JP6216389B2 - 圧力式流量制御装置 - Google Patents

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Description

本発明は、圧力式流量制御装置の改良に関するものであり、応答性を高めることにより、半導体製造装置用等の原料ガス供給装置の作動性能を大幅に高めた圧力式流量制御装置に関するものである。
従前から、半導体製造装置用等の原料ガス供給装置に於いては、供給ガスの流量制御に熱式流量制御装置や圧力式流量制御装置が広く利用されている。特に、後者の圧力式流量制御装置FCS(登録商標)は、図6に示すように、コントロール弁CVや温度検出器T、圧力検出器P、オリフィスOL、温度補正・流量演算回路CDaと比較回路CDbと入出力回路CDcと出力回路CDd等から成る演算制御部CD等から構成されており、一次側供給圧が大きく変動しても安定した流量制御が行えるという優れた流量特性を具備している。
即ち、図6の圧力式流量制御装置FCSでは、圧力検出器P及び温度検出器Tからの検出値が温度補正・流量演算回路CDaへ入力され、ここで検出圧力の温度補正と流量演算が行われ、流量演算値Qtが比較回路CDbへ入力される。また、設定流量に対応する入力信号QSが端子Inから入力され、入出力回路CDcを介して比較回路CDbへ入力され、ここで前記温度補正・流量演算回路CDaからの流量演算値Qtと比較される。比較の結果、設定流量入力信号Qsが流量演算値Qtより小さい場合には、コントロール弁CVの駆動部へ制御信号Pdが出力される。これによりコントロール弁CVが閉鎖方向へ駆動され、設定流量入力信号Qsと演算流量値Qtとの差(Qs−Qt)が零となるまで閉弁方向へ駆動される。
当該圧力式流量制御装置FCSでは、オリフィスOLの下流側圧力P2と上流側圧力P1との間にP1/P2≧約2の所謂臨界膨張条件が保持されていると、オリフィスOLを流通するガス流量QがQ=KP1(但しKは定数)となり、また、臨界膨張条件が満たされていないと、オリフィスOLを流通するガス流量QがQ=KP2 m(P1−P2n(但しK、m、nは定数)となる。
従って、圧力P1を制御することにより流量Qを高精度で制御することができ、しかも、コントロール弁CVの上流側ガスGoの圧力が大きく変化しても、制御流量値が殆ど変化しないという優れた特性を発揮することができる。
上記ガス流量QをQ=KP1(但しKは定数)として演算する方式の圧力式流量制御装置は、一般にFCS−N型と呼ばれているものであり、また、ガス流量QをQ=KP2 m(P1−P2n(但しK、m、nは定数)として演算する方式の圧力式流量制御装置は、一般にFCS−WR型と呼ばれているものである。
更に、この種の圧力式流量制御装置には、この他に、複数のオリフィスOLを並列状に連結し、切換弁によって少なくとも一つのオリフィスにガスを流通させるようにしたオリフィス機構、例えば、二個のオリフィスを並列状に接続し、一つのオリフィスの入口側に切換弁を設けてそれを開又は閉とすることにより流量制御範囲を変更できるようにしたオリフィス機構を、上記FCS−N型のオリフィスとして用いたFCS−SN型や、同じオリフィス機構を上記FCS−WR型のオリフィスとして用いたFCS−SWR型と呼ばれているものが存在する。
尚、上記FCS−N型、FCS−SN型、FCS−WR型及びFCS−SWR型の各圧力式流量制御装置そのものの構成や作動原理等は既に公知であるため、ここではその詳細な説明を省略する(特開平8−338546号、特開2003−195948号等)。
また、上記圧力式流量制御装置FCSには、図7に示すように、(a)の如き構成の臨界条件下のガス流体を対象とする圧力式流量制御装置FCS(以下、FCS-N型と呼ぶ・特開平8−338546号等)や、(b)の臨界条件下と非臨界条件下の両ガス流体を対象とするFCS-WR型(特開2003−195948号等)、(c)の臨界条件下のガス流体を対象とする流量切換型のFCS-S型(特開2006−330851号等)、及び(d)の臨界条件下と非臨界条件下の両ガス流体を対象とする流量切換型のFCS-SWR型(特願2010−512916号等)が存在する。
