反応ガス排出手段及び冷却手段を有する後
部扉とを具備する減圧CVD装置において、 前記後部扉の内部に、 石英反応管の端部に連続して石英断熱カバーを
設け、 該石英断熱カバーは該端部開口に嵌着する開口
部と反応ガス排出手段の開口部とを有するととも
に、 後部扉の内側面との間に空間を保持して嵌装さ
れた部材 であることを特徴とする減圧CVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2301284U JPS60136137U (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2301284U JPS60136137U (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136137U JPS60136137U (ja) | 1985-09-10 |
| JPH0126105Y2 true JPH0126105Y2 (ja) | 1989-08-04 |
Family
ID=30515850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2301284U Granted JPS60136137U (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136137U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5472970A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Vapor-phase reaction oven |
-
1984
- 1984-02-22 JP JP2301284U patent/JPS60136137U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5472970A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Vapor-phase reaction oven |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60136137U (ja) | 1985-09-10 |
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