JPH0252424A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、排気系を有する半導体製造装置に関するも
のである。

（従来の技術） 第３図はこの種の半導体製造装置の一種である従来の熱
処理装置の構成を示す図である。図において、Ａ、Ｂ、
Ｃは各々炉体である。炉体Ａにおいて、１は熱処理炉で
あり、ガス導入口１ａを有す。２は熱処理炉１を加熱す
るためのヒータ、３はウェーハ４を装着し、熱処理炉１
内の所定位置にウェーハ４を設置するとともに、熱処理
炉１に蓋をするためのウェーハ支持パドルである。５は
ガス導入口１ａの対面よりガス等が直接炉体Ａの外へ漏
れないよう排気を行なう排気管である。炉体Ｂ、Ｃにお
いても同様の構成である。各炉体の排気管５は、一つの
排気管５Ａに統合されている。

そして、排気管５Ａの排気量は・常に一定に保たれ、そ
のため、排気管５の排気量も常に一定となる。

なお、炉体Ｃはウェーハ支持バドル３が熱処理炉１から
引き出された状態を示している。

次に、ウェーハ４に熱処理としてリン拡散処理を施ず動
作について説明する。まず、熱処理炉１をヒータ２で加
熱し、その後ウェーハ４を装着したウェーハ支持パドル
３を熱処理炉１内に挿入することによりウェーハ４を所
定位置に設置するとともに熱処理炉１に蓋をする。そし
て、ガス導入口１ａよりホスフィン（ＰＨ３）を熱処理
炉１内に導入することによりウェーハ４にリン拡散処理
を施す。熱処理炉１内に導入されたホスフィンの一部は
、ウェーハ支持バドル３の蓋と熱処理炉１との隙間より
熱処理炉１の外へ漏れ出し、排気管５に吸い込まれて排
気される。上記動作は炉体Ａ。

Ｂ、Ｃいずれも同じである。

また、上述したようにウェーハ４にリン拡散処理を施す
と、リン化合物（Ｐ２Ｏ３等）がウェーハ４の表面のみ
ならず、熱処理炉１の内壁やウェーハ支持パドル３上に
も堆積する。ウェーハ４の熱処理中はウェーハ支持パド
ル３により熱処理炉１に蓋がされているので、リン化合
物のパーティクル（リン化合物が粉末状になったもの。

以下、単にパーティクルという。）が熱処理炉１の外へ
は少ししか漏れない（炉体Ａ、Ｂ）。しかしリン拡散が
終了し、ウェーハ４を熱処理炉１より取り出すため、ウ
ェーハ支持パドル３を引き出し始めるとガス導入口１ａ
の対面よりパーティクルが熱処理炉１の外へ出てくる（
炉体Ｃ）。この場合も、このパーティクルが炉体外へ直
接漏れないよう排気管５によりパーティクルを排気する
。上記各々の動作は図示していない熱処理コントローラ
により行われる。

（発明が解決しようとする課題） 熱処理装置のような従来の半導体製造装置は以上のよう
に構成されており、熱処理炉１内にガスを導入している
か否かにかかわらず、またウェーハ支持パドル３が熱処
理炉１から引き出されているか否かにかかわらず、排気
管５による排気量は、炉体Ａ、Ｂ、Ｃで同一である。そ
して、ウェーハ支持パドル３を熱処理炉１より引き出し
始めると、パーティクルが多量に熱処理炉１外に出るの
で、この時の排気量は、前述したウェーハ支持バドル３
の蓋と熱処理炉１との隙間から漏れるガスを排気する場
合に比し、かなり大きくしなければならない。そのため
、各炉体の排気量を、パーティクルを完全に排気するこ
とができる排気量にする必要がある。そのため、総排気
ｍ（排気管５Ａの排気量）が膨大な量となるという問題
点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、排気量が膨大にならない半導体製造装置を得
ることを目的とする。

（課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体製造装置は、排気系を有する半導
体製造装置であって、前記排気系の排気量を可変とした
構成としている。

〔作用〕

この発明においては半導体製造装置の排気系の排気量を
可変することができる。

〔実施例〕

第１図は、この発明に係る半導体製造装置の一実施例で
ある熱処理装置を示す図であり、複数の炉体のうちの１
つを示している。図において、第２図に示した従来例と
の相違点は排気管５に排気Ｉ調整器８を設け、熱処理コ
ントローラ６からの排気コントロール指令に応じ排気量
調整器８の排気量を調整することができるようにしたこ
とである。なお、この実施例においても、従来例で用い
た熱処理コントローラが適用できる。熱処理コントロー
ラ６はヒータ２．ガス導入ロｌａ、ウェーハ支持パドル
３に各々指令を与え、加熱最の調整。

ガス量の調整、ウェーハ支持バドル３の熱処理炉１への
出し入れをシーケンス制御する。そして、熱処理コント
ローラ６は、熱処理状況に応じ排気コンロール指令を発
する。排気コントローラ７は熱処理コントローラ６から
の排気コントロール指令を受け、排気量調整器８の排気
量を調整する。

