JPH0510131B2 - - Google Patents
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- JPH0510131B2 JPH0510131B2 JP57178764A JP17876482A JPH0510131B2 JP H0510131 B2 JPH0510131 B2 JP H0510131B2 JP 57178764 A JP57178764 A JP 57178764A JP 17876482 A JP17876482 A JP 17876482A JP H0510131 B2 JPH0510131 B2 JP H0510131B2
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製造装置のうち、減圧下での製
造過程を必要とする装置の減圧容器内の圧力制御
装置に関するものである。さらに詳しくは、LSI
の集積度が向上し、VLSI程度になると減圧を利
用した製造工程は生産性向上と品質確保のために
高い排気速度と精度の高い圧力制御を行なう排気
装置が必要である。本発明はこの要求を満す減圧
容器の排気装置に関するものである。
造過程を必要とする装置の減圧容器内の圧力制御
装置に関するものである。さらに詳しくは、LSI
の集積度が向上し、VLSI程度になると減圧を利
用した製造工程は生産性向上と品質確保のために
高い排気速度と精度の高い圧力制御を行なう排気
装置が必要である。本発明はこの要求を満す減圧
容器の排気装置に関するものである。
従来の減圧を利用した処理装置の圧力制御は第
１図もしくは第２図に示すような構造が一般的で
ある。第１図では減圧容器１（この中で各種の半
導体の製造過程が行なわれるが、説明は省略す
る）に接続した排気管２の途中に排気路の断面積
を調節するコンダクタンスバルブ３と、排気管２
を開閉するゲートバルブ４とが設けてあり、排気
管２の他端には排気ポンプ５が設けてある。第１
図のゲートバルブ４はスライド式のものであり、
駆動装置４−１によつて遮蔽板４−２を排気路内
に出し入れするものである。コンダクタンスバル
ブ３には排気路内に複数のバタフライプレート３
−１が設けてあり、このバタフライプレート３−
１の開度によつて排気路のコンダクタンスを調節
するものである。
１図もしくは第２図に示すような構造が一般的で
ある。第１図では減圧容器１（この中で各種の半
導体の製造過程が行なわれるが、説明は省略す
る）に接続した排気管２の途中に排気路の断面積
を調節するコンダクタンスバルブ３と、排気管２
を開閉するゲートバルブ４とが設けてあり、排気
管２の他端には排気ポンプ５が設けてある。第１
図のゲートバルブ４はスライド式のものであり、
駆動装置４−１によつて遮蔽板４−２を排気路内
に出し入れするものである。コンダクタンスバル
ブ３には排気路内に複数のバタフライプレート３
−１が設けてあり、このバタフライプレート３−
１の開度によつて排気路のコンダクタンスを調節
するものである。
第２図は第１図と同様であるが、ゲートバルブ
のみがバタフライ式のゲートバルブ６である。こ
のゲートバルブ６のバタフライプレート６−１は
１枚で構成している。
のみがバタフライ式のゲートバルブ６である。こ
のゲートバルブ６のバタフライプレート６−１は
１枚で構成している。
半導体処理過程中減圧容器内を高い清浄度に保
持するため、処理過程に入る前に減圧容器内を一
たん高真空に排気しなければならない。しかしこ
の時間が長いと装置の生産性が落るため排気路の
断面積を大きくして排気速度を上げる必要があ
る。第１図および第２図のゲートバルブ４または
６とコンダクタンスバルブ３とは１本の排気管に
直列に接続してある。高い排気速度を得るために
排気路の断面積を大きくするとコンダクタンスバ
ルブ３の排気路の断面積も大きくなるので、断面
積を微細に調整して圧力の微細調整を行なうこと
はますます困難となる。
持するため、処理過程に入る前に減圧容器内を一
たん高真空に排気しなければならない。しかしこ
の時間が長いと装置の生産性が落るため排気路の
断面積を大きくして排気速度を上げる必要があ
る。第１図および第２図のゲートバルブ４または
６とコンダクタンスバルブ３とは１本の排気管に
直列に接続してある。高い排気速度を得るために
排気路の断面積を大きくするとコンダクタンスバ
ルブ３の排気路の断面積も大きくなるので、断面
積を微細に調整して圧力の微細調整を行なうこと
はますます困難となる。
従来のLSI程度の集積度の半導体装置の製造の
場合では上記の程度の圧力調整で差支えはない
が、VLSI程度の高集積度になるとさらに精度の
高い減圧の圧力調整と高い排気速度が必要とな
る。本発明はこのような要求を満すためになされ
たもので、高精度で圧力の自動調節が可能であ
り、しかも最初の高真空の排気が急速に行なえる
圧力制御装置を提供するものである。以下図面に
より詳細に説明する。
場合では上記の程度の圧力調整で差支えはない
が、VLSI程度の高集積度になるとさらに精度の
高い減圧の圧力調整と高い排気速度が必要とな
