JPS634957Y2 - - Google Patents
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- JPS634957Y2 JPS634957Y2 JP17195785U JP17195785U JPS634957Y2 JP S634957 Y2 JPS634957 Y2 JP S634957Y2 JP 17195785 U JP17195785 U JP 17195785U JP 17195785 U JP17195785 U JP 17195785U JP S634957 Y2 JPS634957 Y2 JP S634957Y2
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 48
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 13
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、処理物を特殊ガス雰囲気中で熱処理
するのに用いられる真空雰囲気熱処理炉に関する
ものである。
するのに用いられる真空雰囲気熱処理炉に関する
ものである。
熱処理技術の多様化に伴なつて、近年、処理物
を各種の特殊ガス雰囲気中で熱処理することが盛
んになつている。一例を挙げれば、炭化珪素の焼
結時に不純物の除去を目的としてその真空雰囲気
中に塩化水素ガスを加えることが知られる。
を各種の特殊ガス雰囲気中で熱処理することが盛
んになつている。一例を挙げれば、炭化珪素の焼
結時に不純物の除去を目的としてその真空雰囲気
中に塩化水素ガスを加えることが知られる。
しかし、既存の真空熱処理炉を利用してその雰
囲気ガスにかかる特殊ガスを用いるようにする
と、特殊ガスが炉内で処理物と反応するばかりで
なく、同時に炉材と接触して炉内のヒータ、断熱
材、チヤンバー内壁等を侵すことが避けられなく
なる。このため、現状では炉保護の面から、熱処
理にさいして特殊ガスの使用を制限している例が
多い。
囲気ガスにかかる特殊ガスを用いるようにする
と、特殊ガスが炉内で処理物と反応するばかりで
なく、同時に炉材と接触して炉内のヒータ、断熱
材、チヤンバー内壁等を侵すことが避けられなく
なる。このため、現状では炉保護の面から、熱処
理にさいして特殊ガスの使用を制限している例が
多い。
本考案は、このような実情に着目し、炉材と接
触させることなく必要な処理物のみにその雰囲気
ガスとして特殊ガスを導入することができ、これ
により種々の特殊ガスを用いた熱処理が広汎に実
施できる改良された真空雰囲気熱処理炉を提供し
ようとするものである。
触させることなく必要な処理物のみにその雰囲気
ガスとして特殊ガスを導入することができ、これ
により種々の特殊ガスを用いた熱処理が広汎に実
施できる改良された真空雰囲気熱処理炉を提供し
ようとするものである。
本考案は、このような目的に合致する真空雰囲
気熱処理炉として、チヤンバー内に処理物を収容
するタイトボツクスを配設するとともに、このチ
ヤンバー内に炉外から不活性ガスを導入する不活
性ガス導入管と、前記タイトボツクス内に炉外か
ら特殊ガスを直接導入する特殊ガス導入管と、同
タイトボツクス内を真空吸引し炉外に排気する排
気管とを備え、かつ前記チヤンバー内の圧力を前
記タイトボツクス内の圧力よりも常に高くコント
ロールする制御手段を具備した構成のものを提供
する。
気熱処理炉として、チヤンバー内に処理物を収容
するタイトボツクスを配設するとともに、このチ
ヤンバー内に炉外から不活性ガスを導入する不活
性ガス導入管と、前記タイトボツクス内に炉外か
ら特殊ガスを直接導入する特殊ガス導入管と、同
タイトボツクス内を真空吸引し炉外に排気する排
気管とを備え、かつ前記チヤンバー内の圧力を前
記タイトボツクス内の圧力よりも常に高くコント
ロールする制御手段を具備した構成のものを提供
する。
上記構成を有するものであると、処理物を熱処
理するにさいしては、処理物を収容するタイトボ