尚、図7において、P1,P2は圧力センサ、CVはコントロール弁、OLはオリフィス、OL1は小口径オリフィス、OL2は大口径オリフィス、ORVはオリフィス切換弁である。
しかし、この種の圧力式流量制御装置FCSでは、微小な穴径のオリフィスOLを使用しているためガスの置換性が悪く、圧力式流量制御装置FCSのコントロール弁CVを閉鎖して出力側を開放した場合に、コントロール弁CVとオリフィスOL間の空間部のガスの排出に多くの時間が掛かり、所謂ガスの立下げ応答性が極めて悪いと云う問題がある。
図8は、従前の圧力式流量制御装置FCS-N型の連続ステップ時の立下げ応答特性の一例を示すものであり、オリフィスOLの下流側の空気作動弁(図示省略)を開放して一定流量のガスを圧力式流量制御装置を介して供給中に、ガス供給量をステップ状に立下げした場合、大流量用の圧力式流量制御装置の場合(折れ線A)に比較して小流量用の圧力式流量制御装置の場合(折れ線B)には、所定の流量にまで立下げするのに1.5秒以上の時間を必要とするのが現状である。
より具体的には、FCS-N型及びFCS-WR型の場合、オリフィスOL1の下流側圧力が100Torrで、流量を100%から1%及び100%から4%に立下げするには、夫々約1秒以上を必要とするが、半導体製造装置(例えば、エッチャー)の方からは、1秒以下の時間内で流量を100%から1%に立下げすることが求められている。
また、FCS-S型及びFCS-SWR型の場合、オリフィスOLの下流側圧力が100Torrで、流量を100%から10%及び100%から0.16%に立下げるには、夫々約1.2秒以上を必要とするが、半導体製造装置(例えば、エッチャー)の方からは、1.2秒以下の時間内で流量を100%から10%に立下げすることが求められている。
一方、上記圧力式流量制御装置の立下げ応答特性を高めるため、コントロール弁CVとオリフィスOL間のガス通路の内容積を可能な限り小さくする工夫が為されている。
図9はその一例を示すものであり、コントロール弁CVの流体の流れ方向を通常のコントロール弁CVとは逆向きにし、ダイヤフラム弁体20の外周縁部と弁座2aの間隙を通してガスを流入させ、弁座2aの中央からガスを流出させる構造とすることによりガス流路の内容積を減少させるようにした、内容積極小型の本体2を用いた圧力式流量制御装置である。
しかし、図9の内容積極小型の本体2を用いた圧力式流量制御装置に於いても、ガス流路の内容積減少により立下げ応答特性を大幅に向上させることは困難であり、図10に示すように、定格流量が10SCCMと少ない場合には、N2ガスの場合で100%から0%への立下げに約1秒間の時間を必要とし、ガス種がC48(フローファクタ=0.352260)の場合には、約3秒程度の時間を必要とする現状にある。
尚、図10に於いて、Cは流量10SCCM、Dは流量20SCCM、Eは流量160SCCMの場合の立下げ特性を示すものである。
また、従来の圧力式流量制御装置において、例えばオリフィス下流側に接続されるガス供給ラインが切換弁等で一時的に閉鎖されている間に、コントロール弁CVを閉鎖して流量制御を中断した場合に、コントロール弁CVからの原料ガスの微小リークにより流体通路内圧が高なることあり、その結果、再度流量制御を開始したときに、流体通路内圧が高くなっていることにより、立上げ時の流量制御に所謂オーバーシュートにより応答性を低下させる恐れもあった。
上述のように、内容積極小型の本体を用いた圧力式流量制御装置に於いても、圧力式流量制御装置の立下げ応答性特性を十分に高めることが困難であり、従前の圧力式流量制御装置には、定格流量の小さい場合の立下げ応答特性が悪い等の問題が、依然として残されている。
特開平8−338546号公報 特開平10−55218号公報 特開2003−195948号公報 特開2006−330851号公報 特願2010−512916号公報