る。本発明はこのような要求を満すためになされ
たもので、高精度で圧力の自動調節が可能であ
り、しかも最初の高真空の排気が急速に行なえる
圧力制御装置を提供するものである。以下図面に
より詳細に説明する。
第３図は本発明の圧力制御装置の一実施例の系
統図で、７はメイン排気系、８はサブ排気系、９
は制御部である。メイン排気系７は第４図に示す
ようにメイン排気管１０の中間にメインバルブ１
１が設けてある。このメインバルブ１１は本実施
例ではバタフライバルブで、閉鎖時には完全に流
路を遮断出来る構造のものである。さらにこのメ
インバルブ１１の両側のメイン排気管１０にはそ
れぞれサブ排気系８のサブ排気管１２が接続して
ある。前記メインバルブ１１のバタフライプレー
ト１３はメインバルブ駆動モータ１４によつて開
度調節されるものである。
統図で、７はメイン排気系、８はサブ排気系、９
は制御部である。メイン排気系７は第４図に示す
ようにメイン排気管１０の中間にメインバルブ１
１が設けてある。このメインバルブ１１は本実施
例ではバタフライバルブで、閉鎖時には完全に流
路を遮断出来る構造のものである。さらにこのメ
インバルブ１１の両側のメイン排気管１０にはそ
れぞれサブ排気系８のサブ排気管１２が接続して
ある。前記メインバルブ１１のバタフライプレー
ト１３はメインバルブ駆動モータ１４によつて開
度調節されるものである。
サブ排気系８はメイン排気系７のメイン排気管
１０からサブ排気管１２で分れて、サブバルブ１
５が接続してある。このサブバルブ１５は本実施
例ではメインバルブ１１と同様な構造で、流路断
面積がメインバルブ１１の約1/7の大きさである。
このサブバルブ１５のバタフライプレート１６は
サブバルブ駆動モータ１７によつて開度調節され
るものである。
１０からサブ排気管１２で分れて、サブバルブ１
５が接続してある。このサブバルブ１５は本実施
例ではメインバルブ１１と同様な構造で、流路断
面積がメインバルブ１１の約1/7の大きさである。
このサブバルブ１５のバタフライプレート１６は
サブバルブ駆動モータ１７によつて開度調節され
るものである。
制御部９は減圧容器１の内部圧力を検出する圧
力検出部１８と、この減圧容器１内の所要の圧力
を設定する圧力設定部１９とが設けてあり、これ
らの圧力検出部１８と圧力設定部１９の出力は比
較器２０で比較され、圧力設定値と実際の圧力と
の差にもとづく出力が比較器２０から出力され
る。この出力は増幅器２１で増幅され、一部はサ
ブバルブ駆動モータ１７を駆動するとともに、一
部はシーケンサ２２に入力し、メインバルブ駆動
モータ１４を駆動してメインバルブ１１の開度調
節を行なう。このメインバルブ１１の開度調節を
行なう理由は広範囲でかつ微細な圧力制御を可能
にするためである。サブバルブ１５は制御精度を
向上するために全開時の排気速度をあまり大きく
とつていない。そこでサブバルブ１５で圧力制御
しきれない場合はシーケンサ２２の出力により、
サブバルブ１５で圧力制御が可能な範囲までメイ
ンバルブ１１の開度を段階的に増減する。
力検出部１８と、この減圧容器１内の所要の圧力
を設定する圧力設定部１９とが設けてあり、これ
らの圧力検出部１８と圧力設定部１９の出力は比
較器２０で比較され、圧力設定値と実際の圧力と
の差にもとづく出力が比較器２０から出力され
る。この出力は増幅器２１で増幅され、一部はサ
ブバルブ駆動モータ１７を駆動するとともに、一
部はシーケンサ２２に入力し、メインバルブ駆動
モータ１４を駆動してメインバルブ１１の開度調
節を行なう。このメインバルブ１１の開度調節を
行なう理由は広範囲でかつ微細な圧力制御を可能
にするためである。サブバルブ１５は制御精度を
向上するために全開時の排気速度をあまり大きく
とつていない。そこでサブバルブ１５で圧力制御
しきれない場合はシーケンサ２２の出力により、
サブバルブ１５で圧力制御が可能な範囲までメイ
ンバルブ１１の開度を段階的に増減する。
次に、本発明の圧力制御装置の動作について説
明する。減圧容器１の内部に半導体などの被処理
物を入れ、出入れ口および反応ガス導入口１−１
を閉鎖し排気ポンプ５の運転を開始する。この状
態のときはメインバルブ１１およびサブバルブ１
５は全開状態となつているので、排気は排気ポン
プ５の排気能力一ぱいの速度で行なわれ、急速に
高真空状態となる。これにより、空気などの不要
ガスを排除してから圧力設定部１９に減圧容器１
の所要圧力を設定し、反応ガス導入口１−１から
必要量の反応ガスを導入する。この結果減圧容器
１の内部圧力は上昇するが、圧力検出部１８の出
力と圧力設定部１９の出力とが比較器２０で比較
され、設定圧力との偏差に応じた出力が比較器２
０から出、この出力を増幅器２１で増幅しサブバ
ルブ駆動モータ１７によりサブバルブ１５のバタ
フライプレート１６の開度を調節し、コンダクタ
ンスバルブとして機能させて排気ポンプ５の排気
量を調節して減圧容器１の内部圧力を設定値に保
つ。
明する。減圧容器１の内部に半導体などの被処理
物を入れ、出入れ口および反応ガス導入口１−１