ツクス内に必要な特殊ガスを直接導入する一方、
タイトボツクス外の炉内には不活性ガスを導入し
て、タイトボツクス内外でその外側を相対的高圧
とする差圧を設定して炉内雰囲気を調整すること
が可能となる。つまり、このようにすればタイト
ボツクス内で処理物に対し特殊ガスを接触させる
ことができるとともに、不活性ガスが充満される
タイトボツクスの外側が相対的高圧であるからタ
イトボツクスの〓間から外側に特殊ガスが漏れ出
ることはなく、タイトボツクス内に導入された特
殊ガスは〓間を通して一方的に流入してくる不活
性ガスと共に悉く排気管から炉外に排出される。
したがつて、特殊ガスが炉内に漏れ炉材を侵した
り、汚染するおそれは確実に除かれる。
理するにさいしては、処理物を収容するタイトボ
ツクス内に必要な特殊ガスを直接導入する一方、
タイトボツクス外の炉内には不活性ガスを導入し
て、タイトボツクス内外でその外側を相対的高圧
とする差圧を設定して炉内雰囲気を調整すること
が可能となる。つまり、このようにすればタイト
ボツクス内で処理物に対し特殊ガスを接触させる
ことができるとともに、不活性ガスが充満される
タイトボツクスの外側が相対的高圧であるからタ
イトボツクスの〓間から外側に特殊ガスが漏れ出
ることはなく、タイトボツクス内に導入された特
殊ガスは〓間を通して一方的に流入してくる不活
性ガスと共に悉く排気管から炉外に排出される。
したがつて、特殊ガスが炉内に漏れ炉材を侵した
り、汚染するおそれは確実に除かれる。
以下、本考案の一実施例を図面を参照して説明
する。
する。
第１図、第２図は、本考案に係る熱処理炉の炉
内構造および必要な付帯要素を概略的に図示して
おり、図において１は炉殻を構成するチヤンバー
で、図示されない両端の開閉可能な扉を閉じると
内部が密閉される構造となつている。そして、こ
のチヤンバー１内に、その外周をヒータ２および
断熱材３ａで包囲して、処理物Ａをその内部に収
容するタイトボツクス４を配設している。タイト
ボツクス４は、円筒状の本体４ａとその両端開口
部に蓋着される蓋部４ｂとからなり、さらに蓋部
４ｂを厚手の断熱材３ｂに内張してタイトボツク
ス４を開閉可能ならしめる一体の扉５に構築して
いる。
内構造および必要な付帯要素を概略的に図示して
おり、図において１は炉殻を構成するチヤンバー
で、図示されない両端の開閉可能な扉を閉じると
内部が密閉される構造となつている。そして、こ
のチヤンバー１内に、その外周をヒータ２および
断熱材３ａで包囲して、処理物Ａをその内部に収
容するタイトボツクス４を配設している。タイト
ボツクス４は、円筒状の本体４ａとその両端開口
部に蓋着される蓋部４ｂとからなり、さらに蓋部
４ｂを厚手の断熱材３ｂに内張してタイトボツク
ス４を開閉可能ならしめる一体の扉５に構築して
いる。
このように構成したものにおいて、まず前記チ
ヤンバー１には、その内部に炉外の供給タンク６
などから供給される窒素ガスのような不活性ガス
を導入させる不活性ガス導入管７を制御弁８を介
して接続するようにしている。また、チヤンバー
１内に配設された前記タイトボツクス４には、炉
外からその内部に直接所望の特殊ガスを導入させ
る特殊ガス導入管１０と、同タイトボツクス４の
内部を真空吸引して炉外に排気する排気管１３と
を装着している。すなわち、特殊ガス導入管１０
は一端がチヤンバー１、断熱材３ａ等を貫通して
タイトボツクス４に接続されるとともに、他端が
特殊ガスを供給する炉外の供給タンク９などと制
御弁１１を介して接続されており、また排気管１
３は一端が同じくチヤンバー１、断熱材３ａ等を
貫通してタイトボツクス４に接続されているとと
もに、他端が炉外に設置した真空ポンプ１２と排
気弁１４を介して接続されており、各々タイトボ
ツクス４の内部空間と直接連通している。
ヤンバー１には、その内部に炉外の供給タンク６
などから供給される窒素ガスのような不活性ガス
を導入させる不活性ガス導入管７を制御弁８を介
して接続するようにしている。また、チヤンバー
１内に配設された前記タイトボツクス４には、炉
外からその内部に直接所望の特殊ガスを導入させ