本発明は、従前の圧力式流量制御装置に於ける上述のような問題、即ち、イ. 流量制御に於ける立下げ応答性が低いこと、ロ.本体の容積極小化による応答性の向上にも限界があり、十分な応答性の向上が図れないこと、ハ.C48等のガス種によっては、本体の内容積極小化のみでは立下げ応答性の向上が困難なこと等の問題を解決せんとするものであり、流量制御精度や流量制御範囲の変化を来たすことなしに圧力式流量制御装置の応答特性を向上させることを可能にした、圧力式流量制御装置を提供することを発明の主目的とするものである。
先ず、本発明者等は、コントロール弁CVとオリフィスOL間の流体通路の残留ガスを強制排気することによる立下げ特性の改善を検討するために、図11に示すような真空排気による圧力式流量制御装置の応答特性測定装置を用いて、各種の立下げ特性の測定を行った。
尚、図11に於いて、RGは圧力調整器、P0は供給圧力センサ、CVa,CVbはコントロール弁、P1a、 P1bは圧力センサ、UPC1,UPC2は圧力制御器、 VL2, VL3は真空引きラインであり、前記UPC1とオリフィスOLにより圧力式流量制御装置(FCS−N型)が構成されている。また、圧力調制御器UPC1とオリフィスOL間の空間部VL1の容積は、6.0ccに設定されている。
即ち、圧力制御器UPC1とオリフィスOLからなる圧力式流量制御装置(FCS−N型)により供給ガスの流量制御を行うと共に、圧力調整器UPC2により排気機能(制御圧力の立下げ時間)を調整する。そして、両圧力調整器UPC1, UPC2へ同時に所定の設定圧力を入力し、圧力センサP1a、 P1bにより両圧力制御器UPC1, UPC2の制御圧のステップ応答特性を測定した。
図12は、上記図11の応答特性試験装置による立下げ特性の測定結果を示すものであり、(a)は、圧力調整器UPC1のコントロールバルブCVaのみによって100%流量から80%流量、60%流量、40%流量、20%流量の順に流量を減少させる圧力制御(流量制御)をした場合を示すものであり、線F1は圧力調整器UPC1への制御圧力入力信号の電圧波形、線F2は圧力調整器UPC1の制御圧力出力信号の電圧波形である。
図12の(a)からも明らかなように、制御圧力出力信号の電圧波形の立下りには1秒以上の時間を必要とすることに成る。
これに対して、図12(b)は、圧力調整器UPC2を同時に作動させることにより内部空間VL1内を真空排気した場合を示すものであり、立下がり応答時間が0.5秒以下に短縮可能なことが判明した。尚、圧力調整器UPC1へのガス(N2)供給圧は300kPa absであり、オリフィスOLは定格流量260SCCMである。また、真空排気圧は10-5Torrである。
図13は、上記図12の応答特性測定装置による立上げ特性の測定結果を示すものであり、(a)は、圧力調整器UPC1のコントロールバルブCVaのみによって0%流量から20%流量、40%流量、60%流量、80%、100%流量の順に流量を増加させる圧力制御(流量制御)をした場合を示すものであり、線F1は圧力調整器UPC1への制御圧力入力信号の電圧波形、線F2は圧力調整器UPC1の制御圧力出力信号の電圧波形である。
これに対して、図13(b)は、圧力調整器UPC2を同時に作動させた場合の立上げ応答特性を示すものである。図13(a)との対比からも明らかなように、立上げ応答時は圧力調整器UPC2から真空排気する必要がなく動作しないため、図13(b)の立上げ時の応答時間は図13(a)の場合と略同一であり、立上げ応答時間が0.5秒以下であることが確認された。尚、圧力調整器UPC1へのガス(N2)供給圧は300kPa absであり、オリフィスOLは定格流量260SCCM用のものである。また、真空排気圧は10-5Torrである。
図14は、上記図11の応答特性測定装置による立下げ特性測定時の各コントロール弁CVa・CVbの駆動用ピエゾ素子(図示省略)の入力電圧の変動状態を示すものであり、(a)は、圧力調整器UPC1のコントロールバルブCVaのみによって100%流量から80%流量、60%流量の順に流量を減少させる圧力制御(流量制御)をした場合のピエゾ素子駆動電圧を示すものである。尚、線F1は圧力調整器UPC1への制御圧力入力信号の電圧波形、線F2は圧力調整器UPC1の制御圧力出力信号の電圧波形である。