を閉鎖し排気ポンプ５の運転を開始する。この状
態のときはメインバルブ１１およびサブバルブ１
５は全開状態となつているので、排気は排気ポン
プ５の排気能力一ぱいの速度で行なわれ、急速に
高真空状態となる。これにより、空気などの不要
ガスを排除してから圧力設定部１９に減圧容器１
の所要圧力を設定し、反応ガス導入口１−１から
必要量の反応ガスを導入する。この結果減圧容器
１の内部圧力は上昇するが、圧力検出部１８の出
力と圧力設定部１９の出力とが比較器２０で比較
され、設定圧力との偏差に応じた出力が比較器２
０から出、この出力を増幅器２１で増幅しサブバ
ルブ駆動モータ１７によりサブバルブ１５のバタ
フライプレート１６の開度を調節し、コンダクタ
ンスバルブとして機能させて排気ポンプ５の排気
量を調節して減圧容器１の内部圧力を設定値に保
つ。
なお、調節精度を上げるために前記のようにサ
ブ排気系統はメイン排気系統にくらべて小さいの
で、サブバルブ１５の全閉と全開との差はそれほ
ど大きくない。このためにコンダクタンスバルブ
としての調節範囲が不足することがある。このた
めにサブバルブ１５が全開となつたときに前記増
幅器２１の出力の一部がシーケンサ２２によつて
段階的にメインバルブ１１の開度調節を行なう。
このメインバルブ１１の段階的開度調節とサブバ
ルブ１５の無段階開度調節によつてコンダクタン
スバルブとして所要範囲のコンダクタンス調節を
行うものである。
ブ排気系統はメイン排気系統にくらべて小さいの
で、サブバルブ１５の全閉と全開との差はそれほ
ど大きくない。このためにコンダクタンスバルブ
としての調節範囲が不足することがある。このた
めにサブバルブ１５が全開となつたときに前記増
幅器２１の出力の一部がシーケンサ２２によつて
段階的にメインバルブ１１の開度調節を行なう。
このメインバルブ１１の段階的開度調節とサブバ
ルブ１５の無段階開度調節によつてコンダクタン
スバルブとして所要範囲のコンダクタンス調節を
行うものである。
本発明の他の実施例は、前記実施例と回路構成
は同じであるが、前記実施例においてはシーケン
サ２２が比較器２０からの連続的な入力変化に対
して入力の一定変化量ごとに段階的出力に変換す
るものであるのに対し、本実施例のシーケンサは
減圧容器１内の圧力が設定値より高い場合の比較
器２０の出力（たとえばマイナス出力とする）の
場合にはゼロ出力で、メインバルブ１１は全開と
なつており、減圧容器１内の圧力が設定値に一致
した場合の比較器の出力（この場合ゼロ出力とな
る）および設定値より低くなつた場合の比較器２
０の出力（たとえばプラス出力とする）の場合に
はプラス出力となつてメインバルブ１１を全閉と
するものである。
は同じであるが、前記実施例においてはシーケン
サ２２が比較器２０からの連続的な入力変化に対
して入力の一定変化量ごとに段階的出力に変換す
るものであるのに対し、本実施例のシーケンサは
減圧容器１内の圧力が設定値より高い場合の比較
器２０の出力（たとえばマイナス出力とする）の
場合にはゼロ出力で、メインバルブ１１は全開と
なつており、減圧容器１内の圧力が設定値に一致
した場合の比較器の出力（この場合ゼロ出力とな
る）および設定値より低くなつた場合の比較器２
０の出力（たとえばプラス出力とする）の場合に
はプラス出力となつてメインバルブ１１を全閉と
するものである。
なお、本実施例の場合には減圧容器１の規模お
よび種類によつてサブバルブ１５、サブバルブ駆
動モータ１７などは１個もしくは複数個を並列に
接続することが出来る。
よび種類によつてサブバルブ１５、サブバルブ駆
動モータ１７などは１個もしくは複数個を並列に
接続することが出来る。
このように本発明の圧力制御装置では大形のメ
インバルブ１１で急速排気が出来、小形のサブバ
ルブ１５で微細な圧力調節が出来るので、減圧容
器１の内部の高い清浄度を短時間で得ることによ
り、生産性の向上を図るとともに、高い精度の圧
力調節により被処理物の品質確保を容易に行うこ
とが出来る。しかもこれらの動作は制御部９によ
つて自動制御されるので、操作に要する人手は極
端に節約することが出来るなど、実用効果は極め
て大きい。
インバルブ１１で急速排気が出来、小形のサブバ
ルブ１５で微細な圧力調節が出来るので、減圧容
器１の内部の高い清浄度を短時間で得ることによ
り、生産性の向上を図るとともに、高い精度の圧
力調節により被処理物の品質確保を容易に行うこ
とが出来る。しかもこれらの動作は制御部９によ
つて自動制御されるので、操作に要する人手は極
端に節約することが出来るなど、実用効果は極め
て大きい。
第１図は従来の圧力制御装置の構成図、第２図
は従来の他の圧力制御装置の構成図、第３図は本
発明の圧力制御装置の系統図、第４図は本発明の
圧力制御装置の排気系統の構成図である。 図において、１０はメイン排気管、１１はメイ
ンバルブ、１２はサブ排気管、１５はサブバル
ブ、１８は圧力検出部、１９は圧力設定部、２０
は比較器、２１は増幅器、２２はシーケンサであ
る。
は従来の他の圧力制御装置の構成図、第３図は本
発明の圧力制御装置の系統図、第４図は本発明の