る特殊ガス導入管１０と、同タイトボツクス４の
内部を真空吸引して炉外に排気する排気管１３と
を装着している。すなわち、特殊ガス導入管１０
は一端がチヤンバー１、断熱材３ａ等を貫通して
タイトボツクス４に接続されるとともに、他端が
特殊ガスを供給する炉外の供給タンク９などと制
御弁１１を介して接続されており、また排気管１
３は一端が同じくチヤンバー１、断熱材３ａ等を
貫通してタイトボツクス４に接続されているとと
もに、他端が炉外に設置した真空ポンプ１２と排
気弁１４を介して接続されており、各々タイトボ
ツクス４の内部空間と直接連通している。
そして、この熱処理炉には、そのタイトボツク
ス４内の圧力P1とタイトボツクス４外における
チヤンバー１内の圧力P2とを調整して、常時P2
≧P1にコントロールするための制御手段１５を
具備している。この制御手段１５は、炉内でタイ
トボツクス４内にセツトされた圧力センサ１６
と、その外側のチヤンバー１内にセツトされた圧
力センサ１７からの各検出信号S1、S2を受信し
て、タイトボツクス４内外の差圧状況を検知して
いるとともに、前記不活性ガス導入管７の途中に
介設した制御弁８と前記特殊ガス導入管１０の途
中に介設した制御弁１１とに必要に応じバルブ開
閉信号V1、V2を出力し、この制御弁８、１１の
開閉操作で前記P2≧P1の差圧状態に保持するよ
うに構成したものである。
ス４内の圧力P1とタイトボツクス４外における
チヤンバー１内の圧力P2とを調整して、常時P2
≧P1にコントロールするための制御手段１５を
具備している。この制御手段１５は、炉内でタイ
トボツクス４内にセツトされた圧力センサ１６
と、その外側のチヤンバー１内にセツトされた圧
力センサ１７からの各検出信号S1、S2を受信し
て、タイトボツクス４内外の差圧状況を検知して
いるとともに、前記不活性ガス導入管７の途中に
介設した制御弁８と前記特殊ガス導入管１０の途
中に介設した制御弁１１とに必要に応じバルブ開
閉信号V1、V2を出力し、この制御弁８、１１の
開閉操作で前記P2≧P1の差圧状態に保持するよ
うに構成したものである。
次いで、HCIを雰囲気ガスとして用い焼結作業
を行なう場合を例に、この真空雰囲気熱処理炉の
作動を説明する。
を行なう場合を例に、この真空雰囲気熱処理炉の
作動を説明する。
まず、炉内でタイトボツクス４の扉５を開放し
た状態で、排気弁１４を開き排気管１３を通し炉
外の真空ポンプ１２で炉内を真空吸引する。この
真空引きを行なつた後、タイトボツクス４の扉５
を閉じ、まず制御弁８を開いて不活性ガス導入管
７からタイトボツクス４の外側の炉内に不活性ガ
スを導入する。次いで、制御弁１１を開いて特殊
ガス導入管１０から処理物Ａを収容しているタイ
トボツクス４にHClを導入する。かくてタイトボ
ツクス４の内外に異種のガスを導入し、真空ポン
プ１２で排気管１３からその内部を排気しつつタ
イトボツクス４内で処理物Ａを加熱し、導入HCl
ガスとの接触状態を持続させながら処理物Ａを焼
結処理することになる。そして、タイトボツクス
４の内部にHClを導入中は、炉に付設された制御
手段１５で制御弁８、１１を開度調整し、タイト
ボツクス４の外側の圧力が内側の圧力よりも常に
高いP2≧P1の状態にコントールするのである。
た状態で、排気弁１４を開き排気管１３を通し炉
外の真空ポンプ１２で炉内を真空吸引する。この
真空引きを行なつた後、タイトボツクス４の扉５
を閉じ、まず制御弁８を開いて不活性ガス導入管
７からタイトボツクス４の外側の炉内に不活性ガ
スを導入する。次いで、制御弁１１を開いて特殊
ガス導入管１０から処理物Ａを収容しているタイ
トボツクス４にHClを導入する。かくてタイトボ
ツクス４の内外に異種のガスを導入し、真空ポン
プ１２で排気管１３からその内部を排気しつつタ
イトボツクス４内で処理物Ａを加熱し、導入HCl
ガスとの接触状態を持続させながら処理物Ａを焼
結処理することになる。そして、タイトボツクス
４の内部にHClを導入中は、炉に付設された制御
手段１５で制御弁８、１１を開度調整し、タイト
ボツクス４の外側の圧力が内側の圧力よりも常に