また、(b)はガス供給用のコントロールバルブCVa のピエゾ駆動素子への入力電圧波形F10を示すものを示すものであり、(c)は排気用のコントロールバルブCVbのピエゾ駆動素子への入力電圧波形F20を示すものである。
尚、各ピエゾ駆動素子への入力電圧波形F10、F20は、実際の1/30倍で示されている。
本発明の実施形態に係る圧力式流量制御装置は、上記応答特性試験装置を用いた各試験結果を基にして創作されたものであり、流体入口と流体出口との間を連通する流体通路及び該流体通路から分岐して該流体流路と排気出口との間を連通する排気通路を設けた本体と、排気通路の分岐箇所より上流側の該本体の流体入口側に固定されて前記流体通路の上流側を開閉する圧力制御用コントロール弁と、該圧力制御用コントロール弁の下流側の流体通路内圧を検出する圧力センサと、前記排気通路の分岐箇所より下流の流体通路内に設けたオリフィスと、前記排気通路を開閉する排気制御用コントロール弁と、を備えることを特徴とする。
前記圧力式流量制御装置は、オリフィス下流側の流体通路内圧を検出する圧力センサを備えた構成のFCS-WR型圧力式流量制御装置としてもよい。
前記圧力式流量制御装置は、複数のオリフィスを並列状に連結し、切換弁により少なくとも一つのオリフィスに流体を流通させる構成のFCS-SN型圧力式流量制御装置としてもよい。
前記圧力式流量制御装置は、複数のオリフィスを並列状に連結し、切換弁により少なくとも一つのオリフィスに流体を流通させると共に、オリフィス下流側の流体通路内圧を検出する圧力センサを備えた構成のFCS-SWS型圧力式流量制御装置としてもよい。
前記圧力制御用コントロール弁及び排気制御用コントロール弁を、ピエゾ素子駆動型の金属ダイヤフラム式制御弁としてもよい。
前記排気制御用コントロール弁のピエゾ駆動素子への入力電圧の調整により、立下げ応答時間を制御する構成としてもよい。
前記排気制御用コントロール弁を、空気圧駆動弁又は電磁駆動弁とするようにしたもよく、また、排気出口に接続した真空ポンプにより排気通路内を強制排気する構成としてもよい。
本発明の実施形態に係る圧力式流量制御装置に於いては、流体通路及び排気通路を設けた本体と、本体に固定した流体通路の上流側を開閉する圧力制御用コントロール弁と、その下流側の流体通路内圧を検出する圧力センサと、排気通路の分岐箇所より下流の流体通路内に設けたオリフィスと、排気通路を開閉する排気制御用コントロール弁とを備えることにより、当該圧力式流量制御装置による流体流量の変更時に、圧力制御用コントロール弁と排気制御用コントロール弁を作動させ、圧力制御用コントロール弁とオリフィス間の流体通路空間内を強制排気することで、制御流量の変動時に於ける制御応答性が高まり、流量制御の立下げ時間を大幅に短縮できるだけでなく、その立下げ時間の調整も容易に行うことができ、また、圧力式流量制御装置の所謂ガス置換性の向上とこれよる設備稼働率の向上、半導体製品の品質向上等が可能となる。
また、圧力式流量制御装置の本体の横幅寸法を任意に選定、例えば従前の圧力式流量制御装置の横幅寸法92mmに合わせることが可能となり、その結果、従来設備の改修にも当該圧力式流量制御装置を容易に適用することができる。
更に、真空排気ラインをブラインド(取除いて閉塞すること)ことにより、通常の圧力式流量制御装置としても適用することが出来る。