圧力制御装置の排気系統の構成図である。 図において、１０はメイン排気管、１１はメイ
ンバルブ、１２はサブ排気管、１５はサブバル
ブ、１８は圧力検出部、１９は圧力設定部、２０
は比較器、２１は増幅器、２２はシーケンサであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ メインバルブを備えて主として減圧容器の排
気を行なうメイン排気手段と、このメイン排気手
段と並列に設けられ、サブバルブを備えて前記減
圧容器の圧力調整を行なうサブ排気手段とを有す
る半導体製造装置の圧力制御装置において、 前記減圧容器内の圧力と予め設定された圧力と
の比較に基づいてそれら圧力間の偏差を検出し、
その偏差に応じた出力の一部で前記サブバルブの
無段階開度調節を行なう比較器と、この比較器の
出力の他の一部を段階的な出力に変換して前記メ
インバルブの段階的開度調節を行なうシーケンサ
とを具備していることを特徴とする減圧容器を有
する半導体製造装置の圧力制御装置。 ２ 全開および全閉動作を行なうメインバルブを
備えて主として減圧容器の排気を行なうメイン排
気手段と、このメイン排気手段と並列に設けら
れ、サブバルブを備えて前記減圧容器の圧力調整
を行なう１個もしくは複数個のサブ排気手段とを
有する半導体製造装置の圧力制御装置において、 前記減圧容器内の圧力と予め設定された圧力と
の比較に基づいてそれら圧力間の偏差を検出し、
その偏差に応じた出力の一部で前記１個もしくは
複数個のサブバルブの無段階開度調節を行なう比
較器と、この比較器の出力の他の一部を２段階出
力に変換して前記メインバルブの全開および全閉
動作を行なうシーケンサとを具備していることを
特徴とする減圧容器を有する半導体製造装置の圧
力制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17876482A JPS5967619A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17876482A JPS5967619A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967619A JPS5967619A (ja) | 1984-04-17 |
| JPH0510131B2 true JPH0510131B2 (ja) | 1993-02-08 |
Family
ID=16054196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17876482A Granted JPS5967619A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 減圧容器を有する半導体製造装置の圧力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967619A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029437A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空排気方法 |
| JPH0719554Y2 (ja) * | 1988-09-24 | 1995-05-10 | 株式会社島津製作所 | 真空排気装置 |
| JPWO2009028632A1 (ja) | 2007-08-28 | 2010-12-02 | 東芝キヤリア株式会社 | ロータリ式圧縮機及び冷凍サイクル装置 |
| WO2009028633A1 (ja) | 2007-08-28 | 2009-03-05 | Toshiba Carrier Corporation | 多気筒回転式圧縮機及び冷凍サイクル装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55161067A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-15 | Hitachi Ltd | Manufacturing apparatus of thin film |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP17876482A patent/JPS5967619A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55161067A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-15 | Hitachi Ltd | Manufacturing apparatus of thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5967619A (ja) | 1984-04-17 |
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