JPS62234328A - 半導体製造装置のプロセス制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分計〕 試料をドライプロセスにて処理する半導体製造装置のプ
ロセス制御方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来の半導体製造装置においては、処理室内への試料搬
入後に、プロセス条件、例えば、処理ガス流量、処理室
内の圧力等の設足、制御が行われている。

尚、この種の技術に関連するものには、例えば、特開昭
５７−９５６３０号等が挙げられる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、プロセス条件変更時のコンダクタンス
設定の困鑓性について配慮されておらず、例えば、多段
ステップの処理のように、プロセス条件を種々変更しな
がら試料の処理を行う場合において試料の処理不良が生
じるといった問題がある。また、同一プロセス条件であ
りても排気系の経時変化等により同様の問題が生じる。

本発明の目的は、プロセス条件を種々変更しながら試料
の処理を行う場合や同一プロセス条件であっても排気系
に経時変化等が生じる場合においても試料の処理不良の
発生を防止できる半導体製造装置のプロセス制御方法を
提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、処、埋置への試料搬入前に、前記処理室内
に処理ガスを導入して前記処理室内の圧力を制御し該圧
力が決められた時間内ｔこ許容圧力範囲内かこ到達する
か否かを確認することにより、達成される。

〔作用〕

処理室への試料搬入前における処理室への処理ガスの導
入、処理室内の圧力制御の実行確認は、プロセスデータ
の適合性及び排気系の能力の確認となる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。

第１図で処理室１０内には、対向電極２０と試料電極３
０とが上下方向に対向して内訳されている。処理室１０
には、ガス供給管４０の一端が連結され、他端はガス源
（図示省略）Ｃ連結されている。ガス供給管４０には、
流量制御装置（以下、ＭＦＣと略）４１とパルプ４２と
が設けられている。処理室ｌＯには、排気管５０の一端
が連結され、他端は、真空排気装置（図示省略）Ｖ一連
結されている。排気管５０曇こは、圧力制御手段、例え
ば、可変フンダクタンスパルグ５１が設けられている。

制御装置、例えば、マイクロコンピュータ６０は、処理
室１０外に設置されている。マイクロコンピュータ６０
には、ＭＦＣ４１と可変フンダクタンスバルプ５１とが
電気的に接続されている。マイクロコンピュータ６０か
らの操作信号によりＭＦＣ４１では処理ガスの流量のお
ｊ御がなされ、可変コンダクタンスパルプ５１の弁開度
の制御がなされる。圧力計７０は、処理室１０に設けら
れ、マイクロコンピュータ６０に電気的に接続さｎてい
る。圧力計７０は、処理室１０内の圧力を測定し該圧力
の検出信号を出力する機能を有している。電源、例えば
、高周波電源８０は、処理室１０外に設置され、試料電
極３０に電気的に接続されている。対向電極２０は接地
されている。

また、高周波電源８０は、マイクロコンビエータ６０に
電気的に接続されている。マイクロコンビ１−夕６Ｇか
らの操作信号により高周波電源８０は０Ｎ−ＯＦ’Ｆ制
御される。尚１図示省略したが、処理室１０内への試料
９０の搬入出のために公知の搬送手段を有している。

ＷＪ１図、第２図で、マイクロコンピュータ６０に、例
えば、ガス流量、圧力、放電出力値等の条件を設定する
。次に、パルプ４２を開は処理ガスを処理室１０に導入
する９次に、可変コンダクタンスパルプ５１を作動させ
処理室１０内の圧力制御を実行する。次に、該圧力が決
められた時間内で許容圧力範囲内に到達した場合、可変
コンダクタンスパルプ５１の安定条件をマイクローンピ
ユータ６０に記憶させる。また、限界値との余裕度も確
認する。上記圧力が決められた時間内で許容圧力範囲内
に到達しない場合は、パルプ４２を閉め処理ガスの処理
室１０への導入を停止して処理室１０内を真空排気し条
件変更の指示を行う。その後、上記操作を書び実行する
。マイクロコンピュータ６０での可変コンダクタンスパ
ルプ５１０安定条件の記憶に、パルプ４２を閉め処理ガ
スの処理室１０への導入な亭止して処理室１０内を真空
排気する。次に、公知の搬送手段により処理室１０内に
試料９０を搬入して試料９０を試料電極３０に載置する
。次に、パルプ４２を開は処理ガスを処理室１０内へ導
入し、マイクロフンピユータ６０に記憶されている安定
条件に可変コンダクタンスパルプ５１を設定する。処理
室１０内の圧力が許容圧力範囲内に到達した後、高周波
電源８０をＯＮＬ／高周波電力を試料電極３０に印加す
る。

これにより、対向電極２０と試料［［３０との間に放電
が生じ、処理室１０内の処理ガスはプラズマ化される。

このプラズマにより試＠９０は処理される。試料９０の
処理終了後、高周波電源８０を０ＦＦＬ、放電を停止す
る。次に、パルプ４２を閉め処理がヌの処理室ｌＯへの
導入を停止し処理室１０内を真空排気する。次に、処理
済みの試料９０を公知の搬送手段により処理室１０外へ
搬出し、新たな試料を処理室１０内へ搬入して試料電極
３０に載置する。

本実施例では、処理室への試料搬入前における処理室へ
の処理ガスの１人、処理室内の圧力制御の実行確認によ
りプロセスデータの適合性及び排気系の能力のｒａ認を
行うため、プロセス条件を種々変更しながら試料の処理
を行う場合や同一プロセス条件であっても排気系に経時
変化等が生じ≦場合においても試料の処理不良の発生を
防止できる。また、プロセス条件が適正でなくとも異常
からの復帰に試料の処理を要しないため、試料の量産処
理においては効果が大きい。

尚、処理室に真空予備室が具設されたものにおいては、
マイクロコンピュータでの可変コンダクタンスパルプの
安定条件の記憶までの操作を試料搬送の準備操作（例え
は、真空予備室の真空排気）とを同時に行うようにして
も良い。この場合、真空予備室から処理室への試料搬入
後の処理室内の圧力制御が早畷安定してその分処理能力
を向上できる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、処理室への試料搬入前にプロセスデー
タの適合性及び排気系の能力の確認が行えるので、プロ
セス条件を種々変丸しながら試料の処理を行う場合や同
一プロセス条件であっても排気系に経時変化等が生じる
場合においても試料の処理不良の発生を防止できるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例を示すもので本発明を実施
した半導体製造装置の構成図、ＷＪｚ図は、フ 第１図の半導体製造装置での処理鬼ロー図である。 １０・・・・・・処理室、４１・・・・・・ＭＦＣ，５
１・・・・・・可変コンダクタンスパルプ、６０・・・
・・・マイクロコンビ１４１図 １θ−一一−、メフ１．理１匠＋７　４１−一−ＭＦＣ
，５１−一−リ索コ〉ブックンヌノ（ンレブ６０−−−
−マイ２０コンピー−７、７０−−−一反７７１１第２
図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、処理室内への試料搬入前に、前記処理室内に処理ガ
   スを導入して前記処理室内の圧力を制御し該圧力が決め
   られた時間内に許容圧力範囲内に到達するか否かを確認
   することを特徴とする半導体製造装置のプロセス制御方
   法。