本発明に係る圧力式流量制御装置の基本構成を示す縦断面図である。 本発明に係る圧力式流量制御装置を適用したガス供給ボックスの構成を示す系統図である。 本実施形態に係る圧力式流量制御装置の連続ステップ時の立下がり応答特性を示す線グラフである。 設定流量を増加させた場合の、圧力制御用コントロール弁6と排気制御用コントロール弁7のピエゾ駆動素子への入力電圧の変動状態、及び、圧力センサP1の出力(圧力)を示す線グラフである。 設定流量を減少させた場合の、圧力制御用コントロール弁6と排気制御用コントロール弁7のピエゾ駆動素子への入力電圧の変動状態、及び、圧力センサP1の出力(圧力)を示す線グラフである。 従前の圧力式流量制御装置(FCS−N型)の基本構成図である。 従前の各種形式の圧力式流量制御装置の概略構成図であり、(a)はFCS−N型,b)は圧力式流量制御装置(FCS−WR型)、(c)はFCS−SN型、(d)はFCS−SWR型を示すものである。 従前の圧力式流量制御装置(FCS−N型)の連続ステップ時の立下げ応答特性の一例を示す線グラフである。 内容積極小型の本体を用いた圧力式流量制御装置(FCS−N型、FCS−WR型)のバルブ機構部の概要図である。 図9の圧力式流量制御装置(FCS−N型)の100%から0%間の流量の立下げ特性曲線を示す線グラフである。 真空排気ラインを設けた圧力式流量制御装置の応答特性測定装置の系統構成図である。 図11の応答特性測定装置により測定した立下げ応答特性の測定結果を示す線グラフであり、(a)は供給側のコントロール弁のみで立下げした場合、(b)は供給側と真空排気側の両コントロール弁により立下げした場合を示す線グラフである。 図11の応答特性測定装置により測定した立上げ応答特性の測定結果を示す線グラフであり、(a)は供給側のコントロール弁のみで立上げした場合、(b)は供給側と真空排気側の両コントロール弁により立上げした場合を示す線グラフである。 図11の応答特性試験装置による立下がり特性測定時の各コントロール弁CVa・CVbの駆動用ピエゾ素子(図示省略)の入力電圧の変動状態を示す線グラフであり、(a)は、真空排気ラインを作動しない時の圧力制御器UPC1の制御圧力入力及び出力信号の電圧を、(b)は、真空排気ラインを作動した時の圧力調整器UPC1のコントロールバルブCVaのピエゾ素子駆動電圧を、(c)は、真空排気ラインを作動した時の圧力調整器UPC2のコントロールバルブCVbのピエゾ素子駆動電圧を、夫々示す線グラフである。
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
図1は本発明の圧力式流量制御装置1の基本構成を示す縦断面図であり、図2は本発明に係る圧力式流量制御装置を適用したガス供給ボックスの構成を示す系統図である。
圧力式流量制御装置1は、本体2、圧力制御用コントロール弁6、排気制御用コントロール弁7、圧力センサP1,P2、オリフィスOL等から構成されており、図2の実施形態では、1個のオリフィスOLを使用したFCS−WR型の圧力式流量制御装置とされている。
尚、図1において、2aは弁座、3は入口側ブロック、4は本体ブロック、5は出口側ブロック、9は流体入口、10aは流体通路、10bは排気通路、10cは漏洩検出用通路、11は流体出口、12は排気出口、13はガスケット、14は制御用のパネルコントロールボード、15はケーシング、16は接続用コネクタである。
前記本体2は、入口側ブロック3、本体ブロック4及び出口側ブロック5を固定ボルト(図示省略)により相互に組付け一体化するようにしたものであり、圧力制御用コントロール弁6、排気制御用コントロール弁7及び圧力センサP1,P2などは、バルブ本体2へ夫々ねじ込み固定されている。また、圧力センサP2は、排気通路10bとの交差を避けて流体通路10aへ連通されている。
前記圧力制御用コントロール弁6は、公知の金属製ダイヤフラムを弁体20とするピエゾ駆動素子6aを用いた開閉弁であり、ピエゾ駆動素子6aへの通電によりこれが伸長し、円筒体17を弾性体18の弾力に抗して上方へ押し上げることにより金属ダイヤフラム弁体20の弾性力により弁体押え19が上方へ移動し、弁体20が弁座2aから離座して弁が開放される。また、弁開度は、ピエゾ駆動素子6aへの印加電圧を変動することにより調節される。
尚、排気制御用コントロール弁7の作動についても、圧力制御用コントロール弁6の作動と同一であり、ピエゾ駆動素子7aの伸長量調節により、弁開度制御が行なわれる。