高いP2≧P1の状態にコントールするのである。
しかして、このように炉内のタイトボツクス４
で処理物Ａを必要なHClガスと接触させながら焼
結（熱処理）するものであると、同タイトボツク
ス４内で処理物ＡとHClとの反応が有効に行なわ
れ、しかも有害なHClガスが炉内に拡散して炉材
を侵食する問題が確実に防止できるものとなる。
これは、タイトボツクス４内外で常にその外側を
相対的高圧とする差圧（P2≧P1）を設定して炉
内雰囲気を調整することができるため、タイトボ
ツクス４の扉５の〓間等から外側にガスが漏れ出
ることはなく、逆にその〓間を通して外側の不活
性ガスがタイトボツクス４内に一方的に流入して
くることになるからである。そして、タイトボツ
クス４内に導入されたHClガスはこの流入不活性
ガスと共に真空ポンプ１２で吸引されて排気管１
３から悉く炉外に排出されることになる。なお、
タイトボツクス４内には導入HClガスの他に外側
から流入してくる不活性ガスが含まれるが、タイ
トボツクス４内でのHClガス純度を高くするため
には、その内外での差圧を小さくし〓間からのガ
ス流入量を少なくするように調整すればよい。こ
のように、本考案に係る熱処理を利用すれば、炉
材とHClガスとの不都合な接触を回避してそのタ
イトボツクス４内で処理物Ａと有効に反応せしめ
ることが可能となる。
で処理物Ａを必要なHClガスと接触させながら焼
結（熱処理）するものであると、同タイトボツク
ス４内で処理物ＡとHClとの反応が有効に行なわ
れ、しかも有害なHClガスが炉内に拡散して炉材
を侵食する問題が確実に防止できるものとなる。
これは、タイトボツクス４内外で常にその外側を
相対的高圧とする差圧（P2≧P1）を設定して炉
内雰囲気を調整することができるため、タイトボ
ツクス４の扉５の〓間等から外側にガスが漏れ出
ることはなく、逆にその〓間を通して外側の不活
性ガスがタイトボツクス４内に一方的に流入して
くることになるからである。そして、タイトボツ
クス４内に導入されたHClガスはこの流入不活性
ガスと共に真空ポンプ１２で吸引されて排気管１
３から悉く炉外に排出されることになる。なお、
タイトボツクス４内には導入HClガスの他に外側
から流入してくる不活性ガスが含まれるが、タイ
トボツクス４内でのHClガス純度を高くするため
には、その内外での差圧を小さくし〓間からのガ
ス流入量を少なくするように調整すればよい。こ
のように、本考案に係る熱処理を利用すれば、炉
材とHClガスとの不都合な接触を回避してそのタ
イトボツクス４内で処理物Ａと有効に反応せしめ
ることが可能となる。
以上、一実施例について説明したが、本考案は
上記焼結炉に限らず、特殊ガスを雰囲気ガスとし
て利用する熱処理炉には広範に適用できるもので
あり、また特殊ガスは勿論HClガスに限らず熱処
理の内容に応じて必要な種々のガスが選ばれるこ
とになる。そして、熱処理炉の用途が変わつて
も、炉内構造は基本的に上記のものと同様であ
る。但し、炉に付帯する制御手段１５について
は、タイトボツクス４の内外を所定の差圧設定状
態にコントロールするものであれば、特にその制
御方式を限るものではない。
上記焼結炉に限らず、特殊ガスを雰囲気ガスとし
て利用する熱処理炉には広範に適用できるもので
あり、また特殊ガスは勿論HClガスに限らず熱処
理の内容に応じて必要な種々のガスが選ばれるこ
とになる。そして、熱処理炉の用途が変わつて
も、炉内構造は基本的に上記のものと同様であ
る。但し、炉に付帯する制御手段１５について
は、タイトボツクス４の内外を所定の差圧設定状
態にコントロールするものであれば、特にその制
御方式を限るものではない。
以上のように、本考案の真空雰囲気熱処理炉で
は、炉内に設けたタイトボツクスの中で処理物に
対し漏れなく限定的に特殊ガスを接触させること
ができて、炉材が特殊ガスによつて侵されたり、
汚染されたりすることがない。そして、このよう
に炉の保護が十分に図られることにより、各種の
特殊ガスを利用した熱処理が広範に活用できるも
のとなる。