その他の構成は従来と同様である。

次に、ウェーハ４にリン拡散処理を施す場合について説
明する。まず熱処理コントローラ６からの加熱指令によ
りヒータ２が熱処理炉１を加熱する。その後、熱処理コ
ントローラ６からの収納指令により熱処理炉１の図示し
ていない蓋が開けられ、ウェーハ４を装着したウェーハ
支持バドル３が熱処理炉１内に収納される。上記動作中
において、排気コントローラ７は熱処理コントローラ６
からの排気コントロール指令を受け、排気量調整器８の
排気量を最小にする。これは、まだ熱処理炉１内にホス
フィンが導入されておらず、熱処理炉１外へホスフィン
が漏れる心配がないからである。

次に、熱処理コントローラ６からのガス導入指令により
ガス導入口１ａよりホスフィンの導入が開始される。そ
れと同時に、排気コントローラ７は熱処理コントローラ
６からの排気コントロール指令を受け、排気量調整器８
の排気量を中程度に増加させる。これは、ホスフィンの
導入により熱処理炉１とウェーハ支持パドル３の蓋との
隙間からホスフィン及びパーティクルが漏れるので、こ
れらを完全に排気するためである。

ウェーハ４へのリン拡散処理が終了すると熱処理コント
ローラ６からのガス導入停止指令および引き出し指令に
より熱処理炉１内へのホスフィンの導入の停止及びウェ
ーハ支持パドル３の熱処理炉１からの引き出しが行われ
る。これと同時に排気コントローラ７は熱処理コントロ
ーラ６からの排気コントロール指令を受け、排気量調整
器８の排気量を最大にする。これは、ウェーハ支持バド
ル３を熱処理炉１より引き出し始めたときに熱処理炉１
内より一気に排出される多量のパーティクルを完全に排
気するためである。

次に、ウェーハ支持パドル３が熱処理炉１から完全に引
き出されると、熱処理コントローラ６からの熱処理終了
指令により熱処理炉１の開放端が図示しない蓋により塞
がれ、当初の状態にもどる。

上記各々の動作は各炉体毎に行われ、各炉体でのウェー
ハ４の処理状況に応じ各炉体での排気量が調整される。

従って、従来のようにすべての炉体で排気量を最大に保
っておく必要がなく、その結果総排気量の軽減が図れる
。

第２図はこの発明の他の実施例を示す図である。

第１図に示した実施例では、熱処理コントローラ６から
の排気コントロール指令に基づき排気量の調整を最大、
中程度、最小の三段階に定量的に行う場合について説明
したが、この実施例では熱処理炉１のウェーハ支持パド
ル挿入口付近にパーティクルセンサー９（パーティクル
の口を測定する装置。）をさらに設け、熱処理炉１外へ
漏れるパーティクルの山に応じてパーティクルセンサー
から発生される信号を排気コントローラ７に与えること
によりパーティクルセンサ９からの信号と熱処理コント
ローラ６からの排気コントロール信号の両方に基づき排
気量の微調整制御を行うようにしてる。例えば、熱処理
コントローラ６からの排気コントロール指令を受け、排
気コントローラが排気調整器８の排気量を中程度に調整
している場合、この時点での熱処理炉１外へ漏れるパー
ティクルの苗が変化したとする。すると、パーティクル
センサー９はこの変化に応じた信号を排気コントローラ
６に与え、排気コントローラ６は該信号に応答し、一定
範囲内で排気量調整器８の排気量を微調整する。このよ
うに構成することにより上記実施例よりさらに無用の排
気が行われなくなり、さらに総排気量の軽減が図れる。

また、この場合、熱処理コントローラ６からの排気コン
トロール信号が排気コントローラ７に何らかの原因で与
えられないときに熱処理炉１内よりパーティクルが漏れ
ても、この漏れたパーティクルをパーティクルセンサ９
が検知し、パーティクルを排気することができる。

また、前述したパーティクルセンサー９の代りにガスが
漏れているか否かを検知するガス検知器を設けると、熱
処理炉１外にガスが漏れた場合にガス検知器から発生さ
れる信号を排気コントローラ７に与えることにより熱処
理コントローラ６からの信号とあわせて排気量の制御を
行なうことができる。

また、前述したパーティクルやガスが熱処理炉１外へ漏
れるときは熱とともに漏れるので、前述したパーティク
ルセンサーあるいはガス検知器の代りに熱が漏れている
か否かを検知する熱検知器を設けると、熱処理炉１外に
熱が漏れた場合に熱検知器から発生される信号を排気コ
ントロール７に与えることにより熱処理コントローラ６
の信号とあわせて排気量の制御を行なうことができる。

また、熱処理コントローラ６からの排気コントロール指
令を排気コントローラ７に与えることなく、前述したパ
ーティクルセンサー、ガス検知器。

熱検知器の信号のみを排気コントローラ７に与えること
によって排気口の制御を行うこともできる。

さらに、上記実施例では熱処理装置について説明したが
、この発明は排気系を有する半導体製造装置すべてに適
用可能である。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、排気系の排気量を可
変としたので、従来のように常に排気量を最大に保って
おく必要がなく総排気量を軽減することができるという
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す図、第２図はこの発
明の他の実施例を示す図、第３図は従来の熱処理装置を
示す図である。 図において、５は排気管、６は熱処理コントローラ、７
は排気コントローラ、８は排気渋調整器である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）排気系を有する半導体製造装置であって、前記排
   気系の排気量を可変としたことを特徴とする半導体製造
   装置。