また、排気制御用コントロール弁7としては、上記ピエゾ駆動式金属ダイヤフラム型開閉弁に代えて、公知の空気圧駆動式や電磁駆動式の開閉弁を用いることも可能である。
図2は、本発明に係る圧力式流量制御装置を適用したガス供給ボックスの構成を示す系統図であり、3種の実ガスG1〜G3及びN2ガスを夫々単独に、または、適宜のガス種を所定の割合で混合して、プロセスチャンバ29へ供給するものである。尚、排気制御用コントロール弁7(図示省略)を介してFCS−Nの内部空間ガスが、排気ライン27の出口側開閉弁24を通して真空ポンプ28により強制排気(真空排気)されることは、前述の通りである。
尚、図2において、21はガス供給口、22は供給側切換弁、23は出口側切換弁、26は混合ガス供給ラインである。
図1を参照して、通常の連続流量制御においては、流体入口9より流入したガスが圧力制御用コントロール弁6で圧力制御され、オリフィスOLを通して流体出口11より所定の箇所へ供給されて行く。また、制御流量を減少、例えば100%流量から50%流量に立下げする際には、コントロールボード14から、圧力制御用コントロール弁6へ50%流量への切換制御信号が、また、排気制御用コントロール弁7へ弁開放信号が、夫々に入力され、排気制御用コントロール弁7が開放される。これにより、排気制御用コントロール弁7を通して、圧力制御用コントロール弁6とオリフィスOL間のガスが強制排気され、立下げ応答時間が短縮される。
尚、排気制御用コントロール弁7の弁開度を調整することにより、立下げ時間のコントロールが可能なことは勿論である。
図3は、本実施形態に係る圧力式流量制御装置1の連続ステップ時の立下げ応答特性を示すものであり、前記図8の場合と同一の条件下で測定したものである。
線A及び線Bを、前記図8と図3について対比すれば明らかなように、本実施形態に係る圧力式流量制御装置1においては、立下げ時間を0.5秒以下に短縮することができる。
また、排気制御用コントロール弁7の弁開度調整により、立下げ時間そのものを容易に制御することが出来るだけでなく、異なる流量レンジで作動中の圧力式流量制御装置であっても、これ等複数の圧力式流量制御装置の立下げを同期して行うことが可能となる。
尚、図4は、設定流量を増加させた場合の、圧力制御用コントロール弁6と排気制御用コントロール弁7のピエゾ駆動素子への入力電圧の変動状態、及び、圧力センサP1の出力(圧力)を示すものであり、何れの場合に於いても、立上げ時間が0.5秒以下となり、20%から50%及び50%から80%への流量増加に対して、0.5秒以下の立上げ時間で対応可能なことが示されている。
また、図5は、図4の場合とは逆に、80%から50%及び50%から20%への流量を減少(立下げ)させた場合の、圧力制御用コントロール弁6と排気制御用コントロール弁7のピエゾ駆動素子への入力電圧の変動状態、及び、圧力センサP1の出力(圧力)を示すものであり、何れの場合に於いても、立下げ時間が0.5秒以下となる。
尚、上記図1の実施形態においては、図7の(b)に示したFCS−N型の圧力式流量制御装置に基づいて説明をしたが、圧力式流量制御装置としては、FCS−N型、FCS−S型、FCS−SWR型であっても良いことは勿論であり、図7に示した従前の各型式の圧力式流量制御装置は、何れも本発明の実施に用いることが可能なものである。
また、圧力式流量制御装置の作動原理や構成は既に公知であるため、ここではその詳細な説明を省略する。
即ち、本発明に係る圧力式流量制御装置1では、排気制御用コントロール弁7を備えた真空排気ライン27を設けることにより、流量制御の立下げ時間を大幅に短縮できると共に、立下げ時間の調整を容易に行うことがで、圧力式流量制御装置の所謂ガス置換性が向上する。
また、圧力式流量制御装置1の本体2の横幅寸法を任意に選定、例えば従前の圧力式流量制御装置の横幅寸法92mmに合わせることが可能となり、その結果、従来設備の改修に当該圧力式流量制御装置1を用いることができる。