は、炉内に設けたタイトボツクスの中で処理物に
対し漏れなく限定的に特殊ガスを接触させること
ができて、炉材が特殊ガスによつて侵されたり、
汚染されたりすることがない。そして、このよう
に炉の保護が十分に図られることにより、各種の
特殊ガスを利用した熱処理が広範に活用できるも
のとなる。
第１図は本発明の一実施例に係る熱処理炉（焼
結炉）の構成を示す概略断面図であり、第２図は
その横断面図である。 Ａ……処理物、１……チヤンバー、２……ヒー
タ、３ａ，３ｂ……断熱材、４……タイトボツク
ス、４ａ……本体、４ｂ……蓋部、５……扉、６
……供給タンク、７……不活性ガス導入管、８…
…制御弁、９……供給タンク、１０……特殊ガス
導入管、１１……制御弁、１２……真空ポンプ、
１３……排気管、１４……排気弁、１５……制御
手段、１６，１７……圧力センサ。
結炉）の構成を示す概略断面図であり、第２図は
その横断面図である。 Ａ……処理物、１……チヤンバー、２……ヒー
タ、３ａ，３ｂ……断熱材、４……タイトボツク
ス、４ａ……本体、４ｂ……蓋部、５……扉、６
……供給タンク、７……不活性ガス導入管、８…
…制御弁、９……供給タンク、１０……特殊ガス
導入管、１１……制御弁、１２……真空ポンプ、
１３……排気管、１４……排気弁、１５……制御
手段、１６，１７……圧力センサ。
Claims (1)
- チヤンバー内に処理物を収容するタイトボツク
スを配設するとともに、このチヤンバー内に炉外
から不活性ガスを導入する不活性ガス導入管と、
前記タイトボツクス内に炉外から特殊ガスを直接
導入する特殊ガス導入管と、同タイトボツクス内
を真空吸引し炉外に排気する排気管とを備え、か
つ前記チヤンバー内の圧力を前記タイトボツクス
内の圧力よりも常に高くコントロールする制御手
段を具備してなることを特徴とする真空雰囲気熱
処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17195785U JPS634957Y2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17195785U JPS634957Y2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280199U JPS6280199U (ja) | 1987-05-22 |
| JPS634957Y2 true JPS634957Y2 (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=31108062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17195785U Expired JPS634957Y2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634957Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0634338Y2 (ja) * | 1987-09-29 | 1994-09-07 | 株式会社島津製作所 | 焼結炉 |
| JP2005325371A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空浸炭炉 |
| JP7008727B2 (ja) * | 2017-12-15 | 2022-01-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 有機膜形成装置 |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP17195785U patent/JPS634957Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6280199U (ja) | 1987-05-22 |
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