JPS614875A - プラズマエツチング装置の真空排気方法 - Google Patents

プラズマエツチング装置の真空排気方法

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JPS614875A
JPS614875A JP12665884A JP12665884A JPS614875A JP S614875 A JPS614875 A JP S614875A JP 12665884 A JP12665884 A JP 12665884A JP 12665884 A JP12665884 A JP 12665884A JP S614875 A JPS614875 A JP S614875A
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JP
Japan
Prior art keywords
pressure
etching
automatic opening
vacuum pump
chambers
Prior art date
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Pending
Application number
JP12665884A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Suzuki
雅行 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
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Publication of JPS614875A publication Critical patent/JPS614875A/ja
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  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の属する技術分野) 超集積回路(LSI)製造の加工技術の中で加工の微細
化と低温化を同時に果すことができる装置としてプラズ
マエツチング装置があることはよく知られているが、ウ
ェハの大口径化、加工の微細化が進むにつれて処理の均
一性が良く再現されることか要求され、従来のバッチ式
多数枚処理法に対して大口径ウェハを一枚ずつ処理する
枚葉式が開発されてきている。本発明の枚葉式プラズマ
る エツチング装置は、生産性を高めためにエラチンへ グ室(チャンバ)を複数個設け、プロセスを分割して一
個のチャンバでの処理時間を短縮する場合の真空ポンプ
系の削減技術に関するものである。
(従来の技術) 矛2図は従来の枝葉式プラズマエツチング装置の構成側
図で、エツチングチャンバと排気システムとが完全に独
立した2つの系で成立っている。
1と2はエツチングチャンバのA1とA2,6と4はマ
スフローコントローラ、11と12はエツチ/グガス供
給源、ウェハロードはウェハ供給部、ウェハアンロード
はウェハ取出部、5と6は圧力センサを含む圧力計、1
3と14は圧力コントローラ、7と8は自動開口度調整
弁、9と10は真空ポンプ系である。
矛2図の装置では2つのエツチングチャ/式1と2には
それぞれに真空ポンプ系が設けられ、各々の圧力は11
.12よりの流入ガス量を制御するかまたは真空排気の
自動開口度調整弁7と8で制御する方法が最も多く使わ
れている。またエツチングガスはハロゲン系のものが多
く、これに対して真空ポンプは耐食性および耐久性を高
めるための工夫が施されていて一般の真空ポンプに比べ
て高価である。また真空ポンプの台数が多いほどコスト
が上るだけでなく、保守のための時間や回数も多く運転
費用が上り、設置用占有空間も大きくなることは明らか
である。
従来の装置についてさらに説明すれば、枚葉式プラズマ
エツチング装置でも複数個のエツチング室(チャンバ)
を備えてエツチングのプロセスヲ分割し、1つのエツチ
ング室でのエツチング時間を短かくし、複数のエツチン
グ室で複数回のエツチングを行う方法が用いられ、処理
すべきウェハは各エツチング室に順に送られる。これは
バケソリレーによく似ている。すなわちすべての処理を
終えたウェハは1個のエツチング室のエツチング時間に
搬送時間を加えた時間毎に1枚ずつ装置から出てくるこ
とになる。各エツチング室には定量されたエツチングガ
スが供給され、高周波電源(図示省略)よりの印加電界
によってプラズマを発生させるようなエツチング室内圧
力にするため真空ポンプで同時に排気を行っている。エ
ツチング室の圧力はエツチングの特性を大きく変化させ
る要素の1つであるから高精度に制御することが要求さ
れる。また供給ガス量はマスフローコントローラ6.4
等で制御し、圧力はエツチング室の圧力センサにて検出
し1.エツチング室と真空ポンプ間に挿入された自動開
口度調整弁7,8等を動作させるサーボ系にて自動制御
して−る。従って複数のエツチング室を備えた装置では
エツチング室と同数の真空ポンプと圧力調整用自動開口
度調整弁を持つ完全に独立した系の複数個から構成され
ている。
(発明の目的) 本発明においては真空ポンプを一系統にし、しかも複数
のエツチング室の圧力制御を可能とすることが目的で、
これによって設備費と運転費を切下げ、また設備の占有
空間の縮少が期待される。
(発明の構成と作用) 最初に本発明の基礎原理を説明する。エツチング時のエ
ツチング室の圧力は5〜100 (Pe)であって粘性
流の領域である。自動開口度調整弁はオリフィス面積可
変形なので、この開口部分で流れは絞られスロー) (
throat)状になる。このスロート状部分の流れが
音速に達しいわゆる臨界状態になればスロート部を境に
してスロート上流の、圧力はスロート下流の圧力の変化
に影響されない。
スロート上流圧力はエツチング室の圧力に、スロート部
は自動開口度調整弁に、スロート下流圧力は自動開口度
調整弁の下流すなわち真空ポンプ側圧力に対応する。ス
ロート部を臨界状態にするに必要なスロート上流圧Pu
とスロート下流圧Paの比は圧縮性流体であるエツチン
グガスの比熱比kによって決定され、 2に/に−1 Pa/ Pu−() n のように表わされる。(kは定圧比熱と定積比熱の比で
一般に1以上である。) いま各エツチング室の圧力をPeとすれ//′iPθ=