更に、真空排気ラインをブラインドすることにより、通常の圧力式流量制御装置としても適用することが出来る。ただ、真空排気ライン27を必要としたり、強制排気による実ガス排気の増加、既設のガス供給ボックスへ容易に適用できないこと等が、問題点として残されている。
本発明は、半導体製造装置用のガス供給設備やガス供給装置のみならず、化学産業や食品産業等のあらゆるガス供給設備の流量制御装置に適用できるものである。
1 圧力式流量制御装置
2 本体
2a 弁座
3 入口側ブロック
4 本体ブロック
5 出口側ブロック
6 圧力制御用コントロール弁
6a ピエゾ駆動素子
7 排気制御用コントロール弁
7a ピエゾ駆動素子
9 流体入口
10a 流体通路
10b 排気通路
10c 漏洩検査用通路
11 流体出口
12 排気出口
13 ガスケット
14 パネルコントロールボード
15 ケーシング
16 接続用コネクタ
17 円筒体
18 弾性体
19 弁体押さえ
20 弁体
21 ガス供給口
22 供給側切換弁
23 出口側開閉弁
24 出口側開閉弁
26 混合ガス供給ライン
27 真空排気ライン
28 真空ポンプ
29 プロセスチャンバ
1 圧力センサ
2 圧力センサ
OL オリフィス
1〜G3 実ガス

Claims (10)

  1. 流体入口と流体出口との間を連通する流体通路と、該流体流路から分岐して該流体通路と排気出口との間を連通する排気通路とを設けた本体と、
    前記排気通路の分岐箇所より上流の流体通路に設けられた圧力制御用コントロール弁と、
    前記排気通路の分岐箇所より下流の流体通路内に設けられたオリフィスと、
    前記圧力制御用コントロール弁の下流側かつ前記オリフィスの上流側の流体通路内圧を検出する圧力センサと、
    前記排気通路を開閉する排気制御用コントロール弁と、を備え
    前記排気通路を通して前記圧力制御用コントロール弁と前記オリフィスとの間の流体通路内のガスを排気することを特徴とする圧力式流量制御装置。
  2. 制御流量を減少させるときに、前記排気制御用コントロール弁を開放することにより、前記圧力制御用コントロール弁と前記オリフィスとの間の流体通路内のガスを排気する、請求項1に記載の圧力式流量制御装置。
  3. 制御流量を減少させるときに、前記圧力制御用コントロール弁の開度を一時的閉鎖するとともに前記排気制御用コントロール弁を開放することにより、前記圧力制御用コントロール弁と前記オリフィスとの間の流体通路内のガスを排気する、請求項1または2に記載の圧力式流量制御装置。
  4. 前記圧力式流量制御装置が、オリフィス下流側の流体通路内圧を検出する圧力センサを更に備える、請求項1から3のいずれかに記載の圧力式流量制御装置。
  5. 前記圧力式流量制御装置が、複数のオリフィスを並列状に連結し、切換弁により少なくとも一つのオリフィスに流体を流通させる構成である、請求項1から3のいずれかに記載の圧力式流量制御装置。
  6. 前記圧力式流量制御装置が、複数のオリフィスを並列状に連結し、切換弁により少なくとも一つのオリフィスに流体を流通させると共に、オリフィス下流側の流体通路内圧を検出する圧力センサを備える、請求項1から3のいずれかに記載の圧力式流量制御装置。
  7. 前記圧力制御用コントロール弁及び前記排気制御用コントロール弁が、ピエゾ素子駆動型の金属ダイヤフラム式制御弁である、請求項1から6のいずれかに記載の圧力式流量制御装置。
  8. 前記排気制御用コントロール弁のピエゾ駆動素子への入力電圧の調整により、立下げ応答時間を制御する構成とした請求項7に記載の圧力式流量制御装置。
  9. 前記排気制御用コントロール弁が、空気圧駆動弁又は電磁駆動弁である、請求項1から6のいずれかに記載の圧力式流量制御装置。
  10. 前記排気出口に接続した真空ポンプにより前記排気通路内を強制排気する構成とした請求項1から9のいずれかに記載の圧力式流量制御装置。
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