5〜100(Pe)である。各エツチング室へ流される
ガスの質量流量をQe(Pe・t/mi n )とし、
真空ポンプの実効排気速度をS (t/min )とす
れは、自動開口度調整弁下流圧力Pa(PJはpo−Σ
Q e/Sで求められる。こ\でPeをスロート上流圧
Puに、Po をスロート下流圧Pdに対応させればと
なる。すなわちこの式を満足するpoにすれは各自動開
口度調整弁を臨界状態にすることができる。
前記ΣQθが一定ならpoは一定で各エツチング室の圧
力Pθは各対応する自動開口度調整弁の開口度によって
定まり、Qeの変化はP、の変化に対応するが臨界状態
になっていればP8はこれに影響されない。
従って各エツチング室の圧力P8は弁流速が臨界状態に
維持される限り対応する自動開口度調整弁を働かせるサ
ーボ系で制御することができ、PeとQeの変化による
相互干渉は皆無で、真空ポンプを一系統としても従来の
各独立した真空ポンプと独立したサーボ系を用いたもの
と同様に、各独立したサーボ系で各エツチング室の圧力
制御が可能である。
矛1図は本発明を実施した枚葉式プラズマエツチング装
置の構成例図で、簡単のためエツチング室が2つの場合
を示したが、本発明はエツチング室が2以上の場合にも
適用できる。図中の記号は矛2図と共通であるが、1と
2はエツチング室で、エツチングガスはそれぞれ3と4
のマスフローコントローラを介して設定量供給され、一
系統の真空ポンプ系15にて同時に排気される。16は
自動開口度調整弁7と8の下流部の圧力を示す圧力セン
サと圧力計である。エツチング室の圧力はそれぞれ圧力
センサ5と6によって検出され、圧力コントローラ13
と14から自動開口度調整弁7と8を制御して設定値に
合わせる。エツチング室1と2にはそれぞれ高周波電力
が供給されていてガスをプラズマ化し、エツチング室に
順に送られてくるウェハをエツチング処理する。ポンプ
15はマスフローコントローラ5と4から供給されるガ
ス量に対して、圧力センサ5と6の検出する設定圧力に
おいて自動開口度調整弁7と8に臨界状態を発生させる
排気能力を持つことが必要である。
矛3図は自動開口度調整弁のスロートを流れる圧縮性流
体の上下流圧力比Pa/Puと質量流量比Q 7/ Q
max(QmaxはQの最大値)の関係図である。
図に示すようにQ / QmaxはPd/Puによって
変化するが、ある圧力比以下で流量変化を生じない領域
がある。この領域内ではスロート部のガス流速は音速に
達していて、その下流部の圧力変化が上流に伝搬できな
い状態にあることを表わしている。
従ってこの領域を利用する本発明装置では、複数のエツ
チング室の圧力制御を相互干渉なしで1つの真空ポンプ
の出力について行うことを可能とすることになった。
(発明の効果) 前記のようにプラズマエツチングに用いられるガスはハ
ロゲン系が多く、真空ポンプ系統の各部分は腐食された
り油の劣化が激しいので、装置のノー力も使用者も共に
その対策には大へん苦労しているのが現状である。本発
明では各エツチング室に付属する個々の真空ポンプより
大きな能力の真空ポンプを使用し、使用ポンプの台数を
低減するのみでも耐食耐久性向上のための付帯設備が少
なくなり、保守時間を短縮できるという効果がある。な
お真空ポンプの価格はその能力に比例せず能力がたとえ
ば倍になっても価格は倍以下である。
またエツチング装置用真空ポンプは耐久性の点から大能
力のものを選ぶ方がよいといわれ、小容量のポンプを複
数個用いるものより省スペースの点からも大きな効果が
得られる。また本発明の装置はエツチング室ばかりでな
く複数のチャンバをその内部にガスを流しながら粘性流
領域圧力に制御しようとする装置に応用することができ
る。
【図面の簡単な説明】
矛1図は本発明を実施したプラズマエツチング装置の構
成例図、矛2図は従来の装置の構成例図、矛3図は圧縮
性流体の上下流圧力比と流量変化の特性側口である。 1.2・・・エツチング室、  3.4・・・マスフロ
ーコントローラ、  5,6・・・圧力センサと圧力計
、7.8・・・自動開口度調整弁、 9,10.15・
・・真空ポンプ系、  11.12・・・エツチングガ
ス供給源、  13.14・・・圧力コントローラ、1
6・・・スロート下流圧カセンサと圧力計。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数のエッチング室を有しそのそれぞれに独立した設定
    量のエッチング用ガスを供給する装置と、各エッチング
    室内を定められたガス圧に制御するために圧力センサに
    よる検出値によつてエッチング室毎に設けられた排気用
    自動開口度調整弁を制御するサーボ系とを備えた枚葉式
    プラズマエッチング装置の真空排気系を、前記各自動開
    口度調整弁の排気側に接続された1個の真空ポンプ系に
    て構成し、前記各自動開口度調整弁のエッチング室内圧
    力をそれぞれ同一または異る規定値に保ちながら弁の下
    流と上流との圧力比をエッチング室内の圧力を粘性流の
    領域である5〜100パスカル以下に保つようにしたこ
    とを特徴とするプラズマエッチング装置の真空排気方法
JP12665884A 1984-06-20 1984-06-20 プラズマエツチング装置の真空排気方法 Pending JPS614875A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6393113A (ja) * 1986-10-08 1988-04-23 Hitachi Ltd 排気システム
CN100363618C (zh) * 2001-08-31 2008-01-23 株式会社东芝 真空排气系统及其监视·控制方法
JP2016161146A (ja) * 2015-02-26 2016-09-05 東レエンジニアリング株式会社 減圧乾燥装置および基板処理システム
CN107676241A (zh) * 2017-09-06 2018-02-09 清华大学 一种前级真空系统以及抽真空控制方法

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CN107676241B (zh) * 2017-09-06 2019-03-22 清华大学 一种前级真空系统以及抽真空控制方法

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